JPH1184387A - 配向処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】配向膜の全面にわたって均一な配向性をもたせ
ることが可能な配向処理方法を提供する。 【解決手段】各外部接続端子群１０２ｂ間と、有効表示
領域１０４の両端部の外部端子群１０２ｂの外側とに
は、透明電極１０２から成る複数条のダミー端子２１が
配置されている。各ダミー端子２１の膜厚は各外部接続
端子１０２ａの膜厚と同じであり、各ダミー端子２１の
端子幅および端子間隔は、各外部接続端子１０２ａのパ
ターン形状に応じて、各外部接続端子１０２ａのそれと
同一に設定されている。また、透明絶縁基板１０１上に
形成されたアライメントマーク１０７ａおよび各テスト
パターン１０５ａ，１０６ａは、ラビングローラＲＢに
て配向処理を施す際に、有効表示領域１０４上を通るラ
ビング布ＲＢｂの部分が、アライメントマーク１０７ａ
および各テストパターン１０５ａ，１０６ａの上を通ら
ないような位置に配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は配向処理方法に係
り、詳しくは、液晶表示素子の透明絶縁基板上に液晶分
子配向用の配向処理を施す配向処理方法に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示素子の基板上に液晶分子配向用
の配向処理を施すには、一般に、基板上に形成された配
向膜の表面をラビングローラにより一方向にラビングす
る方法が用いられる。

【０００３】図１２（ａ）は、従来の配向処理方法を説
明するための平面図である。図１２（ｂ）は、図１２
（ａ）における透明絶縁基板上の部分Ａの拡大図であ
る。単純マトリックス方式の液晶表示素子は、相対向す
る２枚の透明絶縁基板間に液晶層が封入されて構成され
ている。各透明絶縁基板の内表面には複数条の透明電極
がストライプ状に形成され、各基板を相対向させた状態
において、各基板に形成された透明電極はそれぞれ直交
するように配置されている。

【０００４】図１２（ａ）は液晶表示素子の一方の透明
絶縁基板１０１を示し、基板１０１の表面には同一線幅
の複数条の透明電極１０２がストライプ状に形成され、
各透明電極１０２の両端部分から外部接続端子１０２ａ
が構成されている。透明電極１０２は走査電極またはデ
ータ信号電極であり、各外部接続端子１０２ａはそれぞ
れ液晶表示素子の駆動用ＩＣ１０３のピン（図示略）に
接続される。そして、駆動用ＩＣ１０３から各外部接続
端子１０２ａを介して、各透明電極１０２へ走査信号ま
たはデータ信号が印加される。尚、基板１０１におい
て、各外部接続端子１０２ａを除いた各透明電極１０２
の形成されている領域が液晶表示素子の有効表示領域１
０４となる。

【０００５】ここで、透明電極１０２の本数が多く有効
表示領域１０４の面積がある程度以上大きな基板１０１
においては、駆動用ＩＣ１０３のパッケージ寸法の制約
により、１枚の基板１０１に対して複数個の駆動用ＩＣ
１０３が設けられている。そして、各駆動用ＩＣ１０３
のピン数と同じ数の隣り合う各外部接続端子１０２ａが
集合されて、１つの外部接続端子群１０２ｂが構成され
ている。つまり、各外部接続端子群１０２ｂは有効表示
領域１０４の縁部二辺に沿って並列的に配置され、各外
部接続端子群１０２ｂにはそれぞれ１個ずつの駆動用Ｉ
Ｃ１０３が取り付けられている。

【０００６】通常、駆動用ＩＣ１０３のピン幅に比べ
て、有効表示領域１０４における各透明電極１０２の電
極幅は広くなっている。また、駆動用ＩＣ１０３のピン
間隔に比べて、有効表示領域１０４における各透明電極
１０２の電極間隔は同じか又は広くなっている。一方、
各外部接続端子１０２ａは駆動用ＩＣ１０３の各ピンに
対して確実に接続される必要があるため、各外部接続端
子１０２ａの端子幅および端子間隔はそれぞれ、駆動用
ＩＣのピン幅およびピン間隔と同一に設定されている。

【０００７】従って、図１２（ｂ）に示すように、有効
表示領域１０４における各透明電極１０２の電極幅Ｔ１
は、各外部接続端子１０２ａの端子幅ｔ１よりも広くな
っている（Ｔ１＞ｔ１）。その結果、有効表示領域１０
４における各透明電極１０２と各外部接続端子１０２ａ
との前記した幅および間隔の違いに起因して、各外部接
続端子群１０２ｂ間と、並列的に配置された各外部接続
端子群１０２ｂの両外側とには、外部接続端子１０２ａ
（透明電極１０２）が形成されていないスペース部分
（間隔部分）Ｓが存在することになる。

【０００８】基板１０１における有効表示領域１０４上
には、各透明電極１０２を覆うように絶縁膜１０５が形
成され、その絶縁膜１０５上には配向膜１０６が形成さ
れている。基板１０１の端部における有効表示領域１０
４以外の部分には、アライメントマーク１０７ａおよび
各テストパターン１０５ａ，１０６ａ，１０２ｃが配置
されている。

【０００９】アライメントマーク１０７ａは、透明電極
１０２と同一材質で同一工程にて形成され、基板１０１
と相対向する他方の透明絶縁基板（図示略）とを重ね合
わせる際の位置合わせに用いられる。絶縁膜１０５の品
質管理用のテストパターン１０５ａは、絶縁膜１０５と
同一材質で同一工程にて形成され、絶縁膜１０５が所望
の特性を有しているかどうかを光学特性の測定などによ
って検証する際に用いられる。

【００１０】配向膜１０６の品質管理用のテストパター
ン１０６ａは、配向膜１０６と同一材質で同一工程にて
形成され、配向膜１０６が所望の特性を有しているかど
うかを光学特性の測定などによって検証する際に用いら
れる。外部接続端子１０２ａの品質管理用のテストパタ
ーン１０２ｃは、ストライプ状の各透明電極１０２から
構成され、各外部接続端子１０２ａと同一の端子幅およ
び端子間隔で同一工程にて形成されている。このテスト
パターン１０２ｃは、基板１０１の切断後に、テストパ
ターン１０２ｃに駆動用ＩＣ１０３を接続し、駆動用Ｉ
Ｃ１０３の各ピンとテストパターン１０２ｃとの接続状
態を調べることにより、外部接続端子１０２ａと駆動用
ＩＣ１０３の各ピンとが確実に接続されているかどうか
を類推検証する際に用いられる。

