JPS6041874B2 - 固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
固体撮像素子の製造方法Info
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- JPS6041874B2 JPS6041874B2 JP55121651A JP12165180A JPS6041874B2 JP S6041874 B2 JPS6041874 B2 JP S6041874B2 JP 55121651 A JP55121651 A JP 55121651A JP 12165180 A JP12165180 A JP 12165180A JP S6041874 B2 JPS6041874 B2 JP S6041874B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14692—Thin film technologies, e.g. amorphous, poly, micro- or nanocrystalline silicon
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光導電膜を有する高感度高密度の固体撮影像
素子の製造方法を提供するものである。
素子の製造方法を提供するものである。
固体撮像素子は、第１図ａの上面図、第１図をのＸ−Ｘ
’断面図に示すように、下地基板１（以下ウェハ１とい
う）上の中央部には、光学像を感知するホトタイオート
、光学信号を転送する電荷転送素子等よりなる画素部２
を設け、この画素部の周囲には、画素部２を駆動するシ
フトレジスタ、あるいはＣＣＤ等の駆動部３が設けられ
てい−る。また、駆動部３の端子と絶縁膜の開口を介し
て接続され、外部リードと接続するためのパッド４に及
ぶ導体配線５が設けられている。
’断面図に示すように、下地基板１（以下ウェハ１とい
う）上の中央部には、光学像を感知するホトタイオート
、光学信号を転送する電荷転送素子等よりなる画素部２
を設け、この画素部の周囲には、画素部２を駆動するシ
フトレジスタ、あるいはＣＣＤ等の駆動部３が設けられ
てい−る。また、駆動部３の端子と絶縁膜の開口を介し
て接続され、外部リードと接続するためのパッド４に及
ぶ導体配線５が設けられている。
さらにまた、画素部２上には、光導電膜６（たとえば、
ＺｎＳｅ−Ｚｎ、−ｘＣｄｘＴｅ）アモルファスシリコ
ン等よるなる）、透明電極７、および接着剤８を介して
カラーフィルタ９がそれぞれ設けられている。
ＺｎＳｅ−Ｚｎ、−ｘＣｄｘＴｅ）アモルファスシリコ
ン等よるなる）、透明電極７、および接着剤８を介して
カラーフィルタ９がそれぞれ設けられている。
また１０は絶縁膜、１０′は画素部２と光導電膜６を接
続するための電極である。従来は、上記構成の固体撮像
素子の製造工程に１おいて、導体配線５および、電極１
０′を形成した後、画素部２の上面にのし光導電膜６お
よび、透明電極７を形成しており、その方法として、金
属製のカバーマスクを用い、所定部へのみ光導電膜６お
よび透明電極７を蒸着する方法が用いられていた。
続するための電極である。従来は、上記構成の固体撮像
素子の製造工程に１おいて、導体配線５および、電極１
０′を形成した後、画素部２の上面にのし光導電膜６お
よび、透明電極７を形成しており、その方法として、金
属製のカバーマスクを用い、所定部へのみ光導電膜６お
よび透明電極７を蒸着する方法が用いられていた。
（以下、マスク蒸着方式という。）一般に固体撮像素子
上に形成される光導電膜は、溶剤や水分で感度が劣化し
やすく、従来、半導体装置の製造に用いられる、例えば
、商品名がＫＴＦＲ）ＫＭＲ）ＡＺ１３５０Ｊ等のレジ
ストによるホトリソ法を用いれば、レジスト除去工程等
の除去液（例えば、商品名がＪ−１００、や発煙硝酸）
で特性が大幅に劣化してしまう。そこで従来、この種の
光導電膜積層型の固体撮像素子の製造には、先に説明し
たように光導電膜を金属マスクを用いたマスク蒸着方式
で形成する方法が用いられていた。
上に形成される光導電膜は、溶剤や水分で感度が劣化し
やすく、従来、半導体装置の製造に用いられる、例えば
、商品名がＫＴＦＲ）ＫＭＲ）ＡＺ１３５０Ｊ等のレジ
ストによるホトリソ法を用いれば、レジスト除去工程等
の除去液（例えば、商品名がＪ−１００、や発煙硝酸）
で特性が大幅に劣化してしまう。そこで従来、この種の
光導電膜積層型の固体撮像素子の製造には、先に説明し
たように光導電膜を金属マスクを用いたマスク蒸着方式
で形成する方法が用いられていた。
しかしながら、従来のマスク蒸着方式では、基板上に金
属マスクを配置して蒸着を行なう場合基板を傷を付けた
り、ゴミの付着等による欠陥がしばしば生じ、完成され
