JPH0262847B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0262847B2 JPH0262847B2 JP52054284A JP5428477A JPH0262847B2 JP H0262847 B2 JPH0262847 B2 JP H0262847B2 JP 52054284 A JP52054284 A JP 52054284A JP 5428477 A JP5428477 A JP 5428477A JP H0262847 B2 JPH0262847 B2 JP H0262847B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- bundle
- light
- optical fibers
- information
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 63
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 55
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 41
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims 5
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 9
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011094 fiberboard Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
- H04N1/0311—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors using an array of elements to project the scanned image elements onto the photodetectors
- H04N1/0312—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors using an array of elements to project the scanned image elements onto the photodetectors using an array of optical fibres or rod-lenses
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/421—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical component consisting of a short length of fibre, e.g. fibre stub
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4249—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details comprising arrays of active devices and fibres
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V10/00—Arrangements for image or video recognition or understanding
- G06V10/10—Image acquisition
- G06V10/12—Details of acquisition arrangements; Constructional details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1446—Devices controlled by radiation in a repetitive configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
- H04N1/0311—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors using an array of elements to project the scanned image elements onto the photodetectors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
- H04N1/0315—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors using photodetectors and illumination means mounted on separate supports or substrates or mounted in different planes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、フアクシミリ送信機や文字読み取り
装置などに使用されているホトダイオード・アレ
イとして使用できるものであり、レンズ系を必要
としないので光の利用率が高く、光源が弱くて済
むため、これらの装置を著しく小型化することを
可能にする受光素子に関するものである。
装置などに使用されているホトダイオード・アレ
イとして使用できるものであり、レンズ系を必要
としないので光の利用率が高く、光源が弱くて済
むため、これらの装置を著しく小型化することを
可能にする受光素子に関するものである。
従来、例えばフアクシミリ装置の送信機や文字
読み取り装置などの光電交換素子としてはシリコ
ン・ホトダイオード１次元アレイが一般的に用い
られている。しかし作製し得る単結晶の大きさ、
あるいは、その加工技術に限界があるために、シ
リコン・ホトダイオード１次元アレイの長さには
限度があり、現在の所、その長さは精々30mm程度
のものしか作られていない。これに対し読み取ろ
うとする原画は例えばA4版として210mmの幅を持
