KR20030058067A - 액정표시소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 소오스/드레인 액티브 공정중 셀주변에 모니터링할 금속 시료를 동시에 형성하여 애싱(식각)된 두께와 비저항을 측정하여 설계에 반영하는 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 액정표시소자는, 기판과, 상기 기판에 형성된 게이트 전극, 게이트 배선 및 게이트 패드와, 상기 게이트 전극 상부에 형성된 게이트 절연막, 데이터 배선, 데이터 패드, 소오스/드레인 전극과, 상기 데이터 배선, 상기 데이터 패드, 상기 소오스/드레인 전극 형성시에 동시에 형성된 금속 시료와, 상기 데이터 배선, 상기 데이터 패드, 상기 소오스/드레인 전극, 상기 금속 시료에 형성된 보호막과, 상기 보호막 상부에 투명 도전막으로 형성된 화소 전극, 시료 패드 전극을 포함하는 것을 특징으로 하고, 액정표시소자 제조방법은, 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판에 게이트 전극, 게이트 배선 및 게이트 패드를 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극 상부에 게이트 절연막, 데이터 배선, 데이터 패드, 소오스/드레인 전극을 형성하는 단계와, 상기 데이터 배선, 상기 데이터 패드, 상기 소오스/드레인 전극 형성시에 동시에 금속 시료를 형성하는 단계와, 상기 데이터 배선, 상기 데이터 패드, 상기 소오스/드레인 전극, 상기 금속 시료에 보호막을 형성하는 단계와, 상기 보호막 상부에 투명 도전막으로 화소 전극, 시료 패드 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 및 그 제조방법이다.

Description

액정표시소자 및 그 제조방법{A Liquid Crystal Display Device And The Method For Manufacturing The Same}
본 발명은 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 몰리브덴을 사용한 데이터 배선, 소오스/드레인 전극 형성이 균일하게 진행되도록 애싱 속도를 모니터하는 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
액정표시소자는 저전압 구동, 저소비 전력, 풀 칼라 구현, 경박 단소 등의 특징으로 인해 계산기, 시계, 노트북, PC용 모니터 등에서, TV, 항공용 모니터, 개인 휴대 단말기, 휴대 전화 등으로 그 용도가 다양해지고 있다.
액정표시소자의 제조공정중 TFT 공정은 5~8 마스클 사용하는 것이 일반적이나, 최근에 4마스크를 사용하는 것으로 기술이 발전하였다. 4마스크 공정은, 게이트 공정, 소오스/드레인 액티브 공정, 보호막 공정, 화소 전극 공정으로 이루어진다.
이때, 소오스/드레인 액티브 공정에서 소오스/드레인 금속을 기존의 크롬 등의 금속에서 몰리브덴을 사용하게 되고 이 몰리브덴은 크롬보다 식각 속도의 변동폭이 크다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래 기술에 의한 액정표시소자 및 그 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래 기술에 의한 액정표시소자의 평면도이다.
도 1과 같이, 4마스크 공정에 의한 액정표시소자는 TFT가 패터닝된 제 1기판과, 칼러 필터가 형성된 제 2기판과, 상기 두 기판사이에 형성된 액정층으로 구성되고, 제 1기판 상에는 교차 형성되어 단위 화소 영역을 정의하는 게이트 배선(101) 및 데이터 배선(105)과, 상기 게이트 배선(101) 및 상기 데이터 배선(105)의 교차 부위에 형성된 TFT와, 상기 TFT와 전기적으로 연결된 화소 전극(107)이 있다. 그리고, 상기 게이트 배선(101) 끝에는 게이트 패드(101b)가 형성되어 있고, 상기 데이터 배선(105) 끝에는 데이터 패드(105c)가 형성되어 있다. 제 2기판 상에는 빛샘 방지를 위한 블랙 매트릭스와, 상기 블랙 매트릭스 사이에 형성된 칼러 필터층과, 상기 칼러 필터층 상부에 형성된 공통 전극이 있다.
