JP2808971B2 - 液晶ディスプレイマトリクス基板の製造方法 - Google Patents
液晶ディスプレイマトリクス基板の製造方法Info
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- JP2808971B2 JP2808971B2 JP4072087A JP7208792A JP2808971B2 JP 2808971 B2 JP2808971 B2 JP 2808971B2 JP 4072087 A JP4072087 A JP 4072087A JP 7208792 A JP7208792 A JP 7208792A JP 2808971 B2 JP2808971 B2 JP 2808971B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置に係る液
晶ディスプレイマトリクス基板の製造方法に関する。
晶ディスプレイマトリクス基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種マトリクス基板の製造法を
図２に基づいて説明する。図２は、従来法を説明するた
めの工程順断面図であって、特に、図２工程Ａは、シリ
コン窒化膜エッチング前を示す断面図であり、図２工程
Ｂは、シリコン窒化膜エッチング後を示す断面図であ
る。
図２に基づいて説明する。図２は、従来法を説明するた
めの工程順断面図であって、特に、図２工程Ａは、シリ
コン窒化膜エッチング前を示す断面図であり、図２工程
Ｂは、シリコン窒化膜エッチング後を示す断面図であ
る。
【０００３】従来法は、まず、図２工程Ａに示すよう
に、ガラス基板１上にクロム膜２を形成し、所定の形に
加工する。次に、プラズマＣＶＤ法により300℃程度の
低温でシリコン窒化膜４を形成し、ホトリソグラフィー
技術を用いてレジスト５を所定の形状に加工した後、図
２工程Ｂに示すように、バッファードフッ酸を用いてク
ロム膜２上のシリコン窒化膜４をエッチングし、クロム
膜２が露出した開口部６を表出させる。
に、ガラス基板１上にクロム膜２を形成し、所定の形に
加工する。次に、プラズマＣＶＤ法により300℃程度の
低温でシリコン窒化膜４を形成し、ホトリソグラフィー
技術を用いてレジスト５を所定の形状に加工した後、図
２工程Ｂに示すように、バッファードフッ酸を用いてク
ロム膜２上のシリコン窒化膜４をエッチングし、クロム
膜２が露出した開口部６を表出させる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の製造方法で
は、上記したとおり、クロム膜２上のシリコン窒化膜４
をバッファードフッ酸でエッチングする方法であり、こ
の方法によれば、クロム膜２の表面が酸化され、高抵抗
化することになる。
は、上記したとおり、クロム膜２上のシリコン窒化膜４
をバッファードフッ酸でエッチングする方法であり、こ
の方法によれば、クロム膜２の表面が酸化され、高抵抗
化することになる。
【０００５】その結果、このクロム膜２の金属膜がトラ
ンスファーパッドの場合、対向電極基板の共通電極の波
形がなまるという問題点があった。また、断線・短絡検
査パッドの場合、断線・短絡検査時に測定探針とパッド
間の接触抵抗が高くなり、測定される配線抵抗が本来の
配線抵抗の３倍以上となるため、目的とする配線抵抗が
測定できず、良品、不良品の判定ができないという問題
点があった。
ンスファーパッドの場合、対向電極基板の共通電極の波
形がなまるという問題点があった。また、断線・短絡検
査パッドの場合、断線・短絡検査時に測定探針とパッド
間の接触抵抗が高くなり、測定される配線抵抗が本来の
配線抵抗の３倍以上となるため、目的とする配線抵抗が
測定できず、良品、不良品の判定ができないという問題
点があった。
【０００６】本発明は、上記問題点を解消する液晶ディ
スプレイマトリクス基板の製造方法を提供することを目
的とする。詳細には、本発明は、金属膜の表面が酸化さ
れず、高抵抗化することのない液晶ディスプレイマトリ
クス基板の製造方法を提供することを目的とする。
スプレイマトリクス基板の製造方法を提供することを目
的とする。詳細には、本発明は、金属膜の表面が酸化さ
れず、高抵抗化することのない液晶ディスプレイマトリ
クス基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そして、本発明は、金属
膜の上にＩＴＯ膜を形成し、その上のシリコン窒化膜を
強酸性薬品でエッチングすることを特徴とし、このよう
に金属膜上をＩＴＯ膜で被覆することにより、エッチン
グ時における金属膜表面の酸化、高抵抗化を防止するも
のである。
膜の上にＩＴＯ膜を形成し、その上のシリコン窒化膜を
強酸性薬品でエッチングすることを特徴とし、このよう
に金属膜上をＩＴＯ膜で被覆することにより、エッチン