つている。したがつて、シリコン・ホトダイオー
ド１次元アレイによつて、A4版の原画が読む場
合にはどうしてもレンズ系を用いることにより原
画を縮尺してシリコン・ホトダイオード１次元ア
レイ上に結像させ読み取つているのが現状であ
る。これを第１図に示す。図において１は原画２
はレンズ系、３はシリコン・ホトダイオード１次
元アレイである。この場合、必然的に原画とシリ
コン・ホトダイオード１次元アレイとの間にはあ
る程度の距離（Ｌ）が必要になる。これは受光装
置の小型化にとつて著しく不利である。また、こ
のようなレンズ系を用いた場合にはレンズの位置
調整に手間を要するし、周辺の解像度低下や光量
不足を生じるなどの欠点を生じる。
読み取り装置などの光電交換素子としてはシリコ
ン・ホトダイオード１次元アレイが一般的に用い
られている。しかし作製し得る単結晶の大きさ、
あるいは、その加工技術に限界があるために、シ
リコン・ホトダイオード１次元アレイの長さには
限度があり、現在の所、その長さは精々30mm程度
のものしか作られていない。これに対し読み取ろ
うとする原画は例えばA4版として210mmの幅を持
つている。したがつて、シリコン・ホトダイオー
ド１次元アレイによつて、A4版の原画が読む場
合にはどうしてもレンズ系を用いることにより原
画を縮尺してシリコン・ホトダイオード１次元ア
レイ上に結像させ読み取つているのが現状であ
る。これを第１図に示す。図において１は原画２
はレンズ系、３はシリコン・ホトダイオード１次
元アレイである。この場合、必然的に原画とシリ
コン・ホトダイオード１次元アレイとの間にはあ
る程度の距離（Ｌ）が必要になる。これは受光装
置の小型化にとつて著しく不利である。また、こ
のようなレンズ系を用いた場合にはレンズの位置
調整に手間を要するし、周辺の解像度低下や光量
不足を生じるなどの欠点を生じる。
最近このようなレンズ系の欠点を光学系として
オプテイカル・フアイバを用いることによつてな
くそうという試みがなされている。（画像電子学
会、第４巻、第２号、P54〜61（1975）参照）こ
れを第２図にしたがつて説明する。図において、
４は原画、５は直径125μｍ、1280本のオプテイ
カル・フアイバであり、一端（原画側）は１列の
シート状であり、他端（シリコン・ホトダイオー
ド１次元アレイ側）は20個のシリコン・ホトダイ
オード１次元アレイ（S1〜S20）に振り分けたも
のである。このシリコン・ホトダイオード１次元
アレイは64個のホトダイオードからなつている。
このオプテイカル・フアイバとシリコン・ホトダ
イオード１次元アレイとの接合部の部分拡大図を
第３図に示す。この図において、６はオプテイカ
ル・フアイバ、７はシリコン・ホトダイオード１
次元アレイである。各オプテイカル・フアイバと
各ホトダイオードとを１対１に合せてある。ま
た、ホトダイオードを壊わさないようにするため
にオプテイカル・フアイバとホトダイオードとの
間に設けた間隙は解像度を著しく低下させる。結
局、このような構造を持つた受光素子はレンズ系
を用いたものに比較して、周辺の解像度の低下や
光量不足をなくせるという利点があつても、次に
列記するような欠点のために実用的でない。
オプテイカル・フアイバを用いることによつてな
くそうという試みがなされている。（画像電子学
会、第４巻、第２号、P54〜61（1975）参照）こ
れを第２図にしたがつて説明する。図において、
４は原画、５は直径125μｍ、1280本のオプテイ
カル・フアイバであり、一端（原画側）は１列の
シート状であり、他端（シリコン・ホトダイオー
ド１次元アレイ側）は20個のシリコン・ホトダイ
オード１次元アレイ（S1〜S20）に振り分けたも
のである。このシリコン・ホトダイオード１次元
アレイは64個のホトダイオードからなつている。
このオプテイカル・フアイバとシリコン・ホトダ
イオード１次元アレイとの接合部の部分拡大図を
第３図に示す。この図において、６はオプテイカ
ル・フアイバ、７はシリコン・ホトダイオード１
次元アレイである。各オプテイカル・フアイバと
各ホトダイオードとを１対１に合せてある。ま
た、ホトダイオードを壊わさないようにするため
にオプテイカル・フアイバとホトダイオードとの
間に設けた間隙は解像度を著しく低下させる。結
局、このような構造を持つた受光素子はレンズ系
を用いたものに比較して、周辺の解像度の低下や
光量不足をなくせるという利点があつても、次に
列記するような欠点のために実用的でない。
１ 一端は極めて薄いシート状で他端が20個のシ
リコン・ホトダイオード１次元アレイに振り分
けるような構造のオプテイカル・フアイバは結
局ある程度の長さが必要である。これは装置の
小型化に不利であるし、振動などの機械的なシ
ヨツクでフアイバを折る可能性が高い。
リコン・ホトダイオード１次元アレイに振り分
けるような構造のオプテイカル・フアイバは結
局ある程度の長さが必要である。これは装置の
小型化に不利であるし、振動などの機械的なシ
ヨツクでフアイバを折る可能性が高い。
２ 各オプテイカル・フアイバを各シリコン・ホ
トダイオード１次元アレイのピツチに完全に一
致させて並べなければならないために精度の高
いフアイバが必要である。また、位置合わせに
非常に手間を要するし、使用している中に位置
がずれる危険性が高い。
トダイオード１次元アレイのピツチに完全に一
致させて並べなければならないために精度の高
いフアイバが必要である。また、位置合わせに
非常に手間を要するし、使用している中に位置
がずれる危険性が高い。
３ シリコン・ホトダイオード１次元アレイを壊
わさないようにするために、オプテイカル・フ
アイバをうかして使用せねばならない。これは
解像度を著しく低下させる。
わさないようにするために、オプテイカル・フ
アイバをうかして使用せねばならない。これは
解像度を著しく低下させる。
したがつて、本発明の目的は上述した従来技術
の欠点を解消するためになされたもので、フアク
シミリ送信機や文字読み取り装置などにおいて、
レンズ系を用いることなしに解像度良く文字が読
み取れ、しかも、これらの装置を著しく小型化せ
しめることを可能にした受光素子を提供しようと
するものである。
の欠点を解消するためになされたもので、フアク
シミリ送信機や文字読み取り装置などにおいて、
レンズ系を用いることなしに解像度良く文字が読
み取れ、しかも、これらの装置を著しく小型化せ