도 2a 내지 도 2d는 종래 기술에 의한 액정표시소자의 공정 단면도이다.
여기서, 단면은 I-I', II-II', III-III' 으로 자른 것이다.
도 2a의 I-I'와 같이, 제 1기판(100)을 세정하고, 게이트 금속을 스퍼터링 방법으로 형성하고, 그 상부에 포토 레지스터를 도포하고, 제 1마스크를 설치하고, 노광하고, 현상한 후, 습식 식각하고, 상기 포토 레지스터를 박리하면, 게이트 배선(101)과 게이트 전극(101a)이 형성된다.
그리고, 상기 게이트 배선(101)을 포함한 전면에 게이트 절연막(102), 반도체층(103), 오믹 콘택층(104), 저저항의 소오스/드레인 금속을 증착한다. 그 상부에 포토 레지스터를 도포하고, 제 2 마스크(하프-톤 마스크)를 설치하고, 노광하고, 현상하면 하프-톤 포토 레지스터(108)가 형성된다. 상기 하프-톤 포토 레지스터(108)를 마스크로 패턴외 상기 반도체층(103), 상기 오믹 콘택층(104), 상기 소오스/드레인 금속을 습식 식각, 건식 식각하면 패턴외 부분이 도면처럼 형성된다. 동시에, 채널층은 상기 하프-톤 포토 레지스터(108)가 남아 있다.
그리고, II-II'와 같이, 상기 기판(100)에 게이트 패드(101b)가 형성되어 있고, 상기 게이트 패드(101b) 전면에 상기 게이트 절연막(102), 반도체층(103), 오믹 콘택층(104), 저저항의 소오스/드레인 금속이 증착된다. 여기에는 상기 하프-톤 포토 레지스터를 도포하지 않는다. 그리고, 노광하고 식각하면 상기 게이트 절연막(102) 상부의 물질들이 모두 제거되어 상기 기판(100)에 상기 게이트 패드(101b)가 형성되고 그 전면에 상기 게이트 절연막(102) 만이 형성되어 있다.
III-III'과 같이, 상기 기판(100)에 상기 게이트 절연막(102), 반도체층(103), 오믹 콘택층(104), 저저항의 소오스/드레인 금속을 증착된다. 상기 소오스/드레인 금속 상부에 포토 레지스터(118)를 도포하고 노광, 현상하고, 패턴외 상기 반도체층(103), 오믹 콘택층(104), 저저항의 소오스/드레인 금속을 식각하면 데이터 패드(105c)와 상기 포토 레지스터(118)가 도면처럼 형성된다.
도 2b의 I-I'과 같이, 상기 하프-톤 포토 레지스터(108)을 애싱(ashing)하면 채널층의 포토 레지스터가 날아가고 남아 있는 좌우의 포토 레지스터(108a)는 부드러운 모양이 되고 좌우 간격이 넓어지고 각각 크기가 줄어든다.
II-II'는 도 2a와 같다.
III-III'는 포토 레지스터(118a)가 애싱동안 부드러운 모양을 갖고 그 크기가 줄어든다.
여기서, 상기 하프-톤 포토 레지스터(108a), 포토 레지스터(118a)는 애싱동안 모양이 달라지고 크기가 줄어듬에 의해 이후 형성되는 데이터 배선과 소오스/드레인 전극의 폭이 달라지게 된다.
도 2c의 I-I'와 같이, 상기 하프-톤 포토 레지스터(108a)를 마스크로 채널층의 소오스/드레인 금속과 상기 오믹콘택층(104)를 식각하여 소오스 전극(105a), 드레인 전극(105b), 그 하부의 오믹콘택층(104a)을 형성한다.
II-II'은 도 2a, 2b와 같다.
