JPS6366117B2

JPS6366117B2 -

Info

Publication number: JPS6366117B2
Application number: JP53047098A
Authority: JP
Inventors: Tadaharu Fukuda; Takashi Nakagiri
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1978-04-20
Filing date: 1978-04-20
Publication date: 1988-12-19
Also published as: JPS54139342A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は情報処理装置、殊に光変換部を具備す
る情報処理装置に関する。

光電変換部を具備する固体化された情報処理装
置は、テレビ撮像装置、フアクシミリやデジタル
複写機（DCと略記する）等用の入力装置、或い
はその他の文字や画像等の読取り装置等に適用さ
れ得るものであつて、最近富に開発の進展が著し
い。

この様な情報処理装置は、光電変換機能を有す
る画素群と、該画素群から出力される電気信号を
順次時系列に配列された形で取り出す走査機能を
もつ回路とを包含するもので、フオトダイオード
とMOS・FET（Field Effeet Transistor）
（MOS typeと略記する）を構成・要素として包
含するもの、或いはCCD（Charge Coupled
Device）やBBD（Bucket Brigade Derice）、即
ち所謂CTD（Charge Transfer Device）を構
成・要素として包含するもの等々各種の方式があ
る。

而乍らこれ等MOS typeにしろCTDにしろ、
Si単結晶（Ｃ−Siと略記する）ウエーハー基板を
使用する為に、光電変換部の受光面の面積はＣ−
Siウエーハー基板の大きさで限定されて仕舞う。
即ち、現時点に於いては、全領域に於ける均一性
も含めると精々数inch角程度の大きさのＣ−Siウ
エーハー基板が製造され得るに過ぎない為に、こ
の様なＣ−Siウエーハー基板を使用するMOS
type、或いはCTDをその構成要素とする情報処
理装置に於いては、その受光面は、先のＣ−Siウ
エーハー基板の大きさを超え得るものではない。

従つて、受光面がこの様な限られた小面積であ
る光電変換部を有する情報処理装置では、例えば
DCの入力装置として適用する場合、縮小倍率の
大きい光学系を複写しようとする原稿と受光面と
の間に介在させ、該光学系を介して原稿の光学像
を受光面に結像させる必要がある。

この様な場合、以下に述べる様に解像度を高め
る上で技術的な限度がある。

即ち、光電変換部の解像度が例えば、10本／
mm、受光面積が10cm²であるとし、A4サイズの原
稿を複写しようとする場合、受光面に結像される
原稿の光学像は約1/60に縮小され、A4原稿に対
する前記光電変換部の実質的な解像度は約180
本／mmに低下して仕舞う。この様に実質的な解像
度は複写しようとする原稿のサイズが大きくなる
に従つて（受光面のサイズ）／（原稿のサイズ）
の割合で低下する。

従つて、この点を解決するには、この様な方式
に於いては、光電変換部の解像度を高める製造技
術が要求されるが、先の様な限られた小面積で要
求される解像度を得るには、集積密度を極めて高
くし、且つ構成素子に欠陥がない様にして製造し
なければならないが、斯かる製造技術にも自づと
限度がある。

他方、光電変換部を複数配置して、全受光面積
が複写し得る最大原稿サイズの面積と１：１にな
る様にし、結像される原稿の光学像を光電変換部
の数に分割して実質的な解像度の低下を避け様と
する方式が提案されている。

而乍ら、斯かる方式に於いても次に述べる様な
不都合さがある。即ち、光電変換部を複数配置す
ると必然的に各光電変換部間に受光面の存在しな
い境界領域が生じ、全体的に見る場合、受光面は
連続的でなくなつて仕舞い、原稿の結像される光
学像は分断され、且つ境界領域に相当する部分は
光電変換部に入力されず、複写されて来る画像は
格子状に白抜けしたり或いは格子状に白抜けする
部分に相当する部分が除かれて結合された不完全
なものとなる。又、複数の受光面に分割されて結
像された光学像は、各受光面に於いて各々光学的
反転像となつている為、全体像は原稿像の光学的
反転像とは異つている。従つて、受光面に結像さ
れた光学像をそのまま再生したのでは元の原稿像
を再現することは出来ない。

この様に、従来の、光電変換部を具備した情報
処理装置に於いては、その受光面積が小さい為に
高解像度で情報を再現するのは極めて困難であ
る。従つて、大面積の受光面を有し、且つ解像性
に優れた光電変換部を有する情報処理装置が望ま
れている。殊にフアクシミリやDCの入力装置、
或いは、その他の原稿に書かれた文字又は画像を
読取る装置に適用するものとしては再生する原稿
のサイズに相等しい又は再生像に要求される解像
度を低下させる様に原稿サイズに対して極端に小
さくはない受光面積を有する光電変換部を具備し
た情報処理装置が不可欠である。

本発明は、上記の諸点に鑑みて成されたもので
あつて、その目的は大面積の受光面を有し且つ高
解像度化、高感度化された光電変換部を具備し、
極めて軽量化された情報処理装置を提供すること
にある。

本発明の情報処理装置は、読取るべき情報を担
持する原稿を設置する為の原稿設置手段、前記原
稿設置手段に設置された原稿を照射する為の原稿
照射手段、ｍ×ｎ個の光電変換要素群がｍ行ｎ列
で行列状に配列され、各光電変換要素は、行に共
通な電極（Ｘ電極）と列に共通な電極（Ｙ電極）
と、これ等２つの電極との間に各光電変換要素毎
に分離されたアモルフアスシリコンから成る層と
を有する二次元光電変換部；該二次元光電変換部
と同一の基板上に前記層とは分離されたアモルフ
アスシリコンから成る層を有する、入力された光
信号に応答して被選択行を構成するｎ個の光電変
換要素の各々から出力される電気信号群を並列に
入力し直列に出力する時系列信号変換部；該二次
元光電変換部の行を選択して出力される信号を発
生する行選択信号発生部；とを有する光電変換手
段、前記原稿照射手段により発せられ前記原稿を
介して来る光を光電変換手段の受光面に導く為の
光学系、とを具備することを特徴とする。

以下、本発明を図面に従つて詳細に説明する。

第１図は、本発明の情報処理装置の主構成部を
説明する為のブロツク図である。

１は二次元光電変換部であつて、ｍ×ｎ個の光
電変換要素群がｍ行ｎ列で行列状に配列された構
成となつている。光電変換要素は、後で詳細にそ
の構造に就いて述べられるが、一行を構成するｎ
個の光電変換要素に共通な電極X₁，X₂，…X_o-1，
X_oと一列を構成するｍ個の光電変換要素に共通
な電極Y₁，Y₂，Y₃…Y_o-1，Y_oとの間に各要素毎
に分離された薄膜半導体である光電変換層とを有
する。

光電変換要素を構成する光電変換層は各要素毎
に独立して設けられている。即ち、光電変換層
は、各要素毎に分離或いは分断されて設けられ
る。分離の方法としては、光電変換層を構成する
材料に依存する。

殊に、光起電力タイプとする場合は要素毎に分
離して形成される事は好都合である。

二次元光電変換部の受光面への光信号の照射は
直接行つても良いし、或いは適当な光学系を使用
して受光面上に結像させる様にして照射しても良
い。

２は二次元光電変換部１の行を構成するＸ電極
群の中の指定される電極を選択して出力される信
号を発生する行選択信号発生部であつて、カウン
タ３、スイツチ（SW）信号発生回路４、スイツ
チ（SW）回路５とを含んでいる。

SW信号発生回路４は、例えばシフトレジスタ
ー（SR）で構成されたリングカウンターで構成
される。

SW回路５はＸ電極の数、即ちｍ個の、スイツ
チング機能を有する電子的又は機械的素子で構成
され、SW信号発生回路４で次々に発生される信
号に従つて、スイツチング動作を次々に行う機能
を有し、例えばX₁電極が選択される場合には、
X₁電極と接続されているスイツチング素子が作
動する様になつている。

６は時系列信号変換部であつて、二次元光電変
換部１に入力された光信号に応答して行毎に出力
される電気信号を並列的に入力して、転送信号７
（シフトパルス）の指令によつて直列的に信号８
として出力する機能を有するものである。即ち時
系列信号変換部６に転送信号７がｎ個入力される
ことによつて時系列信号変換部６が二次元光電変
換部６から並列に入力された信号が全部出力され
る。

一方、カウンター３には上記転送信号７に対応
してｎ個の信号が入力されると一個の信号が出力
され、次いで該信号がSW信号発生回路４に入力
されて、該回路４から二次元光電変換部１の行を
選択する信号が出力され、SW回路５を構成する
スイツチング素子群の１つが動作される。

本発明に於ける二次元長尺光電変換部１は、時
系列信号変換部６と二分化されて、薄膜精密技術
で形成される為に、通常の所謂CCDホトセンサ
ーとは異なり大面積化し得るものであつて、例え
ばA3の原稿幅分程の大面積化とすることが可能
である。

従つて、縮小の為の光学系を使用せずとも密着
方式で直接原稿の読み取りが可能となりコンパク
ト化、軽量化が計れる。

時系列信号変換部６としては、二次元光電変換
部１とは逆に所望される変換機能さえ有すれば、
可能な限り小面積に形成し得る。

又、二次元光電変換部１と時系列信号変換部６
とは、結線の容易さの為には同一基板上に設けら
れている方が良い。更には二次元光電変換部１と
時系列信号変換部６との両方を薄膜で形成すれば
同一平面上に平面的に一体化して形成する事が出
来、量産性の向上及び性能の向上を計ることが出
来る。

又は、二次元光電変換部１を同一基板の一方の
面側に、時系列信号変換部６を他方の面側に設け
ることも出来る。

本発明に於いては時系列信号変換部６として
は、例えば、CCDレジスタ（CCDR）、シフトレ
ジスター（SR）、スイツチングトランジスターア
レイ（STA）等の変換手段で構成される。

次に、第１図に示される二次元変換部１を構成
する光電変換要素に就いて説明する。

第２図乃至第６図は、二次元光電変換部１を構
成する光電変換要素の基本的な構成を説明する為
の模式的構成断面図である。

本発明に於ける二次元光電変換部１を構成する
光電変換要素としては (A) 光起電力タイプ (a) pn結合型 (b) シヨツトキーバリアー型 (B) 光導電タイプ (c) ホトダイオード型 (d) monolayer型 (C) その他のタイプ (e) MOS（Metal−Oxide−Semicondictor）
型が挙げられる。

これ等の中で本発明に於いて、殊に有効とされ
るのは、後述される有利性から(A)−(a)のタイプで
ある。

第２図は上記分類の(a)に就いての基本的構成を
示す模式的構成断面図である。

第２図に示される光電変換要素９は、行電極１
０と列電極１２との間に薄膜の光電材料から成る
光起電力層１１が設けられている。

図においては、光起電力層１１は、行電極１０
側にｐ型半導体層、列電極側にｎ型半導体層が設
けられてｐ−ｎ junction（接合）が形成された
ものであるが、勿論このｐ−ｎの積層順は、図と
逆であつても差支えない。又、層１１中に形成さ
れるｐ−ｎ junctionはhomo junctionであつて
もhetero−junctionであつても良い。

homo−junctionを形成する材料としては、ア
モルフアスシリコン（ａ−Si）が用いられる。Ａ
−Si層の形成は通常なされている寸法、例えば真
空蒸着法、グロー放電法、スパツタリング法、イ
オンプレーテイング法等の所謂物理的堆積法
（PVD）、或は所謂化学的堆積法（CVD）によつ
て行う事ができ、これら方法によつてａ−Siから
成る光起電力層２２は形成される。

hetero−junctionを形成するには、矢張り上記
のhomo−junctionを形成する場合と同様の方法
が採用されて成されるが、形成された光起電力層
２２が所望の特性を示す様に形成方法や使用する
材料を選択してやると良い。

行電極１０、列電極１２は層１１とオーミツク
コンタクト（Ohmic contact）する材料で形成さ
れる。その様な材料としては、例えば図示する如
くのｐ−ｎ junctionを形成する場合には、ｐ型
ａ−Si層側の電極材料として、Pt、Ir、Au、Pd、
Al、Mo、多結晶Si（polySi）、Nb、Ta、Ｖ、
Ti、Cr、ステンレス等が、ｎ型ａ−Si層側の電
極材料として、Al、Mo、PolySi、Nb、Ta、
Ｖ、Ti、Cr、ステンレス等が採用される。

又、図の様に行電極１０側から光照射がされる
場合には、光照射側となるｐ型層はｐ−ｎ
junction部に照射光が出来だけ多く到達する様に
薄く形成すると良い。

逆に、基板１３側から光照射される場合には、
同様の理由でｎ型層は薄く形成されると良い。こ
の場合、列電極１２は勿論、照射光に対して透光
性とされる必要がある。

光電変換要素を光起電力タイプとする場合、上
記の様にｐ−ｎ junctionを形成するタイプの他
行電極１０、又は列電極１２と、層１１との間に
シヨツトキーバリアー（Sohottkybarrier）を形
成したタイプのものも採用される｛分類(A)−(b)｝。
この場合、行電極１０又は列電極１２は層１１と
シヨツトキーバリアーを形成する材料で形成され
る。すなわち層１１をｎ型ａ−Siで構成すると、
例えばPt、Ir、Au、Pd等が具体的に挙げられる。

第３図に示される光電変換要素１４は、光導電
タイプのものであつて基板１８上に、列電極１
７、該電極１７上に光導電性を示す光電変換層１
６、該層１６上に行電極１５が設けられた構造を
有している。

電極１５及び電極１７は、層１６とオーミツク
コンタクトをする様な材料で形成される。その様
な材料としては、例えば層１６をｐ型ａ−Siで形
成した場合には、例えばPt、Ir、Au、Pd、Al、
Mo、PolySi、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Cr、ステンレ
ス等が挙げられ、ｎ型ａ−Siで形成した場合に
は、例えばAl、Mo、PolySi、Nb、Ta、Ｖ、
Ti、Cr、ステンレス等が挙げられる。

層１６は、上記した様にｐ型又はｎ型を示す光
導電材料で形成されるが、この他ｐ型とｎ型を積
層した構成とされても良い。｛分類(B)−(C)｝。

又、電極１５は、該電極１５側から光照射され
る場合には該電極１５による光吸収を出来るだけ
避ける意味で、例えば層１６の両端に分離し、中
央付近は照射光が直接層１６に入射される様に工
夫すると良い。

第４図は、前記分類の(e)に就いての基本的構成
を示す模式的構成断面図である。

第４図に示される光電変換要素は、所謂MOS
感光素子構造をしている。光電変換要素１９は、
例えば図に示されている様に電極２０側がｎ型で
ある場合には、光２１が入射される部分及びドレ
イン電極２２（列電極）の付設されている部分は
P⁺型にされ、絶縁層２３を介してゲート電極２
４（行電極）の付設されている部分はｎ型に形成
される。この様なMOS感光素子構造の光電変換
要素１９を形成する材料としてもａ−Siを用いる
ことができる。図に於いては、電極２０側がｎ型
に就いて示されているが、電極２０側がｐ型の場
合は、図に於いてP⁺のところがn⁺となる様に形
成される。

第５図は、第１図で示される情報処理装置の主
構成部の中、二次元光電変換部１と時系列信号変
換部６との構造の一部分を示した模式的構造断面
斜視図である。第５図に於いては、時系列信号変
換部６が、CCDRで構成された場合が示される。
時系列信号変換部６を構成するCCDRは例えばｐ
型シリコン層２５上の一部にSiO₂から成る絶縁
層２６を形成し、該層２６上に、分離されて独立
的に設けられたｎ個の転送電極２７が設けられて
おり、又、一方図に明示されている様にＰ型シリ
コン層２５中にn⁺型シリコン層２８が形成され、
該層２８上には、二次元光電変換部１を構成する
光電変換要素２９毎に設けられた列電極Y₁…Y_i，
Y_j…Y_o毎に対応する電極３０がｎ個設けられて
いる。ｎ個の電極３０とｎ個の列電極Y₁…Y_i，
Y_j…Y_oとは図に示す導電線３１を通じて１対１
に電気的に結線されている。光電変換素子２９
は、列電極Y₁…Y_i，Y_j…Y_oと行電極X₁…X_k，X_l
…X_nとの間に光電変換層３２が設けられた構成
とされ、光電変換層３２は例えばｐ−ｎ
junction接合が形成された光電起電力層とされ
る。この場合、行電極X₁…X_k，X_l…X_nは、光電
変換層３２の表面全域に設けられてある必要はな
く、例えば図示されている如く、光電変換部層３
２の表面の一部分に設けてあれば良い。従つて、
行電極X₁…X_k，X_l…X_nから光照射がされる様な
場合には、行電極X₁…X_k，X_l…X_nによる照射光
の吸収ロスを考慮する必要がなくなり、更には、
行電極X₁…X_k，X_l…X_nとして、照射光透過性の
材料で形成することは必ずしも要しないという利
点がある。上記の様に、光電変換層３２を光起電
力を示す層とする場合には、各層間に、電気的絶
縁層部３３を設けて各光電変換層３２を電気的に
絶縁してやる必要がある。

第６図も第５図と同様、第１図で示される情報
処理装置の主構成部の中、二次元光電変換部１と
時系列信号変換部６との構造の一部分を示した模
式的構造断面斜視図であるが、第５図の場合と本
質的に異なるものではない。第６図に於いて、第
５図と異なる点は、第５図の場合は時系列信号変
換部６としてCCDRで構成し、該CCDRは、蓄積
部と転送部とを一体的に形成したものであるのに
対して、第６図に示されるCCDRは、蓄積部と転
送部とを分化して設けられており、各転送電極２
７と１：１に対応して蓄積電極３４が設けられて
いる点だけである。その他の構造及び機能は全く
第５図と同様である。

本発明の情報処理装置をカラー情報も処理し得
る様にするには、通常画像処理分野で採用されて
いる有効な方法、例えば、光電変換部の受光面上
に、Ｂ、Ｇ、Ｒの３つのフイルター膜を各々別々
にモザイク状に直接設ける方法、他の基板上に、
Ｂ、Ｇ、Ｒの３つのフイルター膜を各々別にモザ
イク状に形成したものを、受光面上に接着剤等を
使用して設ける方法、Ｂ、Ｇ、Ｒの３枚のフイル
ターを使用し、光照射するのをフイルターを代え
乍ら、３回行う方法等を採用する事が出来る。

次に、光電変換部及び時系列信号変換部として
のCCDRの製造手順に就いて、実施例を挙げて詳
述する。

実施例１〔光電変換部の製造〕 210mm×300mmの厚さ２mmのガラス基板を、中性
洗剤にて洗浄後、超音波洗浄、流水によるすす
ぎ、純水洗浄、エチルアルコールと水酸化カリウ
ムによる洗浄、純水洗浄、超音波洗浄の工程で、
十分洗浄を行つて乾燥した。この基板上に真空蒸
着法により５×10^-6torrの真空度でAlを膜厚1μｍ
の厚さに蒸着した。Al蒸着後、真空槽内にSiH₄、
PH₃ガスを導入して真空槽内の圧力を1torrに保
ち、次いで、蒸着槽外に巻かれた誘導コイルに
13.56MHzの高周波電力を供給してグロー放電を
蒸着槽内に起こし、Al蒸着膜上にｎ型アモルフ
アスシリコン膜を1μｍの厚さに蒸着した。更に
PH₃のガス導入を止めてB₂H₆ガスを真空槽内に
入し、SiH₄、B₂H₆ガス雰囲気中で、引続き、ｐ
型アモルフアスシリコン膜を0.3μｍの厚さに蒸着
した。尚、グロー放電蒸着中は、基板の温度を
300℃に保つた。

以上のようにAl蒸着膜、ｎ型アモルフアスシ
リコン膜、ｐ型アモルフアスシリコン膜が形成さ
れた基板を、真空を破つて真空槽内に取り出し、
ホトレジストOMR−83（商品名；東京応化製）
の塗布、画素パターンを介して水銀灯により露
光、現像の工程により、ホトレジストの画素パタ
ーンをｐ型アモルフアスシリコン膜上に形成し
た。

次にエツチング液（cp−４）により、ホトレ
ジストが塗布されていない部位をエツチングし
て、ｐ型、ｎ型アモルフアスシリコン膜、Al膜
を基板上から画素パターン通りに除去した。

エツチング後十分に乾燥した後、スパツタリン
グ蒸着によりSiO₂膜を3μｍ厚さに蒸着して、ホ
トレジ膜上、並びに各画素間のエツチング部に
SiO₂膜を堆積させた。

SiO₂蒸着後、再び真空を被つて真空槽外に基
板を取り出してホトレジストをはくり液にて除去
した。SiO₂膜は各画素間のみに絶縁部材として
残余している。

再び真空蒸着法により基板上に最初に蒸着され
たAl電極（Ｘ電極）と、ｎ型、ｐ型アモルフア
スシリコン膜を介して交叉する形でAlを膜厚1μ
ｍの厚さに蒸着する（Ｙ電極）。この蒸着膜の巾
は、Ｙ電極の巾に比較して著しく小でよい。以上
の製造工程のフローチヤートを第７図に示す。

〔CCDレジスター部の製造〕先づ、ｐ型シリコンウエハー基板上に5000Å程
度の膜厚のSiO₂層を加熱により基板上に熱成長
させた。次に写真製版技術により、複数個のソー
ス、１個のドレイン部を形成すべき基板部分の酸
化層を除去した。次に燐を、熱拡散により基板に
拡散させた。

次にSiO₂膜をエツチングにより全て除去した。
そして再び基板上に加熱により2000Åの膜厚の
SiO₂層を熱成長させ、ゲート酸化膜を形成した。
次に真空蒸着法、写真製版技術、熱酸化により
Alのゲート電極を形成した。このCCDレジスタ
ーの残りの工程、すなわちコンタクト部の穴あ
け、Al配線、熱処理は通常の方法で形成され、
複数個のソース部、１個のドレイン部、転送部を
有するCCDレジスターを形成した。以上の製造
工程のフローチヤートを第８図に示す。

以上の様にして、光電変換部と時系列信号変換
部（ここではCCDR）とを形成した後、光電変換
部のＸ電極（行電極）行選択信号発生部の各端子
に接続し各Ｙ電極（列電極）をCCDR部の各ソー
ス部と１対１にしてリード結線したものを、第９
図に模式的に示す様な配置関係になる様にして、
出力系としてインクジエツト方式を採用している
DCの入力装置として本体に組み込んで、A4原稿
の複写を行つたところ極めて鮮明で解像度の高い
高品質の被写画像が得られた。

第９図に於いて、３４は原稿、３５は光電変換
部の受光面であり、原稿３４と受光面７１との間
には、結像用の光学系３６が所定位置に配置され
る。３７は原稿面を照射する為の光源である。光
学系３６は、受光面３５に原稿像が結像される様
に移動可能な状態で設けられる。

照明系については、一般に投影レンズに
Vignettingがなくても、画角θに対してcos⁴θ側
に従つて、周辺の像面照度が低下するからであ
る。受光面上での像面照度を均一にするため、原
稿面３４周辺での照度を原稿面中心のそれに対し
高くするようなものにする。これを補正する一つ
の方法として、第９図に示すように、原稿面３４
の周辺に沿つて照明用光源３７を配置すると良
い。

実施例２〔CCDレジスター部の製造〕 300mm×300mmの厚さ２mmのガラス基板を、中性
洗剤にて洗浄後、超音波洗浄、流水によるすす
ぎ、純水洗浄、エチルアルコールと水酸化カリウ
ムによる洗浄、純水洗浄、超音波洗浄の工程で十
分洗浄を行つて乾燥した。この様な処理を行つた
前記基板の一辺片側300mm×50mmの領域をアピエ
ゾワツクスで被覆した。この基板上の被覆されて
いない部分に抵抗加熱方式真空蒸着法により、５
×10^-6torrの真空度でAlを膜厚1μｍの厚さに蒸着
した。Al蒸着後真空槽内SiH₄、B₂H₆ガスを導入
して真空槽内の圧力を1torrに保ち、次いで蒸着
槽外に巻かれた誘動コイルに13.56MHzの高周波
電力を供給してグロー放電を蒸着槽内に起しAl
蒸着膜上ｐ型アモルフアスシリコン膜を10μｍの
厚さに蒸着した。尚グロー放電蒸着中は、基板の
温度を300℃に保つた。

以上のようにAl、アモルフアスシリコン膜が
形成された基板を真空を破つて別のスパツタリン
グ蒸着装置にセツトし、SiO₂膜を1μｍの厚さに
蒸着した。

SiO₂膜を蒸着後、真空を破つて真空槽外に基
板を取り出して、次に写真製版技術により複数個
のソース、１個のドレイン部を形成すべき部分の
SiO₂層を除去した。

次に燐を、イオンインプランテーシヨン法によ
りｐ型アモルフアスシリコン膜に注入し、ｎ型シ
リコン部を形成した。

次にSiO₂膜を、エツチングにより全て除去し
た。そして再び、この基板をスパツタリング蒸着
槽内にセツトしてSiO₂膜を2000Åの厚さに蒸着
した。

次に抵抗加熱方式真空蒸着法、写真製版技術、
スパツタリング蒸着法により、Alのゲート電極
を形成した。このように形成された薄膜シリコン
CCDレジスターの残りの工程すなわちコンタク
ト部の穴あけは通常の工程で行い、複数個のソー
ス部、転送ゲート部、１個のドレイン部を有する
薄膜CCDレジスターを形成した。

次に加熱して、アピエゾワツクスの保護被膜を
融解し、メチルエチルケトンを用いて、基板より
完全に除去し、更にエチルアルコールを用いて基
板面を洗浄した。

その後、CCDレジスター部の形成された部分
をアピエゾワツクスで完全に被覆した（保護膜形
式）。

続いて、実施例１に示したのと同様の手順で光
電変換部を形成した。この様にして、光電変換部
とCCDレジスター部の形成されたものは、前記
と同様の手法によつてて、アピエゾワツクス保護
被膜が完全に除去された。

その後、マスキング法により、CCDレジスタ
ー部と光電変換部の所定の結線を真空蒸着によつ
て行つた。

以上の製造工程のフローチヤートを第１０図に
示す。

この様にして製造されたものを、実施例１と同
様に第９図に模式的に示す様な配置関係になる様
にして、出力系としてインクジエツト方式を採用
しているDCの入力装置として本体に組み込み、
複写作業を行つたところ極めて鮮明で、原稿に忠
実な複写画像が得られた。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の情報処理装置の主構成部を
説明する為のブロツク図、第２図乃至第４図は、
本発明の構成要素となる光電変換要素の好適な実
施態様に就いての構成を各々示した模式的構成断
面図、第５図及び第６図は、二次元光電変換部１
と時系列信号変換部６との構造の一部分を示した
模式的構造断面斜視図、第７図及び第８図は各々
本発明に係る光電変換部、時系列信号変換部を形
成する工程を説明する為のフローチヤート、第９
図は、本発明の情報処理装置をデジタルコピアに
実際に組込んだ場合の模式的配置図、第１０図は
光電変換部と時系列変換部とを同一基板に薄膜技
術で形成する工程を説明するフローチヤートであ
る。１……光電変換部、２……行選択信号発生部、
６……時系列信号変換部、７……転送信号、９，
１４，１９……光電変換要素。

Claims

【特許請求の範囲】１ (a) 読取るべき情報を担持する原稿を設置す
る為の原稿設置手段、 (b) 前記原稿設置手段に設置された原稿を照射す
る為の原稿照射手段、 (c) ｍ×ｎ個の光電変換要素群がｍ行ｎ列で行列
状に配列され、各光電変換要素は、行に共通な
電極（Ｘ電極）と列に共通な電極（Ｙ電極）
と、これ等２つの電極との間に各光電変換要素
毎に分離されたアモルフアスシリコンから成る
層とを有する二次元光電変換部；該二次元光電変換部と同一の基板上に前記層
とは分離されたアモルフアスシリコンから成る
層を有する、入力された光信号に応答して被選
択行を構成するｎ個の光電変換要素の各々から
出力される電気信号群を並列に入力し直列に出
力する時系列信号変換部；該二次元光電変換部の行を選択して出力され
る信号を発生する行選択信号発生部；とを有する光電変換手段、 (d) 前記原稿照射手段により発せられ前記原稿を
介して来る光を光電変換手段の受光面に導く為
の光学系、とを具備することを特徴とする情報処理装置。２前記分離が前記基板の同一面で平面的に成さ
れている特許請求の範囲第１項の情報処理装置。３同一の基板の一方の面側に二次元光電変換部
が設けられ、他方の面側に行選択信号発生部及び
時系列信号変換部とが設けられている特許請求の
範囲第１項の情報処理装置。４光電変換要素は、光電変換層中にｐ−ｎ接合
を形成した光起電力タイプである特許請求の範囲
第１項乃至第３項の情報処理装置。５光電変換要素は、光電変換層がＸ電極とＹ電
極の何れか一方とシヨツトキーバリアーを形成し
ている光起電力タイプである特許請求の範囲第１
項乃至第３項の情報処理装置。６時系列信号変換部がシフトレジスターで構成
されている特許請求の範囲第１項乃至第５項の情
報処理装置。７時系列信号変換部が電荷結合デバイスレジス
ターで構成されている特許請求の範囲第１項乃至
第５項の情報処理装置。８二次元光電変換部及び時系列信号変換部が同
一基板上に薄膜で一体的に形成されている特許請
求の範囲第２項乃至第７項の情報処理装置。