JPS62131532A - 薄膜の膜厚測定方法 - Google Patents
薄膜の膜厚測定方法Info
- Publication number
- JPS62131532A JPS62131532A JP27189185A JP27189185A JPS62131532A JP S62131532 A JPS62131532 A JP S62131532A JP 27189185 A JP27189185 A JP 27189185A JP 27189185 A JP27189185 A JP 27189185A JP S62131532 A JPS62131532 A JP S62131532A
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- JP
- Japan
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- thin film
- film
- adhesive tape
- thickness
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、薄膜の膜厚測定方法、特に半導体装置の製造
工程において利用されるスパッタ装置あるいは蒸着装置
により、半導体基板上に被着された金属あるいは非金属
薄膜の膜厚測定方法に関するものである。
工程において利用されるスパッタ装置あるいは蒸着装置
により、半導体基板上に被着された金属あるいは非金属
薄膜の膜厚測定方法に関するものである。
従来よシ半導体装置製造工程において、スパッタ法や蒸
着法により製品上に被着された薄膜の膜厚は、製品作業
と同一バッチ内にセットされた膜厚測定用ウェハーでの
膜厚を測定することにより保証している。その例として
シリコン薄膜を被着する場合につき説明する。第７図（
ａＪ 、（ｂｌに示すようにシリコンウェハー２１の表
面に酸化シリコン膜２２を形成したものを膜厚測定用の
ウェハーとして使用し、製品と同時にシリコン薄膜２３
をその一主面に被着する。次に第８図（ａ）ｔ（ｂｌに
示すようにスコッチテープ（商品名）等の粘着テープ２
４をはりつけ、十分密着させる。しかる後第９図（ａ）
、（ｂ）に示すように弗酸・硝酸の混合液にて、粘着テ
ープ２４で覆われていない部分のシリコン薄膜２３をエ
ツチング除去し、次いで粘着テープ２４をはぎとる。こ
のとき、シリコン薄膜２３上には、粘着テープののらが
若干残っているから、有機溶剤にて取り除き、しかる後
、シリコン薄膜２３とシリコン酸化膜２２の段差をタリ
ステップ（商品名）等の段差測定器にて測定することに
よりシリコン薄膜の厚さを測定していた。
着法により製品上に被着された薄膜の膜厚は、製品作業
と同一バッチ内にセットされた膜厚測定用ウェハーでの
膜厚を測定することにより保証している。その例として
シリコン薄膜を被着する場合につき説明する。第７図（
ａＪ 、（ｂｌに示すようにシリコンウェハー２１の表
面に酸化シリコン膜２２を形成したものを膜厚測定用の
ウェハーとして使用し、製品と同時にシリコン薄膜２３
をその一主面に被着する。次に第８図（ａ）ｔ（ｂｌに
示すようにスコッチテープ（商品名）等の粘着テープ２
４をはりつけ、十分密着させる。しかる後第９図（ａ）
、（ｂ）に示すように弗酸・硝酸の混合液にて、粘着テ
ープ２４で覆われていない部分のシリコン薄膜２３をエ
ツチング除去し、次いで粘着テープ２４をはぎとる。こ
のとき、シリコン薄膜２３上には、粘着テープののらが
若干残っているから、有機溶剤にて取り除き、しかる後
、シリコン薄膜２３とシリコン酸化膜２２の段差をタリ
ステップ（商品名）等の段差測定器にて測定することに
よりシリコン薄膜の厚さを測定していた。
しかしながら、この方法によれば、弗酸・硝酸混合液に
よるエツチング作業及び有機溶剤による洗浄作業が含ま
れる為、膜付は後結果がでるまで３０〜６０分の時間を
必要とし、また粘着テープの密着が不十分であると、サ
イドエッチ現象が激しくなる為、段形状が悪くなり、段
差測定がスムーズに行かない等の欠点がある。
よるエツチング作業及び有機溶剤による洗浄作業が含ま
れる為、膜付は後結果がでるまで３０〜６０分の時間を
必要とし、また粘着テープの密着が不十分であると、サ
イドエッチ現象が激しくなる為、段形状が悪くなり、段
差測定がスムーズに行かない等の欠点がある。
本発明の目的は、膜付は後ただちに薄膜の厚さ測定がで
き、段形状も測定に支障がない様な簡便な薄膜の膜厚測
定方法を提供することにある。
き、段形状も測定に支障がない様な簡便な薄膜の膜厚測
定方法を提供することにある。
本発明は基板の一生面に形成された絶縁膜上に金属薄膜
を被着する工程と、該金属薄膜上の一部に粘着テープを
はりつけ密着させた後、該粘着テープを剥離して前記金
