DE3643576A1 - Bildsensor und verfahren zu dessen herstellung - Google Patents
Bildsensor und verfahren zu dessen herstellungInfo
- Publication number
- DE3643576A1 DE3643576A1 DE19863643576 DE3643576A DE3643576A1 DE 3643576 A1 DE3643576 A1 DE 3643576A1 DE 19863643576 DE19863643576 DE 19863643576 DE 3643576 A DE3643576 A DE 3643576A DE 3643576 A1 DE3643576 A1 DE 3643576A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- image sensor
- layer
- light
- substrate parts
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 47
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 34
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 4
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft einen Bildsensor und ein Verfahren zu
dessen Herstellung, und betrifft insbesondere einen direkt
beaufschlagbaren bzw. detektierbaren Bildsensor, der in einer
Vorlagenleseeinrichtung eines Faksimilegeräts u. ä. anwendbar
ist, und betrifft insbesondere ein Verfahren zu dessen
Herstellung.
Für herkömmliche Vorlagenleseeinrichtungen oder -leser, wie
sie beispielsweise in einem Faksimileendgerät installiert
sind, ist vor kurzem ein sogenannter direkt beaufschlagbarer
bzw. detektierbarer (directly detectable) Bildsensor
entwickelt worden, wie er beispielsweise in der offengelegten
japanischen Patentanmeldung Nr. 60-134 486 oder einer
Veröffentlichung mit dem Titel "A STUDY ON STRUCTURE OF
DIRECTLY DETECTABLE IMAGE SENSOR", Institute of Electronics
and Communication Engineers of Japan, Report ED81-35 beschrieben
ist. Alle die beschriebenen Sensoren weisen ein
Substrat aus Glas, eine lichtabfangende Schicht, eine Isolierschicht,
Sensorelemente und Elektroden, welche auf dem
Substrat unter Zwischenschaltung der lichtabfangenden und
Isolierschichten angeordnet sind, und eine transparente
Schutzschicht auf, welche auf den Sensorelementen und Elektroden
vorgesehen ist und in einer dünnen Glasschicht ausgeführt
ist.
Eine Vorlage liegt auf der Schutzschicht und ist an dieser
in satter Anlage gehalten, so daß die Sensorelemente Bilder
lesen können, welche auf der Vorlage aufgezeichnet sind. Insbesondere
die lichtabfangende Schicht und die Elektroden
sind einzeln mit Fenster versehen, um Licht, welches über
das Substrat auf den Sensor auftrifft, zu der Vorlage zu leiten;
die Sensorelemente sind bezüglich einer Reflexion von
der Vorlage empfindlich.
Eine Voraussetzung bei jedem der herkömmlichen Bildsensoren
der beschriebenen Art besteht darin, um eine ausreichende
Ausgangsleistung für eine Modulationstransferfunktion
(MTF) in der Größenordnung von 0,6 zu erhalten, sollte die
transparente Schutzschicht 75 µm dick sein, die Fenster sollten
eine Größe von 90 µm × 60 µm haben, und die Beleuchtungsstärke
auf der Vorlagenoberfläche sollte etwa 2.500 lx sein.
Unter dieser Voraussetzung sollte die Schutzschicht mit einer
Glasschicht versehen sein, welche etwa 70 bis 80 µm
dünn ist. Eine Schwierigkeit bei einer derart dünnen Schutzschicht
besteht darin, daß sie die Sensorelemente infolge
von Adhäsion oder deren Haftwirkung verschlechtert und bei
dynamischen Einwirkungen zerbrechlich ist, wodurch die Ausbeute
begrenzt wird. Eine weitere Schwierigkeit besteht darin,
daß im Falle des Einbaus eines solchen Sensors beispielsweise
in ein Faksimileendgerät, den äußeren Kräften, durch welche
der Sensor beschädigt werden kann, eine besondere Beachtung
geschenkt werden muß; dies wiederum führt zu einer
Kostenerhöhung. Ferner ist es schwierig, einen Bildsensor
mit einem hohen Auflösungsvermögen von beispielsweise 16 Punkten/mm
zu schaffen, da jedes der Fenster etwa 90 µm × 60 µm
groß sein sollte. Insbesondere kann keines der herkömmlichen
Systeme eine Auflösung von 16 Punkten/mm erreichen, wenn
nicht die Fenster in der Größe halbiert sind, und die Schutzschicht
mit einer Glasschicht versehen ist, deren Dicke geringer
als etwa 30 µm ist. Hierdurch würde aber nicht nur
die Sensorausgangsleistung erniedrigt, sondern auch die Zerbrechlichkeit
des Sensors wird größer.