【００１１】このように構成された液晶表示素子の基板
１０１に液晶分子配向用の配向処理を施すには、図１２
（ａ）に示すように、配向膜１０６の膜面をラビングロ
ーラＲＢにより一方向にラビングする。ラビングローラ
ＲＢは、起毛布から成るラビング布ＲＢｂが軸ＲＢａに
巻き付けられて構成されている。そして、ラビング布Ｒ
Ｂｂを基板１０１に対して所定の接触圧で接触させた状
態で、ラビングローラＲＢをその移動方向Ｘとは逆方向
Ｙに回転させながら、基板１０１の一端側から他端側へ
移動させる。ここで、ラビングローラＲＢの軸ＲＢａ
は、ストライプ状に形成された各透明電極１０２と直交
するように配置された状態で移動される。そのため、配
向膜１０６のラビング方向は、ラビングローラＲＢの軸
ＲＢａに対して直交すると共に、ストライプ状に形成さ
れた各透明電極１０２と平行になる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】ラビングローラＲＢが
基板１０１の一端側から他端側へ移動するとき、ラビン
グ布ＲＢｂには、各外部接続端子群１０２ｂ，各スペー
ス部分Ｓ，各アライメントマーク１０７ａおよび各テス
トパターン１０５ａ，１０６ａ，１０２ｃのそれぞれの
上を通る部分が生じ、それら各部分におけるラビング布
ＲＢｂの表面状態（起毛布の毛先の密度，方向性，磨耗
状態など）は不均一になる。

【００１３】表面状態が不均一なラビング布ＲＢｂでラ
ビングされた配向膜１０６の配向性は異なったものにな
る。そのため、有効表示領域１０４には、各外部接続端
子群１０２ｂの上を通ったラビング布ＲＢｂでラビング
される領域αと、各スペース部分Ｓの上を通ったラビン
グ布ＲＢｂでラビングされる領域βと、各アライメント
マーク１０７ａおよび各テストパターン１０５ａ，１０
６ａ，１０２ｃの上を通ったラビング布ＲＢｂでラビン
グされる領域γとが生じ、各領域α〜γにおける配向膜
１０６の配向性は異なったものになる。

【００１４】また、ラビングローラＲＢが基板１０１の
一端側から他端側へ移動するとき、ラビング布ＲＢｂと
基板１０１との間には静電気が発生する。その静電気に
よる帯電状態は、各外部接続端子群１０２ｂと各スペー
ス部分Ｓとでは異なったものになり、その帯電状態の不
均一による電荷の偏りが配向膜１０６の分子配列および
配向規制力に影響を与えるため、配向膜１０６の配向性
は不均一になる。

【００１５】このような配向膜１０６の配向性の不均一
さは、配向処理回数が多くなるのに伴って大きくなる。
従って、従来の配向処理方法で配向処理を施した基板１
０１を用いる液晶表示素子は、有効表示領域１０４にお
ける光学特性が不均一になり、各領域α〜γ毎のストラ
イプ状の表示むらが発生する。

【００１６】ところで、特開平５−２６５０００号公報
には、透明電極が形成された領域（有効表示領域）の周
囲に疑似電極を形成すると共に、アライメントマークを
配向膜と同じ材質の被膜で覆い、この状態で配向膜に配
向処理を施す技術が開示されている。

【００１７】しかし、同公報には、外部接続端子群１０
２ｂ，スペース部分Ｓ，各テストパターン１０５ａ，１
０６ａ，１０２ｃについては何らの記載もされておら
ず、前記したようにこれら部材（１０２ｂ，Ｓ，１０５
ａ，１０６ａ，１０２ｃ）に起因して生じる配向膜１０
６の配向性の不均一についても何らの記載もされていな
い。

【００１８】また、配向膜１０６の膜厚はアライメント
マーク１０７ａの膜厚に比べて薄いため、アライメント
マーク１０７ａを配向膜１０６と同じ材質の被膜で覆っ
ても、アライメントマーク１０７ａに起因する基板１０
１上の凹凸はほとんど変化しない。そのため、前記した
ように、有効表示領域１０４において、各アライメント
マーク１０７ａの上を通ったラビング布ＲＢｂでラビン
グされる領域γと、その他の領域α，βとにおける配向
膜１０６の配向性は異なったものになってしまう。

【００１９】一方、特公平７−１０７５８９号公報に
は、直線状のムラを解消するために、ラビング布とラビ
ングされる基板との相対位置をずらしながらラビングす
る技術が開示されている。ところが、この技術によれ
ば、ラビング装置の制御及び処理時間が長くなるという
問題点がある。つまり、この技術を実施するには、目視
確認できない程度の狭ピッチで相対位置を高精度でずら
す必要があり、しかもずらす回数が増大する分、非常に
長い時間を要する。

【００２０】また、ラビングによる配向効果は、最終の
ラビング処理の寄与が大きく、その前に相対位置をずら
して何度もラビングしても、結局、最終のラビングで配
向の状態が決まってしまい、前述した高精度の制御及び
時間が無駄になる虞がある。本発明はこうした問題に鑑
みてなされたもので、その目的は、配向膜の全面にわた
って均一な配向性をもたせることが可能な配向処理方法
を提供することにある。

【００２１】

【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めになされた請求項１に記載の配向処理方法は、透明電
極と外部接続端子と有効表示領域と配向膜とを備えた液
晶表示素子の透明絶縁基板に液晶分子配向用の配向処理
を施す際に、前記配向膜の膜面をラビングローラにてラ
ビングする配向処理方法である。透明電極は透明絶縁基
板上に複数条形成されている。各外部接続端子は当該各
透明電極の端部から成る。有効表示領域は、前記透明絶
縁基板上における前記各外部接続端子を除いた各透明電
極の形成されている領域から成る。配向膜は当該有効表
示領域上に形成されている。そして、前記外部接続端子
のうち隣り合う所定数の外部接続端子が集合されて各外
部接続端子群が構成されている。当該各外部接続端子群
は前記有効表示領域の縁部に沿って、それぞれ間隔をお
いて並列的に配置されている。この間隔部分と、外部接
続端子群とでは、少なくとも外部接続端子の高さ分だ
け、透明絶縁基板からの高さが異なるが、この高さの違
いを小さくするために、高低差補償部が配置されてい
る。高低差補償部は、少なくとも、透明電極上に形成さ
れた配向膜に対するラビングの開始位置において、前述
の高さの違いを小さくできるように設けられている。そ
して、各外部接続端子群および高低差補償部を備えた状
態で、前記配向膜の膜面を前記ラビングローラにてラビ
ングする。