属薄膜の一部をはぎとる工程と、前記金属膜を含む基板
」二に他の薄膜を被着する工程と、該他の薄膜上の一部
に粘着テープをはりつけ密着させた後、該粘着テープを
剥離して、前記金属薄膜及び他の薄膜をはぎとる工程と
、前記絶縁膜上に一部残った前記他の薄膜の膜厚を測定
する工程とを行うことを特徴とする薄膜の膜厚測定方法
である。
を被着する工程と、該金属薄膜上の一部に粘着テープを
はりつけ密着させた後、該粘着テープを剥離して前記金
属薄膜の一部をはぎとる工程と、前記金属膜を含む基板
」二に他の薄膜を被着する工程と、該他の薄膜上の一部
に粘着テープをはりつけ密着させた後、該粘着テープを
剥離して、前記金属薄膜及び他の薄膜をはぎとる工程と
、前記絶縁膜上に一部残った前記他の薄膜の膜厚を測定
する工程とを行うことを特徴とする薄膜の膜厚測定方法
である。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図乃至第６図は本発明の好ましい一実施例を示す図
であり、各図で（、）は断面図、（ｂｌは平面図を示す
。第１図（ａｌ、（ｂ）に示すように、１ずシリコンウ
ェハー１１の一生面上に熱酸化法によりシリコン酸化膜
１２を形成する。次にス・ぐツタによｐ金薄膜１３及び
チタン薄膜１４をこのシリコン酸化膜１２上に被着する
。このとき、金薄膜の厚さは３０Ｘ〜〜ｌ００Ｘ、チタ
ン薄膜の厚さは３０００〜５０００Ｘが望ましい。次に
第２図（ａｌ、（ｂ）に示すようにスコッチフープ（商
品名）等の粘着テープ１５をチタン薄膜１・１の上面の
一部にはシつけ、密着させる。ここで粘着チー７″１５
をはぎとると、シリコン酸化膜１２と金薄膜１３の粘着
強度は非常に弱いので、同時にチタン薄膜１４及び金薄
膜１３がはがれてくる（第３図（ａｌ、（ｂ） ）。こ
の状態のシリコンウェハーを有機洗浄したものを膜厚測
定用のウェハーとして使用し、製品作業時に同一バッチ
中にセットし、シリコン薄膜１６を製品と同時に蒸着に
より被着する（第４図（ａ）、（ｂｌ ）。次に第５図
（ａｌｅ（ｂｌに示すように再び粘着テープ１５をシリ
コン薄膜１６の上面の一部にはシつけ、密着させる。こ
こでシリコン酸化膜１２とシリコン薄膜１６の密着強度
はかなり良い為、粘着テープ１５をはぎとると、金薄膜
１３及びその上にあるチタン薄膜１４、シリコン薄膜１
６がはがれ、シリコン酸化膜上のシリコン薄膜のみが残
ることとなる（第６図（ａ）、（ｂ） ）。このとき形
成された段差が求めるシリコン薄膜の厚さである。
であり、各図で（、）は断面図、（ｂｌは平面図を示す
。第１図（ａｌ、（ｂ）に示すように、１ずシリコンウ
ェハー１１の一生面上に熱酸化法によりシリコン酸化膜
１２を形成する。次にス・ぐツタによｐ金薄膜１３及び
チタン薄膜１４をこのシリコン酸化膜１２上に被着する
。このとき、金薄膜の厚さは３０Ｘ〜〜ｌ００Ｘ、チタ
ン薄膜の厚さは３０００〜５０００Ｘが望ましい。次に
第２図（ａｌ、（ｂ）に示すようにスコッチフープ（商
品名）等の粘着テープ１５をチタン薄膜１・１の上面の
一部にはシつけ、密着させる。ここで粘着チー７″１５
をはぎとると、シリコン酸化膜１２と金薄膜１３の粘着
強度は非常に弱いので、同時にチタン薄膜１４及び金薄
膜１３がはがれてくる（第３図（ａｌ、（ｂ） ）。こ
の状態のシリコンウェハーを有機洗浄したものを膜厚測
定用のウェハーとして使用し、製品作業時に同一バッチ
中にセットし、シリコン薄膜１６を製品と同時に蒸着に
より被着する（第４図（ａ）、（ｂｌ ）。次に第５図
（ａｌｅ（ｂｌに示すように再び粘着テープ１５をシリ
コン薄膜１６の上面の一部にはシつけ、密着させる。こ
こでシリコン酸化膜１２とシリコン薄膜１６の密着強度
はかなり良い為、粘着テープ１５をはぎとると、金薄膜
１３及びその上にあるチタン薄膜１４、シリコン薄膜１
６がはがれ、シリコン酸化膜上のシリコン薄膜のみが残
ることとなる（第６図（ａ）、（ｂ） ）。このとき形
成された段差が求めるシリコン薄膜の厚さである。
本発明の他の実施例としては、金薄膜１３のかわりに白
金薄膜等のシリコン酸化膜との密着強度の弱い金属でも
同様の効果が得られる。またチタン薄膜１４を被着せず
、金薄膜を厚く被着する方法もある。また蒸着時にセッ
トする膜厚測定用ウェハーは、粘着テープ法にて金属膜
の段づけを行なったが、フォトレジストを用いエツチン
グ法で行なってもよい。さらに膜厚を測定しようとする
薄膜はシリコンに限定されず、シリコン酸化膜との密着
のよいものならいずれでも可能である。
金薄膜等のシリコン酸化膜との密着強度の弱い金属でも
同様の効果が得られる。またチタン薄膜１４を被着せず
、金薄膜を厚く被着する方法もある。また蒸着時にセッ
トする膜厚測定用ウェハーは、粘着テープ法にて金属膜