Gemäß der Erfindung soll daher ein direkt beaufschlagbarer
bzw. detektierbarer Bildsensor für einen Vorlagenleser geschaffen
werden, welcher ein hohes Auflösungsvermögen und
eine hohe Ausgangsleistung erreicht, und es soll ein Verfahren
zur Herstellung eines solchen Bildsensors geschaffen
werden. Darüber hinaus soll ein unmittelbar beaufschlagbarer
bzw. ein detektierbarer Bildsensor für einen Bildleser,
welcher bezüglich dynamischer Beanspruchungen steif
und dauerhaft ist, und ein Verfahren zum Herstellen eines
solchen Sensors geschaffen werden. Schließlich soll noch
ein unmittelbar beaufschlagbarer Bildsensor für einen Bildleser,
welcher frei von negativen Beeinflussungen infolge
einer Adhäsion des Sensors und eines Substrates ist, sowie
ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Sensors geschaffen
werden.
Gemäß der Erfindung ist dies bei einem Bildsensor nach dem
Oberbegriff des Anspruchs 1 bzw. bei einem Verfahren zum
Herstellen eines solchen Bildsensors nach dem Oberbegriff
des Anspruchs 10 erreicht. Vorteilhafte Weiterbildungen der
Erfindung sind Gegenstand der jeweiligen auf die Ansprüche 1
bzw. 10 rückbezogenen Unteransprüche. Durch die Erfindung
ist somit ein insgesamt verbesserter unmittelbar detektierbarer
bzw. beaufschlagbarer Bildsensor sowie ein Verfahren
zu dessen Herstellung geschaffen.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand von bevorzugten Ausführungsformen
unter Bezugnahme auf die anliegenden Zeichnungen
im einzelnen erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 einen Abschnitt eines herkömmlichen direkt
beaufschlagbaren Bildsensors;
Fig. 2 einen Abschnitt eines direkt beaufschlagbaren
bzw. detektierbaren Bildsensors gemäß
der Erfindung und ein Verfahren zu dessen
Herstellung;
Fig. 3 ein Abschnitt eines Glassubtrats, welches in
dem Sensor der Fig. 2 vorgesehen ist;
Fig. 4 eine perspektivische Anschicht des Glassubstrats
und
Fig. 5 einen Abschnitt einer weiteren Ausführungsform
der Erfindung und eines Verfahrens zu
dessen Herstellung.
Zum besseren Verständnis der Erfindung wird zuerst kurz
ein herkömmlicher direkt beaufschlagbarer bzw. detektierbarer
Bildsensor sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung
anhand von Fig. 1 beschrieben. Wie in Fig. 1 dargestellt,
weist der in seiner Gesamtheit mit 10 bezeichnete, herkömmliche
Bildsensor der beschriebenen Art ein Glassubstrat
12, eine lichtabfangende Schicht 14 und eine Isolier- oder
Schutzschicht 16 auf, welche nacheinander auf dem Substrat
12 vorgesehen sind. Sensorelemente 18 und Elektroden 20 sind
auf dem Substrat 12 angeordnet, wobei die Schichten 14 und
16 dazwischen liegen. Ferner ist eine transparente Schutzschicht
22, welche eine dünne Schicht aus Glas aufweist, auf
den Sensorelementen 18 und den Elektroden 20 vorgesehen.
Eine Vorlage 24 liegt satt auf der Schutzschicht 22 auf, so
daß die Sensorelemente 18 Bilder lesen können, welche auf
der Vorlage 24 aufgebracht sind. Insbesondere die lichtabfangende
Schicht 14 und die Elektroden 20 sind jeweils mit
Fenstern 26 versehen, um so über das Substrat 12 Licht zu
leiten, welches auf den Sensor 10 auftrifft; die Sensorelemente 8
sind empfindlich bezüglich einer Reflexion von der
Vorlage 24. Bei dem herkömmlichen unmittelbar beaufschlagbaren
Sensor 10 mit dem vorstehend beschriebenen Aufbau
haben sich verschiedene eingangs angeführte Schwierigkeiten
ergeben.