グ時における金属膜表面の酸化、高抵抗化を防止するも
のである。
【０００８】即ち、本発明は、金属膜パターンをＩＴＯ
膜で被覆し、その上にシリコン窒化膜を堆積し、該シリ
コン窒化膜を強酸性薬品でエッチングして、上記ＩＴＯ
膜を露出させることを特徴とする液晶ディスプレイマト
リクス基板の製造方法を要旨とするものである。
膜で被覆し、その上にシリコン窒化膜を堆積し、該シリ
コン窒化膜を強酸性薬品でエッチングして、上記ＩＴＯ
膜を露出させることを特徴とする液晶ディスプレイマト
リクス基板の製造方法を要旨とするものである。
【０００９】
【作用】本発明は、クロムなどの金属膜パターンの上に
ＩＴＯ膜を被覆し、その上のシリコン窒化膜を強酸性薬
品でエッチングする方法であり、このようにＩＴＯ膜で
覆うことにより、従来法のようにクロムなどの金属膜上
にＩＴＯ膜を形成しない場合にみられる該金属膜表面の
酸化、高抵抗化を防止する作用が生ずる。
ＩＴＯ膜を被覆し、その上のシリコン窒化膜を強酸性薬
品でエッチングする方法であり、このようにＩＴＯ膜で
覆うことにより、従来法のようにクロムなどの金属膜上
にＩＴＯ膜を形成しない場合にみられる該金属膜表面の
酸化、高抵抗化を防止する作用が生ずる。
【００１０】
（実施例１）次に、本発明の実施例を図１に基づいて説
明する。図１は、本発明の実施例を説明するための工程
順断面図であって、特に、図１工程Ａは、シリコン窒化
膜エッチング前を示す断面図であり、図１工程Ｂは、シ
リコン窒化膜エッチング後を示す断面図である。
明する。図１は、本発明の実施例を説明するための工程
順断面図であって、特に、図１工程Ａは、シリコン窒化
膜エッチング前を示す断面図であり、図１工程Ｂは、シ
リコン窒化膜エッチング後を示す断面図である。
【００１１】このマトリクス基板の製造に当たっては、
まず、図１工程Ａに示すように、クロム膜２をガラス基
板１上に形成し、所定の形状に加工し、次に、ＩＴＯ膜
３を形成し、当該ＩＴＯ膜が金属パターンの上面及び側
面全体を覆い、かつ、当該ＩＴＯ膜が直接ガラス基板に
接する部分を有するようにＩＴＯ膜３を加工する。続い
て、プラズマＣＶＤ法によりシリコン窒化膜４を形成
し、ホトリソグラフィー技術を用いてレジスト５を所定
の形状に加工した後、図１工程Ｂに示すように、ＩＴＯ
膜３上のシリコン窒化膜４をバッファードフッ酸でエッ
チングし、ＩＴＯ膜３が露出した開口部６を表出させ
る。
まず、図１工程Ａに示すように、クロム膜２をガラス基
板１上に形成し、所定の形状に加工し、次に、ＩＴＯ膜
３を形成し、当該ＩＴＯ膜が金属パターンの上面及び側
面全体を覆い、かつ、当該ＩＴＯ膜が直接ガラス基板に
接する部分を有するようにＩＴＯ膜３を加工する。続い
て、プラズマＣＶＤ法によりシリコン窒化膜４を形成
し、ホトリソグラフィー技術を用いてレジスト５を所定
の形状に加工した後、図１工程Ｂに示すように、ＩＴＯ
膜３上のシリコン窒化膜４をバッファードフッ酸でエッ
チングし、ＩＴＯ膜３が露出した開口部６を表出させ
る。
【００１２】（実施例２）この実施例２は、前記実施例
１の製造法をトランスファーパッドに適用した場合の例
であって、クロム膜のトランスファーパッド上をＩＴＯ
膜で被覆し、その上のシリコン窒化膜をバッファードフ
ッ酸でエッチングする。この実施例２によれば、導電体
を介して対向電極に供給される波形のなまりを解消する
ことができる。
１の製造法をトランスファーパッドに適用した場合の例
であって、クロム膜のトランスファーパッド上をＩＴＯ
膜で被覆し、その上のシリコン窒化膜をバッファードフ
ッ酸でエッチングする。この実施例２によれば、導電体
を介して対向電極に供給される波形のなまりを解消する
ことができる。
【００１３】（実施例３）この実施例３は、前記実施例
１の製造法を断線・短絡検査パッドに適用した場合の例
であって、クロム膜の断線・短絡検査パッド上をＩＴＯ
膜で被覆し、その上のシリコン窒化膜をバッファードフ
ッ酸でエッチングする。この実施例３によれば、測定探
針とパッド間の接触抵抗が低くなり、測定する配線抵抗
が本来の配線抵抗の３倍以内となり、断線・短絡検査時
に良品、不良品の区別が有効になしうることができる。
１の製造法を断線・短絡検査パッドに適用した場合の例
であって、クロム膜の断線・短絡検査パッド上をＩＴＯ
膜で被覆し、その上のシリコン窒化膜をバッファードフ
ッ酸でエッチングする。この実施例３によれば、測定探
針とパッド間の接触抵抗が低くなり、測定する配線抵抗
が本来の配線抵抗の３倍以内となり、断線・短絡検査時
に良品、不良品の区別が有効になしうることができる。
【００１４】
【発明の効果】本発明は、以上詳記したとおり、金属膜
の上にＩＴＯ膜を形成し、その上のシリコン窒化膜を強
酸性薬品でエッチングすることを特徴とし、このように
金属膜上をＩＴＯ膜で被覆することにより、エッチング
時における金属膜表面の酸化、高抵抗化を防止すること
ができる効果が生ずる。