しめることを可能にした受光素子を提供しようと
するものである。
上記の目的を達成するために本発明においては
ホトダイオード１次元アレイを、その内部より二
面上にそれぞれ開口端面を有するオプテイカル・
フアイバ列が埋め込まれている基板の上記フアイ
バ列の一方の開口端面の上部に設け、他の開口端
面を画像情報の読み取り面としたものである。こ
のような基板の一列の平面図と側面図を第４図
ａ，ｂに示す。図において、８はオプテイカル・
フアイバ列で、通常は多数のオプテイカル・フア
イバを束ねて融着または樹脂等で接着して板状に
したものである。９はフアイバ列８と接着が容易
にできる絶縁性の板、例えば、フアイバ列８と同
じフアイバを寄せ集め、フアイバ列８と一体化し
て作つたものでもよいし、ガラス、樹脂などから
なる板であつてもよい。また、基板が複数の部品
に依つて良いことも当然である。たとえばオプテ
イカル・フアイバの束が埋設された基板を積層し
ても良い。以下、このフアイバの束８と絶縁性の
板９が一体化された基板をフアイバ基板と呼ぶこ
とにする。さらに、１０は原画、１１は光源であ
る。フアイバ基板の左端は角度αで斜めに切断し
てある。これは光を入射させるためである。光源
１１から出た光は第４図中の矢印で示したように
原画１０で散乱されるが、この際Ａ点近傍の幅ａ
の範囲内で散乱された光のみがオプテイカル・フ
アイバに入射して、Ｂ点附近の幅ｂの領域に出て
来る。したがつて、Ｂ点の所にホトダイオードを
設ければ原画のＡ点付近の文字を読むことが出来
る。この時解像度良く原画を読むためと、光を有
効に使うために角度αと上記のａとｂとは次のよ
うに選択されねばならない。角度αが大きいと入
射する光量は増加するが解像度良く読める領域は
Ａ点の極く近傍に限られてしまう。なぜならば原
画とフアイバ列との間隙が大きくなると、Ｂ点付
近の幅ｂの領域の像がぼけてしまうからである。
したがつて、Ｂ点付近に設けるホトダイオードの
面積を小さくせねばならなくなる。これは信号電
流が小さくなるので望ましくない。逆に角度αが
小さくなると解像度良く読める領域は大きくなる
が入射光量が小さくなるために望ましくない。一
般には角度αは20〜80゜、角度βは30〜80゜、より
好ましくはαは50〜70゜、βは50〜80゜の範囲で選
択する。選択は入射光量やホトダイオードの受光
面積それに要求される解像度等を考慮し決定すれ
ば良い。また第４図でオプテイカル・フアイバは
基板面に対して角度βで埋め込まれているがこの
角度βが小さいと原画の読もうとしている部分か
ら散乱されて来る光（信号成分）以外に別の部分
で散乱された光（雑音成分）も入射して来るよう
になり、Ｓ／Ｎ比を低下させるために望ましくな
い。また、角度βが大きすぎると読み取れる領域
が小さくなりこれも望ましくない。したがつて角
度βもＳ／Ｎ比やホトダイオードの受光面積から
最適値が決定される。フアイバ基板の右端の底の
部分が斜めに切られているのは原画を左右どちら
側から入れてもスムースにフアイバ基板の下に導
入されるようにしたものである。第５図ａ，ｂに
フアイバ基板上にホトダイオード１次元アレイを
設けた場合の平面図と側面図とを示す。図で１２
はフアイバ基板、１３はホトダイオード、１４は
リード線であり、ホトダイオード１３下のリード
線部分は少なくとも透明電極となつている。解像
度が４本／mm程度の場合にはホトダイオード１３
の面積は200μｍ×200μｍ程度である。したがつ
て、フアイバの直径を20μｍ程度に選んでおけば
ホトダイオードとフアイバとの位置合せの必要は
ない。以上説明したようにこのようなフアイバ基
板を用いればレンズ系を用いることなしに、何の
調整もなくして原画を解像度良く読みとれるホト
ダイオード１次元アレイを簡単に作成できる。し
かもレンズ系を用いないので光の利用率が高く、
したがつて光源も弱くて済む。本発明は上記した
如く多くの利点を持つた受光素子を提供するもの
である。
ホトダイオード１次元アレイを、その内部より二
面上にそれぞれ開口端面を有するオプテイカル・
フアイバ列が埋め込まれている基板の上記フアイ
バ列の一方の開口端面の上部に設け、他の開口端
面を画像情報の読み取り面としたものである。こ
のような基板の一列の平面図と側面図を第４図
ａ，ｂに示す。図において、８はオプテイカル・
フアイバ列で、通常は多数のオプテイカル・フア
イバを束ねて融着または樹脂等で接着して板状に
したものである。９はフアイバ列８と接着が容易
にできる絶縁性の板、例えば、フアイバ列８と同
じフアイバを寄せ集め、フアイバ列８と一体化し
て作つたものでもよいし、ガラス、樹脂などから
なる板であつてもよい。また、基板が複数の部品
に依つて良いことも当然である。たとえばオプテ
イカル・フアイバの束が埋設された基板を積層し
ても良い。以下、このフアイバの束８と絶縁性の
板９が一体化された基板をフアイバ基板と呼ぶこ
とにする。さらに、１０は原画、１１は光源であ
る。フアイバ基板の左端は角度αで斜めに切断し
てある。これは光を入射させるためである。光源
１１から出た光は第４図中の矢印で示したように
原画１０で散乱されるが、この際Ａ点近傍の幅ａ
の範囲内で散乱された光のみがオプテイカル・フ
アイバに入射して、Ｂ点附近の幅ｂの領域に出て
来る。したがつて、Ｂ点の所にホトダイオードを
設ければ原画のＡ点付近の文字を読むことが出来
る。この時解像度良く原画を読むためと、光を有
効に使うために角度αと上記のａとｂとは次のよ
うに選択されねばならない。角度αが大きいと入
射する光量は増加するが解像度良く読める領域は
Ａ点の極く近傍に限られてしまう。なぜならば原
画とフアイバ列との間隙が大きくなると、Ｂ点付
近の幅ｂの領域の像がぼけてしまうからである。
したがつて、Ｂ点付近に設けるホトダイオードの
面積を小さくせねばならなくなる。これは信号電
流が小さくなるので望ましくない。逆に角度αが
小さくなると解像度良く読める領域は大きくなる
が入射光量が小さくなるために望ましくない。一
般には角度αは20〜80゜、角度βは30〜80゜、より
好ましくはαは50〜70゜、βは50〜80゜の範囲で選
択する。選択は入射光量やホトダイオードの受光
面積それに要求される解像度等を考慮し決定すれ
ば良い。また第４図でオプテイカル・フアイバは
基板面に対して角度βで埋め込まれているがこの
角度βが小さいと原画の読もうとしている部分か
ら散乱されて来る光（信号成分）以外に別の部分