Anhand von Fig. 2 bis 4 werden daher ein direkt beaufschlagbarer
bzw. detektierbarer Bildsensor gemäß der Erfindung und
ein Verfahren zu dessen Herstellung beschrieben. Wie dargestellt,
weist der in seiner Gesamtheit mit 30 bezeichnete
Bildsensor ein Sensorsubstrat 32 auf, welches aus zwei Glassubstratteilen
32 a und 32 b gebildet ist, welche miteinander
verbunden sind. Insbesondere das Glassubstratteil 32 a weist
in seiner rückseitigen Oberfläche Ausnehmungen 34 auf, welche
genau bezüglich der Stellen ausgerichtet sind, an welchen
Sensorteilchen (bits) festzulegen sind; das Glassubstratteil
32 b ist mit Ausnehmungen 36 versehen, welche identisch
mit den Ausnehmungen 34 sind. Die Ausnehmungen 34 bzw. 36
legen die eine und die andere Hälfte einer Linsenanordnung
38 fest. Ein Material, dessen Brechungsindex sich von demjenigen
der Substratteile 32 a und 32 b unterscheidet, wird in
die Ausnehmungen 34 und 36 gefüllt, um dadurch die Miniaturlinsenanordnung
38 zu schaffen. Eine lichtabfangende Schicht
40 mit Fenstern 40 a und eine Isolier- bzw. Schutzschicht 42
werden auf einer Hauptfläche des Substrats 32, d. h. der
Oberfläche des Substratteils 32 b vorgesehen, nachdem Sensorelemente
44, Elektroden 46 und eine Schutzschicht 48 nacheinander
vorgesehen sind. Dann wird eine weitere lichtabfangende
Schicht 50 mit Fenstern 50 a auf der Schutzschicht
48 aufgebracht. Bei dieser Ausführung ist eine Vorlage 52 die
auf die andere Oberfläche des Substrats 32, d. h. der Oberfläche
des Substrateils 32 a zu legen.
Insbesondere die Substratteile 32 a und 32 b sind jeweils aus
Borsilikatglas hergestellt und haben eine Dicke von 0,5 mm.
Die Vertiefungen 34 und 36 sind in den Substrateilen 32 a
bzw. 32 b mit einem Krümmungsradius von 1 mm und einer Dicke
bzw. Tiefe von etwa 0,05 mm ausgebildet. Danach werden die
Substrateile optisch poliert (siehe Fig. 3). Die Vertiefungen
34 und 36 werden mittels eines Plasma-CVD-Verfahrens
mit einem amorphen Diamantmaterial gefüllt, und die Substratteile
32 a und 32 b werden dann so miteinander verbunden,
daß dazwischen die Miniarturlinsenanordnung 38 angeordnet
ist, wobei jede der Miniaturlinsen 38 als eine konvexe
Zylinderlinse dient (siehe Fig. 4). Das sich ergebende
Sensorsubstrat 32 wird durch Aufdampfen im Vakuum von
NiCr in einer Dicke von 2000 Å mit der lichtabfangenden
Schicht 40 und Fenstern 40 a versehen; anschließend wird
SiO2 in einer Dicke von etwa 1 µm aufgebracht, um dadurch die
Isolier- oder Schutzschicht 42 auszubilden. Dann wird eine
a-Si : H-Schicht mittels des Plasma CVD-Verfahrens auf der
Isolier- oder Schutzschicht 42 vorgesehen, so daß die Sensorelemente
44 in einem Bitmuster von 16 Punkten/mm in den
Abbildungsteilen ausgebildet sind, welche durch die einzelnen
Miniarturlinsen 38 festgelegt sind. Ferner werden die
Elektroden 46 in der Weise vorgesehen, daß sie die Sensorelemente
44 tragen. Die Schutzschicht 48 kann eine Si3N4-
Schicht aufweisen, welche ebenfalls mittels des Plasma-
CVD-Verfahrens aufgebracht wird. Die Lichtisolier- bzw.