【００２２】従って、本発明によれば、ラビングローラ
が透明絶縁基板の一端側から他端側へ移動するとき、ラ
ビングローラには、少なくともそのラビングの開始位置
においては、各外部接続端子群の上を通る部分および高
低差補償部の上を通る部分が生じる。両部分は、透明絶
縁基板からの高さの違いが、高低差補償部を設けない従
来の配向処理方法に比べ、小さくされているため、有効
表示領域上を通る際のラビングローラの表面状態（起毛
布の毛先の密度，方向性，磨耗状態など）は外部接続端
子または高低差補償部を通ったかによらずほぼ均一にな
る。表面状態が均一なラビングローラでラビングされた
配向膜の配向性は均一になる。また、ラビングローラが
透明絶縁基板の一端側から他端側へ移動するとき、ラビ
ングローラと透明絶縁基板との間には静電気が発生す
る。しかし、高低差補償部が配置されているため、前記
静電気による帯電状態は、各外部接続端子群の部分と高
低差補償部の部分とで均一になり、配向膜の配向性も均
一になる。その結果、配向膜の全面にわたって均一な配
向性をもたせることができる。

【００２３】次に、請求項２に記載の配向処理方法は、
請求項１に記載の配向処理方法において、前記並列的に
配置された各外部接続端子群を分割する線にて、少なく
とも前記有効表示領域側の各透明電極と各外部接続端子
とを所定の長さ分だけ、有効表示領域の外側へ折り返し
た状態に形成された折り返し端子部分を備える。当該折
り返し端子部分の縁部を構成する各透明電極の膜厚，端
子幅，端子間隔はそれぞれ、有効表示領域の各透明電極
の膜厚，端子幅，端子間隔と同一である。そして、折り
返し端子部分を備えた状態で、前記配向膜の膜面を前記
ラビングローラにてラビングする。

【００２４】従って、本発明によれば、ラビングローラ
が透明絶縁基板の一端側から他端側へ移動するとき、有
効表示領域上を通るラビングローラの部分は全て折り返
し端子部分を通るため、その部分におけるラビングロー
ラの表面状態は均一になる。折り返し端子部分の縁部を
構成する各透明電極の膜厚，端子幅，端子間隔はそれぞ
れ、有効表示領域における各透明電極のそれと同じにな
っている。そして、ラビングローラは、折り返し端子部
分上をラビングした後に、有効表示領域の配向膜をラビ
ングする。そのため、折り返し端子部分上をラビングし
た時点のラビングローラの表面状態のまま、引き続き、
有効表示領域の配向膜がラビングされる。従って、本発
明によれば、請求項１に記載の発明の効果をさらに高め
ることが可能になり、配向膜の配向性をより均一にする
ことができる。

【００２５】そして請求項３に記載の本発明では、請求
項２に記載の配向処理方法において、前記高低差補償部
が、前記折り返し端子部分の縁部として構成している。
すなわち、前述の請求項２に掛かる配向処理方法で説明
したように、折り返し端子部分の縁部を構成する各透明
電極は、その膜厚，端子幅，端子間隔はそれぞれ、有効
表示領域における各透明電極のそれと同じになっている
ため、この縁部（或はここよりも手前）からラビングを
開始すれば、この縁部は前記高低差補償部の要件を満た
すことになり、実験をした所、良好な配向性をもたせる
ことができた。従って、請求項３に記載の配向処理方法
によれば、折り返し部分を形成するだけで、良好な配向
性をもたせることができる。なお、これは更に、この縁
部とは異なる高低差補償部を設ける必要がないという意
味ではない。この態様に加えて別の高低差補償部を配置
しても、勿論よく、更に配向処理の結果を向上させるこ
とが期待できる。

【００２６】次に、請求項４に記載の配向処理方法は、
請求項１または２に記載の配向処理方法において、高低
差補償部が、外部接続端子群の間隔部分に形成され、そ
の材質，膜厚，端子幅，端子間隔をそれぞれ、前記外部
接続端子の材質，膜厚，端子幅，端子間隔と同一なダミ
ー端子として構成している。

【００２７】従って、本発明によれば、有効表示領域上
を通るラビングローラの部分は、各外部接続端子と、外
部接続端子と材質，膜厚，端子幅，端子間隔が同一のダ
ミー端子の上を通るため、その部分におけるラビングロ
ーラの表面状態は完全に均一になる。その結果、本発明
によれば、請求項１に記載の発明の効果をさらに高める
ことが可能になり、配向膜の全面にわたって均一な配向
性をもたせることができる。なお、請求項４は請求項３
を引用していないが、これは高低差補償部の記載上の混
同を避けたに過ぎず、請求項３に記載の高低差補償部
と、請求項４に記載のダミー端子として構成された高低
差補償部を併用しても勿論、構わない。

【００２８】また次に、請求項５に記載の配向処理方法
は、請求項１〜４のいずれか１項に記載の配向処理方法
において、前記透明電極と前記配向膜との間に形成され
た絶縁膜を備え、前記透明絶縁基板における前記有効表
示領域以外の部分には、アライメントマークと第１およ
び第２のテストパターンとが配置されている。アライメ
ントマークは、前記透明絶縁基板と相対向する透明絶縁
基板とを重ね合わせる際の位置合わせに用いる。絶縁膜
の品質管理用の第１のテストパターンは、前記絶縁膜と
同一材質で同一工程にて形成されている。配向膜の品質
管理用の第２のテストパターンは、前記配向膜と同一材
質で同一工程にて形成されている。そして、前記アライ
メントマークと第１および第２のテストパターンとは、
前記ラビングローラにて配向膜の膜面をラビングする際
に、有効表示領域上を通るラビングローラの部分が、ア
ライメントマークと第１および第２のテストパターンと
の上を通らないような位置に配置されている。