で散乱された光（雑音成分）も入射して来るよう
になり、Ｓ／Ｎ比を低下させるために望ましくな
い。また、角度βが大きすぎると読み取れる領域
が小さくなりこれも望ましくない。したがつて角
度βもＳ／Ｎ比やホトダイオードの受光面積から
最適値が決定される。フアイバ基板の右端の底の
部分が斜めに切られているのは原画を左右どちら
側から入れてもスムースにフアイバ基板の下に導
入されるようにしたものである。第５図ａ，ｂに
フアイバ基板上にホトダイオード１次元アレイを
設けた場合の平面図と側面図とを示す。図で１２
はフアイバ基板、１３はホトダイオード、１４は
リード線であり、ホトダイオード１３下のリード
線部分は少なくとも透明電極となつている。解像
度が４本／mm程度の場合にはホトダイオード１３
の面積は200μｍ×200μｍ程度である。したがつ
て、フアイバの直径を20μｍ程度に選んでおけば
ホトダイオードとフアイバとの位置合せの必要は
ない。以上説明したようにこのようなフアイバ基
板を用いればレンズ系を用いることなしに、何の
調整もなくして原画を解像度良く読みとれるホト
ダイオード１次元アレイを簡単に作成できる。し
かもレンズ系を用いないので光の利用率が高く、
したがつて光源も弱くて済む。本発明は上記した
如く多くの利点を持つた受光素子を提供するもの
である。
以下、本発明を実施例を参照して詳細に説明す
る。
る。
実施例 １
まずここで使用したフアイバ基板の構造を第６
図に示す。これはオプテイカル・フアイバを寄せ
集めて融着もしくは樹脂等で接着した基板であ
る。各フアイバは面に対して75゜の角度で埋め込
まれている。左端は光が入射するように角度50゜
で切断している。ここで使用したオプテイカル・
フアイバの直径は25μｍである。このフアイバ基
板上にSe−As−Te系非晶質半導体よりなるホト
ダイオード１次元アレイを設ける場合の電極構造
の平面図を第７図に、工程説明図の断面図を第８
図に示す。第７図において、１５はフアイバ基
板、１６は酸化錫透明電極、１７はクロム電極で
ある。このようなストライプ電極上にとホトダイ
オード１次元アレイを作製する手順を第８図にし
たがつて説明する。フアイバ基板１８の表面に酸
化錫透明導電膜１９を100nｍの厚みに被着し、
さらにその上にクロム膜２０を100nｍの厚みに
被着する（第８図のｂ）。ストライプ電極を形成
するために、まず、ホトレジスト加工によりクロ
ム膜２０の不要部分を除去し、次に残つたクロム
膜２０をマスクとしてイオンエツチングにより酸
化錫透明導電膜１９の不要部分を除去する（第８
図のｅ）。最後にCrの先端部分をホトレジ加工に
より除去すれば第８図ｄに示すように光入射の透
明電極窓２１が形成される。こうして得られたス
トライプ電極上にマスク蒸着によつて2μｍの厚
みを有するSe−As−Te系非晶質半導体層２２を
形成し（第８図のｅ）さらにその上に金属薄膜２
３からなる上部電極をマスク蒸着する。（第８図
のｆ）。なお、ストライプ電極において光入射用
の透明電極窓２１以外の部分はクロム膜によつて
覆われて非透過性になつているので各ホトダイオ
ードの受光面積は透明電極窓２１と同一である。
上記の方法によつてフアイバ基板上にホトダイオ
ード１次元アレイが形成された。これの平面図を
第９図に示す。このホトダイオード１次元アレイ
を形成されたフアイバ基板は第１０図のように使
用することができる。２４は前記ホトダイオード
１次元アレイを形成されたフアイバ基板であり、
２５は細長いタングステン・ランプあるいは螢光
灯などの照明用光源であり、２６は原画、２７は
原画を移動させるローラーである。光源２５から
出た光は矢印で示すように原画２６で散乱され、
フアイバに入り、ホトダイオードに入射する。こ
れで原画を電気信号に変換し読むことができる。
このようにフアイバ基板上に設けたホトダイオー
ド１次元アレイは原画の上に置くだけで読み取る
ことができレンズ系も調整も不要である。ここで
光の利用率をあげるための照明方法について説明
する。第１１図において、２８はタングステン・
ランプや螢光灯などの光源であり、この光源から
出た光は反射板２９によつて、ガラス板３０を光
の入射面３２と出る面３３とを除いた部分をAl
などの金属膜３１で覆つたオプテイカル・ガイド
に集光される。オプテイカル・ガイドの出口から
出た光は原画３４で散乱してホトダイオード１次
元アレイを形成されたフアイバ基板３５に入射す
る。この方法は光の利用率を高めるとともに、ホ
トダイオードが光源の輻射熱によつて温度が高く
なるのを妨げる。第１２図は光源として発光ダイ
オードを用いた場合の説明図である。３６は放熱
板を兼ねた金属ブロツクであり、これの先端に原
画を一様な光で照明するために発光ダイオードを
等間隔に並べた発光ダイオード・アレイ３７を取
り付ける。原画３９で散乱された光はホトダイオ
ード１次元アレイを形成されたフアイバ基板３８
に入射する。この方法の利点は発光ダイオードが
小さいこと、それに低温度の光源であるために原
画３９の読み取ろうとする部分に極端に近づける
ことができる。したがつて光の利用率が著しく向
上する。
図に示す。これはオプテイカル・フアイバを寄せ
集めて融着もしくは樹脂等で接着した基板であ
る。各フアイバは面に対して75゜の角度で埋め込
まれている。左端は光が入射するように角度50゜
で切断している。ここで使用したオプテイカル・
フアイバの直径は25μｍである。このフアイバ基
板上にSe−As−Te系非晶質半導体よりなるホト
ダイオード１次元アレイを設ける場合の電極構造
の平面図を第７図に、工程説明図の断面図を第８
図に示す。第７図において、１５はフアイバ基
板、１６は酸化錫透明電極、１７はクロム電極で
ある。このようなストライプ電極上にとホトダイ
オード１次元アレイを作製する手順を第８図にし
たがつて説明する。フアイバ基板１８の表面に酸
化錫透明導電膜１９を100nｍの厚みに被着し、
さらにその上にクロム膜２０を100nｍの厚みに
被着する（第８図のｂ）。ストライプ電極を形成
するために、まず、ホトレジスト加工によりクロ
ム膜２０の不要部分を除去し、次に残つたクロム
膜２０をマスクとしてイオンエツチングにより酸
化錫透明導電膜１９の不要部分を除去する（第８
図のｅ）。最後にCrの先端部分をホトレジ加工に
より除去すれば第８図ｄに示すように光入射の透
明電極窓２１が形成される。こうして得られたス
