JPS582502B2 - 受光素子 - Google Patents

受光素子

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JPS582502B2
JPS582502B2 JP53023462A JP2346278A JPS582502B2 JP S582502 B2 JPS582502 B2 JP S582502B2 JP 53023462 A JP53023462 A JP 53023462A JP 2346278 A JP2346278 A JP 2346278A JP S582502 B2 JPS582502 B2 JP S582502B2
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JP
Japan
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substrate
bundle
optical fibers
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photoelectric conversion
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JP53023462A
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稲垣裕也
丸山瑛一
山本英明
塚田俊久
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Hitachi Ltd
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Hitachi Ltd
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 (1)発明の利用分野 本発明は受光素子に関するものである。
本発明は、カラーファクシミリ送信機、文字読み取り装
置やカラー分解装置などにおいて、光電変換用の光電変
換素子1次元アレイとして使用できるものである。
レンズ系を必要としないし、光の利用率が高く、光源も
ひとつで、しかも弱くて済むため、これらの装置を著し
く小型化することを可能にする。
(2)従来技術 従来より使用されているカラーファクシミリ送信機の光
電変換部の概略図を第1図に示す。
1は原稿ドラム、2は光源ランプ、3はレンズ、4はス
リット、5はダイクロイツクミラー、6は赤色フィルタ
、7は緑色フィルタ、8は青色フィルタ、9はホトマル
である。
動作原理を説明すると、光源ランプ2から出た光はドラ
ムに巻かれたカラー原稿で反射される。
この反射光はレンズ3で集光され、スリット4を通過し
、二枚のダイクロイツクミラー5と3枚の色フィルタ6
,7,8によって、赤色、緑色、青色の3原色に分解さ
れ、各々、ホトマル(光電子増倍管)によって、電気信
号に変換され、読み取られている。
走査方法は原稿ドラム1を機械的に回転させ、それに合
わせて光学系2〜9を少しづつ連続して機械的に移動さ
せる方法をとつている。
カラーファクシミリ送信機としては小型、軽量、それに
読み取り時間が短いことが望まれる。
しかしながら上記した従来技術ではレンズ光学系を機械
的に移動して走査を行なっているために、下記に列挙す
るような欠点を有している。
1 レンズ光学系を使用しており、装置の小型化に不利
である。
2 レンズ光学系を機械的に走査するためにやはり装置
の小型化に不利であると同時に重量も増加する。
3 機械的に走査するために読み取りに長時間を必要と
する。
(3)発明の目的 したがって、本発明の目的は上述した従来技術の欠点を
解消するためになされたもので、カラーファクシミリ送
信機、文字読み取り装置やカラー分解装置などにおいて
、レンズ光学系を用いることなしに解像度良くカラー情
報が短時間で読み取れ、しかもこれらの装置を著しく小
型化せしめることを可能にした受光素子を提供しようと
するものである。
(4)発明の総括説明 上記の目的を達成するために本発明においてはたとえば
赤、緑、青の3色の色フィルタを交互に並べた色フィル
タ・アレイと光電変換素子アレイとを、少なくとも1部
分にオプテイカル・ファイバ列を有する基板上に設ける
この基板の平面図と断面図を第2図a,bに示す。
図において、10は細いオプテイカルファイバを密に寄
せ集めて作られたファイバ列、11は前記10のファイ
バ列と接着が容易に出来る材質、例えば10と同じファ