【００２９】従って、本発明によれば、有効表示領域上
を通るラビングローラの部分には、アライメントマーク
と第１および第２のテストパターンに起因する表面状態
の不均一性が生じることはなく、配向膜の全面にわたっ
て均一な配向性をもたせることができる。

【００３０】また次に、請求項６に記載の配向処理方法
は、請求項１〜５のいずれか１項に記載の配向処理方法
において、外部接続端子の品質管理用のテストパターン
として、前記外部接続端子と材質，膜厚，端子幅，端子
間隔が同一の各端子から成る第３のテストパターンを備
えた透明絶縁基板を用いる。この第３のテストパターン
が、前記透明絶縁基板における前記有効表示領域以外の
部分に配置されている。当該第３のテストパターンは、
その長さは、対応する有効表示領域の幅以上にされ、そ
の方向が前記有効表示領域の縁部と平行に配置され、そ
の各端子は、各外部接続端子の延長上に合致する位置に
配置されている。

【００３１】従って、本発明によれば、有効表示領域上
を通るラビングローラの部分は全て第３のテストパター
ン上を通ることになる。そして、第３のテストパターン
の各端子は、各外部接続端子および前記各ダミー端子の
延長上に合致する位置に配置されているので、第３のテ
ストパターンの端子に起因して配向膜の配向性が不均一
になることがない。

【００３２】そしてこれに加え、第３のテストパターン
は、各前記高低差補償部の延長上に合致しつつ、各端子
と透明絶縁基板との高低差を補償するテストパターン補
償部を備えている。従って、有効表示領域上を通るラビ
ングローラの部分におけるラビングローラの表面状態
は、第３のテストパターンの端子部分を通るにせよ、テ
ストパターン補償部を通るにせよ、ほぼ均一になる。

【００３３】この結果、外部接続端子の品質管理用の検
査を行なうことが可能であるにも拘わらず、配向膜の全
面にわたって均一な配向性をもたせることができる。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した各実施
形態を図面と共に説明する。尚、各実施形態において、
図１２に示した従来の形態と同じ構成部材については符
号を等しくしてその詳細な説明を省略する。

【００３５】（第１実施形態）以下、本発明を具体化し
た第１実施形態を図面と共に説明する。図３は、本実施
形態の液晶表示素子の断面図である。単純マトリックス
方式の液晶表示素子１１は、相対向する２枚の透明絶縁
基板１２，１０１の間に例えば反強誘電性の液晶層１３
が封入されて構成されている。

【００３６】各基板１２，１０１の内表面には複数条の
透明電極１０２がストライプ状に形成され、各基板１
２，１０１を相対向させた状態において、各基板１２，
１０１に形成された透明電極１０２はそれぞれ直交する
ように配置されている。基板１２の有効表示領域１０４
上には、基板１０１と同様に、各透明電極１０２を覆う
ように絶縁膜１０５が形成され、その絶縁膜１０５上に
は配向膜１０６が形成されている。基板１２において、
有効表示領域１０４の周縁部の絶縁膜１０５上にはシー
ル部材１５が形成されている。基板１０１の配向膜１０
６上には、ストライプ状の各透明電極１０２間に対応す
る位置に線状の各隔壁部材１４が形成されている。

【００３７】そして、各基板１２，１０１の有効表示領
域１０４は、各隔壁部材１４を介して互いに接続固定さ
れる。各隔壁部材１４は、各基板１２，１０１間に液晶
層１３を封入するためのセルギャップを設けるために用
いられると共に、液晶表示素子１１の交流駆動時に発生
する各基板１２，１０１の振動を減少させ、外部から各
基板１２．１０１に圧力が加わった場合に液晶層１３の
配向が乱れるのを防止するために設けられている。

【００３８】また、各基板１２，１０１の有効表示領域
１０４の周縁部は、シール部材１５を介して互いに接続
固定されている。シール部材１５は、各基板１２，１０
１間から液晶層１３が漏出するのを防ぐために設けられ
ている。図１（ａ）は、本実施形態における透明絶縁基
板１０１の配向処理方法を説明するための平面図であ
る。図１（ｂ）は、図１（ａ）における基板１０１上の
部分Ａの拡大図である。

【００３９】各外部接続端子群１０２ｂ間と、並列的に
配置された各外部接続端子群１０２ｂの両外側とには、
透明電極１０２から成る複数条のダミー端子２１が配置
されている。各ダミー端子２１の膜厚は各外部接続端子
１０２ａの膜厚と同じであり、各ダミー端子２１の端子
幅および端子間隔は、各外部接続端子１０２ａのパター
ン形状に応じて、各外部接続端子１０２ａのそれと同一
に設定されている。つまり、本実施形態においては、図
１２に示す従来の形態におけるスペース部分（間隔部
分）Ｓに対応する箇所に、外部接続端子１０２ａと同一
パターン形状のダミー端子２１が設けられている。

【００４０】また、基板１０１上に形成されたアライメ
ントマーク１０７ａおよび各テストパターン１０５ａ，
１０６ａは、後述するようにラビングローラＲＢにて配
向処理を施す際に、有効表示領域１０４上を通るラビン
グ布ＲＢｂの部分が、アライメントマーク１０７ａおよ
び各テストパターン１０５ａ，１０６ａの上を通らない
ような位置に配置されている。

【００４１】図２（ａ）は、透明絶縁基板１２の配向処
理方法を説明するための平面図である。図２（ｂ）は、
図２（ａ）における基板１２上の部分Ａの拡大図であ
る。基板１２においても、基板１０１と同様に、各外部
接続端子群１０２ｂ間と、並列的に配置された各外部接
続端子群１０２ｂの両外側とには、複数条のダミー端子
２１が配置されている。

