JPS6072249A - 集積回路の製造方法 - Google Patents
集積回路の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は集積回路の製造方法に関し、特に外部端子であ
る電極用金バンプを有する集積回路の製造方法に関する
。
る電極用金バンプを有する集積回路の製造方法に関する
。
従来、集積回路の電極用金バンプ及び表面保穫用のポリ
イミド被膜の形成は、第１図〜第３図に示す如〈実施さ
れている。第１図はウェーッ・上に第１バンプ並びに第
２バンプの形成された集積回路製造工程の断面図、第２
図は表面保護とバンプのはがれ防止のためにポリイミド
被膜を形成した集積回路の平面図、第３図は第２図のＡ
−Ａ’断面図である。
イミド被膜の形成は、第１図〜第３図に示す如〈実施さ
れている。第１図はウェーッ・上に第１バンプ並びに第
２バンプの形成された集積回路製造工程の断面図、第２
図は表面保護とバンプのはがれ防止のためにポリイミド
被膜を形成した集積回路の平面図、第３図は第２図のＡ
−Ａ’断面図である。
第１図に示すように、拡散、絶縁膜形成、配線工程の終
了したウェーッ・の絶縁膜５の上に接着漸であるＴｉ膜
１、バリヤ層であるｐｔ膜２を付着させた後その上に第
１バンプ３．第２バンプ４を金メッキで形成する。
了したウェーッ・の絶縁膜５の上に接着漸であるＴｉ膜
１、バリヤ層であるｐｔ膜２を付着させた後その上に第
１バンプ３．第２バンプ４を金メッキで形成する。
次いで、第２図、第３図に示すように表面保護並びにバ
ンプのはがれ防止のためポリイミド被膜６を形成する。
ンプのはがれ防止のためポリイミド被膜６を形成する。
ポリイミド被膜はウェーハ上にポリイミド被膜を塗布形
成した後、無光、現像により第２バンプ４上のポリイミ
ド被膜を除去し、第１バンプ３の端部を覆うように選択
除去する。しかし、第２バンプ４の厚さは１０〜２５μ
ｍと厚く異常にきつい段差のだめ、所望のパターン通り
の選択除去が困難で、第１バンプ３の端部を覆わないば
かシか、第２バンプ４以外のウェーハ表面を露出して形
成されることが多い。
成した後、無光、現像により第２バンプ４上のポリイミ
ド被膜を除去し、第１バンプ３の端部を覆うように選択
除去する。しかし、第２バンプ４の厚さは１０〜２５μ
ｍと厚く異常にきつい段差のだめ、所望のパターン通り
の選択除去が困難で、第１バンプ３の端部を覆わないば
かシか、第２バンプ４以外のウェーハ表面を露出して形
成されることが多い。
このように形成された集積回路では第１バンプ３の端部
が十分覆われていないのでポリイミド被膜６の第１の役
割であるバンプのはがれ防止の役に立たない。また第１
バンプ３及びバンプ以外のウェーハの一部が露出されて
いるので表面保〆ｔの面でも不十分であるという欠点が
あった。
が十分覆われていないのでポリイミド被膜６の第１の役
割であるバンプのはがれ防止の役に立たない。また第１
バンプ３及びバンプ以外のウェーハの一部が露出されて
いるので表面保〆ｔの面でも不十分であるという欠点が
あった。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、ポリイミド被膜は
第１バンプ端部を十分覆い、バンプのはがれを防止する
と共に、表面保護膜としての役割も十分果すことが出来
る集積回路の製造方法を提供することにある。
第１バンプ端部を十分覆い、バンプのはがれを防止する
と共に、表面保護膜としての役割も十分果すことが出来
る集積回路の製造方法を提供することにある。
本発明の集積回路の製造方法は、拡散、絶縁膜。
配線を形成したウェーハの前記絶縁膜の上に密着層とし
ての第１の金属膜、バリヤ層としての第２金属膜及びＡ
ｕの第１バンプを順次形成する第１の工程と、前記第１
バンプの全部又は一部上に開孔部を持つポリイミド被膜
を形成する第２の工程と、前記ポリイミド被膜の形成さ
れたウェーッ１全面に化学薬品でエラチングルＪ能な金
属より成る第３の金属膜を形成する第３の工程と、前記
第３の金属膜の形成されたウェーッ・上にホトレジスト
膜を全面被着し前記ポリイミド膜の開孔部と重なる開孔
部を形成する第４の工程と、前記ホトレジスト膜をマス
クとし前記第３の金属膜を電極として電解金メッキを行
って第２バンプを形成する第５の工程と、前記ホトレジ
スト膜をポリイミド被膜を溶解しない有機性剥離剤で剥
離する第６の工程と、前記第３の金属膜のうちバンプ以
外の部分をエツチング除去する工程とを含んで構成され
る。
ての第１の金属膜、バリヤ層としての第２金属膜及びＡ
ｕの第１バンプを順次形成する第１の工程と、前記第１
バンプの全部又は一部上に開孔部を持つポリイミド被膜
を形成する第２の工程と、前記ポリイミド被膜の形成さ
れたウェーッ１全面に化学薬品でエラチングルＪ能な金
属より成る第３の金属膜を形成する第３の工程と、前記
第３の金属膜の形成されたウェーッ・上にホトレジスト
膜を全面被着し前記ポリイミド膜の開孔部と重なる開孔
部を形成する第４の工程と、前記ホトレジスト膜をマス
クとし前記第３の金属膜を電極として電解金メッキを行
って第２バンプを形成する第５の工程と、前記ホトレジ