イバを寄せ集めたものでも良いし、ガラスや樹脂などよ
りなる板であっても良い。
10と11は溶着もしくは接着されて形成される。
12はカラー原稿、13は光源である。
以下この基板のことをファイバ基板と呼ぶことにする。
ファイバ基板の左端は角度αで斜めに切断してある。
これは光を入射させるためである。
光源13から出た光は第2図b中に矢印で示したように
カラー原稿12で散乱されるが、この際A点近傍の幅a
の範囲内で散乱された光のみがオプテイカル・ファイバ
に入射して、B点付近の幅bの領域に出て来る。
したがって、B点の所に色フィルタを通して、光電変換
素子(例えばホトダイオード)を設けれはカラー原稿の
A点付近のカラー情報を読むことができるという訳であ
る。
この時、解像度良くカラー原稿を読むためと光を有効に
使うために角度αは次のように選択されねばならない。
角度αが大きいと入射する光量は増加するが解像度良く
読み取れる領域はA点の極く近傍に限られてしまう。
なせならば原稿12とファイバ10との間隙が大きくな
るとB点付近に生じる像の解像度の高い部分が極く狭い
部分に限られるようになるためである。
したがって、高解像で読み取るためにはB点付近に設け
るホトダイオードの受光面積を小さくせねばならなくな
る。
これは信号電流が小さくなるので望ましくない。
逆に角度αが小さくなると、解像度良く読める領域は長
くなるが入射光量が小さくなるために望ましくない。
したがって、角度αは入射光量やホトダイオードの受光
面積それに要求される解像度から最適値が決定される。
また、第2図でオプテイカルファイバは基板面に対して
角度βで埋め込まれているがこの角度βが小さいと原稿
の読もうとしている部分から散乱されて来る光(信号成
分)以外に別の部分で散乱された光(雑音成分)も入射
して来るようになり、S/Nを低下させるために望まし
くない。
角度βが大きすぎると読み取れる領域が小さくなりこれ
も望ましくない。
したがって角度βもS/Nやホトダイオードの受光面積
から最適値が決定される。
角度αは20°〜50°、角度βは30°〜80°の範
囲が好ましい。
ファイバ基板の右端の底の部分が斜めに切られているの
は原稿を左右どちら側から入れてもスムースにファイバ
基板の下に導入されるようにしたものである。
第3図a,bにファイバ基板上に赤、緑、青の3色の色
フィルタを交互に並べた色フィルタ・アレイを設けた場
合の平面図と側面図とを示す。
図において、14はファイバ基板、15はファイバ部、
16は色フィルタ・アレイ、17,18.19は各々、
赤、緑、青の色フィルタである。
この色フィルタ・アレイの上に重ねて光電変換素子アレ
イを形成した場合の平面図と側面図を第4図a,bに示
す。
図において20は透明導電膜よりなるストライプ電極、
21は半導体膜、22は上部金属電極である。
ストライプ電極20と上部電極22で狭まれた部分にホ
トダイオードが形成される。
光源24から出た光はカラー原稿23で散乱される。
この散乱光は第4図中に矢印で示すように色フィルタ・
アレイ16によって色分解され、ホトダイオード1次元
アレイに入射し各々光電変換され読み取られる。
解像度が6本/mm程度の場合には各ホトダイオードの
受光面積は100μm×100μm程度である。
したがってファイバ部15を構成している各オプテイカ
ルファイバの直径を20μm程度に選んでおけば各ホト
ダイオードは色フィルタの位置に合せて形成すれば良く
、ファイバとの位置合わせの必要はない。
以上説明したように、ファイバ基板上に色フィルタ・ア
レイとこの色フィルタ・アレイに重ねて光電変換素子ア
レイとを設けることにより、レンズ光学系やダイクロイ
ツクミラーなどを用いることなしに解像度良く、カラー
原稿を読み取れるカラー受光素子を製作することができ
る。
しかもレンズ系を用いないので光の利用率が高く、光源
も弱くて済み、さらに走査も電子的に行なえるので読み
取り時間も短かくて済む。
本発明は上記した如く多くの利点を持った受光素子を提
供するものである。
(5)実施例 以下、本発明を実施例を参照して詳細に説明する。
実施例1 まずここで使用したファイバ基板を第2図を用いて説明
する。
ファイバ部100幅は1mmであり、他の部分11はガ
ラスである。
各オプテイカル・ファイバは基板面に対して75°(=
β)で埋め込まれている。
左端は光が入射するように角度400(=α)で切断し
ている。
ここで使用したオプテイカルファイバの直径は25μm
である。
このファイバ基板上に赤、緑、青の3色の色フィルタを
