DE3643576A1 - Bildsensor und verfahren zu dessen herstellung - Google Patents

Bildsensor und verfahren zu dessen herstellung

Info

Publication number
DE3643576A1
DE3643576A1 DE19863643576 DE3643576A DE3643576A1 DE 3643576 A1 DE3643576 A1 DE 3643576A1 DE 19863643576 DE19863643576 DE 19863643576 DE 3643576 A DE3643576 A DE 3643576A DE 3643576 A1 DE3643576 A1 DE 3643576A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
image sensor
layer
light
substrate parts
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19863643576
Other languages
English (en)
Other versions
DE3643576C2 (de
Inventor
Hiroyuki Horiguchi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Publication of DE3643576A1 publication Critical patent/DE3643576A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3643576C2 publication Critical patent/DE3643576C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14665Imagers using a photoconductor layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1464Back illuminated imager structures
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N1/00Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
    • H04N1/024Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
    • H04N1/028Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
    • H04N1/03Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
    • H04N1/031Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Facsimile Heads (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft einen Bildsensor und ein Verfahren zu dessen Herstellung, und betrifft insbesondere einen direkt beaufschlagbaren bzw. detektierbaren Bildsensor, der in einer Vorlagenleseeinrichtung eines Faksimilegeräts u. ä. anwendbar ist, und betrifft insbesondere ein Verfahren zu dessen Herstellung.
Für herkömmliche Vorlagenleseeinrichtungen oder -leser, wie sie beispielsweise in einem Faksimileendgerät installiert sind, ist vor kurzem ein sogenannter direkt beaufschlagbarer bzw. detektierbarer (directly detectable) Bildsensor entwickelt worden, wie er beispielsweise in der offengelegten japanischen Patentanmeldung Nr. 60-134 486 oder einer Veröffentlichung mit dem Titel "A STUDY ON STRUCTURE OF DIRECTLY DETECTABLE IMAGE SENSOR", Institute of Electronics and Communication Engineers of Japan, Report ED81-35 beschrieben ist. Alle die beschriebenen Sensoren weisen ein Substrat aus Glas, eine lichtabfangende Schicht, eine Isolierschicht, Sensorelemente und Elektroden, welche auf dem Substrat unter Zwischenschaltung der lichtabfangenden und Isolierschichten angeordnet sind, und eine transparente Schutzschicht auf, welche auf den Sensorelementen und Elektroden vorgesehen ist und in einer dünnen Glasschicht ausgeführt ist.
Eine Vorlage liegt auf der Schutzschicht und ist an dieser in satter Anlage gehalten, so daß die Sensorelemente Bilder lesen können, welche auf der Vorlage aufgezeichnet sind. Insbesondere die lichtabfangende Schicht und die Elektroden sind einzeln mit Fenster versehen, um Licht, welches über das Substrat auf den Sensor auftrifft, zu der Vorlage zu leiten; die Sensorelemente sind bezüglich einer Reflexion von der Vorlage empfindlich.