スト膜をポリイミド被膜を溶解しない有機性剥離剤で剥
離する第６の工程と、前記第３の金属膜のうちバンプ以
外の部分をエツチング除去する工程とを含んで構成され
る。
以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
る。
第４図（ａ）〜＜ｇ）は本発明の一実施例を説明するだ
めの工程順に示した断面図である。
めの工程順に示した断面図である。
第４図（ａ）に示すように、拡散、絶縁膜及び配線工程
を終了した集積回路表面の絶縁膜５の上にノくンプと絶
縁層との密着層として０．１μｍ厚のＴＩ膜１゜Ｔｉと
金バンプのバリヤ層としての０．１μｍ厚のＰｔ膜２．
及び金の第１バンプ３を形成する。
を終了した集積回路表面の絶縁膜５の上にノくンプと絶
縁層との密着層として０．１μｍ厚のＴＩ膜１゜Ｔｉと
金バンプのバリヤ層としての０．１μｍ厚のＰｔ膜２．
及び金の第１バンプ３を形成する。
次に、第４図（ｂ）に示すように、ウェーハの表面にポ
リイミド被膜を被着させ、第１バンプ３上に第２バンプ
形成用の開孔部９を形成する。このとき第１バンプ３の
端部はポリイミド被膜６により確実に覆われるように形
成する。
リイミド被膜を被着させ、第１バンプ３上に第２バンプ
形成用の開孔部９を形成する。このとき第１バンプ３の
端部はポリイミド被膜６により確実に覆われるように形
成する。
次に、第４図（Ｃ）に示すように、後の工程で化学薬品
により容易にエツチングされ、また金メッキの電極とし
て好都合な金属として、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｕからなる群か
ら選ばれた金属として０．１μｍ厚のＰｄ膜７を全面に
スパッタにより形成する。
により容易にエツチングされ、また金メッキの電極とし
て好都合な金属として、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｕからなる群か
ら選ばれた金属として０．１μｍ厚のＰｄ膜７を全面に
スパッタにより形成する。
次に、第４図（ｄ）に示すように全表面にホトレジスト
膜８を塗布した後ポリイミド被膜６の開孔部９と重なる
開孔部１０を形成するようにホトレジスト膜８をパター
ニングする。
膜８を塗布した後ポリイミド被膜６の開孔部９と重なる
開孔部１０を形成するようにホトレジスト膜８をパター
ニングする。
次に、第４図（ｅ）に示すように、さきに形成したＰｄ
膜７を電極として、ホトレジスト膜開孔部１０に電解金
メッキにより２０μｍ厚の第２バンプ４を形成する。
膜７を電極として、ホトレジスト膜開孔部１０に電解金
メッキにより２０μｍ厚の第２バンプ４を形成する。
次に、第４図（ｆ）に示すように、ウェーハ上のホトレ
ジスト膜８を剥離液で剥離除去する。
ジスト膜８を剥離液で剥離除去する。
次いで、第４図（ｇ）に示すように、Ｐｄ膜７のうち、
第２バンプ以外の部分を塩化第二鉄、塩酸等によるＰｄ
エツチング液でエツチング除去する。
第２バンプ以外の部分を塩化第二鉄、塩酸等によるＰｄ
エツチング液でエツチング除去する。
以上の工程によって、電極の金バンプ及び保護ポリイミ
ド被膜が形成できる。
ド被膜が形成できる。
以上形成されたポリイミド被膜は従来のように第２バン
プ形成後でなく、薄い第１バンプ形成後に形成するので
ホトレジストのバターニングは正確に実施することがで
き、第１バンプの端部をポリイミド被膜で十分カバーす
ることができ、従って絶縁層との間でのはがれを確実に
防止することができる。また同様の理由によりウェーハ
面も露出することがないのでポリイミド被膜の保護膜と
しての役割も十分果すことが可能である。
プ形成後でなく、薄い第１バンプ形成後に形成するので
ホトレジストのバターニングは正確に実施することがで
き、第１バンプの端部をポリイミド被膜で十分カバーす
ることができ、従って絶縁層との間でのはがれを確実に
防止することができる。また同様の理由によりウェーハ
面も露出することがないのでポリイミド被膜の保護膜と
しての役割も十分果すことが可能である。
なお、上記実施例では第１金属膜としてＴｉ膜、第２金
楓膜としてＰｔ膜を使用したが、これに限定されるもの
でなく第１金属膜としてはＯｒ、ＮｉＣｒ。
楓膜としてＰｔ膜を使用したが、これに限定されるもの
でなく第１金属膜としてはＯｒ、ＮｉＣｒ。
Ｔａ、Ｍｏ、第２金属膜としては、Ｐｄ、Ｎ１ｃ７）金
属膜が同様に適用することが出来る。
属膜が同様に適用することが出来る。
以上説明したように、本発明によれは、バンプのはがれ
が少なく、表面保護効果の大きい集積回路を容易に製造
することができる。
が少なく、表面保護効果の大きい集積回路を容易に製造
することができる。
第１図は従来のウェーハ上に第１バンプ並ひに第２バン
プの形成された工程の集積回路の断面図、第２図は従来
の表面にポリイミド被膜の形成された集積回路の平面図
、第３図は第２図のＡ−Ａ’断面図、第４図（ａＪ〜（
ｇ）は本発明の一実施例を説明するた愉の工程順に示し
た断面図である。 １・・・・・・’ｒｉｇ、２・・・・・・Ｐｔ膜、３・