III-III'은 상기 포토 레지스터(118a)를 마스크로 상기 소오스/드레인 금속과 상기 오믹콘택층(104)을 식각하여 데이터 패드(105c)를 형성한다.
도 2d의 I-I'과 같이, 상기 소오스 전극(105a), 상기 드레인 전극(105b) 상부 전면에 보호막(106)을 증착하고, 그 상부에 포토 레지스터를 도포하고, 상기 드레인 전극 일부를 노출시키는 콘택홀(109a)을 형성하는 제 3마스크를 설치하고, 노광하고, 현상하고, 건식 식각하고, 상기 포토 레지스터를 박리하여 도면과 같이 형성한다.
그리고, 상기 콘택홀(109a)을 통하여 하부 드레인 전극(105b)과 접속되도록 전면에 ITO의 화소 전극(107)을 증착한다. 그 위에 포토 레지스터를 도포하고, 제 4마스크를 설치하고, 노광하고, 현상하고, 습식 식각하고, 상기 포토 레지스터를 박리하면 화소 전극(107) 패턴이 형성된다.
II-II'는 상기 게이트 절연막(102) 상부 전면에 보호막(106)을 증착하고, 그 상부에 포토 레지스터를 도포하고, 상기 게이트 패드(101a) 일부를 노출시키는 콘택홀(109b)을 형성하는 제 3마스크를 설치하고, 노광하고, 현상하고, 건식 식각하고, 상기 포토 레지스터를 박리하여 도면과 같이 형성한다.
그리고, 상기 콘택홀(109b)을 통하여 하부 게이트 패드(101a)와 접속되도록 전면에 ITO의 투명 도전막(110)을 증착한다. 그 위에 포토 레지스터를 도포하고, 제 4마스크를 설치하고, 노광하고, 현상하고, 습식 식각하고, 상기 포토 레지스터를 박리하면 상기 투명 도전막(110) 패턴이 형성된다.
III-III'와 같이, 상기 데이터 패드(105c) 상부 전면에 보호막(106)을 증착하고, 그 상부에 포토 레지스터를 도포하고, 상기 데이터 패드(105c) 일부를 노출시키는 콘택홀(109c)을 형성하는 제 3마스크를 설치하고, 노광하고, 현상하고, 건식 식각하고, 상기 포토 레지스터를 박리하여 도면과 같이 형성한다.
그리고, 상기 콘택홀(109c)을 통하여 하부 데이터 패드(105c)과 접속되도록 전면에 ITO의 투명 도전막(110)을 증착한다. 그 위에 포토 레지스터를 도포하고, 제 4마스크를 설치하고, 노광하고, 현상하고, 습식 식각하고, 상기 포토 레지스터를 박리하면 상기 투명 도전막(110) 패턴이 형성된다.
상기와 같은 액정표시소자 및 그 제조방법은 다음과 같은 문제점들이 있다.
첫째, 데이터 배선, 소오스/드레인 금속인 몰리브덴이 식각 속도가 위치에 따라 많이 달라 공정에 필요한 몰리브덴의 두께를 결정하는 것이 어렵다.
둘째, 몰리브덴의 정확한 두께를 모르므로 과량, 미량 사용하는 경우가 발생하여 생산 손실이 많다.
본 발명은 상기와 같은 문제점들을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 셀 주변에 몰리브덴 시료를 설치하여 소오스/드레인 액티브 공정을 동시에 진행시켜 남아있는 몰리브덴 시료의 두께를 비저항 값으로 얻어 데이터 배선, 소오스/드레인 전극 공정에 필요한 최적의 몰리브덴의 양을 결정하는 액정표시소자 및 그 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
도 1는 종래 기술에 의한 액정표시소자의 평면도.
도 2a 내지 도 2d는 종래 기술에 의한 액정표시소자의 공정 단면도.
도 3은 본 발명에 의한 액정표시소자의 평면도.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명에 의한 액정표시소자의 공정 단면도.