Schutzschicht 50 kann beispielsweise aus NiCr hergestellt
werden.
Wie in Fig. 2 dargestellt, wird die Vorlage 52 auf die Fläche
des Substratteils 32 a gelegt, welche der Oberfläche des
Substratteils 32 b, in welcher die Sensorelemente 44 vorgesehen
sind, abgewandt ist. Licht fällt dann auf die Seite
des Sensors 30, welche die Sensorelemente 40 verbindet, und
pflanzt sich durch die Fenster 50 a, die Fenster 40 a und das
Substrat 32 bis zu der Vorlage 52 fort. Eine Reflexion von
der Vorlage 52 wird auf den einzelnen Sensorelementen 44
durch die ihnen zugeordneten Miniaturlinsen 38 fokussiert
und mittels der Sensorelemente 44 gelesen. Ein Versuch hat
gezeigt, daß, wenn die Fenster 50 a jeweils eine Größe von
50 µm × 40 µm haben und die Beleuchtungsstärke auf der Vorlagenoberfläche
etwa 100 lx ist, eine Modulationstransferfunktion
(MTF) von bis zu 0,7 erreicht wird.
Wie oben beschrieben, ist in dieser Ausführungsform der
Sensor 30 grundsätzlich identisch mit einem direkt beaufschlagbaren
bzw. detektierbaren a-Si-Bildsensor, in welchem
die lichtabfangende Schicht 40, die Isolierschicht 42, Sensorelemente
44 und Elektroden nacheinander vorgesehen sind.
Das Sensorsubstrat 32 ist aus zwei Glassubstratteilen 32 a
und 32 b hergestellt, welche so miteinander verbunden sind,
daß dazwischen die Miniaturlinsenanordnung 38 angeordnet
ist, so daß Bilder auf einer Vorlage durch die zugeordneten
Miniaturlinsen 38 auf den Sensorelementen 44 fokussiert werden.
Hierdurch ist die Verschlechterung von Bildelementen
ausgeschaltet, welche bisher durch die Adhäsion der Sensorelemente
und eines Substrats zustande gebracht worden ist.
Das Substrat 32 ist bezüglich dynamischer Beanspruchungen
steif und fest und daher auch dauerhaft haltbar. Da die Reflexion
von einer Vorlage durch die Miniaturlinsenanordnung
38 auf den Sensorelementen 44 fokussiert wird, kann die
Ausgangsleistung (im Falle einer Beleuchtungsstärke von
2500 lx) gegenüber dem herkömmlichen System um eine Stelle
verbessert werden; hierdurch ist ein Auflösungsvermögen von
16 Punkten/mm realisiert.
In Fig. 5 ist eine weitere Ausführungsform der Erfindung dargestellt,
wobei dieselben oder ähnliche Elemente mit den
gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind, wie die Elemente,
welche in Fig. 2 bis 4 dargestellt sind. Der in Fig. 5 dargestellte
Aufbau entspricht im wesentlichen demjenigen der
Fig. 2 bis 4, außer daß die konvexen Zylinderlinsen in der
Anordnung 38 durch konkave Zylinderlinsen ersetzt sind, welche
in einer Anordnung 56 vorgesehen sind. Ein Sensorsubstrat
54 weist zwei Glassubstratteile 54 a und 54 b, zwischen
welchen die Miniaturlinsenanordnung 56 vorgesehen ist. Die
Linsenanordnung 56 kann dadurch hergestellt werden, daß beispielsweise
Vertiefungen 58 und 60 in den Substrateilen 54 a
und 54 b mit Trockenstickstoff gefüllt werden. Auch in diesem
Fall werden Bilder auf einer Vorlage mit Erfolg auf den einzelnen
Sensorelementen 44 fokussiert. Bei dieser Ausführungsform
wurden MTF-Werte von bis zu 0,6 gemessen.