の段づけを行なったが、フォトレジストを用いエツチン
グ法で行なってもよい。さらに膜厚を測定しようとする
薄膜はシリコンに限定されず、シリコン酸化膜との密着
のよいものならいずれでも可能である。
以上説明したように本発明によれば、膜付は後ただちに
測定を行なうことができ、測定すべき段形状はシャープ
となシ測定が容易でちゃ、従来法に比し大幅に作業性を
向上できるという効果を有するものである。
測定を行なうことができ、測定すべき段形状はシャープ
となシ測定が容易でちゃ、従来法に比し大幅に作業性を
向上できるという効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）〜第６図（ａｌは本発明の薄膜の膜厚測定
方法の一実施例を工程順に示す膜厚測定用ウェハーの断
面図、第１図（ｂｌ〜第６図（ｂ）は同平面図、第７図
（ａｌ〜第９図（ａ）は従来の膜厚測定法による各工程
での膜厚測定用ウェハーの断面図、第７図（ｂ）〜第９
図（ｂ）は同平面図である。 １１・・・シリコンウェハー、１２・・・シリコン酸化
膜、１３・・・金薄膜、１４・・・チタン薄膜、１５・
・・粘着テープ、１６・・・シリコン薄膜。
方法の一実施例を工程順に示す膜厚測定用ウェハーの断
面図、第１図（ｂｌ〜第６図（ｂ）は同平面図、第７図
（ａｌ〜第９図（ａ）は従来の膜厚測定法による各工程
での膜厚測定用ウェハーの断面図、第７図（ｂ）〜第９
図（ｂ）は同平面図である。 １１・・・シリコンウェハー、１２・・・シリコン酸化
膜、１３・・・金薄膜、１４・・・チタン薄膜、１５・
・・粘着テープ、１６・・・シリコン薄膜。
Claims (1)
- （１）基板の一主面に形成された絶縁膜上に金属薄膜を
被着する工程と、該金属薄膜上の一部に粘着テープをは
りつけ密着させた後、該粘着テープを剥離して前記金属
薄膜の一部をはぎとる工程と、前記金属膜を含む基板上
に他の薄膜を被着する工程と、該他の薄膜上の一部に粘
着テープをはりつけ密着させた後、該粘着テープを剥離
して、前記金属薄膜及び他の薄膜をはぎとる工程と、前
記絶縁膜上に一部残った前記他の薄膜の膜厚を測定する
工程とを行うことを特徴とする薄膜の膜厚測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27189185A JPS62131532A (ja) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | 薄膜の膜厚測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27189185A JPS62131532A (ja) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | 薄膜の膜厚測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62131532A true JPS62131532A (ja) | 1987-06-13 |
Family
ID=17506336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27189185A Pending JPS62131532A (ja) | 1985-12-03 | 1985-12-03 | 薄膜の膜厚測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62131532A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970022206A (ko) * | 1995-10-16 | 1997-05-28 | 김익명 | 막 두께 측정방법 |
| JP2008261776A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Ulvac Japan Ltd | 膜厚測定方法、及び磁気デバイスの製造方法 |
-
1985
- 1985-12-03 JP JP27189185A patent/JPS62131532A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970022206A (ko) * | 1995-10-16 | 1997-05-28 | 김익명 | 막 두께 측정방법 |
| JP2008261776A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Ulvac Japan Ltd | 膜厚測定方法、及び磁気デバイスの製造方法 |
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