도 5a는 본 발명에 의한 애싱 속도 측정을 위한 금속 시료의 평면도.
도 5b는 본 발명에 의한 애싱 속도 측정을 위한 금속 시료의 확대도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
300 : 제 1기판 301 : 게이트 배선
301a : 게이트 전극 302 : 게이트 절연막
303 : 반도체층 304 : 오믹 콘택층
305 : 데이터 배선 305a : 소오스 전극
305b : 드레인 전극 306, 403 : 보호막
307 : 화소 전극 308, 308a : 하프-톤 포토 레지스터
309a, 309b, 309c : 콘택홀 310 : 투면 도전막
318, 318a : 포토 레지스터 400 : 기판
401 : 몰리브덴 시료 402 : 보호막 홀
404 : 시료 패드 전극
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정표시소자 및 그 제조방법은, 액정표시소자는, 기판과, 상기 기판에 형성된 게이트 전극, 게이트 배선 및 게이트 패드와, 상기 게이트 전극 상부에 형성된 게이트 절연막, 데이터 배선, 데이터 패드, 소오스/드레인 전극과, 상기 데이터 배선, 상기 데이터 패드, 상기 소오스/드레인 전극 형성시에 동시에 형성된 금속 시료와, 상기 데이터 배선, 상기 데이터 패드, 상기 소오스/드레인 전극, 상기 금속 시료에 형성된 보호막과, 상기 보호막 상부에 투명 도전막으로 형성된 화소 전극, 시료 패드 전극을 포함하는 것을 특징으로 하고, 액정표시소자 제조방법은, 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판에 게이트 전극, 게이트 배선 및 게이트 패드를 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극 상부에 게이트 절연막, 데이터 배선, 데이터 패드, 소오스/드레인 전극을 형성하는 단계와, 상기 데이터 배선, 상기 데이터 패드, 상기 소오스/드레인 전극 형성시에 동시에 금속 시료를 형성하는 단계와, 상기 데이터 배선, 상기 데이터 패드, 상기 소오스/드레인 전극, 상기 금속 시료에 보호막을 형성하는 단계와, 상기 보호막 상부에 투명 도전막으로 화소 전극, 시료 패드 전극을 형성하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 액정표시소자 및 그 제조방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명에 의한 액정표시소자의 평면도이다.
도 3과 같이, 4마스크 공정에 의한 액정표시소자는 TFT가 패터닝된 제 1기판과, 칼러 필터가 형성된 제 2기판과, 상기 두 기판사이에 형성된 액정층으로 구성되고, 제 1기판 상에는 교차 형성되어 단위 화소 영역을 정의하는 게이트 배선(301) 및 데이터 배선(305)과, 상기 게이트 배선(301) 및 상기 데이터 배선(305)의 교차 부위에 형성된 TFT와, 상기 TFT와 전기적으로 연결된 화소 전극(307)이 있다. 그리고, 상기 게이트 배선(301) 끝에는 게이트 패드(301b)가 형성되어 있고, 상기 데이터 배선(305) 끝에는 데이터 패드(305c)가 형성되어 있다. 제 2기판 상에는 빛샘 방지를 위한 블랙 매트릭스와, 상기 블랙 매트릭스 사이에 형성된 칼러 필터층과, 상기 칼러 필터층 상부에 형성된 공통 전극이 있다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명에 의한 액정표시소자의 공정 단면도이다.
여기서, 단면은 I-I', II-II', III-III' 으로 자른 것이다.
도 4a의 I-I'와 같이, 제 1기판(300)을 세정하고, 게이트 금속을 스퍼터링 방법으로 형성하고, 그 상부에 포토 레지스터를 도포하고, 제 1마스크를 설치하고, 노광하고, 현상한 후, 습식 식각하고, 상기 포토 레지스터를 박리하면, 게이트 배선(301)과 게이트 전극(301a)이 형성된다.