トライプ電極上にマスク蒸着によつて2μｍの厚
みを有するSe−As−Te系非晶質半導体層２２を
形成し（第８図のｅ）さらにその上に金属薄膜２
３からなる上部電極をマスク蒸着する。（第８図
のｆ）。なお、ストライプ電極において光入射用
の透明電極窓２１以外の部分はクロム膜によつて
覆われて非透過性になつているので各ホトダイオ
ードの受光面積は透明電極窓２１と同一である。
上記の方法によつてフアイバ基板上にホトダイオ
ード１次元アレイが形成された。これの平面図を
第９図に示す。このホトダイオード１次元アレイ
を形成されたフアイバ基板は第１０図のように使
用することができる。２４は前記ホトダイオード
１次元アレイを形成されたフアイバ基板であり、
２５は細長いタングステン・ランプあるいは螢光
灯などの照明用光源であり、２６は原画、２７は
原画を移動させるローラーである。光源２５から
出た光は矢印で示すように原画２６で散乱され、
フアイバに入り、ホトダイオードに入射する。こ
れで原画を電気信号に変換し読むことができる。
このようにフアイバ基板上に設けたホトダイオー
ド１次元アレイは原画の上に置くだけで読み取る
ことができレンズ系も調整も不要である。ここで
光の利用率をあげるための照明方法について説明
する。第１１図において、２８はタングステン・
ランプや螢光灯などの光源であり、この光源から
出た光は反射板２９によつて、ガラス板３０を光
の入射面３２と出る面３３とを除いた部分をAl
などの金属膜３１で覆つたオプテイカル・ガイド
に集光される。オプテイカル・ガイドの出口から
出た光は原画３４で散乱してホトダイオード１次
元アレイを形成されたフアイバ基板３５に入射す
る。この方法は光の利用率を高めるとともに、ホ
トダイオードが光源の輻射熱によつて温度が高く
なるのを妨げる。第１２図は光源として発光ダイ
オードを用いた場合の説明図である。３６は放熱
板を兼ねた金属ブロツクであり、これの先端に原
画を一様な光で照明するために発光ダイオードを
等間隔に並べた発光ダイオード・アレイ３７を取
り付ける。原画３９で散乱された光はホトダイオ
ード１次元アレイを形成されたフアイバ基板３８
に入射する。この方法の利点は発光ダイオードが
小さいこと、それに低温度の光源であるために原
画３９の読み取ろうとする部分に極端に近づける
ことができる。したがつて光の利用率が著しく向
上する。
実施例 ２
ここで使用したフアイバ基板４１を第１３図に
示す。このフアイバ基板で実施例１と違う点はホ
トダイオードを設ける部分のみにオプテイカル・
フアイバ列４０を使用し、その他の部分４１は光
学的に不透明にした材料（例えば黒色の色ガラ
ス）を用いる点である。このようにホトダイオー
ドを設ける部分以外を不透明にした基板を用いた
場合のホトダイオード１次元アレイの形成方法を
工程図第１４図にしたがつて説明する。４２は上
記したフアイバ基板である。この上に酸化インジ
ウムや酸化スズなどより透明導電体膜４３を1000
Å被着し、ストライプ電極を形成するために酸化
インジウムの場合にはホトレジ加工でストライプ
電極を形成し、酸化スズの場合にはホトレジ加工
でホトレジストをストライプ状に残し、そのホト
レジストをマスクとしてイオンエツチングするこ
とにより酸化スズをストライプ化する。このよう
にして形成されたストライプ電極４４の上にマス
ク蒸着によつて膜厚2μｍの厚みを有するSe−As
−Te系非晶質半導体層４５を形成し、さらにそ
の上に金属薄膜４６からなる上部電極をマスク蒸
着する（第１４図のｃ）。これでフアイバ基板上
にホトダイオード１次元アレイが形成される。上
記した実施例２の場合にはオプテイカル・フアイ
バそのものが光入射の窓となるため実施例１のよ
うなクロム膜が不必要になる。このため工程を減
らすことができる。
示す。このフアイバ基板で実施例１と違う点はホ
トダイオードを設ける部分のみにオプテイカル・
フアイバ列４０を使用し、その他の部分４１は光
学的に不透明にした材料（例えば黒色の色ガラ
ス）を用いる点である。このようにホトダイオー
ドを設ける部分以外を不透明にした基板を用いた
場合のホトダイオード１次元アレイの形成方法を
工程図第１４図にしたがつて説明する。４２は上
記したフアイバ基板である。この上に酸化インジ
ウムや酸化スズなどより透明導電体膜４３を1000
Å被着し、ストライプ電極を形成するために酸化
インジウムの場合にはホトレジ加工でストライプ
電極を形成し、酸化スズの場合にはホトレジ加工
でホトレジストをストライプ状に残し、そのホト
レジストをマスクとしてイオンエツチングするこ
とにより酸化スズをストライプ化する。このよう
にして形成されたストライプ電極４４の上にマス
ク蒸着によつて膜厚2μｍの厚みを有するSe−As
−Te系非晶質半導体層４５を形成し、さらにそ
の上に金属薄膜４６からなる上部電極をマスク蒸
着する（第１４図のｃ）。これでフアイバ基板上
にホトダイオード１次元アレイが形成される。上
記した実施例２の場合にはオプテイカル・フアイ
バそのものが光入射の窓となるため実施例１のよ
うなクロム膜が不必要になる。このため工程を減
らすことができる。
実施例 ３
ここで使用するフアイバ基板を第１５図に示
す。この基板４７は実施例１および実施例２で記
したような基板を用いる。４８はオプテイカル・
フアイバ列であり、４９はAlやCrなど光を反射
させるための蒸着膜であり、AlやCrなどをマス
ク蒸着あるいはホトレジ加工によつて形成する。
この反射用蒸着膜４９は必要なフアイバ部以外か
らの光入射がないようにするために形成されるも
のである。この基板上に実施例２の場合と全く同
一の方法によりホトダイオード１次元アレイを形
成する。実施例２の場合には不必要な光を吸収し
たのに対し、実施例３の場合には光を反射させる
ので光の利用率が向上するという利点がある。
す。この基板４７は実施例１および実施例２で記
したような基板を用いる。４８はオプテイカル・
フアイバ列であり、４９はAlやCrなど光を反射
させるための蒸着膜であり、AlやCrなどをマス
ク蒸着あるいはホトレジ加工によつて形成する。
この反射用蒸着膜４９は必要なフアイバ部以外か
らの光入射がないようにするために形成されるも
のである。この基板上に実施例２の場合と全く同
一の方法によりホトダイオード１次元アレイを形
成する。実施例２の場合には不必要な光を吸収し
たのに対し、実施例３の場合には光を反射させる