Eine Voraussetzung bei jedem der herkömmlichen Bildsensoren der beschriebenen Art besteht darin, um eine ausreichende Ausgangsleistung für eine Modulationstransferfunktion (MTF) in der Größenordnung von 0,6 zu erhalten, sollte die transparente Schutzschicht 75 µm dick sein, die Fenster sollten eine Größe von 90 µm × 60 µm haben, und die Beleuchtungsstärke auf der Vorlagenoberfläche sollte etwa 2.500 lx sein. Unter dieser Voraussetzung sollte die Schutzschicht mit einer Glasschicht versehen sein, welche etwa 70 bis 80 µm dünn ist. Eine Schwierigkeit bei einer derart dünnen Schutzschicht besteht darin, daß sie die Sensorelemente infolge von Adhäsion oder deren Haftwirkung verschlechtert und bei dynamischen Einwirkungen zerbrechlich ist, wodurch die Ausbeute begrenzt wird. Eine weitere Schwierigkeit besteht darin, daß im Falle des Einbaus eines solchen Sensors beispielsweise in ein Faksimileendgerät, den äußeren Kräften, durch welche der Sensor beschädigt werden kann, eine besondere Beachtung geschenkt werden muß; dies wiederum führt zu einer Kostenerhöhung. Ferner ist es schwierig, einen Bildsensor mit einem hohen Auflösungsvermögen von beispielsweise 16 Punkten/mm zu schaffen, da jedes der Fenster etwa 90 µm × 60 µm groß sein sollte. Insbesondere kann keines der herkömmlichen Systeme eine Auflösung von 16 Punkten/mm erreichen, wenn nicht die Fenster in der Größe halbiert sind, und die Schutzschicht mit einer Glasschicht versehen ist, deren Dicke geringer als etwa 30 µm ist. Hierdurch würde aber nicht nur die Sensorausgangsleistung erniedrigt, sondern auch die Zerbrechlichkeit des Sensors wird größer.
Gemäß der Erfindung soll daher ein direkt beaufschlagbarer bzw. detektierbarer Bildsensor für einen Vorlagenleser geschaffen werden, welcher ein hohes Auflösungsvermögen und eine hohe Ausgangsleistung erreicht, und es soll ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bildsensors geschaffen werden. Darüber hinaus soll ein unmittelbar beaufschlagbarer bzw. ein detektierbarer Bildsensor für einen Bildleser, welcher bezüglich dynamischer Beanspruchungen steif und dauerhaft ist, und ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Sensors geschaffen werden. Schließlich soll noch ein unmittelbar beaufschlagbarer Bildsensor für einen Bildleser, welcher frei von negativen Beeinflussungen infolge einer Adhäsion des Sensors und eines Substrates ist, sowie ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Sensors geschaffen werden.
Gemäß der Erfindung ist dies bei einem Bildsensor nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 bzw. bei einem Verfahren zum Herstellen eines solchen Bildsensors nach dem Oberbegriff des Anspruchs 10 erreicht. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der jeweiligen auf die Ansprüche 1 bzw. 10 rückbezogenen Unteransprüche. Durch die Erfindung ist somit ein insgesamt verbesserter unmittelbar detektierbarer bzw. beaufschlagbarer Bildsensor sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung geschaffen.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand von bevorzugten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die anliegenden Zeichnungen im einzelnen erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 einen Abschnitt eines herkömmlichen direkt beaufschlagbaren Bildsensors;
Fig. 2 einen Abschnitt eines direkt beaufschlagbaren bzw. detektierbaren Bildsensors gemäß der Erfindung und ein Verfahren zu dessen Herstellung;
Fig. 3 ein Abschnitt eines Glassubtrats, welches in dem Sensor der Fig. 2 vorgesehen ist;
Fig. 4 eine perspektivische Anschicht des Glassubstrats und
Fig. 5 einen Abschnitt einer weiteren Ausführungsform der Erfindung und eines Verfahrens zu dessen Herstellung.