그리고, 상기 게이트 배선(301)을 포함한 전면에 게이트 절연막(302), 반도체층(303), 오믹 콘택층(304), 저저항의 소오스/드레인 금속을 증착한다. 그 상부에 포토 레지스터를 도포하고, 제 2 마스크(하프-톤 마스크)를 설치하고, 노광하고, 현상하면 하프-톤 포토 레지스터(308)가 형성된다. 상기 하프-톤 포토 레지스터(308)를 마스크로 패턴외 상기 반도체층(303), 상기 오믹 콘택층(304), 상기 소오스/드레인 금속을 습식 식각, 건식 식각하면 패턴외 부분이 도면처럼 형성된다. 동시에, 채널층은 상기 하프-톤 포토 레지스터(308)가 남아 있다.
그리고, II-II'와 같이, 상기 기판(300)에 게이트 패드(301b)가 형성되어 있고, 상기 게이트 패드(301b) 전면에 상기 게이트 절연막(302), 반도체층(303), 오믹 콘택층(304), 저저항의 소오스/드레인 금속이 증착된다. 여기에는 상기 하프-톤 포토 레지스터를 도포하지 않는다. 그리고, 노광하고 식각하면 상기 게이트 절연막(302) 상부의 물질들이 모두 제거되어 상기 기판(300)에 상기 게이트 패드(301b)가 형성되고 그 전면에 상기 게이트 절연막(302) 만이 형성되어 있다.
III-III'과 같이, 상기 기판(300)에 상기 게이트 절연막(302), 반도체층(303), 오믹 콘택층(304), 저저항의 소오스/드레인 금속을 증착된다. 상기 소오스/드레인 금속 상부에 포토 레지스터(318)를 도포하고 노광, 현상하고, 패턴외 상기 반도체층(303), 오믹 콘택층(304), 저저항의 소오스/드레인 금속을 식각하면 데이터 패드(305c)와 상기 포토 레지스터(318)가 도면처럼 형성된다.
도 4b의 I-I'과 같이, 상기 하프-톤 포토 레지스터(308)을 애싱(ashing)하면 채널층의 포토 레지스터가 날아가고 남아 있는 좌우의 포토 레지스터(308a)는 부드러운 모양이 되고 좌우 간격이 넓어지고 각각 크기가 줄어든다.
II-II'는 도 4a와 같다.
III-III'는 포토 레지스터(318a)가 애싱동안 부드러운 모양을 갖고 그 크기가 즐어든다.
여기서, 상기 하프-톤 포토 레지스터(308a), 포토 레지스터(318a)는 애싱동안 모양이 달라지고 크기가 줄어듬에 의해 이후 형성되는 데이터 배선과 소오스/드레인 전극의 폭이 달라지게 된다. 그러므로, 본 발명은 몰리브덴 시료를 셀 주변에 데이터 배선, 소오스/드레인 전극 형성시 동시에 형성하여 애싱에 의해 달라지는 포토 레지스터 패턴으로 말미암아 변하는 데이터 배선 폭, 소오스/드레인 전극 폭을 모니터링하는 것이다.
도 4c의 I-I'와 같이, 상기 하프-톤 포토 레지스터(308a)를 마스크로 채널층의 소오스/드레인 금속과 상기 오믹콘택층(304)를 식각하여 소오스 전극(305a), 드레인 전극(305b), 그 하부의 오믹콘택층(304a)을 형성한다.
II-II'은 도 4a, 4b와 같다.
III-III'은 상기 포토 레지스터(318a)를 마스크로 상기 소오스/드레인 금속과 상기 오믹콘택층(304)을 식각하여 데이터 패드(305c)를 형성한다.
도 4d의 I-I'과 같이, 상기 소오스 전극(305a), 상기 드레인 전극(305b) 상부 전면에 보호막(306)을 증착하고, 그 상부에 포토 레지스터를 도포하고, 상기 드레인 전극 일부를 노출시키는 콘택홀(309a)을 형성하는 제 3마스크를 설치하고, 노광하고, 현상하고, 건식 식각하고, 상기 포토 레지스터를 박리하여 도면과 같이 형성한다.