Durch die Erfindung ist somit ein direkt beaufschlagbarer
bzw. detektierbarer Bildsensor geschaffen, welcher eine
ausreichende dynamische Steifigkeit und damit Haltbarkeit
hat und infolge einer Anordnung von Miniaturlinsen eine
hohe Ausgangsleistung und ein hohes Auflösungsvermögem
aufweist. Ferner weist der erfindungsgemäße Bildsensor
keine Verschlechterungen auf, welche sonst bei einem Sensor
infolge Adhäsion eines Sensors und eines Sensorsbustrats
hervorgerufen worden sind.
Claims (18)
1. Bildsensor zum Lesen von einer Vorlage aufgezeichneten
Bildern, gekennzeichnet durch
erste und zweite Substratteile (32 a, 32 b; 54 a, 54 b), die jeweils
aus einem transparenten Material hergestellt sind und
an einer Fläche miteinander verbunden sind, um ein Sensorsubstrat
(32;54) zu bilden;
eine Anordnung von Miniaturlinsen (38;56), welche aus einem Material hergestellt sind, dessen Brechungsindex sich von demjenigen der beiden Substratteile (32 a, 32 b; 54 a, 54 b) unterscheidet, wobei die Miniaturlinsen in der Grenzfläche zwischen den ersten und zweiten Substratteilen (32 a, 32 b; 54 a, 54 b) angeordnet sind, und
eine Sensoreinrichtung (44, 46), welche auf einer Oberfläche des einen (32 b; 54 b) der beiden Substratteile (32 a, 32 b; 54 a, 54 b) vorgesehen ist.
eine Anordnung von Miniaturlinsen (38;56), welche aus einem Material hergestellt sind, dessen Brechungsindex sich von demjenigen der beiden Substratteile (32 a, 32 b; 54 a, 54 b) unterscheidet, wobei die Miniaturlinsen in der Grenzfläche zwischen den ersten und zweiten Substratteilen (32 a, 32 b; 54 a, 54 b) angeordnet sind, und
eine Sensoreinrichtung (44, 46), welche auf einer Oberfläche des einen (32 b; 54 b) der beiden Substratteile (32 a, 32 b; 54 a, 54 b) vorgesehen ist.
2. Bildsensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß eine lichtabfangende Fläche (40) auf
der einen Oberfläche des einen Substrats (32 b) vorgesehen
und mit Fenstern (40 a) zum Beleuchten einer Vorlage versehen
ist, und daß auf der lichtabfangenden Schicht (40) eine Isolierschicht
(42) vorgesehen ist, auf welcher wiederum die
Sensoreinrichtung (44, 46) vorgesehen ist.
3. Bildsensor nach Anspruch 2, gekennzeichnet
durch eine Schutzschicht (48), welche eine Oberfläche der
Isolierschicht (42) und die Sensoreinrichtung (44, 46)
gänzlich bedeckt, und mit Fenstern (50 a) für einen Lichteinfall
versehen ist.
4. Bildsensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die beiden Substratteile (32 a, 32 b;
54 a, 54 b) aus Borosilikatglas hergestellt sind.
5. Bildsensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Miniaturlinsen (38; 56) aus amorphem
Diamantmaterial hergestellt sind.
6. Bildsensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Sensoreinrichtung Sensorelemente
(44) und Elektroden (46) aufweist, welche die Sensorelemente
(44) in einem Verhältnis von eins-zu-eins tragen.
7. Bildsensor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die lichtabfangende Schicht (40) aus
NiCr hergestellt ist.
8. Bildsensor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die Isolierschicht (42) aus SiO2 hergestellt
ist.
9. Bildsensor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die Schutzschicht (48) aus Si3N4 hergestellt
ist.