ので光の利用率が向上するという利点がある。
以上説明より明らかなように、本発明によれば
レンズ系を用いることなく、また複雑な調整も要
しないで解像度良く原画を読み取ることができし
かも光の利用率が高いために弱い光源を使うこと
ができるなど数々の利点を有するホトダイオード
１次元アレイを作製することが可能である。また
ホトダイオード１次元アレイの長さも長くできる
し、フアクシミリ用の受光素子としても有用であ
る。なお上述した実施例では半導体材料として
Se−As−Te系非晶質半導体を使用したがCdSe，
やCdTe，PbS等も使用できるのはもちろんであ
る。また、製作方法としては真空蒸着法のみを記
載したが、スパツタ蒸着、電子ビーム蒸着でも製
作できる。
レンズ系を用いることなく、また複雑な調整も要
しないで解像度良く原画を読み取ることができし
かも光の利用率が高いために弱い光源を使うこと
ができるなど数々の利点を有するホトダイオード
１次元アレイを作製することが可能である。また
ホトダイオード１次元アレイの長さも長くできる
し、フアクシミリ用の受光素子としても有用であ
る。なお上述した実施例では半導体材料として
Se−As−Te系非晶質半導体を使用したがCdSe，
やCdTe，PbS等も使用できるのはもちろんであ
る。また、製作方法としては真空蒸着法のみを記
載したが、スパツタ蒸着、電子ビーム蒸着でも製
作できる。
第１図はレンズ系を用いた従来技術の説明図、
第２図はオプテイカル・フアイバを用いた従来技
術の説明図、第３図は第２図のオプテイカル・フ
アイバとホトダイオード１次元アレイとの接合部
を説明する図、第４図は本発明を説明するための
原理図、第５図は第４図で説明したフアイバ基板
上にホトダイオード１次元アレイを形成した場合
の説明図、第６図は本発明で用いたフアイバ基板
の構造図、第７図は第６図で示したフアイバ基板
上にストライプ電極を形成した時の説明図、第８
図は本発明で用いたホトダイオード１次元アレイ
の製造工程図、第９図はホトダイオード１次元ア
レイの平面図、第１０図は本発明の使用例を示す
図、第１１図はオプテイカル・ガイドを用いた場
合の説明図、第１２図は光源として発光ダイオー
ドを用いた場合の説明図、第１３図はフアイバ部
以外の部分を不透明にした基板を用いたフアイバ
基板を示す断面図、第１４図は第１３図のフアイ
バ基板上にホトダイオード１次元アレイを形成す
る場合の工程図、第１５図はフアイバ部以外の部
分に反射膜を形成したフアイバ基板を示す図であ
る。 図において、８，４８，４０，５１：オプテイ
カル・フアイバ列、９，５０：絶縁性の板、１
０，２６，３４，３９，５３：原画、１１，２
８，５３：光源、１２，１５，１８，４２，４
７：フアイバ基板、１３：ホトダイオード、１
４：リード線、１６：酸化錫透明電極、１７：ク
ロム電極、１９：酸化錫透明導電膜、２０：クロ
ム膜、２１：光入射用の透明電極、２２，４５：
非晶質半導体層、２３，４６：上部電極、２４，
３５，３８：ホトダイオード１次元アレイを形成
されたフアイバ基板、２９：反射板、３０：ガラ
ス板、３１：金属膜、３６：金属ブロツク、３
７：発光ダイオード・アレイ、４３：透明導電
膜、４４：透明ストライプ電極、４９：反射用蒸
着膜、５２：オプテイカル・ガイド。
第２図はオプテイカル・フアイバを用いた従来技
術の説明図、第３図は第２図のオプテイカル・フ
アイバとホトダイオード１次元アレイとの接合部
を説明する図、第４図は本発明を説明するための
原理図、第５図は第４図で説明したフアイバ基板
上にホトダイオード１次元アレイを形成した場合
の説明図、第６図は本発明で用いたフアイバ基板
の構造図、第７図は第６図で示したフアイバ基板
上にストライプ電極を形成した時の説明図、第８
図は本発明で用いたホトダイオード１次元アレイ
の製造工程図、第９図はホトダイオード１次元ア
レイの平面図、第１０図は本発明の使用例を示す
図、第１１図はオプテイカル・ガイドを用いた場
合の説明図、第１２図は光源として発光ダイオー
ドを用いた場合の説明図、第１３図はフアイバ部
以外の部分を不透明にした基板を用いたフアイバ
基板を示す断面図、第１４図は第１３図のフアイ
バ基板上にホトダイオード１次元アレイを形成す
る場合の工程図、第１５図はフアイバ部以外の部
分に反射膜を形成したフアイバ基板を示す図であ
る。 図において、８，４８，４０，５１：オプテイ
カル・フアイバ列、９，５０：絶縁性の板、１
０，２６，３４，３９，５３：原画、１１，２
８，５３：光源、１２，１５，１８，４２，４
７：フアイバ基板、１３：ホトダイオード、１
４：リード線、１６：酸化錫透明電極、１７：ク
ロム電極、１９：酸化錫透明導電膜、２０：クロ
ム膜、２１：光入射用の透明電極、２２，４５：
非晶質半導体層、２３，４６：上部電極、２４，
３５，３８：ホトダイオード１次元アレイを形成
されたフアイバ基板、２９：反射板、３０：ガラ
ス板、３１：金属膜、３６：金属ブロツク、３
７：発光ダイオード・アレイ、４３：透明導電
膜、４４：透明ストライプ電極、４９：反射用蒸
着膜、５２：オプテイカル・ガイド。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所定基板内に該基板の第１の面から第２の面
に達する板状に形成されたオプテイカル・フアイ
バの束が埋設され、該オプテイカル・フアイバの
束を構成する各オプテイカル・フアイバはその断
面の大きさがこのオプテイカル・フアイバの上部
にとう載される各光電交換素子の大きさに比して
小さく且読み取りのための情報面と情報の読み取
り面との相対的移動方向と交叉する方向の該束の
巾は各光電交換素子の大きさに比して十分に大き
く構成され、そして前記基板の第１の面の前記フ
アイバの束の開口端面の上部に受光部を有する複
数個の光電交換素子が該基板と集積化して設けら
れ、前記基板の第２の面はその延長が情報面と鋭
角（α）で交わり、前記オプテイカル・フアイバ
の束はその延長が前記基板の前記情報面側に位置
する第３の面と鋭角（β）で交わり、前記基板の
第２の面に位置するオプテイカル・フアイバの束
の開口端面は該基板の第２の面と、該基板の前記
情報面側に位置する第３の面との交線近傍に位置
し、かつ前記オプテイカル・フアイバの束の情報
の読み取り面となる開口端面の外部の光により情
報面への照明がなされていることを特徴とする受
