JPS6134969A - フオトセンサ - Google Patents
フオトセンサInfo
- Publication number
- JPS6134969A JPS6134969A JP59154044A JP15404484A JPS6134969A JP S6134969 A JPS6134969 A JP S6134969A JP 59154044 A JP59154044 A JP 59154044A JP 15404484 A JP15404484 A JP 15404484A JP S6134969 A JPS6134969 A JP S6134969A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- layer
- photosensor
- electrode
- base plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/10—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors
- H10F30/15—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors comprising amorphous semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
Landscapes
- Facsimile Heads (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は基板上に光電変換部を有するフォトセンサに関
する。
する。
本発明によるフォトセンサは、たとえばファクシミリや
画像読取装置等の読取部に広く適用される。
画像読取装置等の読取部に広く適用される。
［従来波Ｗコ
従来のフォトセンサとしては、ＣＯＤを用いた１次元ア
レイが一般的に知られている。しかし、従来のフォトセ
ンサでは、シリコン単結晶の大きさに限度があるために
、長尺の７オトセンサアレイを製造することは困難であ
った。
レイが一般的に知られている。しかし、従来のフォトセ
ンサでは、シリコン単結晶の大きさに限度があるために
、長尺の７オトセンサアレイを製造することは困難であ
った。
そこで、長尺のフォトセンサを構成するものとして、プ
レナー型の光導電型フォトセンサが注目されている。
レナー型の光導電型フォトセンサが注目されている。
第４図は、従来のブレナー型の光導電型フォトセンサの
一例であり、第４図（Ａ）は平面図、第４図（Ｂ）は、
第４図（Ａ）におけるＡ−Ａ線断面図である。
一例であり、第４図（Ａ）は平面図、第４図（Ｂ）は、
第４図（Ａ）におけるＡ−Ａ線断面図である。
同図において、基板１上には、光導電層２が形成され、
−さらにオーミックコンタクト層３を介してＡ１電極４
および５が形成されている。
−さらにオーミックコンタクト層３を介してＡ１電極４
および５が形成されている。
光導電層２の材料は、カルコゲナイド、ＣｄＳ、Ｃｄ５
Ｓｅ 、非晶質シリコン（以下、ａ−３ｉと記す）等で
ある。また、Ａｌ電極４および５の間隙によって受光部
６が形成されている。
Ｓｅ 、非晶質シリコン（以下、ａ−３ｉと記す）等で
ある。また、Ａｌ電極４および５の間隙によって受光部
６が形成されている。
光導電層２は、受光部６からの光の強度によってその抵
抗値が変化する。したがって、Ａｌ電極４および５に所
定の電圧を印加しておけば、受光強度に対応した電流（
以下、光電流とする）を得ることができる。
抗値が変化する。したがって、Ａｌ電極４および５に所
定の電圧を印加しておけば、受光強度に対応した電流（
以下、光電流とする）を得ることができる。
ここで光電施工は、Ａｌ電極４および５の間隔Ｌ、電極
４および５の対向している長さＷとすると、Ｗ／Ｌに比
例することが知られている。したがって、大きな光電施
工を得るためには、間隔りを小さく、長さＷを大きくす
る必要がある。そのために、第４図（Ａ）に示されるよ
うに、間隔りをできるだけ小さくするとともに、Ａｌ電
極４および５をくし状に形成し、長さＷを長くしている
。
４および５の対向している長さＷとすると、Ｗ／Ｌに比
例することが知られている。したがって、大きな光電施
工を得るためには、間隔りを小さく、長さＷを大きくす
る必要がある。そのために、第４図（Ａ）に示されるよ
うに、間隔りをできるだけ小さくするとともに、Ａｌ電
極４および５をくし状に形成し、長さＷを長くしている
。
、しかしながら、このような従来のフォトセンサでは、
間隔りが小さくなる程、また長さＷが長くなる程、ファ
インパターンの電極形成が困難となり、十分大きな光電
流を得ることはできなかった。また、電極材料として、
アルミニウムを用いているために、基板やオーミックコ
ンタクト層との雀着性が十分ではなく、また強度の点で
も不七分であった。
間隔りが小さくなる程、また長さＷが長くなる程、ファ
インパターンの電極形成が困難となり、十分大きな光電
流を得ることはできなかった。また、電極材料として、
アルミニウムを用いているために、基板やオーミックコ
ンタクト層との雀着性が十分ではなく、また強度の点で
も不七分であった。
［発明の目的］
本発明は」二記従来の問題点に鑑み成されたものであり
、その目的は簡単な構成で十分大きな光電流と十分な信
頼性を得ることができるフォトセンサを提供することに
ある。
、その目的は簡単な構成で十分大きな光電流と十分な信
頼性を得ることができるフォトセンサを提供することに
ある。
［発明の概要］
上記目的を達成するために、本発明によるフォトセンサ
は、微小間隔で対向配置されるとともに光電変換部の上
下面に接続された電極を有し、該上下の電極が電気的に
接続され、且つ一方の電極がＣｒ導電材料で形成されて
いることを特徴とする。
は、微小間隔で対向配置されるとともに光電変換部の上
下面に接続された電極を有し、該上下の電極が電気的に
接続され、且つ一方の電極がＣｒ導電材料で形成されて
いることを特徴とする。
［発明の実施例］
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図（Ａ）〜（Ｇ）は、本発明によるフォトセンサの
一実施例の製造工程図である。
一実施例の製造工程図である。
まず、十分に洗浄されたガラス基板１０１の全面に、電
子ビーム蒸着法によってクロム（Ｃｒ）層１０２を厚さ
約０．２ｇｍ形成する［第１図（Ａ）］。
子ビーム蒸着法によってクロム（Ｃｒ）層１０２を厚さ
約０．２ｇｍ形成する［第１図（Ａ）］。
次に、フォトレジストを用いたフォトリソグラフィ法に
よって、Ｃｒ層１０２から下電極１０３および１０４を
形成する［第１図（Ｂ）］。ただし、本本実例では、下
電極１０３と１０４との間隔は約８ルｍである。
よって、Ｃｒ層１０２から下電極１０３および１０４を
形成する［第１図（Ｂ）］。ただし、本本実例では、下
電極１０３と１０４との間隔は約８ルｍである。
続いて、下電極１０３および１０４に渡って厚さ０．８
ルｍのａ−３ｉの光導電層１０５を形成する［第１図（
Ｃ）］。
ルｍのａ−３ｉの光導電層１０５を形成する［第１図（
Ｃ）］。
ａ−５ｉの光導電層１０５は、次のようにして形成され
る。まず、基板上に必要部分のみに成膜するマスクを配
置し、グロー放電装置内に設置する。続いて、装置内の
真空度１０−６Ｔｏｒｒ、温度２３０°ｃでＳｉＨ４ガ
スを流量１１０３ＣＣ流入すせ、ガス圧を０ 、０７Ｔ
ｏｒｒに設定する。そして、１３．５６ＭＨｚの高周波
電源を用い、入力電圧０．３ＫＶ、放電電力８ｗで、４
．５時間のグロー放電を行い、ａ−３ｉの光導電層１０
５を形成する。
る。まず、基板上に必要部分のみに成膜するマスクを配
置し、グロー放電装置内に設置する。続いて、装置内の
真空度１０−６Ｔｏｒｒ、温度２３０°ｃでＳｉＨ４ガ
スを流量１１０３ＣＣ流入すせ、ガス圧を０ 、０７Ｔ
ｏｒｒに設定する。そして、１３．５６ＭＨｚの高周波
電源を用い、入力電圧０．３ＫＶ、放電電力８ｗで、４
．５時間のグロー放電を行い、ａ−３ｉの光導電層１０
５を形成する。
次に、−１−記装置内において、ＳｉＨ４をＨ２でｉｏ
％に希釈したガスと、ＰＨ３をＨ２で１ｏ。
％に希釈したガスと、ＰＨ３をＨ２で１ｏ。
ｐｐｍに希釈したカスとを、１：１ｏの割合で混合した
原料ガスを用い、放電電力３０Ｗでグロー放電を行う。
原料ガスを用い、放電電力３０Ｗでグロー放電を行う。
これによって、光導電層１０５上にオーミックコンタク
ト用のｎ中層ｌＯ６が厚さ０．１５ｇｍ堆積される［第
１図（Ｄ）］。
ト用のｎ中層ｌＯ６が厚さ０．１５ｇｍ堆積される［第
１図（Ｄ）］。
次に、スパフタリングにより厚さ０ 、３ ｇｍのＡＩ
層１０７が上記基板の全面に形成される［第１図（Ｅ）
］。
層１０７が上記基板の全面に形成される［第１図（Ｅ）
］。
続いて、第１図ＣＢ）に示されるように、下電極１０３
および１０４と同位置且つ同間隔で、Ａ１層１０７から
上電極１０８および１０９を形成する［第１図（Ｆ）コ
。
および１０４と同位置且つ同間隔で、Ａ１層１０７から
上電極１０８および１０９を形成する［第１図（Ｆ）コ
。
そして、プラズマエツチング装置内で、上電極１０８お
よび１０９をマスクとして、ＣＦ４ガスによるドライエ
ツチング（高周波電力１２０Ｗ、ガス圧０ 、０７Ｔｏ
ｒｒ）を行い、ｎ中層１０６を除去し受光部１１０を形
成するＬ第１図（Ｇ）］。
よび１０９をマスクとして、ＣＦ４ガスによるドライエ
ツチング（高周波電力１２０Ｗ、ガス圧０ 、０７Ｔｏ
ｒｒ）を行い、ｎ中層１０６を除去し受光部１１０を形
成するＬ第１図（Ｇ）］。
このように、光導電層１０５を材料の異なる上下両電極
によって接続したフォトセンサでは、従来に比べて４〜
５倍の光電流を得ることができた。さらに、下電極１０
３および１０４がＣｒで形成されているために、ガラス
基板１０１との密着性が大きくなり、構造が強化される
。
によって接続したフォトセンサでは、従来に比べて４〜
５倍の光電流を得ることができた。さらに、下電極１０
３および１０４がＣｒで形成されているために、ガラス
基板１０１との密着性が大きくなり、構造が強化される
。
第２図は、本発明の第２実施例の断面図である。ここで
は＋−Ｃｒで形成された下電極１０３および１０４の間
隔Ｌ１を１２１Ｌｍ、Ａｌで形成された上電極１０８お
よび１０９の間隔Ｌ２を８ｇｍとした。
は＋−Ｃｒで形成された下電極１０３および１０４の間
隔Ｌ１を１２１Ｌｍ、Ａｌで形成された上電極１０８お
よび１０９の間隔Ｌ２を８ｇｍとした。
このように、ＬＬ ＞Ｌ２とすることで、Ｌ１’＝Ｌ２
の場合よりも同じ光量でより大きな光電流を得ることが
できた。
の場合よりも同じ光量でより大きな光電流を得ることが
できた。
第３図は、本発明の第３実施例の断面図である。ここで
は、Ｃｒで形成された下電極１０３および１０４にもオ
ーミックコンタクト用のｎ中層２０１が形成され、第１
および第２実施例よりも更に大きな光電流を得ることが
できた。
は、Ｃｒで形成された下電極１０３および１０４にもオ
ーミックコンタクト用のｎ中層２０１が形成され、第１
および第２実施例よりも更に大きな光電流を得ることが
できた。
なお、下電極１０３および１０４の材料としてＴａ、Ｍ
ｏ、Ｎｉ−Ｃｒ等を用いても、上記と同様に、構造の強
化および大きな光電流を得ることができた。
ｏ、Ｎｉ−Ｃｒ等を用いても、上記と同様に、構造の強
化および大きな光電流を得ることができた。
［発明の効果］
以上詳細に説明したように、本発明によるフォトセンサ
は、ａ−５ｉ等の光電変換部の上下面に接続された電極
を有し、該上下の電極が電気的に接続され、Ｉ」、つ一
方の電極がＣｒで形成されているために、従来と同様の
電極パターンを用いても大きな光電流を得ることができ
、駆動が容易となる。さらに、電極と基板との密着性が
強くなるとともに、傷に対しだも強くなるために、歩留
りおよび信頼性が向上する。
は、ａ−５ｉ等の光電変換部の上下面に接続された電極
を有し、該上下の電極が電気的に接続され、Ｉ」、つ一
方の電極がＣｒで形成されているために、従来と同様の
電極パターンを用いても大きな光電流を得ることができ
、駆動が容易となる。さらに、電極と基板との密着性が
強くなるとともに、傷に対しだも強くなるために、歩留
りおよび信頼性が向上する。
さらに、十分に厚い電極を有するために、センサの基板
が強固となり、他の基板の回路との接続の信頼性が向」
ニする。
が強固となり、他の基板の回路との接続の信頼性が向」
ニする。
第１図（Ａ）〜（Ｇ）は、本発明によるフォトセンサの
一実施例の製造工程図、 第２図は、本発明の第２実施例の断面図、第３図は、本
発明の第３実施例の断面図、第４図は、従来のプレナー
型の光導電型フォトセンサの一例であり、第４図（Ａ）
は平面図、第４図ＣＢ）は、第４図（Ａ）におけるＡ−
Ａ線断面図である。 １０１；ガラス基板、 １０３．１０４．下電極 １０８．１０９．上電極 １０５；光導電層 第１ 図、 第２図
一実施例の製造工程図、 第２図は、本発明の第２実施例の断面図、第３図は、本
発明の第３実施例の断面図、第４図は、従来のプレナー
型の光導電型フォトセンサの一例であり、第４図（Ａ）
は平面図、第４図ＣＢ）は、第４図（Ａ）におけるＡ−
Ａ線断面図である。 １０１；ガラス基板、 １０３．１０４．下電極 １０８．１０９．上電極 １０５；光導電層 第１ 図、 第２図
Claims (2)
- （１）基板上に光電変換部を有するフォトセンサにおい
て、 微小間隔で対向配置されるとともに前記 光電変換部の上下面に接続された電極を有し、該上下の
電極は電気的に接続され、且つ上電極又は下電極がクロ
ム（Ｃｒ）導電材料で形成されていることを特徴とする
フォトセンサ。 - （２）上記電極のうち、上電極はアルミニウム（Ａｌ）
導電材料、下電極はクロム（Ｃｒ）導電材料で各々形成
されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のフォトセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59154044A JPS6134969A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | フオトセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59154044A JPS6134969A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | フオトセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6134969A true JPS6134969A (ja) | 1986-02-19 |
Family
ID=15575688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59154044A Pending JPS6134969A (ja) | 1984-07-26 | 1984-07-26 | フオトセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6134969A (ja) |
-
1984
- 1984-07-26 JP JP59154044A patent/JPS6134969A/ja active Pending
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