【００４２】また、基板１２の端部における有効表示領
域１０４以外の部分には、基板１０１のアライメントマ
ーク１０７ａに対応する位置に、アライメントマーク１
０７ｂが配置されている。そして、基板１２上に形成さ
れたアライメントマーク１０７ｂおよび各テストパター
ン１０５ａ，１０６ａは、後述するようにラビングロー
ラＲＢにて配向処理を施す際に、有効表示領域１０４上
を通るラビング布ＲＢｂの部分が、アライメントマーク
１０７ｂおよび各テストパターン１０５ａ，１０６ａの
上を通らないような位置に配置されている。

【００４３】次に、上記のように構成された液晶表示素
子１１の製造工程を、図４に示すフローチャートに沿っ
て説明する。まず、各基板１２，１０１上にそれぞれ、
透明電極１０２，絶縁膜１０５，配向膜１０６を形成す
る。各基板１２，１０１にはガラス基板または石英基板
などを用いる。透明電極１０２にはＩＴＯ（Indium Ti
n Oxide）膜または酸化スズ膜などを用い、その成膜に
はＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法を用い、
当該膜を各基板１２，１０１の全面に成膜した後にフォ
トエッチング法にて所望の形状にパターニングする。絶
縁膜１０５には酸化タンタル膜などを用いる。配向膜１
０６にはポリイミド系樹脂膜などを用いる。ここで、透
明電極１０２の形成時には、各外部接続端子１０２ａお
よびダミー端子２１も同時に形成する。また、透明電極
１０２と同一材質で同一工程にて各アライメントマーク
１０７ａ、１０７ｂを形成し、絶縁膜１０５と同一材質
で同一工程にてテストパターン１０５ａを形成し、配向
膜１０６と同一材質で同一工程にてテストパターン１０
６ａを形成する。

【００４４】次に、隔壁形成工程において、基板１０１
の配向膜１０６上にアクリル系樹脂膜などをスピンコー
ト法を用いて所定の膜厚に成膜し、その膜をフォトリソ
グラフィ技術を用いてパターニングすることにより、隔
壁部材１４を形成する。そして、ラビング工程におい
て、各基板１２，１０１にそれぞれ液晶分子配向用の配
向処理を施す。

【００４５】すなわち、図１（ａ）に示すように、ラビ
ングローラＲＢのラビング布ＲＢｂを基板１０１に対し
て所定の接触圧で接触させた状態で、ラビングローラＲ
Ｂをその移動方向Ｘとは例えば逆方向Ｙ（Ｙ方向に限ら
ない。以下同じ。）に回転させながら、基板１０１の一
端側から他端側へ移動させることにより、配向膜１０６
の膜面をラビングローラＲＢにより一方向にラビングす
る。ここで、ラビングローラＲＢの軸ＲＢａは、ストラ
イプ状に形成された各透明電極１０２と直交するように
配置された状態で移動される。そのため、配向膜１０６
のラビング方向（矢印ｘ）は、ラビングローラＲＢの軸
ＲＢａに対して直交すると共に、ストライプ状に形成さ
れた各透明電極１０２と平行になる。

【００４６】また、図２（ａ）に示すように、ラビング
ローラＲＢのラビング布ＲＢｂを基板１２に対して所定
の接触圧で接触させた状態で、ラビングローラＲＢをそ
の移動方向ｘとは例えば逆方向ｙに回転させながら、基
板１２の一端側から他端側へ移動させることにより、配
向膜１０６の膜面をラビングローラＲＢにより一方向に
ラビングする。ここで、ラビングローラＲＢの軸ＲＢａ
は、ストライプ状に形成された各透明電極１０２と平行
に配置された状態で移動される。そのため、配向膜１０
６のラビング方向（矢印ｘ）は、ラビングローラＲＢの
軸ＲＢａに対して直交すると共に、ストライプ状に形成
された各透明電極１０２と直交する。

【００４７】尚、各基板１２，１０１の配向膜１０６の
ラビング方向（矢印Ｘ，ｘ）は、各基板１２，１０１を
重ね合わせた状態で、反対方向になるように設定する。
ラビングローラＲＢが各基板１２，１０１の一端側から
他端側へ移動するとき、ラビング布ＲＢｂには、各外部
接続端子群１０２ｂ，各ダミー端子２１，各アライメン
トマーク１０７ｂ，１０７ａおよび各テストパターン１
０５ａ，１０６ａのそれぞれの上を通る部分が生じる。

【００４８】しかし、基板１０１の有効表示領域１０４
上を通るラビング布ＲＢｂの部分は、外部接続端子１０
２ａと、外部接続端子１０２ａと同一材質で同一パター
ン形状のダミー端子２１との上を通るため、その部分に
おけるラビング布ＲＢｂの表面状態（起毛布の毛先の密
度，方向性，磨耗状態など）は完全に均一になる。

【００４９】また、各基板１２，１０１上に形成された
各アライメントマーク１０７ｂ，１０７ａおよび各テス
トパターン１０５ａ，１０６ａは、有効表示領域１０４
上を通るラビング布ＲＢｂの部分が、各アライメントマ
ーク１０７ａ，１０７ｂおよび各テストパターン１０５
ａ，１０６ａの上を通らないような位置に配置されてい
る。具体的には、ラビングローラＲＢの各移動方向ｘ，
Ｘから各基板１２，１０１を見たときに、有効表示領域
１０４の外側にアライメントマーク１０７ａおよび各テ
ストパターン１０５ａ，１０６ａが配置されている。従
って、各基板１２，１０１の有効表示領域１０４上を通
るラビング布ＲＢｂの部分には、各アライメントマーク
１０７ａ，１０７ｂおよび各テストパターン１０５ａ，
１０６ａに起因する表面状態の不均一性が生じることは
ない。

【００５０】表面状態が均一なラビング布ＲＢｂでラビ
ングされた配向膜１０６の配向性は均一になるため、各
基板１２，１０１の配向膜１０６の配向性も均一にな
る。また、ラビングローラＲＢが各基板１２，１０１の
一端側から他端側へ移動するとき、ラビング布ＲＢｂと
各基板１２，１０１との間には静電気が発生する。しか
し、各外部接続端子群１０２ｂ間と、並列的に配置され
た各外部接続端子群１０２ｂの両外側とには各ダミー端
子２１が配置されているため、前記静電気による帯電状
態は、各外部接続端子群１０２ｂの部分と各ダミー端子
２１の部分とで均一になり、配向膜１０６の配向性も均
一になる。