그리고, 상기 콘택홀(309a)을 통하여 하부 드레인 전극(305b)과 접속되도록전면에 ITO의 화소 전극(307)을 증착한다. 그 위에 포토 레지스터를 도포하고, 제 4마스크를 설치하고, 노광하고, 현상하고, 습식 식각하고, 상기 포토 레지스터를 박리하면 화소 전극(307) 패턴이 형성된다.
II-II'는 상기 게이트 절연막(302) 상부 전면에 보호막(306)을 증착하고, 그 상부에 포토 레지스터를 도포하고, 상기 게이트 패드(301a) 일부를 노출시키는 콘택홀(309b)을 형성하는 제 3마스크를 설치하고, 노광하고, 현상하고, 건식 식각하고, 상기 포토 레지스터를 박리하여 도면과 같이 형성한다.
그리고, 상기 콘택홀(309b)을 통하여 하부 게이트 패드(301a)와 접속되도록 전면에 ITO의 투명 도전막(310)을 증착한다. 그 위에 포토 레지스터를 도포하고, 제 4마스크를 설치하고, 노광하고, 현상하고, 습식 식각하고, 상기 포토 레지스터를 박리하면 상기 투명 도전막(310) 패턴이 형성된다.
III-III'와 같이, 상기 데이터 패드(305c) 상부 전면에 보호막(306)을 증착하고, 그 상부에 포토 레지스터를 도포하고, 상기 데이터 패드(305c) 일부를 노출시키는 콘택홀(309c)을 형성하는 제 3마스크를 설치하고, 노광하고, 현상하고, 건식 식각하고, 상기 포토 레지스터를 박리하여 도면과 같이 형성한다.
그리고, 상기 콘택홀(309c)을 통하여 하부 데이터 패드(305c)과 접속되도록 전면에 ITO의 투명 도전막(310)을 증착한다. 그 위에 포토 레지스터를 도포하고, 제 4마스크를 설치하고, 노광하고, 현상하고, 습식 식각하고, 상기 포토 레지스터를 박리하면 상기 투명 도전막(310) 패턴이 형성된다.
도 5a는 본 발명에 의한 애싱 속도 측정을 위한 금속 시료의 평면도이고, 도5b는 본 발명에 의한 애싱 속도 측정을 위한 금속 시료의 확대도이다.
도 5a와 같이, 기판(400)에 셀(410)이 배치되어 있고, 상기 셀(410)은 게이트 공정을 진행하고 소오스/드레인 금속이 증착된 상태이다. 이 소오스/드레인 금속을 동시에 상기 셀(410) 주변에도 패터닝하여 길이는 동일하나 폭이 다른 몰리브덴 시료(401)를 수십 개 형성한다. 이후, 상기 셀(410)과 상기 몰리브덴 시료(401) 모두에 보호막 공정과 투명 도전막 공정을 진행한다. 여기서, 상기 몰리브덴 시료(401)는 신호를 인가할 수 있도록 상부의 보호막에 구멍을 뚫어 시료 패드 전극(404)과 연결시킨다.
그리고, 상기 소오스/드레인 금속이 형성한 데이터 배선, 소오스 전극, 드레인 전극의 식각되고 남은 두께를 상기 몰리브덴 시료(401)에 공정 진행후 두께를 측정하여 모니터링한다.
또한, 상기 몰리브덴 시료(401)의 두께 측정 방법은 양 끝단 콘택부의 비저항을 측정하는 것이고, 데이터 배선, 소오스 전극, 드레인 전극의 비저항을 모니터링하여 설계에 반영한다.