・・・・・第１バンプ、４・・・・・・第２バンブ、５
・川・・絶縁膜、６・・・・・・ポリイミド被膜、７・
・・・・・Ｐｄ膜、８・・・・・・ホトレジスト膜、９
．１０・・・・・・開孔部。 蒸 ２ 図 鱈 ３ 図 纂 ４ 図
プの形成された工程の集積回路の断面図、第２図は従来
の表面にポリイミド被膜の形成された集積回路の平面図
、第３図は第２図のＡ−Ａ’断面図、第４図（ａＪ〜（
ｇ）は本発明の一実施例を説明するた愉の工程順に示し
た断面図である。 １・・・・・・’ｒｉｇ、２・・・・・・Ｐｔ膜、３・
・・・・・第１バンプ、４・・・・・・第２バンブ、５
・川・・絶縁膜、６・・・・・・ポリイミド被膜、７・
・・・・・Ｐｄ膜、８・・・・・・ホトレジスト膜、９
．１０・・・・・・開孔部。 蒸 ２ 図 鱈 ３ 図 纂 ４ 図
Claims (3)
- （１） 拡散、絶縁膜、配線を形成したウェーッ・の前
記絶縁膜の上に密着層としての第１の金属膜、バリヤ層
としての第２金属膜及びＡｕの第１バンプを順次形成す
る第１の工程と、前記第１バンブの全部又は一部上に開
孔部を持つポリイミド被膜を形成する第２の工程と、前
記ポリイミド被膜の全表面に化学薬品でエツチング可能
な金属より成る第３の金属Ｊ摸を形成する第３の工程と
、前記第３の金属膜の形成されたウェーハ上にホトレジ
スト膜を全面被着し前記ポリイミド被膜の開孔数）重な
る開孔部を形成する第４の工程と、前記ホトレジスト膜
をマスクとし前記第３の金属膜を電極として電解金メッ
キを行って第２バンプを形成する第５の工程と、前記ホ
トレジスト膜をポリイミド被膜を溶解しない有機性剥離
剤で剥離する第６の工程と、前記第３の金属膜のうちバ
ンプ以外の部分をエツチング除去する工程とを含むこと
を特徴とする集積回路の製造方法。 - （２） 第１の金属膜がＴｉ膜、第２の金属膜がＰｔ膜
、である特許請求の範囲第（１）項記載の集積回路の製
造方法。 - （３）化学薬品でエツチング可能な金柄がＰｄ、Ｎｉ。 Ｃｕからなる群から選ばれる特許請求の範囲第（１）項
記載の集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58179602A JPS6072249A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | 集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58179602A JPS6072249A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | 集積回路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6072249A true JPS6072249A (ja) | 1985-04-24 |
| JPS6349378B2 JPS6349378B2 (ja) | 1988-10-04 |
Family
ID=16068609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58179602A Granted JPS6072249A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | 集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6072249A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01166542A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US7596855B2 (en) * | 2001-06-20 | 2009-10-06 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Method for manufacturing a magnetic head |
-
1983
- 1983-09-28 JP JP58179602A patent/JPS6072249A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01166542A (ja) * | 1987-12-22 | 1989-06-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US7596855B2 (en) * | 2001-06-20 | 2009-10-06 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Method for manufacturing a magnetic head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6349378B2 (ja) | 1988-10-04 |
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