JP3804371B2 - 陽極接合方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体圧力センサや半導体加速度センサ等のマイクロ加工センサ、また、マイクロアクチュエータの等の製造において、半導体(シリコン)基板とガラス基板とを接合する陽極接合に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来のシリコン基板とガラス基板との陽極接合方法について図6を用いて説明する。ここでは、半導体圧力センサが形成されたシリコン基板1を例にあげる。シリコン基板1には複数の圧力センサチップが形成され、圧力センサチップ個々には、圧力により変位する肉薄構造のダイヤフラム3及び、ダイヤフラムの変位を抵抗値変化として検出するピエゾ抵抗4が形成されている。この圧力センサチップの高精度化を図るためにシリコン基板1にガラス基板(パイレックスガラス)2を陽極接合し、その後チップサイズで、個々にダイシングすることにより、ガラス台座付半導体圧力センサを製造している。尚、半導体圧力センサの場合、ガラス基板2には、外部の圧力を半導体圧力センサのダイヤフラム2に導くための圧力導入孔5が設けられている。
【0003】
陽極接合は、ヒータ電極8と電極ピン14により、ガラス基板2側を0V、シリコン基板1側に約400〜約1000Vの直流電圧を印加し、さらに、約300〜約500℃の高温とし、数百グラムの荷重を印加して行う。また、陽極接合を行うチャンバー(小室,図示せず)内は真空又は窒素雰囲気である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、陽極接合後、ガラス基板2中に含まれているアルカリ金属(ナトリウムNa,カリウムK等)が、ガラス基板2表面に偏析してくる。このアルカリ金属はヒータ電極8へ熱拡散するとともに、チャンバー内に飛散し、シリコン基板1表面に付着する。また、陽極接合したシリコン基板1を大気中に取り出すと、ガラス基板2表面偏析したアルカリ金属(特にナトリウム)が二酸化炭素及び酸素と反応し、水に可溶の白色結晶の炭酸ナトリウムや、水に不溶な黒茶色の酸化ナトリウムが析出する。ヒータ電極8に拡散したアルカリ金属は、真空中で再過熱すると、その蒸気圧が低いのでチャンバー内に飛散し、チャンバー内部を汚染する。シリコン基板1表面に付着したアルカリ金属は、半導体チップを構成しているピエゾ抵抗4等や、このピエゾ抵抗4形成部のPNジャンクションへ拡散し、リーク電流の増加や耐圧低下を引き起こす。また、半導体チップがIC等のMOSトランジスタの場合、そのしきい値変動等を引き起こす。
【0005】
このように従来の陽極接合方法では、ガラス基板2から偏析したアルカリ金属によりシリコン基板1に形成された半導体チップの特性に悪影響を及ぼすとともに、チャンバー内部がアルカリ金属で汚染され、チャンバー内部やヒータ電極8の清掃が必要となる。この清掃作業は手間がかかり、大きな作業ロスとなる。
【0006】
本発明は、上記事由に鑑みてなしたもので、その目的とするところは、ガラス基板から偏析するアルカリ金属による悪影響を低減することのできる陽極接合方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項1記載の発明は、シリコン基板とガラス基板とを重ね合せ、前記シリコン基板側に接続される第1電極と前記ガラス基板側に接続される第2電極との間に電圧を印加して前記シリコン基板と前記ガラス基板とを接合する陽極接合方法において、前記シリコン基板の接合面ではない主表面に前記第1電極とは別体の第1の導電体を密着させ、前記第1電極により該第1の導電体を介して正の電圧を印加し、前記第2電極により前記ガラス基板の接合面ではない主表面に負の電圧を印加した後、前記第1の導電体を前記シリコン基板から取り外すことを特徴とするものである。
【0008】
請求項2記載の発明は、請求項1記載の陽極接合方法において、前記ガラス基板の接合面ではない主表面に前記第2電極とは別体の第2の導電体を密着させ、前記第2電極により該第2の導電体を介して負の電圧を印加した後、前記第2の導電体を前記ガラス基板から取り外すことを特徴とするものである。
【0009】
請求項3記載の発明は、請求項1又は請求項2記載の陽極接合方法において、前記第1の導電体がシリコン板であることを特徴とするものである。