【００５１】次に、シール形成工程において、基板１２
の絶縁膜１０５上にエポキシ樹脂などから成るシール部
材１５を印刷する。続く、基板重ね合わせ工程におい
て、各アライメントマーク１０７ａ，１０７ｂにて位置
合わせを行った状態で、各基板１２，１０１を隔壁部材
１４およびシール部材１５を介して重ね合わせる。続い
て、シール硬化工程において、各基板１２，１０１に外
部から荷重を加えながら加熱することにより、隔壁部材
１４およびシール部材１５を硬化させ、これらを介して
各基板１２，１０１を互いに固定する。次に、基板切断
工程において、各基板１２，１０１における有効表示領
域１０４，各接続端子群１０２ｂ，各ダミー端子２１を
除く部分を切断して除去する。続いて、液晶注入工程に
おいて、各基板１２，１０１間にスメクチック液晶を注
入して液晶層１３を形成することにより、液晶表示素子
１１が完成する。

【００５２】以上説明したように、本実施形態の液晶表
示素子１１によれば、各基板１２，１０１にそれぞれ液
晶分子配向用の配向処理を施す際に、各基板１２，１０
１の配向膜１０６の全面にわたって均一な配向性をもた
せることができる。そのため、液晶表示素子１１におい
ては、有効表示領域１０４における光学特性が均一にな
り、表示むらの発生を防止することができる。

【００５３】（第２実施形態）次に、本発明を具体化し
た第２実施形態を図面と共に説明する。尚、本実施形態
において、第１実施形態と同じ構成部材については符号
を等しくしてその詳細な説明を省略する。

【００５４】図５（ａ）は、本実施形態における透明絶
縁基板１０１の配向処理方法を説明するための平面図で
ある。図５（ｂ）は、図５（ａ）における基板１０１上
の部分Ａの拡大図である。図６（ａ）は、本実施形態に
おける透明絶縁基板１２の配向処理方法を説明するため
の平面図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）における基
板１２上の部分Ａの拡大図である。

【００５５】本実施形態においても第１実施形態と同様
に、各外部接続端子群１０２ｂ間と、並列的に配置され
た各外部接続端子群１０２ｂの両外側とには、透明電極
１０２から成る複数条のダミー端子２１が配置されてい
る。本実施形態における各外部接続端子１０２ａおよび
各ダミー端子２１は、第１実施形態におけるそれらより
も外側へ延出され、その延出された各端子１０２ａ，２
１により折り返し端子部分３１が形成されている。折り
返し端子部分３１は、並列的に配置された各外部接続端
子群１０２ｂを二分するＢ−Ｂ線にて、有効表示領域１
０４側の各透明電極１０２，各外部接続端子１０２ａ，
各ダミー端子２１の所定の長さ分だけを、有効表示領域
１０４の外側へ折り返した状態に形成されている。その
ため、折り返し端子部分３１において、各外部接続端子
１０２ａから延出された端子１０２ｄ（折り返し端子部
分３１の縁部を構成する各透明電極）の膜厚，端子幅，
端子間隔は、有効表示領域１０４における各透明電極１
０２のそれと同じになっている。

【００５６】また、本実施形態においても第１実施形態
と同様に、各基板１２，１０１上に形成された各アライ
メントマーク１０７ｂ，１０７ａおよび各テストパター
ン１０５ａ，１０６ａは、有効表示領域１０４上を通る
ラビング布ＲＢｂの部分が、各アライメントマーク１０
７ａ，１０７ｂおよび各テストパターン１０５ａ，１０
６ａの上を通らないような位置に配置されている。

【００５７】従って、ラビング工程において、各基板１
２，１０１にそれぞれ液晶分子配向用の配向処理を施す
際に、ラビングローラＲＢが各基板１２，１０１の一端
側から他端側へ移動するとき、有効表示領域１０４上を
通るラビング布ＲＢｂの部分は全て折り返し端子部分３
１を通るため、その部分におけるラビング布ＲＢｂの表
面状態は均一になる。

【００５８】また、各基板１２，１０１の有効表示領域
１０４上を通るラビング布ＲＢｂの部分には、各アライ
メントマーク１０７ａ，１０７ｂおよび各テストパター
ン１０５ａ，１０６ａに起因する表面状態の不均一性が
生じることはない。ここで、折り返し端子部分３１の各
端子１０２ｄの端子幅および端子間隔は、有効表示領域
１０４における各透明電極１０２のそれと同じになって
いる。そして、ラビング布ＲＢｂは、折り返し端子部分
３１上をラビングした後に、有効表示領域１０４上をラ
ビングする。そのため、折り返し端子部分３１上をラビ
ングした時点のラビング布ＲＢｂの表面状態は、各外部
接続端子群１０２ｂおよび各ダミー端子２１の上をラビ
ングした時点で若干変化するものの、ほぼ同じ表面状態
にて、引き続き、有効表示領域１０４上の配向膜１０６
がラビングされる。従って、本実施形態によれば、第１
実施形態よりも、配向膜１０６の配向性をさらに均一に
することができる。

【００５９】そして、基板切断工程において、各基板１
２，１０１における有効表示領域１０４，各接続端子群
１０２ｂ，各ダミー端子２１を除く部分を切断して除去
するだけでなく、折り返し端子部分３１をも切断して除
去する。従って、本実施形態において基板切断工程を終
えた各基板１２，１０１の形状は、第１実施形態のそれ
と同じになる。

【００６０】尚、本実施形態において、ラビング工程と
基板切断工程とを除く各製造工程については、第１実施
形態と同じであるので説明を省略する。 （第３実施形態）次に、本発明を具体化した第３実施形
態を図面と共に説明する。尚、本実施形態において、第
１実施形態と同じ構成部材については符号を等しくして
その詳細な説明を省略する。

【００６１】図７（ａ）は、本実施形態における透明絶
縁基板１０１の配向処理方法を説明するための平面図で
ある。図７（ｂ）は、図７（ａ）における要部拡大図で
ある。本実施形態においても第１実施形態と同様に、各
外部接続端子群１０２ｂ間と、並列的に配置された各外
部接続端子群１０２ｂの両外側とには、透明電極１０２
から成る複数条のダミー端子２１が配置されている。

