JPH05144938A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents

固体撮像装置の製造方法

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JPH05144938A
JPH05144938A JP4076954A JP7695492A JPH05144938A JP H05144938 A JPH05144938 A JP H05144938A JP 4076954 A JP4076954 A JP 4076954A JP 7695492 A JP7695492 A JP 7695492A JP H05144938 A JPH05144938 A JP H05144938A
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JP
Japan
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wafer
solid
protective film
state image
tape
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JP4076954A
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English (en)
Inventor
Ikuko Inoue
郁子 井上
Tetsuya Yamaguchi
鉄也 山口
Ryohei Miyagawa
良平 宮川
Sohei Manabe
宗平 真鍋
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 保護テープを使わずして、受光面にゴミを残
すことなくウェハーをチップ切断することのできる固体
撮像装置の製造方法を提供すること。 【構成】複数個の固体撮像素子が形成されたウェハー1
0を各素子毎にチップに切断して固体撮像装置を製造す
る方法において、予めウェハー10の素子形成面側にレ
ジストからなる保護膜11を形成しておき、ウェハー1
0を保護膜11と共にダイシング等により各チップに切
断したのち、保護膜11をレジスト剥離液や酸素アッシ
ャーで除去することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置の製造方
法に係わり、特にウェハー上に形成された複数個の固体
撮像素子を各チップに切断する工程の改良をはかった固
体撮像装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】固体撮像装置においては、その受光面に
ゴミ等の異物が付着していると、ゴミが光を遮断し画面
上で黒い影となって映り、画像欠陥となる。このゴミ
は、主にウェハー上に製造された複数個の固体撮像素子
を各チップに切断するときに出るウェハー屑である。
【0003】そこで最近、受光面へのウェハー屑の被着
が生じない切断方法として、次のような方法が採用され
ている。この方法では、まず図5(a)に示すように、
ウェハー50の素子形成面に保護テープ52を張り付
け、ウェハー屑などのゴミが受光面に直接付着しないよ
うに保護する。そして、図5(b)に示すように、ウェ
ハー50を各チップに切断した後、図5(c)に示すよ
うに、保護テープ52を剥がしている。
【0004】しかしながら、この種の方法にあっては次
のような問題があった。即ち、積層型の固体撮像素子に
おいては最上層に金属膜が積層されているため、保護テ
ープ52と金属表面の密着性が良いことと金属自身の応
力によって、テープ削除後この金属膜の剥がれ53が生
じたり、テープの糊54が金属膜表面に残ることがあ
る。また、最上層に金属膜が積層されていない固体撮像
素子においても、テープの糊54が残るという問題があ
った。この糊の残りはゴミと同様に光を遮断してしまう
ため、固体撮像装置では大きな問題となっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このように従来、保護
テープを用いてウェハーのチップ切断を行う方法では、
保護テープにより素子表面の膜が剥がれたり、テープの
糊が受光面に残るという問題があった。
【0006】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、保護テープを使わずし
て、受光面にゴミを残すことなくウェハーをチップ切断
することのできる固体撮像装置の製造方法を提供するこ
とにある。
【0007】また、本発明の他の目的は、保護テープを
用いても、テープの糊残りや素子表面の膜が剥がれるこ
となくウェハーをチップ切断することのできる固体撮像
装置の製造方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の骨子は、保護テ
ープの代わりに、エッチング,剥離液,灰化等により簡
単に削除することの可能な保護膜を用いることにある。
【0009】即ち本発明(請求項1,2)は、複数個の
固体撮像素子が形成されたウェハーを各素子毎にチップ
に切断して固体撮像装置を製造する方法において、予め
ウェハーの素子形成面側に保護膜を形成しておき、ウェ
ハーを保護膜と共に各チップに切断したのち、必要に応
じて保護膜を除去するようにした方法である。
【0010】ここで、保護膜としてはウェハーとの密着
性の小さい膜が望まれる。また、保護膜を除去しない場
合には、表面処理によりウェハー屑との密着性が小さく
なり且つ光透過率の高い保護膜が望まれる。
【0011】また本発明(請求項3)は、複数個の固体
撮像素子が形成されたウェハーを各素子毎にチップに切
断して固体撮像装置を製造する方法において、予めウェ
ハーの素子形成面側に保護膜を形成し、この保護膜の表
面に保護テープを張り付けておき、ウェハーを保護膜と
共に各チップに切断したのち、保護膜を除去するように
した方法である。
【0012】
【作用】本発明(請求項1,2)によれば、ウェハーの
素子形成面側に保護膜を形成した状態でウェハーをチッ
プ切断しているので、固体撮像素子の受光面にウェハー
屑が付着することなく、ウェハーを切断することができ
る。しかも、保護テープを用いた場合と異なり、テープ
により素子表面の膜が剥がれたり、テープの糊が残った
りすることがない。
【0013】また、本発明(請求項3)によれば、保護
テープを剥がすことによる素子表面(保護膜表面)の剥
がれやテープの糊残りが生じても、これらは保護膜を除
去することによりなくなる。従って、保護テープを用い
ても、テープの糊残りや素子表面の膜が剥がれることな
くウェハーを切断することが可能となる。
【0014】
【実施例】以下、本発明の詳細を図示の実施例によって
説明する。
【0015】図1は、本発明の第1の実施例に係わる固
体撮像装置の製造工程を示す断面図である。まず、図1
(a)に示すように、複数個の固体撮像素子が形成され
ているウェハー10の表面に、例えばレジストからなる
保護膜11を形成する。ここで、固体撮像素子は、蓄積
ダイオード及びCCD等の電荷転送部を平面的に形成し
た構成でもよいし、これらの表面に光電変換膜を積層し
た積層型でもよい。さらに、最上層に色フィルタやレン
ズ等を形成したものであってもよい。
【0016】次いで、図1(b)に示すように、ウェハ
ー10及び保護膜11をダイシング等により各チップに
切断する。このとき、ウェハー10の素子形成面側表面
には保護膜11が形成されているので、ウェハー屑が生
じても固体撮像素子の受光面にウェハ屑が付着すること
はない。
【0017】次いで、図1(c)に示すように、切断さ
れた各々のチップをレジスト剥離液或いは酸素アッシャ
ーで処理し、保護膜11を除去する。このとき、保護膜
11の下地、即ち固体撮像素子の受光面がレジスト剥離
液や酸素アッシャーでダメージを受けることはない。し
かも、テープを用いた場合の異なり、素子表面の膜が剥
がれたり、テープの糊が残ったりする不都合もない。
【0018】なお、保護膜11として光透過率の高い材
料を用いておけば、上記保護膜11の除去工程において
必ずしも保護膜11を完全に除去する必要はなく、保護
膜表面のウェハ屑が十分に除去される範囲で保護膜11
を残してもよい。
【0019】このように本実施例方法によれば、従来の
保護テープの代わりにレジスト等の保護膜11を用いる
ことにより、素子表面の膜が剥がれたり、テープの糊が
残ったりする不都合を招くことなく、ウェハー10を各
々のチップを良好に切断することができる。従って、固
体撮像装置のように受光面にゴミの付着を嫌う装置の製
造工程として極めて有効である。
【0020】図2は、本発明の第2の実施例に係わる固
体撮像装置の製造工程を示す断面図である。なお、図1
と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省
略する。
【0021】この実施例の特徴とする点は、保護膜の上
にさらに保護テープを設けることにある。即ち本実施例
では、第1の実施例と同様にウェハー10の表面に保護
膜11を形成した後、図2(a)に示すように、保護膜
11の上に保護テープ12を被着する。次いで、図2
(b)に示すように、ウェハー10,保護膜11及び保
護テープ12を切断する。このとき、ウェハー10の表
面には保護膜11及び保護テープ12が形成されている
ので、第1の実施例と同様に固体撮像素子の受光面にウ
ェハ屑が付着することはない。
【0022】次いで、図2(c)に示すように保護テー
プ12を剥がした後、さらにレジスト剥離液或いは酸素
アッシャーで保護膜11を削除する。ここで、テープ1
2を剥がした際に、仮に保護膜11に剥がれ13が生じ
たり、テープの糊14が残ることがあっても、保護膜1
1の除去によりこれらの問題は解消できる。従って、こ
のような実施例にあっても、第1の実施例と同様の効果
が得られる。図3は、本発明の第3の実施例に係わる固
体撮像装置の製造工程を示す断面図であり、チップ切断
前の状態を示している。
【0023】この実施例では、固体撮像素子が形成され
且つ最上層に金属膜23が形成されているウェハー20
の上に、例えば光の透過率が高く粘度の小さいレジスト
からなる保護膜21を塗布しベークする。その後、保護
膜21の上に保護テープ22を張り付ける。なお、22
aは保護テープ22の糊を示している。
【0024】次いで、ウェハー20をダイシング等によ
り各チップに切断する。この状態では、保護膜21はウ
ェハー20と共に切断するが、保護テープ22までは切
断しない。その後、保護テープ22を剥がし、分離され
た各チップをパッケージに実装する。
【0025】ここで、保護膜21として保護テープ22
に対し密着性の小さい材料を選択しておけば、保護テー
プを剥がす際にテープの糊残りや保護膜21の部分的な
剥がれを防止することができ、保護膜21を付けたまま
でチップをパッケージに実装することができる。また、
テープの糊残りや保護膜21の部分的な剥がれが問題と
なる場合は、保護テープ22を剥がした後に、先の第2
の実施例と同様に、レジスト剥離液或いは酸素アッシャ
ーで保護膜21を除去すればよい。
【0026】このように本実施例によれば、保護テープ
22を使用しているにも拘らず、ウェハー20及びその
最上層に形成された金属膜23上にテープの糊は残ら
ず、テープによる金属膜23の剥がれを防ぐことができ
る。
【0027】図4は、本発明の第4の実施例に係わる固
体撮像装置の製造工程を示す断面図であり、チップ切断
前の状態を示している。なお、図3と同一部分には同一
符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【0028】この実施例では、固体撮像素子の最上層に
レンズ24を形成したウェハー20の上に、例えばレン
ズ24と屈折率が異なり、且つ光の透過率が高く粘度の
小さいレジストからなる保護膜21を塗布しベークす
る。その後、保護膜21の上に保護テープ22を張り付
ける。
【0029】次いで、先の第3の実施例と同様に、ウェ
ハー20をダイシングにより各チップに切断する。続い
て、保護膜21を除去した後、分離された各チップをパ
ッケージに実装する。この場合も、先の第3の実施例と
同様の効果が得られる。
【0030】なお、本発明は上述した各実施例に限定さ
れるものではない。実施例では保護膜にレジストを使用
しているが、レジスト以外の有機物或いは蛋白質を使用
することもできる。さらに、保護膜を削除する際、固体
撮像素子表面の膜と選択性の取れる例えば酸化膜のよう
な絶縁膜でもよい。また、本実施例を用いるのは固体撮
像装置だけに止まらず、素子表面へのゴミの付着を嫌う
他のデバイスにも応用可能である。その他、本発明の要
旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することがで
きる。
【0031】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、従
来の保護テープのようなテープの糊残りやウェハー表面
の膜剥がれが発生することなく、しかも、ウェハー切断
の際に発生するウェハー屑などのゴミのウェハーへの付
着を防ぐことが可能となり、固体撮像装置の製造方法と
して極めて有効である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例に係わる固体撮像装置の
製造工程を示す断面図、
【図2】本発明の第2の実施例に係わる固体撮像装置の
製造工程を示す断面図、
【図3】本発明の第3の実施例に係わる固体撮像装置の
製造工程を示す断面図、
【図4】本発明の第4の実施例に係わる固体撮像装置の
製造工程を示す断面図、
【図5】従来の製造方法を説明するための工程断面図。
【符号の説明】
10,20,30…ウェハー、 11,21…保護膜、 12,22,32…保護テープ、 13,33…保護テープによるウェハー表面の剥がれ、 14,34…保護テープの糊残り、 23…金属膜、 24…レンズ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 真鍋 宗平 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 株 式会社東芝総合研究所内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数個の固体撮像素子が形成されたウェハ
    ーを各素子毎にチップに切断して固体撮像装置を製造す
    る方法において、 前記ウェハーの素子形成面側に保護膜を形成する工程
    と、次いで前記ウェハーを前記保護膜と共に各チップに
    切断する工程とを含むことを特徴とする固体撮像装置の
    製造方法。
  2. 【請求項2】複数個の固体撮像素子が形成されたウェハ
    ーを各素子毎にチップに切断して固体撮像装置を製造す
    る方法において、 前記ウェハーの素子形成面側に保護膜を形成する工程
    と、次いで前記ウェハーを前記保護膜と共に各チップに
    切断する工程と、次いで前記保護膜を除去する工程とを
    含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  3. 【請求項3】複数個の固体撮像素子が形成されたウェハ
    ーを各素子毎にチップに切断して固体撮像装置を製造す
    る方法において、 前記ウェハーの素子形成面側に保護膜を形成する工程
    と、前記保護膜の表面に保護テープを張り付ける工程
    と、次いで前記ウェハーを前記保護膜と共に各チップに
    切断する工程と、次いで前記保護膜を除去する工程とを
    含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
JP4076954A 1991-09-26 1992-03-31 固体撮像装置の製造方法 Pending JPH05144938A (ja)

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6757964B2 (en) 1998-05-06 2004-07-06 Tdk Corporation Apparatus for manufacturing sliders
KR100439511B1 (ko) * 2002-07-05 2004-07-09 삼성전기주식회사 마이크로 전기 기계 구조 칩의 다이싱 방법
KR100451950B1 (ko) * 2002-02-25 2004-10-08 삼성전자주식회사 이미지 센서 소자 웨이퍼 소잉 방법
US6855623B2 (en) * 1999-02-24 2005-02-15 Micron Technology Inc. Recessed tape and method for forming a BGA assembly
KR100812002B1 (ko) * 2006-05-11 2008-03-10 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광표시장치의 제조방법
WO2009032536A3 (en) * 2007-08-28 2009-04-30 3M Innovative Properties Co Method for manufacturing a semiconductor die and a semiconductor device comprising the semiconductor die obtained thereby
JP2015012228A (ja) * 2013-07-01 2015-01-19 住友電気工業株式会社 受光素子アレイを作製する方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6757964B2 (en) 1998-05-06 2004-07-06 Tdk Corporation Apparatus for manufacturing sliders
US6855623B2 (en) * 1999-02-24 2005-02-15 Micron Technology Inc. Recessed tape and method for forming a BGA assembly
KR100451950B1 (ko) * 2002-02-25 2004-10-08 삼성전자주식회사 이미지 센서 소자 웨이퍼 소잉 방법
KR100439511B1 (ko) * 2002-07-05 2004-07-09 삼성전기주식회사 마이크로 전기 기계 구조 칩의 다이싱 방법
KR100812002B1 (ko) * 2006-05-11 2008-03-10 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광표시장치의 제조방법
WO2009032536A3 (en) * 2007-08-28 2009-04-30 3M Innovative Properties Co Method for manufacturing a semiconductor die and a semiconductor device comprising the semiconductor die obtained thereby
CN101796629A (zh) * 2007-08-28 2010-08-04 3M创新有限公司 制造半导体芯片的方法以及包含通过该方法获得的半导体芯片的半导体器件
JP2010538468A (ja) * 2007-08-28 2010-12-09 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 半導体ダイの製造方法及びこれにより得られる半導体ダイを含む半導体デバイス
US8518805B2 (en) 2007-08-28 2013-08-27 3M Innovative Properties Company Method for manufacturing a semiconductor die and a semiconductor device comprising the semiconductor die obtained thereby
KR101413380B1 (ko) * 2007-08-28 2014-06-30 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 반도체 다이의 제조방법, 상기 방법으로 제조된 반도체다이를 포함하는 반도체 소자
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