【0010】
請求項4記載の発明は、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の陽極接合方法において、前記第1の導電体の密着面を粗面化したことを特徴とするものである。
【0011】
請求項5記載の発明は、請求項2記載の陽極接合方法において、前記第2の導電体がシリコン板であることを特徴とするものである。
【0012】
請求項6記載の発明は、請求項2記載の陽極接合方法において、前記第2の導電体が、一方の主表面に金属層が形成され、かつ導電性を有するガラス板であり、該ガラス板の他方の主表面を、前記ガラス基板の接合面ではない主表面に密着させ、かつ前記ガラス板の金属層側の主表面に負の電圧を印加することを特徴とするものである。
【0013】
請求項7記載の発明は、請求項2記載の陽極接合方法において、前記第2の導電体が、カーボン板であることを特徴とするものである。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態に係る陽極接合方法について図1乃至図5にもとづき説明する。
【0015】
図1は本発明の第1の実施の形態の陽極接合方法を示すための、シリコン基板1とガラス基板2の断面図である。従来例と同様に、シリコン基板1に半導体圧力センサチップが形成されたものを例にあげる。シリコン基板1には複数の半導体圧力センサチップが形成され、半導体圧力センサチップ個々には、圧力により変位する肉薄構造のダイヤフラム3及び、ダイヤフラムの変位を抵抗値変化として検出するピエゾ抵抗4が形成されている。この圧力センサチップの高精度化を図るためにシリコン基板1にガラス基板(パイレックスガラス)2を陽極接合し、その後チップサイズで、個々にダイシングすることにより、ガラス台座付圧力センサを製造している。尚、半導体圧力センサの場合ガラス基板2には、外部の圧力を半導体圧力センサのダイヤフラム2に導くための圧力導入孔5が設けられている。
【0016】
ここで、シリコン基板1において、ガラス基板2との接合面ではない主表面(図中シリコン基板1の上面)に、導電体であるシリコン板6を密着させる。このシリコン板6の厚さ及びシート抵抗は、例えば厚さは約0.3〜0.5mmで、シート抵抗は0.1〜約6Ωcmである。また、ガラス基板2において、シリコン基板1との接合面ではない主表面(図中ガラス基板2の下面)に板状の導電体である導電板7を密着させる。そして、シリコン板6に電極ピン14を接触させて正の電圧を印加し、導電板7にヒータ電極8を接触させて負の電圧を印加する。つまり、シリコン基板1と電極ピン14間にシリコン板6を介在させ、そして、ガラス基板2とヒータ電極8間に導電板7を介在させて、正の電圧及び負の電圧を印加する。
【0017】
陽極接合で電圧を電極ピン14及びヒータ電極8で電圧を印加すると、ガラス基板2(パイレックスガラス)に含まれているアルカリ金属(イオン)は、ヒータ電極8に印加された負の電圧によりガラス基板2に密着された導電板7側に移動し、導電板7に付着する。よって、ヒータ電極8へのアルカリ金属の付着を防止することができるとともに、チャンバー内へのアルカリ金属の飛散も大部分防止することができる。また、これ以外に一部ガラス基板2から偏析したアルカリ金属は、チャンバー内に飛散するが、シリコン基板1表面にシリコン板6を密着させてカバーしているので、シリコン基板1の表面への付着を防止することができる。
【0018】
このように、シリコン基板1の接合面ではない主表面にシリコン板6を密着させ、シリコン板6を介して正の電圧を印加し、ガラス基板2の接合面ではない主表面に導電板7を密着させ、導電板7を介して負の電圧を印加するようにしたので、ガラス基板2から偏析したアルカリ金属の大部分を導電板7に付着させてヒータ電極8への付着を防止するとともに、一部飛散したアルカリ金属のシリコン基板1表面への付着をシリコン板6で防止することができるという効果を奏する。
【0019】
図2は本発明の第2の実施の形態の陽極接合方法を示すための、シリコン基板1とガラス基板2の断面図である。基本構成は第1の実施の形態と同様であるが、ガラス基板2に密着させる材料が、導電体であるシリコン板9である点が異なる。つまり本実施の形態では、シリコン基板1において、ガラス基板2との接合面ではない主表面(図中シリコン基板1の上面)に導電体であるシリコン板6を密着させるとともに、ガラス基板2において、シリコン基板1との接合面ではない主表面(図中ガラス基板2の下面)にシリコン板(シリコンウェハ等)9を密着させる。そして、シリコン板6に電極ピン14を接触させて正の電圧を印加し、シリコン板9にヒータ電極8を接触させて負の電圧を印加する。