の上にＩＴＯ膜を形成し、その上のシリコン窒化膜を強
酸性薬品でエッチングすることを特徴とし、このように
金属膜上をＩＴＯ膜で被覆することにより、エッチング
時における金属膜表面の酸化、高抵抗化を防止すること
ができる効果が生ずる。
【００１５】そのため、本発明の方法をトランスファー
パッドに適用する場合、導電体を介して対向電極に供給
される波形のなまりを解消することができ、また、断線
・短絡検査パッドに適用すると、測定探針とパッド間の
接触抵抗が低くなり、断線・短絡検査時に良品、不良品
の区別が有効になしうる効果が生ずる。
パッドに適用する場合、導電体を介して対向電極に供給
される波形のなまりを解消することができ、また、断線
・短絡検査パッドに適用すると、測定探針とパッド間の
接触抵抗が低くなり、断線・短絡検査時に良品、不良品
の区別が有効になしうる効果が生ずる。
【図１】本発明の実施例を説明するための工程順断面図
であって、このうち、工程Ａは、シリコン窒化膜エッチ
ング前の断面図であり、工程Ｂは、シリコン窒化膜エッ
チング後の断面図である。
であって、このうち、工程Ａは、シリコン窒化膜エッチ
ング前の断面図であり、工程Ｂは、シリコン窒化膜エッ
チング後の断面図である。
【図２】従来法を説明するための工程順断面図であっ
て、このうち、工程Ａは、シリコン窒化膜エッチング前
の断面図であり、工程Ｂは、シリコン窒化膜エッチング
後の断面図である。
て、このうち、工程Ａは、シリコン窒化膜エッチング前
の断面図であり、工程Ｂは、シリコン窒化膜エッチング
後の断面図である。
１ ガラス基板 ２ クロム膜 ３ ＩＴＯ膜 ４ シリコン窒化膜 ５ レジスト ６ 開口部
Claims (3)
- 【請求項１】 金属膜パターンをＩＴＯ膜で被覆し、そ
の上にシリコン窒化膜を堆積し、該シリコン窒化膜を強
酸性薬品でエッチングして、上記ＩＴＯ膜を露出させる
ことを特徴とする液晶ディスプレイマトリクス基板の製
造方法。 - 【請求項２】 金属パターンがマトリクス基板と対向電
極基板との導通部となるトランスファーパッドであるこ
とを特徴とする請求項１に記載の液晶ディスプレイマト
リクス基板の製造方法。 - 【請求項３】 金属パターンがマトリクス配線の断線・
短絡検査パッドであることを特徴とする請求項１に記載
の液晶ディスプレイマトリクス基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4072087A JP2808971B2 (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | 液晶ディスプレイマトリクス基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4072087A JP2808971B2 (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | 液晶ディスプレイマトリクス基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05232491A JPH05232491A (ja) | 1993-09-10 |
| JP2808971B2 true JP2808971B2 (ja) | 1998-10-08 |
Family
ID=13479273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4072087A Expired - Fee Related JP2808971B2 (ja) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | 液晶ディスプレイマトリクス基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2808971B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1329771C (zh) * | 2002-07-25 | 2007-08-01 | 友达光电股份有限公司 | 可防止表面氧化的接触垫及其制作方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH031124A (ja) * | 1989-05-29 | 1991-01-07 | Fuji Electric Co Ltd | 非晶質シリコンを用いる薄膜素子の製造方法 |
-
1992
- 1992-02-24 JP JP4072087A patent/JP2808971B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05232491A (ja) | 1993-09-10 |
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