JPH01199180A - 磁気センサの形成方法 - Google Patents
磁気センサの形成方法Info
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- JPH01199180A JPH01199180A JP63024884A JP2488488A JPH01199180A JP H01199180 A JPH01199180 A JP H01199180A JP 63024884 A JP63024884 A JP 63024884A JP 2488488 A JP2488488 A JP 2488488A JP H01199180 A JPH01199180 A JP H01199180A
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Links
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Landscapes
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- Measuring Magnetic Variables (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
この発明は、主に角度や位置の検出装置として使用され
るスピードセンサ、磁気エンコーダ等に用いられる磁気
センサの形成方法に関する。
るスピードセンサ、磁気エンコーダ等に用いられる磁気
センサの形成方法に関する。
[従来の技術]
磁気エンコーダは、微小距離を隔てて対向する平板部材
の一方の対向面に磁気マークを付与し、他方の対向面に
この磁気マークの磁気を検知する感磁部を形成して、両
者が相対移動したときに上記感磁部の検出値から移動量
を算出して位置を検知するようにしている。
の一方の対向面に磁気マークを付与し、他方の対向面に
この磁気マークの磁気を検知する感磁部を形成して、両
者が相対移動したときに上記感磁部の検出値から移動量
を算出して位置を検知するようにしている。
第1図は、上記感磁部の一例の平面図であり、ガラス等
からなる基板i上に、磁気によって抵抗値が変化する磁
気抵抗効果合金、例えばパーマロイから成る磁気抵抗素
子2と、電極3とがパターン形成されている。そして、
これらの磁気抵抗索子2は、Cr−Cuからなる導電膜
3alこより、第2図に示すように連絡されてブリッジ
を形成しており、電極3を通してブリッジの不平衡出力
を検知するコンパレータ4及び電源とに接続されている
。
からなる基板i上に、磁気によって抵抗値が変化する磁
気抵抗効果合金、例えばパーマロイから成る磁気抵抗素
子2と、電極3とがパターン形成されている。そして、
これらの磁気抵抗索子2は、Cr−Cuからなる導電膜
3alこより、第2図に示すように連絡されてブリッジ
を形成しており、電極3を通してブリッジの不平衡出力
を検知するコンパレータ4及び電源とに接続されている
。
ところで、これらの磁気抵抗素子2のパターンは、不要
箇所をマスキングして蒸着やスパッタリング等を行うか
、あるいは逆に、基板lの全体に被膜形成した後に必要
部をマスキングして電解などを行って不要部を除去する
か、全体に被膜形成した後にレーザビームなどにより不
要部を除去するようにして形成している。しかし、いず
れの場合でも磁気抵抗素子のパターンの幅や厚さを所定
の値にする、または全体的に均一にすることは困難であ
り、従って、ブリッジを構成する抵抗にばらつきが生じ
る。そこで、バランス調整用抵抗素子5(磁気抵抗素子
と同一の素材からなっている)を基板l上に被膜形成し
ている。これは、第3図に示すように、2列の磁気抵抗
素子帯6の間にCr−Cuの層からなる導通部7を複数
架設したものである。
箇所をマスキングして蒸着やスパッタリング等を行うか
、あるいは逆に、基板lの全体に被膜形成した後に必要
部をマスキングして電解などを行って不要部を除去する
か、全体に被膜形成した後にレーザビームなどにより不
要部を除去するようにして形成している。しかし、いず
れの場合でも磁気抵抗素子のパターンの幅や厚さを所定
の値にする、または全体的に均一にすることは困難であ
り、従って、ブリッジを構成する抵抗にばらつきが生じ
る。そこで、バランス調整用抵抗素子5(磁気抵抗素子
と同一の素材からなっている)を基板l上に被膜形成し
ている。これは、第3図に示すように、2列の磁気抵抗
素子帯6の間にCr−Cuの層からなる導通部7を複数