【0020】
陽極接合で電圧を電極ピン14及びヒータ電極8で電圧を印加すると、ガラス基板2(パイレックスガラス)に含まれているアルカリ金属(イオン)は、ヒータ電極8に印加された負の電圧によりガラス基板2に密着されたシリコン板9側に移動し、シリコン板9に付着する。よって、ヒータ電極8へのアルカリ金属の付着を防止することができるとともに、チャンバー内へのアルカリ金属の飛散も大部分防止することができる。また、これ以外に一部ガラス基板2から偏析したアルカリ金属は、チャンバー内に飛散するが、シリコン基板1表面にシリコン板6を密着させてカバーしているので、シリコン基板1の表面への付着を防止することができる。
【0021】
このように、シリコン基板1の接合面ではない主表面にシリコン板6を密着させ、シリコン板6を介して正の電圧を印加し、ガラス基板2の接合面ではない主表面にシリコン板9を密着させ、シリコン板9を介して負の電圧を印加するようにしたので、ガラス基板2から偏析したアルカリ金属の大部分をシリコン板9に付着させてヒータ電極8への付着を防止するとともに、一部飛散したアルカリ金属のシリコン基板1表面への付着をシリコン板6で防止することができるという効果を奏する。また、アルカリ金属付着防止材料をシリコン板に統一でき、さらにこのシリコン板6,9にシリコンウェハを使用することで、本発明の構成を容易に実現することができるという効果を奏する。
【0022】
図3は本発明の第3の実施の形態の陽極接合方法を示すための、シリコン基板1とガラス基板2の断面図である。基本構成は第1及び第2の実施の形態と同様であるが、ガラス基板2に密着させる材料が、一方の主表面に金属層(バリヤメタル)11が形成され、かつ導電性を有するガラス(パイレックスガラス)板10である点が異なる。つまり本実施の形態では、シリコン基板1において、ガラス基板2との接合面ではない主表面(図中シリコン基板1の上面)に導電体であるシリコン板6を密着させるとともに、ガラス基板2において、シリコン基板1との接合面ではない主表面(図中ガラス基板2の下面)にガラス板10の金属層11を形成していない主表面を密着させる。そして、シリコン板6に電極ピン14を接触させて正の電圧を印加し、ガラス板10の金属層11を形成している主表面にヒータ電極8を接触させて負の電圧を印加する。
【0023】
陽極接合で電圧を電極ピン14及びヒータ電極8で電圧を印加すると、ガラス基板2(パイレックスガラス)に含まれているアルカリ金属(イオン)は、ヒータ電極8に印加された負の電圧によりガラス基板2に密着されたガラス板10側に移動し、さらにガラス板10内に拡散し、金属層11に移動する。ここで、金属層11は、例えばTi/Ni/Au,Ti/Pt/Au,Ti/Pt/Ni/Au等数層以上のスパッタリングにより積層し、緻密な構成にしているため、アルカリ金属はこの金属層11に滞留し、金属層11表面側への偏析はほとんどない。よって、ヒータ電極8へのアルカリ金属の付着を防止することができるとともに、チャンバー内へのアルカリ金属の飛散も大部分防止することができる。また、これ以外に一部ガラス基板2から偏析したアルカリ金属は、チャンバー内に飛散するが、シリコン基板1表面にシリコン板6を密着させてカバーしているので、シリコン基板1の表面への付着を防止することができる。
【0024】
このように、シリコン基板1の接合面ではない主表面にシリコン板6を密着させ、シリコン板6を介して正の電圧を印加し、ガラス基板2の接合面ではない主表面に、一方の主表面に金属層11が形成され、かつ導電性を有するガラス板10を密着させ、ガラス板10の金属層側の主表面に負の電圧を印加するようにしたので、ガラス基板2から偏析したアルカリ金属の大部分をガラス板10内の金属層11に滞留させてヒータ電極8への付着をより効果的に防止するとともに、一部飛散したアルカリ金属のシリコン基板1表面への付着をシリコン板6で防止することができるという効果を奏する。
【0025】