【００６２】基板１０１の端部における有効表示領域１
０４以外の部分には、外部接続端子１０２ａの品質管理
用のテストパターン１０２ｃが配置されている。テスト
パターン１０２ｃは、ストライプ状の各透明電極１０２
から成る各端子１０２ｅから構成され、各端子１０２ｅ
は各外部接続端子１０２ａと同一の端子幅および端子間
隔で同一工程にて形成されている。また、図７（ｂ）に
一点鎖線で示すように、テストパターン１０２ｃの各端
子１０２ｅは、各外部接続端子１０２ａおよび各ダミー
端子２１の延長上に合致する位置に配置されている。つ
まり、テストパターン１０２ｃは、有効表示領域１０４
の縁部に並列的に配置された各外部接続端子群１０２ｂ
と平行に配置されている。そして、テストパターン１０
２ｃの長手方向の長さＬ２は、対応する有効表示領域１
０４の幅Ｌ１以上に設定されている。

【００６３】また、本実施形態においても第１実施形態
と同様に、基板１０１上に形成されたアライメントマー
ク１０７ａおよび各テストパターン１０５ａ，１０６ａ
は、有効表示領域１０４上を通るラビング布ＲＢｂの部
分が、アライメントマーク１０７ａおよび各テストパタ
ーン１０５ａ，１０６ａの上を通らないような位置に配
置されている。従って、ラビング工程において、基板１
０１に液晶分子配向用の配向処理を施す際に、ラビング
ローラＲＢが基板１０１の一端側から他端側へ移動する
とき、有効表示領域１０４上を通るラビング布ＲＢｂの
部分は全てテストパターン１０２ｃを通るため、その部
分におけるラビング布ＲＢｂの表面状態は均一になる。

【００６４】また、テストパターン１０２ｃの各端子１
０２ｅは、各外部接続端子１０２ａおよび各ダミー端子
２１の延長上に合致する位置に配置されている。そのた
め、テストパターン１０２ｃ上をラビングした時点のラ
ビング布ＲＢｂの表面状態のまま、引き続き、各外部接
続端子群１０２ｂおよび各ダミー端子２１の上がラビン
グされる。従って、基板１０１の一端側から有効表示領
域１０４までラビングローラＲＢが移動するときに、ラ
ビング布ＲＢｂの表面状態が乱れることはない。

【００６５】そして、基板１０１の有効表示領域１０４
上を通るラビング布ＲＢｂの部分には、アライメントマ
ーク１０７ａおよび各テストパターン１０５ａ，１０６
ａに起因する表面状態の不均一性が生じることはない。
その結果、本実施形態によれば、テストパターン１０２
ｃに起因して配向膜１０６の配向性が不均一になるのを
防止することが可能になり、配向膜１０６の全面にわた
って均一な配向性をもたせることができる。

【００６６】尚、本実施形態において、ラビング工程を
除く各製造工程については、第１実施形態と同じである
ので説明を省略する。ところで、本発明は上記各実施形
態に限定されるものではなく、以下のように具体化して
もよい。

【００６７】（１）単純マトリックス方式の液晶表示素
子だけでなく、アクティブマトリックス方式の液晶表示
素子に適用する。この場合にも、上記各実施形態と同様
の作用および効果を得ることができる。 （２）隔壁部材１４を粒状のシリカ等から成るスペーサ
に置き換える。この場合には、外部から各基板１２，１
０１に加わる圧力や、液晶表示素子１１の交流駆動時に
発生する各基板１２，１０１の振動により、液晶層１３
の配向が乱れやすくなる。しかし、粒状のシリカ等から
成るスペーサを用いれば、隔壁部材１４を設けた場合に
比べて製造コストを抑えることができる。

【００６８】（３）図８に示すように、第２実施形態に
おいて、折り返し端子部分３１と各外部接続端子１０２
ａおよび各ダミー端子２１とを切り離した状態にする。
このようにしても、第２実施形態と同様の作用および効
果を得ることができる。 （４）第３実施形態と第２実施形態とを併用する。つま
り、第２実施形態においても、第３実施形態と同様のテ
ストパターン１０２ｃを設ける。このようにすれば、第
２実施形態においても、テストパターン１０２ｃに起因
して配向膜１０６の配向性に不均一が生じるのを防止す
ることができる。

【００６９】（５）第１〜第３実施形態では、本発明の
高低差補償部に相当するものとして、間隔部分に形成さ
れたダミー端子２１を採用したが、これ以外の態様を採
用することもできる。この例を図９〜図１１に示す。 （５−１）図９は、透明絶縁基板上に形成された高低差
補償部２１’を示すための拡大図である。本図に示す様
にこのダミー端子２１は、短冊状の部分のみから構成さ
れている。このようにしても各外部接続端子１０２ａに
ラビングローラＲＢが接触するときには、ダミー端子２
１との高低差が小さくなるため、ラビング布ＲＢｂの状
態がほぼ均一になり、図示しない配向膜１０６に優れた
配向性を持たせることができる。なお、短冊状のダミー
端子の幅、間隔、厚さは、外部接続端子１０２ａの幅、
間隔、厚さと同一にするのが望ましい。この内、厚さを
同一にすれば、前述の高低差は零となる。

【００７０】（５−２）図１０では、ダミー端子２１に
代え、高低差補償部２１’をドット状に構成されてい
る。このようにしても各外部接続端子１０２ａにラビン
グローラＲＢが接触するときには、高低差補償部２１’
との高低差が小さいため、ラビング布ＲＢｂの状態がほ
ぼ均一になり、配向膜１０６に優れた配向性を持たせる
ことができる。

【００７１】（５−３）図１１では、高低差補償部２
１’を外部接続端子群１０２ｂの間隔部分に一面に形成
している。このようにしても各外部接続端子１０２ａに
ラビングローラＲＢが接触するときには、高低差補償部
２１’との高低差が小さなるため、配向膜１０６に優れ
た配向性を持たせることができる。

