JPS6187863A - スパツタコ−テイング法 - Google Patents
スパツタコ−テイング法Info
- Publication number
- JPS6187863A JPS6187863A JP21076184A JP21076184A JPS6187863A JP S6187863 A JPS6187863 A JP S6187863A JP 21076184 A JP21076184 A JP 21076184A JP 21076184 A JP21076184 A JP 21076184A JP S6187863 A JPS6187863 A JP S6187863A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- chips
- mask
- frame
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
木兄、１１は、例えばガラス基板上に入・出カドランス
ジューサと酸化亜鉛層とＳｉＯ２層と対向電極とを順次
形成してなる弾性表面波装置において、ＳｉＯ２層等を
形成するための、コーティング法に閏Ｊるものである。
ジューサと酸化亜鉛層とＳｉＯ２層と対向電極とを順次
形成してなる弾性表面波装置において、ＳｉＯ２層等を
形成するための、コーティング法に閏Ｊるものである。
従来例の構成とその問題点
弾性表面波装置のチップは、第２図及び第３図に示すよ
うに、ガラス基板１の上に、入・出カドランスジューサ
２．３と、圧電体としての酸化亜鉛層４と、ＳｉＯ２層
５と、対向電極６，７とを順次形成して成り、入カドラ
ンスジューサ２に電圧を加えて圧電素子としての酸化亜
鉛層４を伸縮（［１１）させ、弾性表面波を発生させて
、これを伝藩させ、同様に出カドランスジューサ３で、
弾性表面波を検出しく伸縮により生じる電圧を表面の電
極で取出す）、信号遅延及びフィルタ機能をもたせたも
のである。入カドランスジューサ２のパッド８．９間、
出カドランスジューサ３のパッド１０．１１間、及び各
パッド３．９．１０．１１と対向電極６．７との間の酸
化亜鉛層４は本来半導体のため絶縁抵抗が低く、しかも
人・出カドランスジューサ２．３の間隔が約数μ糖から
１０μｍと狭いので、静電気破壊を防止するために、５
ｉＯ２Ｆ４５を設けている。
うに、ガラス基板１の上に、入・出カドランスジューサ
２．３と、圧電体としての酸化亜鉛層４と、ＳｉＯ２層
５と、対向電極６，７とを順次形成して成り、入カドラ
ンスジューサ２に電圧を加えて圧電素子としての酸化亜
鉛層４を伸縮（［１１）させ、弾性表面波を発生させて
、これを伝藩させ、同様に出カドランスジューサ３で、
弾性表面波を検出しく伸縮により生じる電圧を表面の電
極で取出す）、信号遅延及びフィルタ機能をもたせたも
のである。入カドランスジューサ２のパッド８．９間、
出カドランスジューサ３のパッド１０．１１間、及び各
パッド３．９．１０．１１と対向電極６．７との間の酸
化亜鉛層４は本来半導体のため絶縁抵抗が低く、しかも
人・出カドランスジューサ２．３の間隔が約数μ糖から
１０μｍと狭いので、静電気破壊を防止するために、５
ｉＯ２Ｆ４５を設けている。
ここで、酸化亜鉛層４及びＳｉ０２層５は、各々ＲＦス
パッタ装置やＲＦマグネットＯンスパツタ装置によって
スパッタ形成されるもので、マスキングがなければ、チ
ップ表面全面にコーティングされてしまい、外部結線部
分のパッド８〜１１までコーティング膜の下になり、不
都合である。マスキング以外に、不要部分つまりパッド
部分に相当する部分をエツチング除去する手段もあるが
、Ｓｔ ０２ Ｆｔ５の場合、非常に安定な物質のため
、強酸や強アルカリでしかエツチングされず、このよう
なものでエツチングすれば、必要な部分である他部の損
傷もはなはだしく、実用的でない。
パッタ装置やＲＦマグネットＯンスパツタ装置によって
スパッタ形成されるもので、マスキングがなければ、チ
ップ表面全面にコーティングされてしまい、外部結線部
分のパッド８〜１１までコーティング膜の下になり、不
都合である。マスキング以外に、不要部分つまりパッド
部分に相当する部分をエツチング除去する手段もあるが
、Ｓｔ ０２ Ｆｔ５の場合、非常に安定な物質のため
、強酸や強アルカリでしかエツチングされず、このよう
なものでエツチングすれば、必要な部分である他部の損
傷もはなはだしく、実用的でない。
発明の目的
本発明は上記従来の欠点を解消するもので、被コーティ
ング物質を、容易かつ確実に所要部分だけにコーティン
グできるスパッタコーティング法を提供することを目的
とする。
ング物質を、容易かつ確実に所要部分だけにコーティン
グできるスパッタコーティング法を提供することを目的
とする。
発明の構成
１−開目的を達成するため、本発明のスパッタコーティ
ング法は、マスキング用のマスクを全面に有する固定枠
内に、ウェハをそのコーティング面が前記マスクに密着
するように挿入して保持させ、前記固定枠の前方に位置
するスパッタ用ターゲットにより前記ウェハに被コーテ
ィング物質をスパッタさせるものである。
ング法は、マスキング用のマスクを全面に有する固定枠
内に、ウェハをそのコーティング面が前記マスクに密着
するように挿入して保持させ、前記固定枠の前方に位置
するスパッタ用ターゲットにより前記ウェハに被コーテ
ィング物質をスパッタさせるものである。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例について、図面に基づいて説明
する。
する。
第１図は本発明の一実施例におけるスパッタコーディン
グ法の説明図で、１２はウェハ゛、１３はデツプ、１４
はマスク、１５は固定枠である。
グ法の説明図で、１２はウェハ゛、１３はデツプ、１４
はマスク、１５は固定枠である。
Ｓｉ０２層５のコーティングに際しては、入・出カドラ