10. Verfahren zum Herstellen eines Bildsensors zum Lesen
von auf einer Vorlage aufgezeichneten Bildern, dadurch
gekennzeichnet, daß
- (a) zwei flache Substratteile (32 a, 32 b, 54 a, 54 b) vorgesehen werden, welche aus einem transparenten Material hergestellt sind;
- (b) Vertiefungen (34, 36) mit einer vorherbestimmten Form an den Stellen einer Oberfläche der Substratteile (32 a, 32 b; 54 a, 54 b) ausgebildet werden, welche zueinander ausgerichtet sind;
- (c) die Oberflächen der Vertiefungen (34, 36) optisch poliert werden;
- (d) die Vertiefungen (34, 36) mit einer optischen Substanz gefüllt werden;
- (e) die Substratteile (32 a, 32 b; 54 a, 54 b) miteinander verbunden werden, wodurch eine Anordnung von Miniaturlinsen (38; 56) an der Grenzfläche zwischen den Substratteilen (32 a, 32 b; 54 a, 54 b) geschaffen ist;
- (f) eine lichtauffangende Schicht (40) auf einer Außenfläche eines der Substratteile (32 a, 32 b, 54 a, 54 b) vorgesehen wird, wobei die lichtabfangende Schicht (40) zum Beleuchten einer Vorlage mit Fenstern (40 a) versehen ist;
- (g) eine Isolierschicht (42) auf der lichtabfangenden Schicht (40) vorgesehen wird, und
- (h) Sensorelemente (44) und Elektroden (46) auf der Isolierschicht (42) vorgesehen werden.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,
daß
- (i) eine Schutzschicht (48) vorgesehen wird, welche die Isolierschicht (42), die Sensorelemente (44) und die Elektroden (46) gänzlich bedeckt.
12. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,
daß die flachen Substratteile (32 a, 32 b;
54 a, 54 b) jeweils ein 0,5 mm dickes Borsilikatglas-Substrat
aufweisen.
13. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,
daß die Vertiefungen (34, 36) einen Krümmungsradius
von 1 mm und eine Tiefe von 0,05 mm haben.
14. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,
daß die optische Substanz amorphes Diamantmaterial
aufweist, und daß beim Schritt (d) die Vertiefungen
(34, 36) durch ein Plasma-CVD-Verfahren mit dem
amorphen Diamantmaterial gefüllt werden.
15. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,
daß beim Schritt (f) die lichtabfangende
Schicht (40) und die Fenster (40 a) zum Beleuchten einer Vorlage
durch Aufdampfen von NiCr im Vakuum in einer Dicke von
2000 1Ð ] ausgebildet werden.
16. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,
daß die Isolierschicht (42) eine SiO2-
Schicht aufweist, welche 1 µm dick ist.
17. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet,
daß die Sensorelemente durch ein Plasma-
CVD-Verfahren durch eine a-Si : H-Schicht ausgebildet werden.
18. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet,
daß beim Schritt (i) die Schutzschicht (48)
durch ein Plasma-CVD-Verfahren aufgebracht wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60284370A JPS62144459A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 完全密着型センサ− |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3643576A1 true DE3643576A1 (de) | 1987-07-02 |
DE3643576C2 DE3643576C2 (de) | 1989-04-20 |
Family
ID=17677699
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19863643576 Granted DE3643576A1 (de) | 1985-12-19 | 1986-12-19 | Bildsensor und verfahren zu dessen herstellung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4733096A (de) |
JP (1) | JPS62144459A (de) |
DE (1) | DE3643576A1 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0594195A1 (de) * | 1992-10-23 | 1994-04-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Direktkontakt-Bildsensor, eine Bildsensoreinheit und Verfahren zu deren Herstellung |
WO1997021301A2 (de) * | 1995-12-06 | 1997-06-12 | Deutsche Telekom Ag | Bildaufnahmeeinrichtung |
WO1997046000A1 (de) * | 1996-05-29 | 1997-12-04 | Deutsche Telekom Ag | Einrichtung zur eingabe von informationen |
DE19720925B4 (de) * | 1996-05-29 | 2004-08-26 | Nawotec Gmbh | Einrichtung zur Eingabe von Informationen mittels eines sich der Einrichtung nähernden Gegenstandes |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6441370A (en) * | 1987-08-07 | 1989-02-13 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Picture reader |