図4本発明の第4実施の形態の陽極接合方法を示すための、シリコン基板1とガラス基板2の断面図である。基本構成は第1の実施の形態と同様であるが、ガラス基板2に密着させる材料が、導電体であるカーボン板12である点が異なる。つまり本実施の形態では、シリコン基板1において、ガラス基板2との接合面ではない主表面(図中シリコン基板1の上面)に導電体であるシリコン板6を密着させるとともに、ガラス基板2において、シリコン基板1との接合面ではない主表面(図中ガラス基板2の下面)にカーボン板12を密着させる。そして、シリコン板6に電極ピン14を接触させて正の電圧を印加し、カーボン板12にヒータ電極8を接触させて負の電圧を印加する。ここで、カーボン板12の抵抗は約0.1〜約0.8Ωcm位がよい
陽極接合で電圧を電極ピン14及びヒータ電極8で電圧を印加すると、ガラス基板2(パイレックスガラス)に含まれているアルカリ金属(イオン)は、ヒータ電極8に印加された負の電圧によりガラス基板2に密着されたカーボン板12側に移動し、カーボン板12に付着する。よって、ヒータ電極8へのアルカリ金属の付着を防止することができるとともに、チャンバー内へのアルカリ金属の飛散も大部分防止することができる。また、これ以外に一部ガラス基板2から偏析したアルカリ金属は、チャンバー内に飛散するが、シリコン基板1表面にシリコン板6を密着させてカバーしているので、シリコン基板1の表面への付着を防止することができる。
【0026】
このように、シリコン基板1の接合面ではない主表面にシリコン板6を密着させ、シリコン板6を介して正の電圧を印加し、ガラス基板2の接合面ではない主表面にカーボン板12を密着させ、カーボン板12を介して負の電圧を印加するようにしたので、ガラス基板2から偏析したアルカリ金属の大部分をカーボン板12に付着させてヒータ電極8への付着を防止するとともに、一部飛散したアルカリ金属のシリコン基板1表面への付着をシリコン板6で防止することができるという効果を奏する。
【0027】
図5は本発明の第5の実施の形態の陽極接合方法を示すための、シリコン基板1とガラス基板2の断面図である。基本構成は第1の実施の形態と同様であるが、シリコン基板1に密着させるシリコン板6の密着面を粗面化している。それ以外の構成及びアルカリ金属に対する作用は第1の実施の形態と同様であるので、粗面化の作用について述べる。
【0028】
シリコン基板1の表面には、半導体チップとして、ピエゾ抵抗4等の素子が形成されるが、素子間の配線は一般にアルミ等で形成される。特に、シリコン基板1へのアルカリ金属付着防止のために密着させた導電体がシリコン板6で、その密着面の表面が境面であれば、陽極接合時にアルミ配線(図示せず)がシリコン板6に貼付く恐れがある。ここで、シリコン板6のシリコン基板1への密着面を粗面化することによりアルミ配線の付着を防止することができる。この面粗度は#800〜1500位がよい。
【0029】
このように、シリコン基板1の接合面ではない主表面に密着させたシリコン板6の密着面を粗面化したことにより、第1の実施の形態の効果に加え、シリコン基板1に形成されたアルミ配線等のシリコン板6への貼付きを防止することができるという効果を奏する。
【0030】
以上、本発明の実施の形態を示した。アルカリ金属付着防止に使用したシリコン板6,9やガラス板10やカーボン板12は、陽極接合の都度、純水等で洗浄すれば良く、チャンバー内部の清掃は従来より汚染レベルが低いため、例えば、数十〜百バッチ毎に行う頻度でよく、管理が容易である。
【0031】
尚、シリコン基板に半導体圧力センサチップが形成されたものを例にあげたが、これに限定されるものではない。
【0032】
【発明の効果】
上述の如く、本発明の請求項1記載の発明によれば、シリコン基板とガラス基板とを重ね合せ、前記シリコン基板側に接続される第1電極と前記ガラス基板側に接続される第2電極との間に電圧を印加して前記シリコン基板と前記ガラス基板とを接合する陽極接合方法において、前記シリコン基板の接合面ではない主表面に前記第1電極とは別体の第1の導電体を密着させ、前記第1電極により該第1の導電体を介して正の電圧を印加し、前記第2電極により前記ガラス基板の接合面ではない主表面に負の電圧を印加した後、前記第1の導電体を前記シリコン基板から取り外すので、ガラス基板から偏析するアルカリ金属のシリコン基板表面への付着を防止し、アルカリ金属による悪影響を低減することのできる陽極接合方法を提供することができた。