架設したものである。
以下、このような磁気センサを形成する方法について第
4図を参照して述べると、まず、ガラス基板l上にパー
マロイなどを蒸着した後エツチングをして磁気抵抗効果
合金の被膜11を形成する(同図a)。次に、この被膜
11の所要箇所をマスキングしてエツチングを施し、磁
気抵抗素子2及び調整用抵抗素子5の磁気抵抗素子帯6
のパターンを形成する(同図b)。次に、クロム12と
銅13を順次スパッタリングしく同図C)、所要箇所の
みを残してエツチングして電極3及び導通部7を形成し
く同図d)、S to tをスパッタリングして全体に
保護膜14を形成する(同図e)。そして、電極3の表
面の所定箇所をエツチングして露出さ仕、接続用の端子
とする(同図f)。次に、これらの端子を電源及びコン
パレータ4に接続し、所定の条件のもとにおいてその出
力がゼロとなるように調整用抵抗素子5の値を変化させ
る。この工程は、レーザビームを調整用抵抗素子5に照
射して、第3図に仮想線で示すように導通部6をその中
央線に沿って分断しく第4図g)、抵抗値を微小値づつ
上昇させることによって達成される。
4図を参照して述べると、まず、ガラス基板l上にパー
マロイなどを蒸着した後エツチングをして磁気抵抗効果
合金の被膜11を形成する(同図a)。次に、この被膜
11の所要箇所をマスキングしてエツチングを施し、磁
気抵抗素子2及び調整用抵抗素子5の磁気抵抗素子帯6
のパターンを形成する(同図b)。次に、クロム12と
銅13を順次スパッタリングしく同図C)、所要箇所の
みを残してエツチングして電極3及び導通部7を形成し
く同図d)、S to tをスパッタリングして全体に
保護膜14を形成する(同図e)。そして、電極3の表
面の所定箇所をエツチングして露出さ仕、接続用の端子
とする(同図f)。次に、これらの端子を電源及びコン
パレータ4に接続し、所定の条件のもとにおいてその出
力がゼロとなるように調整用抵抗素子5の値を変化させ
る。この工程は、レーザビームを調整用抵抗素子5に照
射して、第3図に仮想線で示すように導通部6をその中
央線に沿って分断しく第4図g)、抵抗値を微小値づつ
上昇させることによって達成される。
このようにして抵抗値の調整が終了した後、基板l全面
を適当な材質、例えばポリイミドなどの保護用樹脂15
で被覆し、次に端子とすべき電極3の上の部分をエツチ
ングして露出させて(同図h)磁気センサの形成が終了
する。
を適当な材質、例えばポリイミドなどの保護用樹脂15
で被覆し、次に端子とすべき電極3の上の部分をエツチ
ングして露出させて(同図h)磁気センサの形成が終了
する。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、上記のような従来の技術においては、5
ins保護膜14の上からレーザビームを照射するため
に、保護膜14にクラックが発生しやすく、使用過程で
保護膜14の剥離を生じるなどの難点があった。また、
保護膜14を除去するためにレーザビームの出力を大き
く設定する必要があり、このために、保護膜14だけで
なく、抵抗素子帯6や基板1にダメージを与えることが
あった。この発明は、信頼性の高い磁気センサを製造す
ることができる磁気センサの形成方法を提供することを
目的とするものである。
ins保護膜14の上からレーザビームを照射するため
に、保護膜14にクラックが発生しやすく、使用過程で
保護膜14の剥離を生じるなどの難点があった。また、
保護膜14を除去するためにレーザビームの出力を大き
く設定する必要があり、このために、保護膜14だけで
なく、抵抗素子帯6や基板1にダメージを与えることが
あった。この発明は、信頼性の高い磁気センサを製造す
ることができる磁気センサの形成方法を提供することを
目的とするものである。
[課題を解決するための手段]
上記のような課題を解決するために、この発明は、電極
端子部を露出させるために保護膜のエツチングを行うと
きに同時に調整用抵抗素子のトリミング箇所の保護膜を
除去し、該当箇所を露出させた状態で調整用抵抗素子を
レーザビームによりトリミングしてブリッジのバランス
調整を行うようにしたものである。
端子部を露出させるために保護膜のエツチングを行うと
きに同時に調整用抵抗素子のトリミング箇所の保護膜を
除去し、該当箇所を露出させた状態で調整用抵抗素子を
レーザビームによりトリミングしてブリッジのバランス
調整を行うようにしたものである。
[作用]
このような磁気センサの形成方法においては、調整用抵