US4970381A (en) * | 1989-04-28 | 1990-11-13 | At&T Bell Laboratories | Integrated optics facsimile apparatus |
US5299730A (en) * | 1989-08-28 | 1994-04-05 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for isolation of flux materials in flip-chip manufacturing |
US5834799A (en) * | 1989-08-28 | 1998-11-10 | Lsi Logic | Optically transmissive preformed planar structures |
US5504035A (en) * | 1989-08-28 | 1996-04-02 | Lsi Logic Corporation | Process for solder ball interconnecting a semiconductor device to a substrate using a noble metal foil embedded interposer substrate |
US5489804A (en) * | 1989-08-28 | 1996-02-06 | Lsi Logic Corporation | Flexible preformed planar structures for interposing between a chip and a substrate |
JPH03165569A (ja) * | 1989-11-24 | 1991-07-17 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 画像伝送素子及びその製造方法 |
EP0450780A3 (en) * | 1990-04-05 | 1992-04-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical microelement array and its production method |
US5241416A (en) * | 1990-05-14 | 1993-08-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Screen and projector using said screen |
WO1993022787A1 (en) * | 1992-04-28 | 1993-11-11 | Lsi Logic Corporation | Arrangement for mounting a lens to a solid state image sensor |
JP3088048B2 (ja) * | 1992-09-08 | 2000-09-18 | 日石三菱株式会社 | カラーフィルターの製造法 |
US5760834A (en) * | 1992-09-30 | 1998-06-02 | Lsi Logic | Electronic camera with binary lens element array |
US5529936A (en) * | 1992-09-30 | 1996-06-25 | Lsi Logic Corporation | Method of etching a lens for a semiconductor solid state image sensor |
US5340978A (en) * | 1992-09-30 | 1994-08-23 | Lsi Logic Corporation | Image-sensing display panels with LCD display panel and photosensitive element array |
US5359190A (en) * | 1992-12-31 | 1994-10-25 | Apple Computer, Inc. | Method and apparatus for coupling an optical lens to an imaging electronics array |
US5682266A (en) * | 1995-04-05 | 1997-10-28 | Eastman Kodak Company | Blur filter for eliminating aliasing in electrically sampled images |
US5770889A (en) * | 1995-12-29 | 1998-06-23 | Lsi Logic Corporation | Systems having advanced pre-formed planar structures |
US6124974A (en) * | 1996-01-26 | 2000-09-26 | Proxemics | Lenslet array systems and methods |
US5973844A (en) * | 1996-01-26 | 1999-10-26 | Proxemics | Lenslet array systems and methods |
US5696371A (en) * | 1996-05-23 | 1997-12-09 | Eastman Kodak Company | Diffractive/refractive lenslet array |
US5751492A (en) * | 1996-06-14 | 1998-05-12 | Eastman Kodak Company | Diffractive/Refractive lenslet array incorporating a second aspheric surface |
US6141048A (en) * | 1996-08-19 | 2000-10-31 | Eastman Kodak Company | Compact image capture device |
US6137535A (en) * | 1996-11-04 | 2000-10-24 | Eastman Kodak Company | Compact digital camera with segmented fields of view |
JPH10285331A (ja) * | 1997-04-10 | 1998-10-23 | Canon Inc | イメージセンサおよびこのイメージセンサを用いた情報処理装置 |
JP2004088713A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-03-18 | Olympus Corp | 撮像レンズユニットおよび撮像装置 |
EP1773178B1 (de) * | 2004-07-19 | 2009-03-11 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Videoendoskopievorrichtung |
CN105158038B (zh) * | 2015-09-02 | 2018-01-09 | 中国工程物理研究院流体物理研究所 | 一种用于动态加载过程前样品升温的方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3145952C2 (de) * | 1981-11-20 | 1984-05-03 | Triumph-Adler Aktiengesellschaft für Büro- und Informationstechnik, 8500 Nürnberg | Anordnung zur Beleuchtung und Abbildung einer Bildvorlage für ein Bildsensorarray |
JPS59134974A (ja) * | 1983-01-24 | 1984-08-02 | Hitachi Ltd | 光電変換装置 |
JPS60134486A (ja) * | 1983-12-22 | 1985-07-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4695719A (en) * | 1983-12-05 | 1987-09-22 | Honeywell Inc. | Apparatus and method for opto-electronic package |