【0033】
請求項2記載の発明においては、前記ガラス基板の接合面ではない主表面に前記第2電極とは別体の第2の導電体を密着させ、前記第2電極により該第2の導電体を介して負の電圧を印加した後、前記第2の導電体を前記ガラス基板から取り外すようにしたので、ガラス基板から偏析したアルカリ金属の大部分を第2の導電体に付着させて、周囲への付着を防止するとともに、一部飛散したアルカリ金属のシリコン基板表面への付着を第1の導体板で防止して、ガラス基板から偏析するアルカリ金属による悪影響を低減することができるという効果を奏する。
【0034】
請求項3記載の発明においては、前記第1の導電体をシリコン板としたので、容易にアルカリ金属のシリコン基板への付着を防止することができるいう効果を奏する。
【0035】
請求項4記載の発明においては、前記第1の導電体の密着面を粗面化したので、シリコン基板に形成された配線等が、前記第1の導電体への貼付くことを防止することができるいう効果を奏する。
【0036】
請求項5記載の発明においては、前記第2の導電体をシリコン板としたので、容易にアルカリ金属の周囲への付着を防止することができるいう効果を奏する。
【0037】
請求項6記載の発明においては、前記第2の導電体が、一方の主表面に金属層が形成され、かつ導電性を有するガラス板であり、該ガラス板の他方の主表面を、前記ガラス基板の接合面ではない主表面に密着させ、かつ前記ガラス板の金属層側の主表面に負の電圧を印加するようにしたので、ガラス基板から偏析したアルカリ金属の大部分をガラス板内の金属層に滞留させて、周囲への付着をさらに低減させることができるという効果を奏する。
【0038】
請求項7記載の発明においては、前記第2の導電体をカーボン板としたので、容易かつ安価にアルカリ金属の周囲への付着を防止することができるいう効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態を示す図である。
【図2】本発明の第2の実施の形態を示す図である。
【図3】本発明の第3の実施の形態を示す図である。
【図4】本発明の第4の実施の形態を示す図である。
【図5】本発明の第5の実施の形態を示す図である。
【図6】従来例を示す図である。
【符号の説明】
1 シリコン基板
2 ガラス基板
6 シリコン板
7 導電板
8 ヒータ電極
9 シリコン板
10 ガラス板
11 金属層
12 カーボン板
13 粗面
14 電極ピン
Claims (7)
- シリコン基板とガラス基板とを重ね合せ、前記シリコン基板側に接続される第1電極と前記ガラス基板側に接続される第2電極との間に電圧を印加して前記シリコン基板と前記ガラス基板とを接合する陽極接合方法において、前記シリコン基板の接合面ではない主表面に前記第1電極とは別体の第1の導電体を密着させ、前記第1電極により該第1の導電体を介して正の電圧を印加し、前記第2電極により前記ガラス基板の接合面ではない主表面に負の電圧を印加した後、前記第1の導電体を前記シリコン基板から取り外すことを特徴とする陽極接合方法。
- 前記ガラス基板の接合面ではない主表面に前記第2電極とは別体の第2の導電体を密着させ、前記第2電極により該第2の導電体を介して負の電圧を印加した後、前記第2の導電体を前記ガラス基板から取り外すことを特徴とする請求項1記載の陽極接合方法。
- 前記第1の導電体がシリコン板であることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の陽極接合方法。
- 前記第1の導電体の密着面を粗面化したことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の陽極接合方法。
- 前記第2の導電体がシリコン板であることを特徴とする請求項2記載の陽極接合方法。
- 前記第2の導電体が、一方の主表面に金属層が形成され、かつ導電性を有するガラス板であり、該ガラス板の他方の主表面を、前記ガラス基板の接合面ではない主表面に密着させ、かつ前記ガラス板の金属層側の主表面に負の電圧を印加することを特徴とする請求項2記載の陽極接合方法。
- 前記第2の導電体が、カーボン板であることを特徴とする請求項2記載の陽極接合方法。
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