抗素子の導通部に直接レーザビームを照射するので、保
護膜にクラックや熱歪みなどの影響を与えることが少な
い。また、レーザビームの照射出力を大きく設定するこ
とが不要であり、抵抗膜や基板にダメージを与えること
が防がれる。
抗素子の導通部に直接レーザビームを照射するので、保
護膜にクラックや熱歪みなどの影響を与えることが少な
い。また、レーザビームの照射出力を大きく設定するこ
とが不要であり、抵抗膜や基板にダメージを与えること
が防がれる。
さらに、5ins保護膜の除去は、電極端子部のエツチ
ングを行うときに同時に行えばよいので、新たな工程を
導入する必要がなく、製造コストが上昇することもない
。
ングを行うときに同時に行えばよいので、新たな工程を
導入する必要がなく、製造コストが上昇することもない
。
[実施例]
以下、図面を参照してこの発明の詳細な説明する。なお
、第1図の平面図、第2図の回路図、第3図、第4図g
ないしel及びその説明については、従来と同様である
ので、符号を同一としてそのまま発明の詳細な説明に用
いることとする。
、第1図の平面図、第2図の回路図、第3図、第4図g
ないしel及びその説明については、従来と同様である
ので、符号を同一としてそのまま発明の詳細な説明に用
いることとする。
第4図eの工程、すなわち基板Iの全面に5iO1の保
護膜14をスパッタリングにより形成した後、従来では
、同図fのように電極3上の保護膜14のみをエツチン
グして除去していたが、この発明においては、電極3の
上の面とともに、凋整用抵抗素子5の除去予定箇所、す
なわち導通部7の上を同時にエツチングして露出させる
(第5図a)。
護膜14をスパッタリングにより形成した後、従来では
、同図fのように電極3上の保護膜14のみをエツチン
グして除去していたが、この発明においては、電極3の
上の面とともに、凋整用抵抗素子5の除去予定箇所、す
なわち導通部7の上を同時にエツチングして露出させる
(第5図a)。
そして、従来と同様に、これらの電極端子を電源及びコ
ンパレータ4に接続し、レーザビームを調整用抵抗索子
5に照射し、その導通部7を、第1図に仮想線で示すよ
うにその中央線に沿って分断しく第5図b)、所定の条
件のもとにおいてその出力がゼロとなるように抵抗値を
変化させる。
ンパレータ4に接続し、レーザビームを調整用抵抗索子
5に照射し、その導通部7を、第1図に仮想線で示すよ
うにその中央線に沿って分断しく第5図b)、所定の条
件のもとにおいてその出力がゼロとなるように抵抗値を
変化させる。
この工程においては、レーザビームを直接調整用抵抗素
子5に照射するので、レーザビームが保護膜14を破壊
することかなく、保護膜14にクラックが入ったり、剥
離したりすることが防止される。さらに、レーザビーム
自体の強度を特に大きく設定したりする必要がなく、調
整用抵抗膜6自体を損傷したり、基板lを損傷したりす
ることがないので、工程に要する時間が短縮される。
子5に照射するので、レーザビームが保護膜14を破壊
することかなく、保護膜14にクラックが入ったり、剥
離したりすることが防止される。さらに、レーザビーム
自体の強度を特に大きく設定したりする必要がなく、調
整用抵抗膜6自体を損傷したり、基板lを損傷したりす
ることがないので、工程に要する時間が短縮される。
このようにして抵抗値の調整をした後、基板l全面を適
当な材質、例えばポリイミドなどの樹脂15で被覆し、
次に端子とすべき電極3の上の部分をエツチングして露
出させて(第5図C)磁気センサの形成が終了する。
当な材質、例えばポリイミドなどの樹脂15で被覆し、
次に端子とすべき電極3の上の部分をエツチングして露
出させて(第5図C)磁気センサの形成が終了する。
[発明の効果]
以上詳述したように、この発明は、電極端子部を露出さ
せるために保護膜のエツチングを行うときに同時に調整
用抵抗素子のトリミング箇所の保護膜を除去し、該当箇
所を露出させた状態で調整用抵抗素子をトリミングして
ブリッジのバランス調整を行うようにしたものであるの
で、保護膜にクラックや熱歪みなどの影響を与えること
が少なく、また、レーザビームの照射出力を大きく設定
することが不要であり、抵抗膜や基板の損傷を防ぐので
歩留りを高くすることができ、品質の安定した品質の磁
気ヘッド回路を提供することができろとともに、能率の
向上を図ることができ、さらに、抵抗膜の保護膜の除去
は、電極端子部のエツチングを行うときに同時に行えば
よいので、新たな工程を導入する必要がなく、製造コス