交互に並べた色フィルタ・アレイとこの色フィルタ・ア
レイの上に重なるように、光電変換素子であるSe−A
s−Te系非晶質半導体よりなるホトダイオード1次元
アレイを形成する場合の製作工程図を第5図に示す。
図において、25は前記したファイバ基板である。
このファイバ基板の表面に赤、緑、青の3色の色フィル
タを交互に並べた色フィルタ・アレイ26を形成する(
第5図b)。
この時の平面図を第5図fに示す。
図において、27は赤フィルタ、28は緑フィルタ、2
9は青フィルタである。
このような色フィルタ・アレイ26は厚みが数μmのゼ
ラチンフィルタ、もしくは干渉フィルタによって製作で
きる。
形成方法はゼラチンフィルタの場合は塗布で、干渉フィ
ルタの場合はスパツタ蒸着で形成する。
その後、ホトエッチングにより整形する。
なお、これらの色フィルタの幅は120μmであり、長
さは2mmである。
ホトエッチングにより整形する場合、第5図bよりわか
るように色フィルタは鋭角を持たないようにペーパーエ
ッチングにより整形される。
これは色フィルタに重ねて形成されるホトダイオード1
次元アレイの暗電流を小さくするためやブレークダウン
電圧を上昇するため、さらに断線をなくすためである。
第5図cに示すように、色フィルタ・アレイの上に酸化
錫透明導電膜、酸化インジュウム透明導電膜、金属半透
明導電膜などの透明あるいは半透明の導電膜30を被着
し、ホトエッチング加工によりストライプ電極に加工す
る。
このストライプ電極の幅は120μmでピッチ167μ
mで並んでいる。
つぎにこのストライプ電極30の上にマスク蒸着によっ
て2μmの厚みを有するSe−As−Te系非品質半導
体膜31を形成し(第5図d)、さらに、その上に金属
薄膜からなる上部電極32をマスク蒸着する(第5図e
)。
以上の方法で、色フィルタ・アレイとホトダイオード1
次元アレイが形成された。
これの平面図と断面図を第6図a,bに示す。
このカラー受光素子は次のように使用することができる
33は細長いタングステンランプ、34はカラー原稿、
35は原稿を移動させるための紙送りローラーである。
光源33から出た光は矢印で示すようにカラー原稿で散
乱され、その散乱光はオプテイカルファイバを通って、
色フィルタ・アレイによって、赤、緑、青の3色に色分
解され、ホトダイオード1字元アレイに入射し、電気信
号に変換される。
これでカラー原稿を電気信号に変換し読むことができる
実施例2 実施例1では色フィルタ・アレイとホトダイオード1次
元アレイとを直接重ねた構造であったがこれは必ずしも
必要はなく、色フィルタアレイをファイバ基板の下面に
ホトダイオード1次元アレイを上面に設けても受光素子
として全く同様に動作する。
これを第7図に示す。25はファイバ基板、26は色フ
ィルタアレイ、30は透明電極、31はSe−As−T
e系非晶質半導体膜、32は上部金属電極である。
製作方法は色フィルタ・アレイ26の場所が違う点を除
いて第5図で説明したものと同じである。
ただし、この場合、色フィルタ・アレイ26の形状は鋭
角を有していてもかまわない。
実施例3 実施例1では色フィルタ・アレイの上に別に透明電極を
設けたが色フィルタとしてSiO2、TiO2,SnO
2膜よりなる干渉フィルタを用いた場合、この色フィル
タ自身に導電性があるためにこの色フィルタ・アレイそ
のものを実施例1で記したストライプ電極として使用で
きる。
したがって、第8図に示す構造の素子も実施例1で述べ
た受光素子と全く同じように使用することができる。
第8図において、25はファイバ基板、26は色フィル
タアレイである。
この色フィルタ・アレイの製作方法を説明すると、赤色
フィルタはTiO2を50mm、SiO2を85mmの
膜厚で交互に13層積み重ねた干渉フィルタからなり、
最後の膜はTiO2である。
これでも充分に導電性のあるフィルタが作製できるが、
より好ましくはこの上にSnO2膜を65mm設けたも
のを用いる。
青色フィルタはTiO2を60mm、SiO2を100
mmの膜厚で交互に13層積み重ねた干渉フィルタを用
いる。
この場合も最後の膜はTiO2膜であり、この上にSn
O2膜を65mm設けた方がより好ましい。
緑色フィルタは前記した赤色フィルタ、青色フィルタを
組み合せたものを使用する。
以上説明した、TiO2膜、SiO2膜、SnO2膜は
スパツタ蒸着、電子ビーム蒸着、抵抗加熱蒸着のいずれ
でも形成することができる。
第8図中の31はSe−As−Te系非晶質半導体膜、
32は上部金属電極であり、実施例1で説明したのと全
く同様に製作できる。