た固板撮像素子を動作させた場合、画像上に多数の線傷
や点傷が表われる欠点があつた。
属マスクを配置して蒸着を行なう場合基板を傷を付けた
り、ゴミの付着等による欠陥がしばしば生じ、完成され
た固板撮像素子を動作させた場合、画像上に多数の線傷
や点傷が表われる欠点があつた。
つまり、一般のシリコン基板のみの固体撮像素子の歩留
と比べて、著しく歩留が悪かつた。以上述べてきた従来
の固体撮像素子の製造方法の欠点に鑑み、本発明は、光
導電膜および透明電極の蒸着を、金属マスクを用いるこ
となく、全面に行うことにより、金属マスク使用時に生
じる傷や異物の付着を防き、光導電膜積層型の固体撮像
素子の製造歩留を大幅に向上させることを目的とする。
と比べて、著しく歩留が悪かつた。以上述べてきた従来
の固体撮像素子の製造方法の欠点に鑑み、本発明は、光
導電膜および透明電極の蒸着を、金属マスクを用いるこ
となく、全面に行うことにより、金属マスク使用時に生
じる傷や異物の付着を防き、光導電膜積層型の固体撮像
素子の製造歩留を大幅に向上させることを目的とする。
以下、本発明における固体撮像素子の製造方法の実施例
を第２図〜第５図を用いて詳細に説明する。
を第２図〜第５図を用いて詳細に説明する。
まず、第２図に示すようにシリコンウェハ１１上に、通
常のＭＯＳプロセスを用いて光学像を感知するホトダイ
オードと転送素子（例えばＣＣＤやＢＢＤ）よりなる画
素部１２および駆動部１３を形成した後、絶縁膜１４を
介して、Ａ１等を蒸着して導体配線１５および、ホトダ
イオードと光導電膜を接続する電極１６を形成する。
常のＭＯＳプロセスを用いて光学像を感知するホトダイ
オードと転送素子（例えばＣＣＤやＢＢＤ）よりなる画
素部１２および駆動部１３を形成した後、絶縁膜１４を
介して、Ａ１等を蒸着して導体配線１５および、ホトダ
イオードと光導電膜を接続する電極１６を形成する。
次に、前記導体配線１５の外部リードとの接続用バッド
１７の一部を除き導体配線を第２の絶縁膜１４″でカバ
ーする。
１７の一部を除き導体配線を第２の絶縁膜１４″でカバ
ーする。
その後、光導電膜１８（例えば、
ＺｎＳｅＺｎｌ−ＸＣｄＪｅ）および透明電極１５（例
えば、ＳｎをドープしたＩｒｌ２Ｃ３）を順次全面に蒸
着する。
えば、ＳｎをドープしたＩｒｌ２Ｃ３）を順次全面に蒸
着する。
次に第３図（第２図の箇所Ａの拡大図を示す）に示すよ
うに外部リードとの接続に必要なバッド１７の上面に形
成された、透明電極１９および光導電膜１８を集光てき
る光、例えばＹＡＧレーザービーム等を用いて選択的に
蒸発させて除去する。
うに外部リードとの接続に必要なバッド１７の上面に形
成された、透明電極１９および光導電膜１８を集光てき
る光、例えばＹＡＧレーザービーム等を用いて選択的に
蒸発させて除去する。
このとき、通常、バッド１７はＮ等の反射率のよい金属
膜で形成しておくと、光導電膜１８が蒸発、除去された
後、レーザービームがバッド１７を照射しても、バッド
１７は反射率が非常に大きいので、ほとんど劣化するこ
とがない。また、透明電極１９は通常５０００Ａ程度の
厚みて形成しておくので、光導電膜１８が蒸発・除去さ
れる時に、破壊除去されてしまう。さらにまた、第２の
絶縁膜１４″も、気相成長法で設けた通常のＳｉＯ２等
で形成しておけば、光エネルギーをほとんど吸収せず、
しかも、下地のＮバッドもほとんど変形しないので破壊
されることがない。最後に、カラーフィルタ２０を装着
し第４図に示すように、あらかじめ、第２の絶縁膜１４
″の除去されているバッド１７にワイヤ２１をボンディ
ングすれば、光導電膜を全面に形成した固体撮像素子が
完成する。なお第４図における箇所Ｂの拡大図を第５図
に示す。本発明の固体撮像素子の製造方法によれば、光
導電膜および透明電極の蒸着工程においてマスク蒸着法
を用いないため、従来の様の素子に傷を生じたり、異物
が付着することが非常に少くなり、したがつて光導電膜
を積層した高感度の固体撮像素子の製造において歩留を
向上させることができる。
膜で形成しておくと、光導電膜１８が蒸発、除去された
後、レーザービームがバッド１７を照射しても、バッド
１７は反射率が非常に大きいので、ほとんど劣化するこ
とがない。また、透明電極１９は通常５０００Ａ程度の
厚みて形成しておくので、光導電膜１８が蒸発・除去さ
れる時に、破壊除去されてしまう。さらにまた、第２の
絶縁膜１４″も、気相成長法で設けた通常のＳｉＯ２等
で形成しておけば、光エネルギーをほとんど吸収せず、
しかも、下地のＮバッドもほとんど変形しないので破壊
されることがない。最後に、カラーフィルタ２０を装着
し第４図に示すように、あらかじめ、第２の絶縁膜１４
″の除去されているバッド１７にワイヤ２１をボンディ
ングすれば、光導電膜を全面に形成した固体撮像素子が
完成する。なお第４図における箇所Ｂの拡大図を第５図
に示す。本発明の固体撮像素子の製造方法によれば、光
導電膜および透明電極の蒸着工程においてマスク蒸着法
を用いないため、従来の様の素子に傷を生じたり、異物
が付着することが非常に少くなり、したがつて光導電膜
を積層した高感度の固体撮像素子の製造において歩留を
向上させることができる。
また、光導電膜を蒸着するための金属マスクを使用する
必要がないため製造能率が良くなりコストを大幅に低減
できる効果を奏する。
必要がないため製造能率が良くなりコストを大幅に低減
できる効果を奏する。
第１図Ａ，ｂは、光導電膜を有する従来の固体撮像素子
の平面図および、Ｘ−Ｘ″断面図、第２″図〜第５図は
、本発明の一実施例における固体撮像素子の製造方法を
説明するための断面図である。 １１・・・・・・基板（シリコンウェハ）、１２・・・
・・・画素部、１３・・・・・・駆動部、１４″・・・
・・・絶縁膜、１５・・・導体配線、１６・・・・・・
電極、１７・・・・・・バッド、１８・・・・・・光導
電膜、１９・・・・・・透明電極。
の平面図および、Ｘ−Ｘ″断面図、第２″図〜第５図は
、本発明の一実施例における固体撮像素子の製造方法を
説明するための断面図である。 １１・・・・・・基板（シリコンウェハ）、１２・・・
・・・画素部、１３・・・・・・駆動部、１４″・・・
・・・絶縁膜、１５・・・導体配線、１６・・・・・・
電極、１７・・・・・・バッド、１８・・・・・・光導
電膜、１９・・・・・・透明電極。
Claims (1)
- １ 基板上に、光学像を感知する画素部およびこの画素
部を駆動する駆動回路部を形成する工程と、この駆動回
路部と外部リードとを接続するための導体配線を形成す
る工程と、前記導体配線のパッドの一部を残しこの導体
配線を絶縁膜で覆う工程と、前記基板における前記画素
部が形成された側の全面を光導電膜および透明電極で覆
う工程と、前記パッドの前記絶縁膜で覆われていない一
部上に形成された前記光導電膜および前記透明電極を集
中光を用いて除去する工程と、この工程によつて、上面
の前記光導電膜および前記透明電極が除去された前記パ
ッドの一部に外部リード線を接続する工程とを含むこと
を特徴とする固体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55121651A JPS6041874B2 (ja) | 1980-09-01 | 1980-09-01 | 固体撮像素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55121651A JPS6041874B2 (ja) | 1980-09-01 | 1980-09-01 | 固体撮像素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5745272A JPS5745272A (en) | 1982-03-15 |
| JPS6041874B2 true JPS6041874B2 (ja) | 1985-09-19 |
Family
ID=14816519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55121651A Expired JPS6041874B2 (ja) | 1980-09-01 | 1980-09-01 | 固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6041874B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1450415A3 (en) | 1993-04-28 | 2005-05-04 | Nichia Corporation | Gallium nitride-based III-V group compound semiconductor device |
| GB2485184B (en) | 2010-11-04 | 2013-12-11 | Evo Electric Ltd | Axial flux electrical machines |
| CN110098218A (zh) * | 2018-01-31 | 2019-08-06 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
-
1980
- 1980-09-01 JP JP55121651A patent/JPS6041874B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5745272A (en) | 1982-03-15 |
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