JP2808971B2 - 液晶ディスプレイマトリクス基板の製造方法 - Google Patents
液晶ディスプレイマトリクス基板の製造方法Info
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Description
晶ディスプレイマトリクス基板の製造方法に関する。
図2に基づいて説明する。図2は、従来法を説明するた
めの工程順断面図であって、特に、図2工程Aは、シリ
コン窒化膜エッチング前を示す断面図であり、図2工程
Bは、シリコン窒化膜エッチング後を示す断面図であ
る。
に、ガラス基板1上にクロム膜2を形成し、所定の形に
加工する。次に、プラズマCVD法により300℃程度の
低温でシリコン窒化膜4を形成し、ホトリソグラフィー
技術を用いてレジスト5を所定の形状に加工した後、図
2工程Bに示すように、バッファードフッ酸を用いてク
ロム膜2上のシリコン窒化膜4をエッチングし、クロム
膜2が露出した開口部6を表出させる。
は、上記したとおり、クロム膜2上のシリコン窒化膜4
をバッファードフッ酸でエッチングする方法であり、こ
の方法によれば、クロム膜2の表面が酸化され、高抵抗
化することになる。
ンスファーパッドの場合、対向電極基板の共通電極の波
形がなまるという問題点があった。また、断線・短絡検
査パッドの場合、断線・短絡検査時に測定探針とパッド
間の接触抵抗が高くなり、測定される配線抵抗が本来の
配線抵抗の3倍以上となるため、目的とする配線抵抗が
測定できず、良品、不良品の判定ができないという問題
点があった。
スプレイマトリクス基板の製造方法を提供することを目
的とする。詳細には、本発明は、金属膜の表面が酸化さ
れず、高抵抗化することのない液晶ディスプレイマトリ
クス基板の製造方法を提供することを目的とする。
膜の上にITO膜を形成し、その上のシリコン窒化膜を
強酸性薬品でエッチングすることを特徴とし、このよう
に金属膜上をITO膜で被覆することにより、エッチン
グ時における金属膜表面の酸化、高抵抗化を防止するも
のである。
膜で被覆し、その上にシリコン窒化膜を堆積し、該シリ
コン窒化膜を強酸性薬品でエッチングして、上記ITO
膜を露出させることを特徴とする液晶ディスプレイマト
リクス基板の製造方法を要旨とするものである。
ITO膜を被覆し、その上のシリコン窒化膜を強酸性薬
品でエッチングする方法であり、このようにITO膜で
覆うことにより、従来法のようにクロムなどの金属膜上
にITO膜を形成しない場合にみられる該金属膜表面の
酸化、高抵抗化を防止する作用が生ずる。
明する。図1は、本発明の実施例を説明するための工程
順断面図であって、特に、図1工程Aは、シリコン窒化
膜エッチング前を示す断面図であり、図1工程Bは、シ
リコン窒化膜エッチング後を示す断面図である。
まず、図1工程Aに示すように、クロム膜2をガラス基
板1上に形成し、所定の形状に加工し、次に、ITO膜
3を形成し、当該ITO膜が金属パターンの上面及び側
面全体を覆い、かつ、当該ITO膜が直接ガラス基板に
接する部分を有するようにITO膜3を加工する。続い
て、プラズマCVD法によりシリコン窒化膜4を形成
し、ホトリソグラフィー技術を用いてレジスト5を所定
の形状に加工した後、図1工程Bに示すように、ITO
膜3上のシリコン窒化膜4をバッファードフッ酸でエッ
チングし、ITO膜3が露出した開口部6を表出させ
る。
1の製造法をトランスファーパッドに適用した場合の例
であって、クロム膜のトランスファーパッド上をITO
膜で被覆し、その上のシリコン窒化膜をバッファードフ
ッ酸でエッチングする。この実施例2によれば、導電体
を介して対向電極に供給される波形のなまりを解消する
ことができる。
1の製造法を断線・短絡検査パッドに適用した場合の例
であって、クロム膜の断線・短絡検査パッド上をITO
膜で被覆し、その上のシリコン窒化膜をバッファードフ
ッ酸でエッチングする。この実施例3によれば、測定探
針とパッド間の接触抵抗が低くなり、測定する配線抵抗
が本来の配線抵抗の3倍以内となり、断線・短絡検査時
に良品、不良品の区別が有効になしうることができる。
の上にITO膜を形成し、その上のシリコン窒化膜を強
酸性薬品でエッチングすることを特徴とし、このように
金属膜上をITO膜で被覆することにより、エッチング
時における金属膜表面の酸化、高抵抗化を防止すること
ができる効果が生ずる。
パッドに適用する場合、導電体を介して対向電極に供給
される波形のなまりを解消することができ、また、断線
・短絡検査パッドに適用すると、測定探針とパッド間の
接触抵抗が低くなり、断線・短絡検査時に良品、不良品
の区別が有効になしうる効果が生ずる。
であって、このうち、工程Aは、シリコン窒化膜エッチ
ング前の断面図であり、工程Bは、シリコン窒化膜エッ
チング後の断面図である。
て、このうち、工程Aは、シリコン窒化膜エッチング前
の断面図であり、工程Bは、シリコン窒化膜エッチング
後の断面図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 金属膜パターンをITO膜で被覆し、そ
の上にシリコン窒化膜を堆積し、該シリコン窒化膜を強
酸性薬品でエッチングして、上記ITO膜を露出させる
ことを特徴とする液晶ディスプレイマトリクス基板の製
造方法。 - 【請求項2】 金属パターンがマトリクス基板と対向電
極基板との導通部となるトランスファーパッドであるこ
とを特徴とする請求項1に記載の液晶ディスプレイマト
リクス基板の製造方法。 - 【請求項3】 金属パターンがマトリクス配線の断線・
短絡検査パッドであることを特徴とする請求項1に記載
の液晶ディスプレイマトリクス基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4072087A JP2808971B2 (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | 液晶ディスプレイマトリクス基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4072087A JP2808971B2 (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | 液晶ディスプレイマトリクス基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05232491A JPH05232491A (ja) | 1993-09-10 |
JP2808971B2 true JP2808971B2 (ja) | 1998-10-08 |
Family
ID=13479273
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4072087A Expired - Fee Related JP2808971B2 (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | 液晶ディスプレイマトリクス基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2808971B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1329771C (zh) * | 2002-07-25 | 2007-08-01 | 友达光电股份有限公司 | 可防止表面氧化的接触垫及其制作方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH031124A (ja) * | 1989-05-29 | 1991-01-07 | Fuji Electric Co Ltd | 非晶質シリコンを用いる薄膜素子の製造方法 |
-
1992
- 1992-02-24 JP JP4072087A patent/JP2808971B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05232491A (ja) | 1993-09-10 |
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