トが上昇することもないという優れた効果を奏するもの
である。
せるために保護膜のエツチングを行うときに同時に調整
用抵抗素子のトリミング箇所の保護膜を除去し、該当箇
所を露出させた状態で調整用抵抗素子をトリミングして
ブリッジのバランス調整を行うようにしたものであるの
で、保護膜にクラックや熱歪みなどの影響を与えること
が少なく、また、レーザビームの照射出力を大きく設定
することが不要であり、抵抗膜や基板の損傷を防ぐので
歩留りを高くすることができ、品質の安定した品質の磁
気ヘッド回路を提供することができろとともに、能率の
向上を図ることができ、さらに、抵抗膜の保護膜の除去
は、電極端子部のエツチングを行うときに同時に行えば
よいので、新たな工程を導入する必要がなく、製造コス
トが上昇することもないという優れた効果を奏するもの
である。
第1図はこの発明を応用すべき磁気ヘッド回路の一実施
例を示す平面図、第2図はその電気回路図、第3図は調
整用抵抗素子の拡大図、第4図及び第5図は第1図にお
ける■−■矢視図に相当し、第4図は従来の磁気センサ
の形成方法を示す図、第5図はこの発明の形成方法を示
す図である。 !・・・・・・基板、2・・・・・・磁気抵抗素子、3
・・・・・・電極、5・・・・・・調整用抵抗素子、1
4・・・・・保護膜。
例を示す平面図、第2図はその電気回路図、第3図は調
整用抵抗素子の拡大図、第4図及び第5図は第1図にお
ける■−■矢視図に相当し、第4図は従来の磁気センサ
の形成方法を示す図、第5図はこの発明の形成方法を示
す図である。 !・・・・・・基板、2・・・・・・磁気抵抗素子、3
・・・・・・電極、5・・・・・・調整用抵抗素子、1
4・・・・・保護膜。
Claims (1)
- ブリッジ接続された複数の磁気抵抗素子及びこのブリ
ッジの少なくとも一辺に挿入される調整用抵抗素子とを
基板上に成膜し、これらの抵抗素子上に電極を形成した
後、基板全面を保護膜により被覆し、上記電極の保護膜
と、調整用抵抗素子のトリミング該当箇所の保護膜とを
同時に除去し、調整用抵抗素子をレーザビームによりト
リミングしてブリッジのバランス調整を行うことを特徴
とする磁気センサの形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63024884A JPH01199180A (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | 磁気センサの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63024884A JPH01199180A (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | 磁気センサの形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01199180A true JPH01199180A (ja) | 1989-08-10 |
Family
ID=12150612
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63024884A Pending JPH01199180A (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | 磁気センサの形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01199180A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8963545B2 (en) | 2009-06-30 | 2015-02-24 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Magnetic sensor |
-
1988
- 1988-02-04 JP JP63024884A patent/JPH01199180A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8963545B2 (en) | 2009-06-30 | 2015-02-24 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Magnetic sensor |
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