ンスジューサ２．３及び酸化亜鉛層４の形成済チップ１
３を複数個並べたウェハ１２のコーティング面を、固定
枠１５に支持されたマスク１４に密着させて固定枠１５
内に収納し、位１ｆｔＡに配置されたターゲットからＳ
ｉＯ２をスパッタさせ、第１図及び第２図の８１０２ｍ
！５に相当する部分を形成する。このとき、外部回路と
ワイヤボンディング法で結線するためのパッド部分８〜
１１がマスキングされる。このあとホトリソグラフィに
よって対向電極６．７を形成することにより、チップと
して完成する。
ンスジューサ２．３及び酸化亜鉛層４の形成済チップ１
３を複数個並べたウェハ１２のコーティング面を、固定
枠１５に支持されたマスク１４に密着させて固定枠１５
内に収納し、位１ｆｔＡに配置されたターゲットからＳ
ｉＯ２をスパッタさせ、第１図及び第２図の８１０２ｍ
！５に相当する部分を形成する。このとき、外部回路と
ワイヤボンディング法で結線するためのパッド部分８〜
１１がマスキングされる。このあとホトリソグラフィに
よって対向電極６．７を形成することにより、チップと
して完成する。
このように、化学的に安定なＳｉＯ２を、必要な部分、
つまり入・出カドランスジューサ２．３上に簡単かつ確
実に形成でき、エツチングを行なう必要がないので、チ
ップのエツチングによる損傷がない。
つまり入・出カドランスジューサ２．３上に簡単かつ確
実に形成でき、エツチングを行なう必要がないので、チ
ップのエツチングによる損傷がない。
なお、酸化亜鉛層４の形成に際しても、同様のスパッタ
コーティング法を用いることができる。
コーティング法を用いることができる。
発明の詳細
な説明したように本発明によれば、被コーティング物質
を容易かつ確実に所要部分だけにコーティングでき、し
たがってエツチングを行なノ必要がないので、被コーデ
ィング物質が化学的に極めて安定なものであっても、チ
ップのエツチングによる損傷を生じる恐れがない。
を容易かつ確実に所要部分だけにコーティングでき、し
たがってエツチングを行なノ必要がないので、被コーデ
ィング物質が化学的に極めて安定なものであっても、チ
ップのエツチングによる損傷を生じる恐れがない。
第１図は本発明の一実施例におけるスパッタコーティン
グ法の説明図、第２図は弾性表面波装置のチップの平面
図、第３図は第２図における■−■線に沿う断面図であ
る。 １２・・・ウェハ、１３・・・チップ、１４・・・マス
ク、１５・・・固定枠 第１図
グ法の説明図、第２図は弾性表面波装置のチップの平面
図、第３図は第２図における■−■線に沿う断面図であ
る。 １２・・・ウェハ、１３・・・チップ、１４・・・マス
ク、１５・・・固定枠 第１図
Claims (1)
- １、マスキング用のマスクを前面に有する固定枠内に、
ウェハをそのコーティング面が前記マスクに密着するよ
うに挿入して保持させ、前記固定枠の前方に位置するス
パッタ用ターゲットにより前記ウェハに被コーティング
物質をスパッタさせるスパッタコーティング法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21076184A JPS6187863A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | スパツタコ−テイング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21076184A JPS6187863A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | スパツタコ−テイング法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6187863A true JPS6187863A (ja) | 1986-05-06 |
Family
ID=16594689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21076184A Pending JPS6187863A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | スパツタコ−テイング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6187863A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63261905A (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-28 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波デバイスの製造方法 |
| JP2008038178A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Tokki Corp | プラズマ方式マスクｃｖｄ装置 |
-
1984
- 1984-10-08 JP JP21076184A patent/JPS6187863A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63261905A (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-28 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波デバイスの製造方法 |
| JP2008038178A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Tokki Corp | プラズマ方式マスクｃｖｄ装置 |
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