光素子。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の受光素子におい
て、前記角αが20〜80゜、前記角βが30〜80゜であ
ることを特徴とする受光素子。 ３ 特許請求の範囲第１項記載の受光素子におい
て、前記角αが50〜70゜、前記角βが50〜80゜であ
ることを特徴とする受光素子。 ４ 特許請求の範囲第１項記載の受光素子におい
て、前記オプテイカル・フアイバの束が埋設され
る前記基板はオプテイカル・フアイバを集束した
ものからなることを特徴とする受光素子。 ５ 特許請求の範囲第１項記載の受光素子におい
て、前記オプテイカル・フアイバの束以外の前記
基板は不透明な材料から構成されていることを特
徴とする受光素子。 ６ 特許請求の範囲第１項記載の受光素子におい
て、前記オプテイカル・フアイバの束が埋設され
る前記基板をオプテイカル・フアイバを集束した
ものまたは透明な材料とした場合に、前記基板の
第２の面上に前記フアイバの少なくとも開口端面
上の所定部分を除いて光反射膜が設けられている
ことを特徴とする受光素子。 ７ 所定基板内に該基板の第１の面から第２の面
に達する板状に形成されたオプテイカル・フアイ
バの束が埋設され、該オプテイカル・フアイバの
束を構成する各オプテイカル・フアイバはその断
面の大きさがこのオプテイカル・フアイバの上部
にとう載される各光電交換素子の大きさに比して
小さく且読み取りのための情報面と情報の読み取
り面との相対的移動方向と交叉する方向の該束の
巾は各光電交換素子の大きさに比して十分に大き
く構成され、そして前記基板の第１の面の前記フ
アイバの束の開口端面の上部に受光部を有する複
数個の光電交換素子が該基板と集積化して設けら
れ、前記基板の第２の面はその延長が情報面と鋭
角（α）で交わり、前記オプテイカル・フアイバ
の束はその延長が前記基板の前記情報面側に位置
する第３の面と鋭角（β）で交わり、前記基板の
第２の面に位置するオプテイカル・フアイバの束
の開口端面は該基板の第２の面と、該基板の前記
情報面側に位置する第３の面との交線近傍に位置
し、前記オプテイカル・フアイバの束の情報の読
み取り面となる開口端面の外部の光により情報面
への照射がなされており、かつ前記光電交換素子
は前記基板の第１の面の前記オプテイカル・フア
イバの開口端面の上部に透明電極、光導電材料
層、上部電極の順に積層され、前記基板と一体化
して設けられていることを特徴とする受光素子。 ８ 特許請求の範囲第７項記載の受光素子におい
て、前記光導電材料はSe−As−Te系非晶質半導
体、CdSe，CdTe，PbSの組のうちから選ばれた
一種であることを特徴とする受光素子。 ９ 前記上部電極が複数の光電交換部の共通電
極、そして前記透明電極が各光電交換部の個別電
極なることを特徴とする特許請求の範囲第７項記
載の受光素子。 １０ 前記情報面への照明は前記オプテイカル・
フアイバの束の情報の読み取り面となる開口端面
に近接して設けられた発光ダイオードによつてな
されることを特徴とする特許請求の範囲第７項記
載の受光素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5428477A JPS53140048A (en) | 1977-05-13 | 1977-05-13 | Light receiving element |
| US05/903,161 US4233506A (en) | 1977-05-13 | 1978-05-05 | Photo-sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5428477A JPS53140048A (en) | 1977-05-13 | 1977-05-13 | Light receiving element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53140048A JPS53140048A (en) | 1978-12-06 |
| JPH0262847B2 true JPH0262847B2 (ja) | 1990-12-26 |
Family
ID=12966252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5428477A Granted JPS53140048A (en) | 1977-05-13 | 1977-05-13 | Light receiving element |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4233506A (ja) |
| JP (1) | JPS53140048A (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56136076A (en) * | 1980-03-26 | 1981-10-23 | Hitachi Ltd | Photoelectric converter |
| US4412900A (en) * | 1981-03-13 | 1983-11-01 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing photosensors |
| NL8103599A (nl) * | 1981-07-30 | 1983-02-16 | Philips Nv | Inrichting voor het optisch aftasten van een document. |
| JPS5856363A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Hitachi Ltd | 受光素子 |
| JPS58143665A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-26 | Fuji Xerox Co Ltd | 密着型読取装置 |
| FR2536188B1 (fr) * | 1982-11-17 | 1987-10-23 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de lecture de document point par point utilisant une matrice d'elements photodetecteurs |