도 5b는 상기 몰리브덴 시료(401)를 자세히 나타낸 도면이다. 신호를 인가하기 위한 보호막홀(402), 보호막(403), 시료 패드 전극(404)이 형성되어 있다. 상기 몰리브덴 시료(401)는 폭이 좁은 것부터 넓은 것까지 동시에 사용한다.
본 발명은 식각의 균일성을 알아보기 위해 몰리브덴 시료로 식각후 두께와 비저항값을 측정하여 얻은 결과를 실제 설계에 반영하는 것이다.
상기와 같은 본 발명의 액정표시소자 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 데이터 배선, 소오스/드레인 전극 형성시 식각되는 소오스/드레인 금속의 두께를 동시에 형성한 시료로 측정하므로 정확한 두께를 알 수 있어 이후 설계에 반영할 수 있다.
둘째, 데이터 배선, 소오스/드레인 전극 형성시 식각되는 소오스/드레인 금속의 비저항을 동시에 형성한 시료로 측정하므로 정확한 비저항을 알 수 있어 이후 설계에 반영할 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 이탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.

Claims (12)

  1. 기판과,
    상기 기판에 형성된 게이트 전극, 게이트 배선 및 게이트 패드와,
    상기 게이트 전극 상부에 형성된 게이트 절연막, 데이터 배선, 데이터 패드, 소오스/드레인 전극과,
    상기 데이터 배선, 상기 데이터 패드, 상기 소오스/드레인 전극 형성시에 동시에 형성된 금속 시료와,
    상기 데이터 배선, 상기 데이터 패드, 상기 소오스/드레인 전극, 상기 금속 시료에 형성된 보호막과,
    상기 보호막 상부에 투명 도전막으로 형성된 화소 전극, 시료 패드 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 드레인 전극 상부의 상기 보호막 일부를 제거하여 상기 화소 전극과 연결되도록 콘택홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 금속 시료 상부의 보호막에 홀을 형성하여 상기 시료 패드 전극과 연결하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 금속 시료는 몰리브덴 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 게이트 절연막, 상기 데이터 배선, 상기 소오스/드레인 전극 형성시 식각되는 정도를 상기 금속 시료의 두께를 측정함으로서 모니터링하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 게이트 절연막, 상기 데이터 배선, 상기 소오스/드레인 전극 형성시 식각되는 정도를 상기 금속 시료의 비저항을 측정함으로서 모니터링하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
  7. 기판을 준비하는 단계와,
    상기 기판에 게이트 전극, 게이트 배선 및 게이트 패드를 형성하는 단계와,
    상기 게이트 전극 상부에 게이트 절연막, 데이터 배선, 데이터 패드, 소오스/드레인 전극을 형성하는 단계와,
    상기 데이터 배선, 상기 데이터 패드, 상기 소오스/드레인 전극 형성시에 동시에 금속 시료를 형성하는 단계와,
    상기 데이터 배선, 상기 데이터 패드, 상기 소오스/드레인 전극, 상기 금속 시료에 보호막을 형성하는 단계와,
    상기 보호막 상부에 투명 도전막으로 화소 전극, 시료 패드 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 드레인 전극 상부의 상기 보호막 일부를 제거하여 상기 화소 전극과 연결되도록 콘택홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
  9. 제 7항에 있어서, 상기 금속 시료 상부의 보호막에 홀을 형성하여 상기 시료 패드 전극과 연결하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
  10. 제 7항에 있어서, 상기 금속 시료는 몰리브덴 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
  11. 제 7항에 있어서, 상기 게이트 절연막, 상기 데이터 배선, 상기 소오스/드레인 전극 형성시 식각되는 정도를 상기 금속 시료의 두께를 측정함으로서 모니터링하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
  12. 제 7항에 있어서, 상기 게이트 절연막, 상기 데이터 배선, 상기 소오스/드레인 전극 형성시 식각되는 정도를 상기 금속 시료의 비저항을 측정함으로서 모니터링하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
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