(6)まとめ 以上の説明より明らかなように、本発明によればレンズ
光学系やダイクロイックミラーなどを用いることなく、
また複雑な調整も要しないで解像度良くカラー原稿を読
み取ることができ、しかも光の利用率が高い、小型、軽
量など数々の利点を有するカラー受光素子を製作するこ
とが可能である。
また、このカラー受光素子は受光長も長くできるし、カ
ラーファクシミリ用の受光素子としても有用である。
なお、上述した実施例においては半導体材料として、S
e−As−Te系非晶質半導体を利用したが、Cdse
,CdTe,Pbs,非晶質シリコンなどの蒸着膜も利
用できることはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
第1図はレンズ光学系を用いた従来技術の説明図、第2
図はファイバ基板の構造図、第3図は色フィルタ・アレ
イの説明図、第4図は本発明の説明図、第5図は本発明
の受光素子の製作工程図、第6図は本発明の受光素子の
構造図、第7図は実施例2の構造断面図、第8図は実施
例3の構造断面図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 所定基板内に該基板の第1の面から第2の面に達す
    るオプテイカル・ファイバの束が埋設され、該オプテイ
    カル・ファイバの束を構成する各オプテイカル・ファイ
    バはその断面の大きさがこのオプテイカル・ファイバの
    端面上にとう載される各光電変換素子の大きさに比して
    小さく且読み取りのための情報面と情報の読み取り面と
    の相対的移動方向と交叉する方向の該束の幅は各光電変
    換素子の大きさに比して十分に大きく構成され、そして
    前記基板の第1の面の前記ファイバの束の端面上に受光
    部を有する複数個の光電変換素子が該基板と集積化して
    設けられ、前記基板の第2の面は該基板の前記情報面側
    に位置する第3の面とその内角が鈍角(180°−α)
    で交わり、前記オプテイカル・ファイバの束はその延長
    が前記基板の前記情報面側に位置する第3の面と鋭角(
    β)で交わり、前記基板の第2の面に位置するオプテイ
    カル・ファイバの束の端面ば該基板の第2の面と、該基
    板の前記情報面側に位置する第3の面との交線近傍に位
    置し、かつ該基板の第1又は第2の面に位置するオプテ
    イカル・ファイバの端面上に互いに相異なる色フィルタ
    ーを情報面と情報の読み取り面との相対的移動方向と交
    叉する方向に循環的に配列されてなることを特徴とする
    受光素子。 2 所定基板内に該基板の第1の面から第2の面に達す
    るオプテイカル・ファイバの束が埋設され、該オプテイ
    カル・ファイバの束を構成する各オプテイカル・ファイ
    バはその断面の大きさがこのオプテイカル・ファイバの
    端面上にとう載される各光電変換素子の大きさに比して
    小さく且読み取りのための情報面と情報の読み取り面と
    の相対的移動方向と交叉する方向の該束の幅は各光電変
    換素子の大きさに比して十分に大きく構成され、そして
    前記基板の第1の面の前記ファイバの束の端面上に受光
    部を有する複数個の光電変換素子が該基板と集積化して
    設けられ、前記基板の第2の面は該基板の前記情報面側
    に位置する第3の面とその内角が鈍角(180°−α)
    で交わり、前記オプテイカル・ファイバの束はその延長
    が前記基板の前記情報面側に位置する第3の面と鋭角(
    β)で交わり、前記基板の第2の面に位置するオプテイ
    カル・ファイバの束の端面は該基板の第2の面と、該基
    板の前記情報面側に位置する第3の面との交線近傍に位
    置し、かつ該基板の第1の面に位置するオプテイカル・
    ファイバの端面上に色フィルタが配列され、前記色フィ
    ルタは導電性を有する材料で形成され、これを前記光電
    変換素子の一方の電極と共用せしむることを特徴とする
    受光素子。
JP53023462A 1978-03-03 1978-03-03 受光素子 Expired JPS582502B2 (ja)

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JPS54116821A JPS54116821A (en) 1979-09-11
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