【００７２】（６）図５、図６、及び図８に示した実施
形態において、折り返し部分３１の縁は、ラビングの開
始位置における高低差を小さくしているため、本発明の
高低差補償部の要件を満たしている。従って、これらの
実施形態においてはダミー端子２１を廃止しても、良好
な配向性をもたせることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）は、第１実施形態の配向処理方法を
説明するための平面図。図１（ｂ）は、図１（ａ）にお
ける部分Ａの拡大図。

【図２】図２（ａ）は、第１実施形態の配向処理方法を
説明するための平面図。図２（ｂ）は、図２（ａ）にお
ける部分Ａの拡大図。

【図３】第１〜第３実施形態の液晶表示素子の断面図。

【図４】第１〜第３実施形態の配向処理方法を説明する
ためのフローチャート。

【図５】図５（ａ）は、第２実施形態の配向処理方法を
説明するための平面図。図５（ｂ）は、図５（ａ）にお
ける部分Ａの拡大図。

【図６】図６（ａ）は、第２実施形態の配向処理方法を
説明するための平面図。図６（ｂ）は、図６（ａ）にお
ける部分Ａの拡大図。

【図７】図７（ａ）は、第３実施形態の配向処理方法を
説明するための平面図。図７（ｂ）は、図７（ａ）にお
ける部分Ａの拡大図。

【図８】別の実施形態の配向処理方法を説明するための
要部平面図。

【図９】第４の実施形態の配向処理方法にて用いる高低
差補償部の態様を説明するための要部平面図。

【図１０】第４の実施形態の配向処理方法にて用いる高
低差補償部の別態様を説明するための要部平面図。

【図１１】第４の実施形態の配向処理方法にて用いる高
低差補償部の第３の態様を説明するための要部平面図。

【図１２】従来の配向処理方法を説明するための平面
図。

【符号の説明】

２１…ダミー端子 ２１’…高低差補償部 ３１…
折り返し端子部分 １２，１０１…透明絶縁基板 １０２…透明電極 １０２ａ…外部接続端子 １０４…有効表示領域
１０５…絶縁膜 １０６…配向膜 ＲＢ…ラビングローラ ＲＢｂ…
ラビング布 １０２ｂ…外部接続端子群 １０７…アライメントマ
ーク １０５ａ…第１のテストパターン １０６ａ…第２の
テストパターン １０２ｃ…第３のテストパターン １０２ｅ…第３の
テストパターンの端子 Ｌ１…有効表示領域の幅 Ｌ２…第３のテストパター
ンの長さ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小浜 武史 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明絶縁基板上に複数条形成された透明
   電極と、 当該各透明電極の端部から成る各外部接続端子と、 前記透明絶縁基板上における前記各外部接続端子を除い
   た各透明電極の形成されている領域から成る有効表示領
   域と、 当該有効表示領域上に形成された配向膜とを備えた液晶
   表示素子の透明絶縁基板に液晶分子配向用の配向処理を
   施す際に、前記配向膜の膜面をラビングローラにてラビ
   ングする配向処理方法であって、 前記外部接続端子のうち隣り合う所定数の外部接続端子
   が集合されて成る外部接続端子群を複数備え、 複数の該外部接続端子群は前記有効表示領域の縁部に沿
   って、互いに間隔をおいて並列的に配置され、 少なくとも、前記透明電極上に形成された前記配向膜に
   対するラビングの開始位置において、前記透明基板の表
   面の高さを、前記透明電極の高さに近付けるために、該
   透明基板の表面に配置された高低差補償部を備え、 この状態で前記配向膜の膜面を前記ラビングローラにて
   ラビングすることを特徴とする配向処理方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の配向処理方法におい
   て、 前記並列的に配置された各外部接続端子群を分割する線
   にて、少なくとも前記有効表示領域側の各透明電極と各
   外部接続端子とを所定の長さ分だけ、有効表示領域の外
   側へ折り返した状態に形成された折り返し端子部分を備
   え、当該折り返し端子部分の縁部を構成する各透明電極
   の膜厚，端子幅，端子間隔はそれぞれ、有効表示領域の
   各透明電極の膜厚，端子幅，端子間隔と同一であり、 この状態で前記配向膜の膜面を前記ラビングローラにて
   ラビングすることを特徴とする配向処理方法。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の配向処理方法におい
   て、 前記高低差補償部が、 前記折り返し端子部分の縁部として構成されたことを特
   徴とする配向処理方法。
4. 【請求項４】 請求項１または２に記載の配向処理方法
   において、 前記高低差補償部が、 前記外部接続端子群の間隔部分に形成され、前記外部接
   続端子の材質，膜厚，端子幅，端子間隔と同一な材質，
   膜厚，端子幅，端子間隔を有するダミー端子として構成
   されていることを特徴とする配向処理方法。
5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１項に記載の配
   向処理方法において、 前記透明電極と前記配向膜との間に形成された絶縁膜を
   備え、 前記透明絶縁基板と相対向する透明絶縁基板とを重ね合
   わせる際の位置合わせに用いるアライメントマークと、 前記絶縁膜と同一材質で同一工程にて形成された絶縁膜
   の品質管理用の第１のテストパターンと、 前記配向膜と同一材質で同一工程にて形成された配向膜
   の品質管理用の第２のテストパターンとが前記透明絶縁
   基板における前記有効表示領域以外の部分に配置され、 前記アライメントマークと第１および第２のテストパタ
   ーンとは、前記ラビングローラにて配向膜の膜面をラビ
   ングする際に、有効表示領域上を通るラビングローラの
   部分が、アライメントマークと第１および第２のテスト
   パターンとの上を通らないような位置に配置されている
   ことを特徴とする配向処理方法。
6. 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１項に記載の配
   向処理方法において、 外部接続端子の品質管理用のテストパターンであって、
   前記外部接続端子と材質，膜厚，端子幅，端子間隔が同
   一の各端子を備える第３のテストパターンが、前記透明
   絶縁基板における前記有効表示領域以外の部分に配置さ
   れ、 該第３のテストパターンは、その方向が前記有効表示領
   域の縁部と平行に配置され、その長さが対応する有効表
   示領域の幅以上にされ、その各端子は、各外部接続端子
   の延長上に合致する位置に配置され、各前記高低差補償
   部の延長上に合致しつつ、各端子と前記透明絶縁基板と
   の高低差を補償するテストパターン補償部を備えている
   ことを特徴とする配向処理方法。