| EP0257747A3 (en) * | 1986-07-15 | 1990-01-17 | OIS Optical Imaging Systems, Inc. | Photoelectric array for scanning large-area non-planar image-bearing surfaces |
| DE68920448T2 (de) * | 1988-02-10 | 1995-05-18 | Kanegafuchi Chemical Ind | Photodetektorenanordnung und Lesegerät. |
| JP3020967B2 (ja) * | 1989-10-30 | 2000-03-15 | 株式会社リコー | 端面入射型光センサ |
| US5404007A (en) * | 1992-05-29 | 1995-04-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Radiation resistant RLG detector systems |
| DE69809742T2 (de) * | 1998-09-23 | 2003-07-10 | Datasensor Spa | Vorrichtung zur Befestigung von mindestens einer optischen Faser an einem optischen Gerät |
| JP3531908B2 (ja) * | 1999-02-17 | 2004-05-31 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、放射線検出装置および画像処理システム |
| EP1426794B1 (en) * | 2002-12-03 | 2005-10-12 | Alcatel | Thin film filter on end-face of a fiber segment, method of production and integrated optical device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3237039A (en) * | 1961-04-17 | 1966-02-22 | Litton Prec Products Inc | Cathode ray tube using fiber optics faceplate |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3786238A (en) * | 1972-09-05 | 1974-01-15 | Addressograph Multigraph | Optical reader |
-
1977
- 1977-05-13 JP JP5428477A patent/JPS53140048A/ja active Granted
-
1978
- 1978-05-05 US US05/903,161 patent/US4233506A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3237039A (en) * | 1961-04-17 | 1966-02-22 | Litton Prec Products Inc | Cathode ray tube using fiber optics faceplate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4233506A (en) | 1980-11-11 |
| JPS53140048A (en) | 1978-12-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR920010921B1 (ko) | 이미지 센서(Image Sensor) | |
| US6268600B1 (en) | Linear illumination device | |
| US6072171A (en) | Linear illumination device | |
| US4232219A (en) | Photosensor | |
| JPH0262847B2 (ja) | ||
| KR20000076247A (ko) | 컴퓨터 시스템의 사용자 입력 장치 | |
| US5046159A (en) | Image transmitting element and process for producing same | |
| US6002139A (en) | Image input device having a refractive index light guide and lenses | |
| JPH09281302A (ja) | 反射面付き平板マイクロレンズアレイおよびその製造方法 | |
| JPH0415630B2 (ja) | ||
| JPS5846182B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JPS582502B2 (ja) | 受光素子 | |
| JPH07301730A (ja) | 導波路型縮小イメージセンサ | |
| JPS61187465A (ja) | 画像読取装置 | |
| JP2013029650A (ja) | レンズアレイおよびイメージセンサモジュール | |
| JP2769812B2 (ja) | 原稿読み取り装置 | |
| JP3307978B2 (ja) | イメージセンサ | |
| JP2730042B2 (ja) | 透過型フォトセンサ | |
| JPS59121974A (ja) | 密着形イメ−ジセンサ | |
| JP2927619B2 (ja) | 光プリントヘッド | |
| JP2573342B2 (ja) | 受光素子 | |
| JPH02198877A (ja) | 画像形成装置 | |
| JPH05236200A (ja) | 光源一体型イメ−ジセンサ | |
| JPS59211261A (ja) | 長尺密着型イメ−ジセンサ | |
| JP3687104B2 (ja) | 光学装置 |