Zum besseren Verständnis der Erfindung wird zuerst kurz ein herkömmlicher direkt beaufschlagbarer bzw. detektierbarer Bildsensor sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung anhand von Fig. 1 beschrieben. Wie in Fig. 1 dargestellt, weist der in seiner Gesamtheit mit 10 bezeichnete, herkömmliche Bildsensor der beschriebenen Art ein Glassubstrat 12, eine lichtabfangende Schicht 14 und eine Isolier- oder Schutzschicht 16 auf, welche nacheinander auf dem Substrat 12 vorgesehen sind. Sensorelemente 18 und Elektroden 20 sind auf dem Substrat 12 angeordnet, wobei die Schichten 14 und 16 dazwischen liegen. Ferner ist eine transparente Schutzschicht 22, welche eine dünne Schicht aus Glas aufweist, auf den Sensorelementen 18 und den Elektroden 20 vorgesehen. Eine Vorlage 24 liegt satt auf der Schutzschicht 22 auf, so daß die Sensorelemente 18 Bilder lesen können, welche auf der Vorlage 24 aufgebracht sind. Insbesondere die lichtabfangende Schicht 14 und die Elektroden 20 sind jeweils mit Fenstern 26 versehen, um so über das Substrat 12 Licht zu leiten, welches auf den Sensor 10 auftrifft; die Sensorelemente 8 sind empfindlich bezüglich einer Reflexion von der Vorlage 24. Bei dem herkömmlichen unmittelbar beaufschlagbaren Sensor 10 mit dem vorstehend beschriebenen Aufbau haben sich verschiedene eingangs angeführte Schwierigkeiten ergeben.
Anhand von Fig. 2 bis 4 werden daher ein direkt beaufschlagbarer bzw. detektierbarer Bildsensor gemäß der Erfindung und ein Verfahren zu dessen Herstellung beschrieben. Wie dargestellt, weist der in seiner Gesamtheit mit 30 bezeichnete Bildsensor ein Sensorsubstrat 32 auf, welches aus zwei Glassubstratteilen 32 a und 32 b gebildet ist, welche miteinander verbunden sind. Insbesondere das Glassubstratteil 32 a weist in seiner rückseitigen Oberfläche Ausnehmungen 34 auf, welche genau bezüglich der Stellen ausgerichtet sind, an welchen Sensorteilchen (bits) festzulegen sind; das Glassubstratteil 32 b ist mit Ausnehmungen 36 versehen, welche identisch mit den Ausnehmungen 34 sind. Die Ausnehmungen 34 bzw. 36 legen die eine und die andere Hälfte einer Linsenanordnung 38 fest. Ein Material, dessen Brechungsindex sich von demjenigen der Substratteile 32 a und 32 b unterscheidet, wird in die Ausnehmungen 34 und 36 gefüllt, um dadurch die Miniaturlinsenanordnung 38 zu schaffen. Eine lichtabfangende Schicht 40 mit Fenstern 40 a und eine Isolier- bzw. Schutzschicht 42 werden auf einer Hauptfläche des Substrats 32, d. h. der Oberfläche des Substratteils 32 b vorgesehen, nachdem Sensorelemente 44, Elektroden 46 und eine Schutzschicht 48 nacheinander vorgesehen sind. Dann wird eine weitere lichtabfangende Schicht 50 mit Fenstern 50 a auf der Schutzschicht 48 aufgebracht. Bei dieser Ausführung ist eine Vorlage 52 die auf die andere Oberfläche des Substrats 32, d. h. der Oberfläche des Substrateils 32 a zu legen.
Insbesondere die Substratteile 32 a und 32 b sind jeweils aus Borsilikatglas hergestellt und haben eine Dicke von 0,5 mm. Die Vertiefungen 34 und 36 sind in den Substrateilen 32 a bzw. 32 b mit einem Krümmungsradius von 1 mm und einer Dicke bzw. Tiefe von etwa 0,05 mm ausgebildet. Danach werden die Substrateile optisch poliert (siehe Fig. 3). Die Vertiefungen 34 und 36 werden mittels eines Plasma-CVD-Verfahrens mit einem amorphen Diamantmaterial gefüllt, und die Substratteile 32 a und 32 b werden dann so miteinander verbunden, daß dazwischen die Miniarturlinsenanordnung 38 angeordnet ist, wobei jede der Miniaturlinsen 38 als eine konvexe Zylinderlinse dient (siehe Fig. 4). Das sich ergebende Sensorsubstrat 32 wird durch Aufdampfen im Vakuum von NiCr in einer Dicke von 2000 Å mit der lichtabfangenden Schicht 40 und Fenstern 40 a versehen; anschließend wird SiO2 in einer Dicke von etwa 1 µm aufgebracht, um dadurch die Isolier- oder Schutzschicht 42 auszubilden. Dann wird eine a-Si : H-Schicht mittels des Plasma CVD-Verfahrens auf der Isolier- oder Schutzschicht 42 vorgesehen, so daß die Sensorelemente 44 in einem Bitmuster von 16 Punkten/mm in den Abbildungsteilen ausgebildet sind, welche durch die einzelnen Miniarturlinsen 38 festgelegt sind. Ferner werden die Elektroden 46 in der Weise vorgesehen, daß sie die Sensorelemente 44 tragen. Die Schutzschicht 48 kann eine Si3N4- Schicht aufweisen, welche ebenfalls mittels des Plasma- CVD-Verfahrens aufgebracht wird. Die Lichtisolier- bzw. Schutzschicht 50 kann beispielsweise aus NiCr hergestellt werden.
Wie in Fig. 2 dargestellt, wird die Vorlage 52 auf die Fläche des Substratteils 32 a gelegt, welche der Oberfläche des Substratteils 32 b, in welcher die Sensorelemente 44 vorgesehen sind, abgewandt ist. Licht fällt dann auf die Seite des Sensors 30, welche die Sensorelemente 40 verbindet, und pflanzt sich durch die Fenster 50 a, die Fenster 40 a und das Substrat 32 bis zu der Vorlage 52 fort. Eine Reflexion von der Vorlage 52 wird auf den einzelnen Sensorelementen 44 durch die ihnen zugeordneten Miniaturlinsen 38 fokussiert und mittels der Sensorelemente 44 gelesen. Ein Versuch hat gezeigt, daß, wenn die Fenster 50 a jeweils eine Größe von 50 µm × 40 µm haben und die Beleuchtungsstärke auf der Vorlagenoberfläche etwa 100 lx ist, eine Modulationstransferfunktion (MTF) von bis zu 0,7 erreicht wird.
Wie oben beschrieben, ist in dieser Ausführungsform der Sensor 30 grundsätzlich identisch mit einem direkt beaufschlagbaren bzw. detektierbaren a-Si-Bildsensor, in welchem die lichtabfangende Schicht 40, die Isolierschicht 42, Sensorelemente 44 und Elektroden nacheinander vorgesehen sind. Das Sensorsubstrat 32 ist aus zwei Glassubstratteilen 32 a und 32 b hergestellt, welche so miteinander verbunden sind, daß dazwischen die Miniaturlinsenanordnung 38 angeordnet ist, so daß Bilder auf einer Vorlage durch die zugeordneten Miniaturlinsen 38 auf den Sensorelementen 44 fokussiert werden. Hierdurch ist die Verschlechterung von Bildelementen ausgeschaltet, welche bisher durch die Adhäsion der Sensorelemente und eines Substrats zustande gebracht worden ist. Das Substrat 32 ist bezüglich dynamischer Beanspruchungen steif und fest und daher auch dauerhaft haltbar. Da die Reflexion von einer Vorlage durch die Miniaturlinsenanordnung 38 auf den Sensorelementen 44 fokussiert wird, kann die Ausgangsleistung (im Falle einer Beleuchtungsstärke von 2500 lx) gegenüber dem herkömmlichen System um eine Stelle verbessert werden; hierdurch ist ein Auflösungsvermögen von 16 Punkten/mm realisiert.
In Fig. 5 ist eine weitere Ausführungsform der Erfindung dargestellt, wobei dieselben oder ähnliche Elemente mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind, wie die Elemente, welche in Fig. 2 bis 4 dargestellt sind. Der in Fig. 5 dargestellte Aufbau entspricht im wesentlichen demjenigen der Fig. 2 bis 4, außer daß die konvexen Zylinderlinsen in der Anordnung 38 durch konkave Zylinderlinsen ersetzt sind, welche in einer Anordnung 56 vorgesehen sind. Ein Sensorsubstrat 54 weist zwei Glassubstratteile 54 a und 54 b, zwischen welchen die Miniaturlinsenanordnung 56 vorgesehen ist. Die Linsenanordnung 56 kann dadurch hergestellt werden, daß beispielsweise Vertiefungen 58 und 60 in den Substrateilen 54 a und 54 b mit Trockenstickstoff gefüllt werden. Auch in diesem Fall werden Bilder auf einer Vorlage mit Erfolg auf den einzelnen Sensorelementen 44 fokussiert. Bei dieser Ausführungsform wurden MTF-Werte von bis zu 0,6 gemessen.
Durch die Erfindung ist somit ein direkt beaufschlagbarer bzw. detektierbarer Bildsensor geschaffen, welcher eine ausreichende dynamische Steifigkeit und damit Haltbarkeit hat und infolge einer Anordnung von Miniaturlinsen eine hohe Ausgangsleistung und ein hohes Auflösungsvermögem aufweist. Ferner weist der erfindungsgemäße Bildsensor keine Verschlechterungen auf, welche sonst bei einem Sensor infolge Adhäsion eines Sensors und eines Sensorsbustrats hervorgerufen worden sind.

Claims (18)

1. Bildsensor zum Lesen von einer Vorlage aufgezeichneten Bildern, gekennzeichnet durch erste und zweite Substratteile (32 a, 32 b; 54 a, 54 b), die jeweils aus einem transparenten Material hergestellt sind und an einer Fläche miteinander verbunden sind, um ein Sensorsubstrat (32;54) zu bilden;
eine Anordnung von Miniaturlinsen (38;56), welche aus einem Material hergestellt sind, dessen Brechungsindex sich von demjenigen der beiden Substratteile (32 a, 32 b; 54 a, 54 b) unterscheidet, wobei die Miniaturlinsen in der Grenzfläche zwischen den ersten und zweiten Substratteilen (32 a, 32 b; 54 a, 54 b) angeordnet sind, und
eine Sensoreinrichtung (44, 46), welche auf einer Oberfläche des einen (32 b; 54 b) der beiden Substratteile (32 a, 32 b; 54 a, 54 b) vorgesehen ist.
2. Bildsensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine lichtabfangende Fläche (40) auf der einen Oberfläche des einen Substrats (32 b) vorgesehen und mit Fenstern (40 a) zum Beleuchten einer Vorlage versehen ist, und daß auf der lichtabfangenden Schicht (40) eine Isolierschicht (42) vorgesehen ist, auf welcher wiederum die Sensoreinrichtung (44, 46) vorgesehen ist.
3. Bildsensor nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch eine Schutzschicht (48), welche eine Oberfläche der Isolierschicht (42) und die Sensoreinrichtung (44, 46) gänzlich bedeckt, und mit Fenstern (50 a) für einen Lichteinfall versehen ist.
4. Bildsensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Substratteile (32 a, 32 b; 54 a, 54 b) aus Borosilikatglas hergestellt sind.
5. Bildsensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Miniaturlinsen (38; 56) aus amorphem Diamantmaterial hergestellt sind.
6. Bildsensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Sensoreinrichtung Sensorelemente (44) und Elektroden (46) aufweist, welche die Sensorelemente (44) in einem Verhältnis von eins-zu-eins tragen.
7. Bildsensor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die lichtabfangende Schicht (40) aus NiCr hergestellt ist.
8. Bildsensor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht (42) aus SiO2 hergestellt ist.
9. Bildsensor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht (48) aus Si3N4 hergestellt ist.
10. Verfahren zum Herstellen eines Bildsensors zum Lesen von auf einer Vorlage aufgezeichneten Bildern, dadurch gekennzeichnet, daß
  • (a) zwei flache Substratteile (32 a, 32 b, 54 a, 54 b) vorgesehen werden, welche aus einem transparenten Material hergestellt sind;
  • (b) Vertiefungen (34, 36) mit einer vorherbestimmten Form an den Stellen einer Oberfläche der Substratteile (32 a, 32 b; 54 a, 54 b) ausgebildet werden, welche zueinander ausgerichtet sind;
  • (c) die Oberflächen der Vertiefungen (34, 36) optisch poliert werden;
  • (d) die Vertiefungen (34, 36) mit einer optischen Substanz gefüllt werden;
  • (e) die Substratteile (32 a, 32 b; 54 a, 54 b) miteinander verbunden werden, wodurch eine Anordnung von Miniaturlinsen (38; 56) an der Grenzfläche zwischen den Substratteilen (32 a, 32 b; 54 a, 54 b) geschaffen ist;
  • (f) eine lichtauffangende Schicht (40) auf einer Außenfläche eines der Substratteile (32 a, 32 b, 54 a, 54 b) vorgesehen wird, wobei die lichtabfangende Schicht (40) zum Beleuchten einer Vorlage mit Fenstern (40 a) versehen ist;
  • (g) eine Isolierschicht (42) auf der lichtabfangenden Schicht (40) vorgesehen wird, und
  • (h) Sensorelemente (44) und Elektroden (46) auf der Isolierschicht (42) vorgesehen werden.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß
  • (i) eine Schutzschicht (48) vorgesehen wird, welche die Isolierschicht (42), die Sensorelemente (44) und die Elektroden (46) gänzlich bedeckt.
12. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die flachen Substratteile (32 a, 32 b; 54 a, 54 b) jeweils ein 0,5 mm dickes Borsilikatglas-Substrat aufweisen.
13. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Vertiefungen (34, 36) einen Krümmungsradius von 1 mm und eine Tiefe von 0,05 mm haben.
14. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die optische Substanz amorphes Diamantmaterial aufweist, und daß beim Schritt (d) die Vertiefungen (34, 36) durch ein Plasma-CVD-Verfahren mit dem amorphen Diamantmaterial gefüllt werden.
15. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß beim Schritt (f) die lichtabfangende Schicht (40) und die Fenster (40 a) zum Beleuchten einer Vorlage durch Aufdampfen von NiCr im Vakuum in einer Dicke von 2000 1Ð ] ausgebildet werden.
16. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht (42) eine SiO2- Schicht aufweist, welche 1 µm dick ist.
17. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Sensorelemente durch ein Plasma- CVD-Verfahren durch eine a-Si : H-Schicht ausgebildet werden.
18. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß beim Schritt (i) die Schutzschicht (48) durch ein Plasma-CVD-Verfahren aufgebracht wird.
DE19863643576 1985-12-19 1986-12-19 Bildsensor und verfahren zu dessen herstellung Granted DE3643576A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60284370A JPS62144459A (ja) 1985-12-19 1985-12-19 完全密着型センサ−

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3643576A1 true DE3643576A1 (de) 1987-07-02
DE3643576C2 DE3643576C2 (de) 1989-04-20

Family

ID=17677699

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19863643576 Granted DE3643576A1 (de) 1985-12-19 1986-12-19 Bildsensor und verfahren zu dessen herstellung

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4733096A (de)
JP (1) JPS62144459A (de)
DE (1) DE3643576A1 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0594195A1 (de) * 1992-10-23 1994-04-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Direktkontakt-Bildsensor, eine Bildsensoreinheit und Verfahren zu deren Herstellung
WO1997021301A2 (de) * 1995-12-06 1997-06-12 Deutsche Telekom Ag Bildaufnahmeeinrichtung
WO1997046000A1 (de) * 1996-05-29 1997-12-04 Deutsche Telekom Ag Einrichtung zur eingabe von informationen
DE19720925B4 (de) * 1996-05-29 2004-08-26 Nawotec Gmbh Einrichtung zur Eingabe von Informationen mittels eines sich der Einrichtung nähernden Gegenstandes

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6441370A (en) * 1987-08-07 1989-02-13 Nippon Sheet Glass Co Ltd Picture reader
US4970381A (en) * 1989-04-28 1990-11-13 At&T Bell Laboratories Integrated optics facsimile apparatus
US5299730A (en) * 1989-08-28 1994-04-05 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for isolation of flux materials in flip-chip manufacturing
US5834799A (en) * 1989-08-28 1998-11-10 Lsi Logic Optically transmissive preformed planar structures
US5504035A (en) * 1989-08-28 1996-04-02 Lsi Logic Corporation Process for solder ball interconnecting a semiconductor device to a substrate using a noble metal foil embedded interposer substrate
US5489804A (en) * 1989-08-28 1996-02-06 Lsi Logic Corporation Flexible preformed planar structures for interposing between a chip and a substrate
JPH03165569A (ja) * 1989-11-24 1991-07-17 Nippon Sheet Glass Co Ltd 画像伝送素子及びその製造方法
EP0450780A3 (en) * 1990-04-05 1992-04-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical microelement array and its production method
US5241416A (en) * 1990-05-14 1993-08-31 Canon Kabushiki Kaisha Screen and projector using said screen
WO1993022787A1 (en) * 1992-04-28 1993-11-11 Lsi Logic Corporation Arrangement for mounting a lens to a solid state image sensor
JP3088048B2 (ja) * 1992-09-08 2000-09-18 日石三菱株式会社 カラーフィルターの製造法
US5760834A (en) * 1992-09-30 1998-06-02 Lsi Logic Electronic camera with binary lens element array
US5529936A (en) * 1992-09-30 1996-06-25 Lsi Logic Corporation Method of etching a lens for a semiconductor solid state image sensor
US5340978A (en) * 1992-09-30 1994-08-23 Lsi Logic Corporation Image-sensing display panels with LCD display panel and photosensitive element array
US5359190A (en) * 1992-12-31 1994-10-25 Apple Computer, Inc. Method and apparatus for coupling an optical lens to an imaging electronics array
US5682266A (en) * 1995-04-05 1997-10-28 Eastman Kodak Company Blur filter for eliminating aliasing in electrically sampled images
US5770889A (en) * 1995-12-29 1998-06-23 Lsi Logic Corporation Systems having advanced pre-formed planar structures
US6124974A (en) * 1996-01-26 2000-09-26 Proxemics Lenslet array systems and methods
US5973844A (en) * 1996-01-26 1999-10-26 Proxemics Lenslet array systems and methods
US5696371A (en) * 1996-05-23 1997-12-09 Eastman Kodak Company Diffractive/refractive lenslet array
US5751492A (en) * 1996-06-14 1998-05-12 Eastman Kodak Company Diffractive/Refractive lenslet array incorporating a second aspheric surface
US6141048A (en) * 1996-08-19 2000-10-31 Eastman Kodak Company Compact image capture device
US6137535A (en) * 1996-11-04 2000-10-24 Eastman Kodak Company Compact digital camera with segmented fields of view
JPH10285331A (ja) * 1997-04-10 1998-10-23 Canon Inc イメージセンサおよびこのイメージセンサを用いた情報処理装置
JP2004088713A (ja) * 2002-06-27 2004-03-18 Olympus Corp 撮像レンズユニットおよび撮像装置
EP1773178B1 (de) * 2004-07-19 2009-03-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Videoendoskopievorrichtung
CN105158038B (zh) * 2015-09-02 2018-01-09 中国工程物理研究院流体物理研究所 一种用于动态加载过程前样品升温的方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3145952C2 (de) * 1981-11-20 1984-05-03 Triumph-Adler Aktiengesellschaft für Büro- und Informationstechnik, 8500 Nürnberg Anordnung zur Beleuchtung und Abbildung einer Bildvorlage für ein Bildsensorarray
JPS59134974A (ja) * 1983-01-24 1984-08-02 Hitachi Ltd 光電変換装置
JPS60134486A (ja) * 1983-12-22 1985-07-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光電変換装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4695719A (en) * 1983-12-05 1987-09-22 Honeywell Inc. Apparatus and method for opto-electronic package

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3145952C2 (de) * 1981-11-20 1984-05-03 Triumph-Adler Aktiengesellschaft für Büro- und Informationstechnik, 8500 Nürnberg Anordnung zur Beleuchtung und Abbildung einer Bildvorlage für ein Bildsensorarray
JPS59134974A (ja) * 1983-01-24 1984-08-02 Hitachi Ltd 光電変換装置
JPS60134486A (ja) * 1983-12-22 1985-07-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光電変換装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0594195A1 (de) * 1992-10-23 1994-04-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Direktkontakt-Bildsensor, eine Bildsensoreinheit und Verfahren zu deren Herstellung
US5477047A (en) * 1992-10-23 1995-12-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Direct-contact type image sensor device, an image sensor unit, and methods for producing the same
US5556809A (en) * 1992-10-23 1996-09-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Direct-contact type image sensor device, an image sensor unit, and methods for producing the same
WO1997021301A2 (de) * 1995-12-06 1997-06-12 Deutsche Telekom Ag Bildaufnahmeeinrichtung
WO1997021301A3 (de) * 1995-12-06 1997-07-17 Deutsche Telekom Ag Bildaufnahmeeinrichtung
WO1997046000A1 (de) * 1996-05-29 1997-12-04 Deutsche Telekom Ag Einrichtung zur eingabe von informationen
US6504143B2 (en) 1996-05-29 2003-01-07 Deutsche Telekom Ag Device for inputting data
DE19720925B4 (de) * 1996-05-29 2004-08-26 Nawotec Gmbh Einrichtung zur Eingabe von Informationen mittels eines sich der Einrichtung nähernden Gegenstandes

Also Published As

Publication number Publication date
DE3643576C2 (de) 1989-04-20
US4733096A (en) 1988-03-22
JPS62144459A (ja) 1987-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3643576A1 (de) Bildsensor und verfahren zu dessen herstellung
DE69926769T2 (de) Szintillatorpanel, strahlungsbildsensor und verfahren zu deren herstellung
DE3611852C2 (de)
DE69825674T2 (de) Rückbeleuchteter Fotodetektor und Methode zu dessen Herstellung
DE69913433T2 (de) Planare Mikrolinsenanordnung und Verfahren zur deren Herstellung
DE19509179C2 (de) Beschleunigungssensor zum Detektieren einer Drehbeschleunigung
EP0335104A2 (de) Vorrichtung zum optischen Verbinden eines oder mehrerer optischer Sender mit einem oder mehreren optischen Detektoren eines oder mehrerer integrierter Schaltkreise
WO2008006504A2 (de) Verfahren zur herstellung optoelektronischer bauelemente und damit hergestellte erzeugnisse
EP0343366A1 (de) Kamera
DE10004891A1 (de) Fokalfläche und Detektor für optoelektronische Bildaufnahmesysteme, Herstellungsverfahren und optoelektronisches Bildaufnahmesystem
DE3031759C2 (de)
DE3500645C2 (de) Fotosensoranordnung
EP0090066B1 (de) Festkörper-Fernsehkamera
DE102019211002B4 (de) Optisches system und verfahren zum herstellen eines optischen systems
DE3528947A1 (de) Reflexionsbeugungsgitter mit hohem wirkungsgrad
DE2944325C2 (de) Passives elektrooptisches Anzeigeelement
DE69828939T2 (de) Infrarot-durchsichtige fensterstruktur
DE3645184C2 (de)
DE3734849C2 (de) Elektrooptische Abblendeinrichtung
DE60316114T2 (de) Rekonfigurierbare detektoranordnung
DE3129114A1 (de) Vorrichtung zum abteilen eines teils des auf ein optisches abbildungssystem einfallenden lichts
DE602005005876T2 (de) Anti-aliasing optischer Filter für Bildsensor
DE3534186C2 (de) Festkörper-Bildwandleranordnung
DE3820171C2 (de)
DE2924068C2 (de) Verfahren zur Herstellung koplanarer optoelektronischer Koppelelemente

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee