JPS598369A - 光電変換装置の製造方法 - Google Patents
光電変換装置の製造方法Info
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- JPS598369A JPS598369A JP57117280A JP11728082A JPS598369A JP S598369 A JPS598369 A JP S598369A JP 57117280 A JP57117280 A JP 57117280A JP 11728082 A JP11728082 A JP 11728082A JP S598369 A JPS598369 A JP S598369A
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Classifications
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光電変換装置の製造方法に関する。
従来、原稿と１＝１に対応する大きさを有する光電変換
装置の構造及びその製造方法は第１図及び第２図に示す
ようなものであった。第１図は副走査方向の部分断面拡
大図、第２図は上面部分拡大図を示す。第１図及び第２
図において、ガラス基板１の全面にＣｄ５−ＣｄＳｅ等
の光導電体２を被着しく第１図（ａ））、次に、例えば
８ ｂｉ ｔ ／ ＩＱ＋＋７）場合には幅８６μｍ、
長さ３５０μｍの矩形状の主走査方向に一列に並ぶレジ
ストパターン３を形成後、前記Ｃｄ５−ＣｄＳｅ等の光
導電体２を臭素水等のエツチング液でエツチングし、前
記レジストパターンに沿った島状の光導電体群を形成す
る（第１図（ｂ））。この時、各光導電体２の上部には
レジストパターン３が残ったままであるから、ガラス基
板１全体をレジスト除去液に浸漬してレジストを除去す
る（第１図（Ｃ））。この様にして形成された主走査方
向に一列に並ぶ光導電体群が配列さハたガラス基板１を
、例えば少量のカドミウムのハロゲン化物１例えば塩化
カドミウムの粉末と共に半密閉容器中で、光導体とカド
ミウムのノ・ロゲン化物との共晶温度以上の温度２例え
ば５００〜６０゜°Ｃの温度で熱処理し、光導電体の結
晶粒子の成長を促進するとともに増感中心を形成し光感
度を持たせる。次に光感度を持った前記島状の光導電体
群に対応させて一定数を単位として連続して接続された
共通電極群４と９個別電極群４′をリフトオフ法により
形成する（第１図（ｄ））。その後、第２図に示すよう
にポリイミドフィルム５上に銅箔配線６の施されたフィ
ルムリード７を接合部分６′にて前記個別電極群４′に
接続することにより、マトリックス結線して個別電極側
取り出し端子とする。
装置の構造及びその製造方法は第１図及び第２図に示す
ようなものであった。第１図は副走査方向の部分断面拡
大図、第２図は上面部分拡大図を示す。第１図及び第２
図において、ガラス基板１の全面にＣｄ５−ＣｄＳｅ等
の光導電体２を被着しく第１図（ａ））、次に、例えば
８ ｂｉ ｔ ／ ＩＱ＋＋７）場合には幅８６μｍ、
長さ３５０μｍの矩形状の主走査方向に一列に並ぶレジ
ストパターン３を形成後、前記Ｃｄ５−ＣｄＳｅ等の光
導電体２を臭素水等のエツチング液でエツチングし、前
記レジストパターンに沿った島状の光導電体群を形成す
る（第１図（ｂ））。この時、各光導電体２の上部には
レジストパターン３が残ったままであるから、ガラス基
板１全体をレジスト除去液に浸漬してレジストを除去す
る（第１図（Ｃ））。この様にして形成された主走査方
向に一列に並ぶ光導電体群が配列さハたガラス基板１を
、例えば少量のカドミウムのハロゲン化物１例えば塩化
カドミウムの粉末と共に半密閉容器中で、光導体とカド
ミウムのノ・ロゲン化物との共晶温度以上の温度２例え
ば５００〜６０゜°Ｃの温度で熱処理し、光導電体の結
晶粒子の成長を促進するとともに増感中心を形成し光感
度を持たせる。次に光感度を持った前記島状の光導電体
群に対応させて一定数を単位として連続して接続された
共通電極群４と９個別電極群４′をリフトオフ法により
形成する（第１図（ｄ））。その後、第２図に示すよう
にポリイミドフィルム５上に銅箔配線６の施されたフィ
ルムリード７を接合部分６′にて前記個別電極群４′に
接続することにより、マトリックス結線して個別電極側
取り出し端子とする。
このようにして形成さハだ光電変換装置は、第３図に示
す様な関係に該光電変換装置８．照明光源９．セルフオ
ツクレンズアレイ１０．送信原稿１１等を配置され、照
明光源９で照明された送信原稿１１からの反射光をセル
フオンクレンズアレイ９を通して光電変換装置８上に結
像して電気出力信号として取り出している。
す様な関係に該光電変換装置８．照明光源９．セルフオ
ツクレンズアレイ１０．送信原稿１１等を配置され、照
明光源９で照明された送信原稿１１からの反射光をセル
フオンクレンズアレイ９を通して光電変換装置８上に結
像して電気出力信号として取り出している。
前述のような、従来の光電変換装置の製造方法において
は、出力特性にばらつきを生じ易い。その理由としては
、まず第一に第１図［有］）から（ｃ）に進む工程、即
ち光導電体２の上部のレジストパターン３の除去が完全
には行ない難いということである。例えば、Ａ４版、８
ｂｉｔ／ｍｍの場合、光導電体２の島が１７２８ビツト
主走査方向に並ぶことになる。総ビット数が多いという
ことも問題であるが、−列に並んでいるという事が難し
さを一層増長しており、光導電体２の上或いはその周辺
部に、微小ではあるが残渣物が観察される。１ビツトで
もそのようなものが存在すると、後の熱処理工程におい
て高温にさらされることから、出力特性に影響を与え不
良となる場合が非常に多い。
は、出力特性にばらつきを生じ易い。その理由としては
、まず第一に第１図［有］）から（ｃ）に進む工程、即
ち光導電体２の上部のレジストパターン３の除去が完全
には行ない難いということである。例えば、Ａ４版、８
ｂｉｔ／ｍｍの場合、光導電体２の島が１７２８ビツト
主走査方向に並ぶことになる。総ビット数が多いという
ことも問題であるが、−列に並んでいるという事が難し
さを一層増長しており、光導電体２の上或いはその周辺
部に、微小ではあるが残渣物が観察される。１ビツトで
もそのようなものが存在すると、後の熱処理工程におい
て高温にさらされることから、出力特性に影響を与え不
良となる場合が非常に多い。
第１図（ａ） 、 （ｂ）において、光導電体２をエツ
チングする方法としては、ウェット方式又はドライ方式
、或いは両者の併用等が考えられる。光導電体２がＣｄ
５−ＣｄＳｅの場合、ウェット方式ではエツチング液と
して臭素水を用いるが、臭素水に触れたレジスト表面は
変質してレジスト除去液に溶解し難くなり、前述の残渣
物として残り易い。ドライエッチの場合も、窒素と酸素
のイオンでレジストの表面をたたくことから、レジスト
が高温になり、レジスト除去液に溶解し難くなるという
点で同じ問題点を発生させる。また、レジスト除去に酸
素プラズマ等によるドライ方式を採用しても、大面積で
あるため程度の差はあれ、不良となる場合が非常に多い
。
チングする方法としては、ウェット方式又はドライ方式
、或いは両者の併用等が考えられる。光導電体２がＣｄ
５−ＣｄＳｅの場合、ウェット方式ではエツチング液と
して臭素水を用いるが、臭素水に触れたレジスト表面は
変質してレジスト除去液に溶解し難くなり、前述の残渣
物として残り易い。ドライエッチの場合も、窒素と酸素
のイオンでレジストの表面をたたくことから、レジスト
が高温になり、レジスト除去液に溶解し難くなるという
点で同じ問題点を発生させる。また、レジスト除去に酸
素プラズマ等によるドライ方式を採用しても、大面積で
あるため程度の差はあれ、不良となる場合が非常に多い
。
第２の問題点は、一般に光導電体２とガラス基板１とは
密着が悪いことである。従って第１図（ｂ）。
密着が悪いことである。従って第１図（ｂ）。
（Ｃ）に示す様に島状にエツチングし、上部のレジスト
３をレジスト除去液で除去するプロセスにおいて、島状
の光導電体２が剥離して流れてしまう場合が多く生ずる
。従って現実には、レジスト３を塗布する前に、即ち光
導電体２を真空蒸着した直後、ガラス基板１との密着性
を良くするために４ｏｏ’ｃ以上の温度で熱処理を行な
っている。しかしながら、この様な方法も工程が増える
だけでなく、光導電体２表面を汚すという問題を生ずる
。
３をレジスト除去液で除去するプロセスにおいて、島状
の光導電体２が剥離して流れてしまう場合が多く生ずる
。従って現実には、レジスト３を塗布する前に、即ち光
導電体２を真空蒸着した直後、ガラス基板１との密着性
を良くするために４ｏｏ’ｃ以上の温度で熱処理を行な
っている。しかしながら、この様な方法も工程が増える
だけでなく、光導電体２表面を汚すという問題を生ずる
。
以上に述べた２点の問題は、原稿と１＝１に対応する大
型の光導電変換装置を製造する場合において、歩留まり
低下に特に大きく関連する。
型の光導電変換装置を製造する場合において、歩留まり
低下に特に大きく関連する。
本発明は上記の問題点を解決せんとするものであり、フ
ァクシミリの送信側に用いる原稿と１：１に対応する大
きさを有する光電変換装置の製造において最大の問題で
ある２歩留まり低下即ち出力特性のばらつき要因をなく
すことが可能な光電変換装置の製造方法を提供すること
を目的とするものである。
ァクシミリの送信側に用いる原稿と１：１に対応する大
きさを有する光電変換装置の製造において最大の問題で
ある２歩留まり低下即ち出力特性のばらつき要因をなく
すことが可能な光電変換装置の製造方法を提供すること
を目的とするものである。
以下に、図面を参照にしながら本発明の詳細について説
明する。
明する。
大きさ２３０ｘ６０ｘ１．２（喘）のコーニング７ｏ５
９のガラス基板を良く洗浄、乾燥し、その後カドミウム
雰囲気中での熱処理工程で生ずるガラス基板の変形を防
ぐだめに、あらかじめ６００°Ｃ以上でガラス基板のア
ニールを行なう。
９のガラス基板を良く洗浄、乾燥し、その後カドミウム
雰囲気中での熱処理工程で生ずるガラス基板の変形を防
ぐだめに、あらかじめ６００°Ｃ以上でガラス基板のア
ニールを行なう。
さらに、第４図の副走査方向部分断面拡大図に示すよう
に、再びガラス基板１２を良く洗浄、乾燥した後、フォ
トレジスト１３ （ＡＺ−１３６０ニジフレ一社）を用
いて、センサが形成されるべき場所、のみ穴のあいたフ
ォトレジストパターンを形成する。
に、再びガラス基板１２を良く洗浄、乾燥した後、フォ
トレジスト１３ （ＡＺ−１３６０ニジフレ一社）を用
いて、センサが形成されるべき場所、のみ穴のあいたフ
ォトレジストパターンを形成する。
その後第６図に示すように、ただちにＣｄＳ 等のｎ−
ｖ＋化合物１４を真空蒸着により被着する。
ｖ＋化合物１４を真空蒸着により被着する。
次に第６図に示す様に、蒸着終了後ガラス基板１２を水
を含まない５０°Ｃに加温されたアセトン中に浸漬し、
フォトレジスト及びフォトレジ２ト上のＩＩ−Ｖｌ化合
物を溶解及び剥離する。
を含まない５０°Ｃに加温されたアセトン中に浸漬し、
フォトレジスト及びフォトレジ２ト上のＩＩ−Ｖｌ化合
物を溶解及び剥離する。
更に、５０°Ｃに加温されたアセトンを替えて超音波洗
浄し、フォトレジスト、余分の■−■化合物を莞全に除
去する。このようにして所望の光導電物質１４のパター
ンを形成することができる。
浄し、フォトレジスト、余分の■−■化合物を莞全に除
去する。このようにして所望の光導電物質１４のパター
ンを形成することができる。
第４図から第５図で示される工程においては、従来の様
に臭素水を使用しない。従ってフォトレジストが変質す
ることなく、レジストは、アセトンのみで完全に除去す
ることができる。
に臭素水を使用しない。従ってフォトレジストが変質す
ることなく、レジストは、アセトンのみで完全に除去す
ることができる。
次に、従来の様にガラス基板１２と光導電物質１４の密
着を良くするだめの４００″Ｃ以上の熱処理工程を経る
ことなしに、クリーンな状態で熱処理を行なう。この熱
処理は、塩化カドミウム雰囲、＋％ｃ中で５００〜ｅ
ｏ ｏ ’Ｃに加熱して結晶粒子の成長を図ると共に、
増感中心を形成して光感度を持たせるだめに行なわハる
。
着を良くするだめの４００″Ｃ以上の熱処理工程を経る
ことなしに、クリーンな状態で熱処理を行なう。この熱
処理は、塩化カドミウム雰囲、＋％ｃ中で５００〜ｅ
ｏ ｏ ’Ｃに加熱して結晶粒子の成長を図ると共に、
増感中心を形成して光感度を持たせるだめに行なわハる
。
その後、リフトオフ法で電極を形成するために従来と同
様に例えばポジレジストを全面に塗布し、電極を付ける
部分のみを露光しレジストを除去する。
様に例えばポジレジストを全面に塗布し、電極を付ける
部分のみを露光しレジストを除去する。
次に、電極としてＮ ｉ Ｃｒ−Ａｕを全面に蒸着し、
蒸着終了後アセトンに浸漬する。レジストの残っている
部分のＮｉＣｒ−Ａｕはレジストの溶解によりガラス基
板から遊離し、第１図ｄに示す様に所望の電極パターン
が形成される。この様にして、個別電極と共通電極が形
成されるが、特性の安定化のために、更に熱処理をする
場合が多い。
蒸着終了後アセトンに浸漬する。レジストの残っている
部分のＮｉＣｒ−Ａｕはレジストの溶解によりガラス基
板から遊離し、第１図ｄに示す様に所望の電極パターン
が形成される。この様にして、個別電極と共通電極が形
成されるが、特性の安定化のために、更に熱処理をする
場合が多い。
最後に第２図で示す様に、ポリイミドフィルム５上に銅
箔配線６の施されたフィルムリード７を用いて、接合部
６′の部分で下層配線４′とハンダ付は接続することに
よりマストリクス型に配線して、個別側電極端子とする
。あとの使用法は従来例と同じで第３図に示すような構
成で行なう。
箔配線６の施されたフィルムリード７を用いて、接合部
６′の部分で下層配線４′とハンダ付は接続することに
よりマストリクス型に配線して、個別側電極端子とする
。あとの使用法は従来例と同じで第３図に示すような構
成で行なう。
本発明による光電変換装置の製造方法によれば、第４図
から第６図に示すように光導電体がリフトオフ法によっ
て形成されるだめ、従来の製造方法によって生ずる第一
の問題点、つまり光導電体上にレジストパターンの残渣
物が残るということがなくなり、残渣物に起因する不良
の発生は皆無となった。これにより歩留まりを大幅に増
加させることが可能となる。まだ、リフトオフ法によっ
て光導電体の島が形成されるだめ、従来のように島状に
光導電体を形成した後その表面上のレジストを除去する
ことによる光導電体の剥離ということがなくなり第二の
問題点つまりガラス基板上に形成された光導電体とガラ
ス基板の密着を良くするだめの熱処理工程は不要となり
、大幅な時間短縮及びエネルギーの節約という効果が得
られる。
から第６図に示すように光導電体がリフトオフ法によっ
て形成されるだめ、従来の製造方法によって生ずる第一
の問題点、つまり光導電体上にレジストパターンの残渣
物が残るということがなくなり、残渣物に起因する不良
の発生は皆無となった。これにより歩留まりを大幅に増
加させることが可能となる。まだ、リフトオフ法によっ
て光導電体の島が形成されるだめ、従来のように島状に
光導電体を形成した後その表面上のレジストを除去する
ことによる光導電体の剥離ということがなくなり第二の
問題点つまりガラス基板上に形成された光導電体とガラ
ス基板の密着を良くするだめの熱処理工程は不要となり
、大幅な時間短縮及びエネルギーの節約という効果が得
られる。
以上に説明したように、本発明によれば歩留まりの大幅
な増加及び製造工程の簡略化をはかることができ、大幅
なコストダウンを達成することができるものでその工業
的価値は犬なるものがある。
な増加及び製造工程の簡略化をはかることができ、大幅
なコストダウンを達成することができるものでその工業
的価値は犬なるものがある。
示す副走査方向の部分断面拡大図、第２図は従来の光電
変換装置の上面部分拡大図、第３図は光電変換装置を用
いたファクシミリ送信部分の配置図、第４図、第６図、
第６図は本発明にょる光電変換装置の製造プロセスを示
す副走査方向の部分断面拡大図である。
変換装置の上面部分拡大図、第３図は光電変換装置を用
いたファクシミリ送信部分の配置図、第４図、第６図、
第６図は本発明にょる光電変換装置の製造プロセスを示
す副走査方向の部分断面拡大図である。
１．１２・・・・・ガラス基板、２，１４・・・・・光
導電体、３，１３・・・レジスト膜、４・・・・・・共
通電極群、４′・・・・個別電極群、７・・・フィルム
リード。
導電体、３，１３・・・レジスト膜、４・・・・・・共
通電極群、４′・・・・個別電極群、７・・・フィルム
リード。
代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２ｔｌ
図 第２ｔｌ
Claims (1)
- 絶縁性透明基板上に所定の形状を有するレジストパター
ンを形成する工程と、その上に真空蒸着法又はスパッタ
リング法で光導電体としてのｎ−■化合物を蒸着する工
程と、前記フォトレジストを除去することにより前記フ
ォトレジスト上の光導電体を剥離して前記基板上の主走
査方向に一列に並ぶ島状の光導電体アレイを形成する工
程と、カドミウムのハロゲン化物の一種以上の蒸気を含
む雰囲気中で前記光導電体と前記カドミウムのハロゲン
化物との共晶温度以上の温度で熱処理を施す工程と、前
記光導電体アレイに対応した個別電極群と、前記光導電
体アレイを一定数ごとにグループ化し各グループごとに
前記個別電極に対向した共通電極をリフトオフ法で形成
する工程よりなることを特徴とする光電変換装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57117280A JPS598369A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 光電変換装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57117280A JPS598369A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 光電変換装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS598369A true JPS598369A (ja) | 1984-01-17 |
Family
ID=14707832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57117280A Pending JPS598369A (ja) | 1982-07-05 | 1982-07-05 | 光電変換装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS598369A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6235564A (ja) * | 1985-08-08 | 1987-02-16 | Sharp Corp | 光電変換素子の作製方法 |
-
1982
- 1982-07-05 JP JP57117280A patent/JPS598369A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6235564A (ja) * | 1985-08-08 | 1987-02-16 | Sharp Corp | 光電変換素子の作製方法 |
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