-
1985
- 1985-12-19 JP JP60284370A patent/JPS62144459A/ja active Pending
-
1986
- 1986-12-15 US US06/941,742 patent/US4733096A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-12-19 DE DE19863643576 patent/DE3643576A1/de active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3145952C2 (de) * | 1981-11-20 | 1984-05-03 | Triumph-Adler Aktiengesellschaft für Büro- und Informationstechnik, 8500 Nürnberg | Anordnung zur Beleuchtung und Abbildung einer Bildvorlage für ein Bildsensorarray |
JPS59134974A (ja) * | 1983-01-24 | 1984-08-02 | Hitachi Ltd | 光電変換装置 |
JPS60134486A (ja) * | 1983-12-22 | 1985-07-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0594195A1 (de) * | 1992-10-23 | 1994-04-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Direktkontakt-Bildsensor, eine Bildsensoreinheit und Verfahren zu deren Herstellung |
US5477047A (en) * | 1992-10-23 | 1995-12-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Direct-contact type image sensor device, an image sensor unit, and methods for producing the same |
US5556809A (en) * | 1992-10-23 | 1996-09-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Direct-contact type image sensor device, an image sensor unit, and methods for producing the same |
WO1997021301A2 (de) * | 1995-12-06 | 1997-06-12 | Deutsche Telekom Ag | Bildaufnahmeeinrichtung |
WO1997021301A3 (de) * | 1995-12-06 | 1997-07-17 | Deutsche Telekom Ag | Bildaufnahmeeinrichtung |
WO1997046000A1 (de) * | 1996-05-29 | 1997-12-04 | Deutsche Telekom Ag | Einrichtung zur eingabe von informationen |
US6504143B2 (en) | 1996-05-29 | 2003-01-07 | Deutsche Telekom Ag | Device for inputting data |
DE19720925B4 (de) * | 1996-05-29 | 2004-08-26 | Nawotec Gmbh | Einrichtung zur Eingabe von Informationen mittels eines sich der Einrichtung nähernden Gegenstandes |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3643576C2 (de) | 1989-04-20 |
US4733096A (en) | 1988-03-22 |
JPS62144459A (ja) | 1987-06-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3643576A1 (de) | Bildsensor und verfahren zu dessen herstellung | |
DE69926769T2 (de) | Szintillatorpanel, strahlungsbildsensor und verfahren zu deren herstellung | |
DE3611852C2 (de) | ||
DE69825674T2 (de) | Rückbeleuchteter Fotodetektor und Methode zu dessen Herstellung | |
DE69913433T2 (de) | Planare Mikrolinsenanordnung und Verfahren zur deren Herstellung | |
DE19509179C2 (de) | Beschleunigungssensor zum Detektieren einer Drehbeschleunigung | |
EP0335104A2 (de) | Vorrichtung zum optischen Verbinden eines oder mehrerer optischer Sender mit einem oder mehreren optischen Detektoren eines oder mehrerer integrierter Schaltkreise | |
WO2008006504A2 (de) | Verfahren zur herstellung optoelektronischer bauelemente und damit hergestellte erzeugnisse | |
EP0343366A1 (de) | Kamera | |
DE10004891A1 (de) | Fokalfläche und Detektor für optoelektronische Bildaufnahmesysteme, Herstellungsverfahren und optoelektronisches Bildaufnahmesystem | |
DE3031759C2 (de) | ||
DE3500645C2 (de) | Fotosensoranordnung | |
EP0090066B1 (de) | Festkörper-Fernsehkamera | |
DE102019211002B4 (de) | Optisches system und verfahren zum herstellen eines optischen systems | |
DE3528947A1 (de) | Reflexionsbeugungsgitter mit hohem wirkungsgrad | |
DE2944325C2 (de) | Passives elektrooptisches Anzeigeelement | |
DE69828939T2 (de) | Infrarot-durchsichtige fensterstruktur | |
DE3645184C2 (de) | ||
DE3734849C2 (de) | Elektrooptische Abblendeinrichtung | |
DE60316114T2 (de) | Rekonfigurierbare detektoranordnung | |
DE3129114A1 (de) | Vorrichtung zum abteilen eines teils des auf ein optisches abbildungssystem einfallenden lichts | |
DE602005005876T2 (de) | Anti-aliasing optischer Filter für Bildsensor | |
DE3534186C2 (de) | Festkörper-Bildwandleranordnung | |
DE3820171C2 (de) | ||
DE2924068C2 (de) | Verfahren zur Herstellung koplanarer optoelektronischer Koppelelemente |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |