JPS62193277A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS62193277A JPS62193277A JP61033889A JP3388986A JPS62193277A JP S62193277 A JPS62193277 A JP S62193277A JP 61033889 A JP61033889 A JP 61033889A JP 3388986 A JP3388986 A JP 3388986A JP S62193277 A JPS62193277 A JP S62193277A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は固体撮像装置に関する。
従来１代表的な、光導電膜積層型固体撮像装置としては
、第２図に示す白黒用インターライン転送方法で、光導
電膜にＨ型アモルファスシリコン［ａ−８ｉ ： Ｈ′
ｆ：用いたアモルファスシリコン積１Δ型ＣＯＤイメー
ジセンナが知られている。図中１はＰ型シリコン半導体
基板である。この基板１の表面に￥′ｉ、光入射により
生成した信号電荷を７小トダイオート°に１８：渚す入
介めのＮ十剤の笛ｌ木鎮物層５と継型の第１不純物層２
．フォトダイオードに蓄積された信号電荷を読出して垂
直ＣＯＤにおけるチャネルを形成するための継型の第２
不純物層３１，３２．Ｐ＋型の第３不純物Ｒ（チャネル
・ストッパ）４１．４２が形成されている。前記基板１
上には絶縁［６１，６２が形成され、該絶縁膜６１．６
２内には第１の多結晶シリコンゲー）’１ｔｆｆ１７□
７□第２の多結晶シリコンゲート電極８□８□が段階的
に所定距離おいて設けられ、また第４不純物層５に一部
が接合された第１電極例えば、Ａｔ電極１７１１７２が
形成されている。さらにこの第１Ａｔ電極１７□、１７
□の一部及び絶縁膜１ｏ□、１ｏ２の一部の表面に第２
を極例えば、Ａｔ電極１８１．１８□が形成されている
。さらに、アモルファスシリコン光＝ｌ［１５が形成さ
れ、最後に透明電極としてＩＴＯ電極１６が形成される
。
、第２図に示す白黒用インターライン転送方法で、光導
電膜にＨ型アモルファスシリコン［ａ−８ｉ ： Ｈ′
ｆ：用いたアモルファスシリコン積１Δ型ＣＯＤイメー
ジセンナが知られている。図中１はＰ型シリコン半導体
基板である。この基板１の表面に￥′ｉ、光入射により
生成した信号電荷を７小トダイオート°に１８：渚す入
介めのＮ十剤の笛ｌ木鎮物層５と継型の第１不純物層２
．フォトダイオードに蓄積された信号電荷を読出して垂
直ＣＯＤにおけるチャネルを形成するための継型の第２
不純物層３１，３２．Ｐ＋型の第３不純物Ｒ（チャネル
・ストッパ）４１．４２が形成されている。前記基板１
上には絶縁［６１，６２が形成され、該絶縁膜６１．６
２内には第１の多結晶シリコンゲー）’１ｔｆｆ１７□
７□第２の多結晶シリコンゲート電極８□８□が段階的
に所定距離おいて設けられ、また第４不純物層５に一部
が接合された第１電極例えば、Ａｔ電極１７１１７２が
形成されている。さらにこの第１Ａｔ電極１７□、１７
□の一部及び絶縁膜１ｏ□、１ｏ２の一部の表面に第２
を極例えば、Ａｔ電極１８１．１８□が形成されている
。さらに、アモルファスシリコン光＝ｌ［１５が形成さ
れ、最後に透明電極としてＩＴＯ電極１６が形成される
。
上記したような構造からなる白黒用インターライン転送
方式のアモルファスシリコン積ｉ型ｃｃＤイメージセン
サにおいては、アモルファスシリ：Ｆ ン１５ （Ｄ
下ｊｔｈハ、 第２ Ｔｊｕａ５１Ｒ，１８゜のバタ一
二ングのため生じ念急峻な段差部により平坦性が悪い。
方式のアモルファスシリコン積ｉ型ｃｃＤイメージセン
サにおいては、アモルファスシリ：Ｆ ン１５ （Ｄ
下ｊｔｈハ、 第２ Ｔｊｕａ５１Ｒ，１８゜のバタ一
二ングのため生じ念急峻な段差部により平坦性が悪い。
アモルファスシリコン１５は、その下地にこのような急
峻段差部があると、その近傍に形成されたアモルファス
シリコンの膜質に劣化現象が起こる。さらにこの膜質劣
化部は電荷発生部となり、白キズのような画像欠陥を発
生させ、問題となっている。し念がって、アモルファス
シリコン１５下地の段差部を失＜シ、アモルファスシリ
コンの局所的膜質の劣化全防止する必要がある。
峻段差部があると、その近傍に形成されたアモルファス
シリコンの膜質に劣化現象が起こる。さらにこの膜質劣
化部は電荷発生部となり、白キズのような画像欠陥を発
生させ、問題となっている。し念がって、アモルファス
シリコン１５下地の段差部を失＜シ、アモルファスシリ
コンの局所的膜質の劣化全防止する必要がある。
この発明は上述し次従来装置の欠点を改良したもので、
第２電極のパターニングを改良し、アモルファスシリコ
ン１５下地の平坦性の向上全行ない、アモルファスシリ
コツ１５０局所的膜質劣化を防止し、画像欠陥を少なく
することのできるアモルファスシリコン瞑積層型ＣＣＤ
イメージセンサを提供することを目的とする。
第２電極のパターニングを改良し、アモルファスシリコ
ン１５下地の平坦性の向上全行ない、アモルファスシリ
コツ１５０局所的膜質劣化を防止し、画像欠陥を少なく
することのできるアモルファスシリコン瞑積層型ＣＣＤ
イメージセンサを提供することを目的とする。
本発明は＠２電極１１１１１２の材料にリン圀が適度に
ドープされた多結晶ポリシリコン１１やポリサイド、メ
タルシリサイド、及びＡｔ−８ｉ［等Ｏ酸化物を形成す
る本のを選択し、シリコンナイトライド（ｓ １３Ｎ４
） １２ ｔマスクに用いて、該多結晶ポリシリコン１
１の選択的酸化を行ない第２電極１１１１１□間に酸化
膜（８ｉ０□）１４を形成することにより、第２電極１
１１１１２間の絶縁全行ない。
ドープされた多結晶ポリシリコン１１やポリサイド、メ
タルシリサイド、及びＡｔ−８ｉ［等Ｏ酸化物を形成す
る本のを選択し、シリコンナイトライド（ｓ １３Ｎ４
） １２ ｔマスクに用いて、該多結晶ポリシリコン１
１の選択的酸化を行ない第２電極１１１１１□間に酸化
膜（８ｉ０□）１４を形成することにより、第２電極１
１１１１２間の絶縁全行ない。
従来の如く第２１Ｌ極１１１１１２の段差部に直接アモ
ルファスシリコン１５が形成されないようにしたアモル
ファスシリコン膜積層型ＣＯＤイメージセンサを提供す
るものである。
ルファスシリコン１５が形成されないようにしたアモル
ファスシリコン膜積層型ＣＯＤイメージセンサを提供す
るものである。
この発明により、第２電極１１１１１２間に酸化膜１４
が挿入された構造となり、第２′Ｉ！極１１１１１２の
段差部に直接アモルファスシリコン１５が形成されず、
緩慢な該酸化膜表面にアモルファスシリコン１５が形成
される九め、従来問題となっている第２電極１１１１１
２段差部でのアモルファスシリコンの局所的膜質劣化が
防止でき、該膜質起因の画像欠陥の発生を少なくできる
アモルファスシリコン膜積層型ＣＯＤイメージセンナを
提供できる。
が挿入された構造となり、第２′Ｉ！極１１１１１２の
段差部に直接アモルファスシリコン１５が形成されず、
緩慢な該酸化膜表面にアモルファスシリコン１５が形成
される九め、従来問題となっている第２電極１１１１１
２段差部でのアモルファスシリコンの局所的膜質劣化が
防止でき、該膜質起因の画像欠陥の発生を少なくできる
アモルファスシリコン膜積層型ＣＯＤイメージセンナを
提供できる。
〔ｉ〕まずＰ型シリコン基板１表面に公知の所定の方法
により選択拡散、エツチング処理等全行ない。
により選択拡散、エツチング処理等全行ない。
光入射により生成し良信号電荷をフォトダイオードに蓄
積する念めのＮ＋の第１不純物層２．フォトダイオード
に蓄積された信号電荷を読出して垂直ＣＯＤにおけるチ
ャネルを形成する之めのＮ中型の＠２不純物ＮＡ３□３
２．チャネルストッパを形成する九めの？形の第３不純
物層、４１４２に形成した。
積する念めのＮ＋の第１不純物層２．フォトダイオード
に蓄積された信号電荷を読出して垂直ＣＯＤにおけるチ
ャネルを形成する之めのＮ中型の＠２不純物ＮＡ３□３
２．チャネルストッパを形成する九めの？形の第３不純
物層、４１４２に形成した。
つづいて前記基板１上に絶縁膜６１６２ ｔ−介して。
該絶縁膜６１６２内に第１の多結晶シリコンのゲート電
極’ｙ１７２ 、第２の多結晶シリコンのゲート電極５
１８２ ｔ−形成した。つづいてＮ＋の第１不純物層２
上の一部の絶縁１ｉ１６□６□をシリコン基板１表面ま
でエツチングし、イオン注入法によシＮ＋十の第４不純
物Ｍ５ｔ−形成した後、第１電極９１９２をモリブデン
シリサイドとその下の多結晶シリコンとの積層膜から成
るポリサイドにて形成した。さらに絶縁膜１０１１０２
ｔ″その上に形成した。（第１図ｆ８）図示）。
極’ｙ１７２ 、第２の多結晶シリコンのゲート電極５
１８２ ｔ−形成した。つづいてＮ＋の第１不純物層２
上の一部の絶縁１ｉ１６□６□をシリコン基板１表面ま
でエツチングし、イオン注入法によシＮ＋十の第４不純
物Ｍ５ｔ−形成した後、第１電極９１９２をモリブデン
シリサイドとその下の多結晶シリコンとの積層膜から成
るポリサイドにて形成した。さらに絶縁膜１０１１０２
ｔ″その上に形成した。（第１図ｆ８）図示）。
（ｉｉ）次いで、前記絶縁膜１０１１０２を開口し、全
面に多結晶ポリシリコン１ｉｔ−ＣＶＤ法にて０．１μ
〜１μ被着し、（Ｐａｔ−適度にドープし、次にシリコ
ンナイトライド（８ｔ３Ｎ、） １２を（ｕＤ法にて被
着する（第１図（ｂ）図示）、つづいてフォトレジスト
１３を塗布した後、写真蝕刻法により、第２電極１１１
．１１２のレジストパターンを形成する（第１図（ｑ図
示）次に、該レジストパターンを用いて、几ＩＥにてシ
リコンナイトライド１２ｔ−エツチングし念後。
面に多結晶ポリシリコン１ｉｔ−ＣＶＤ法にて０．１μ
〜１μ被着し、（Ｐａｔ−適度にドープし、次にシリコ
ンナイトライド（８ｔ３Ｎ、） １２を（ｕＤ法にて被
着する（第１図（ｂ）図示）、つづいてフォトレジスト
１３を塗布した後、写真蝕刻法により、第２電極１１１
．１１２のレジストパターンを形成する（第１図（ｑ図
示）次に、該レジストパターンを用いて、几ＩＥにてシ
リコンナイトライド１２ｔ−エツチングし念後。
フォトレジスト１３を除去する（第１図（ｄ）図示入つ
づいてバターニングされ念上記シリコンナイトライド１
２をマスクに熱酸化を施し、多結晶ポリシリコン層１１
の選択的酸化を行なりた後、シリコンナイトライド１２
をホットリン酸で除去する（第１図（ｅ）図示）。
づいてバターニングされ念上記シリコンナイトライド１
２をマスクに熱酸化を施し、多結晶ポリシリコン層１１
の選択的酸化を行なりた後、シリコンナイトライド１２
をホットリン酸で除去する（第１図（ｅ）図示）。
（ｉｉｉ） 次いで、Ｈ型のアモルファスシリコンａ
−８ｉ ：Ｈｌ ５ Ｙｔ クロー 放′Ｍ、ＣＶ Ｉ
）法にテ形成後。
−８ｉ ：Ｈｌ ５ Ｙｔ クロー 放′Ｍ、ＣＶ Ｉ
）法にテ形成後。
ＩＴＯ電極１６ｆ：形成する（第１図げ）図示）。
本発明に係るアモルファスクリ；ン膜積層型ＣＯＤイメ
ージセンサは、白黒用インターライン転送方式に関わら
ず、カラー用の１次元、２次元センサのアモルファスシ
リコン膜ｆｌ型ＣＯＤイメージセンサにも適用できる。
ージセンサは、白黒用インターライン転送方式に関わら
ず、カラー用の１次元、２次元センサのアモルファスシ
リコン膜ｆｌ型ＣＯＤイメージセンサにも適用できる。
また、実施例では多結晶シリコンαυに限定したが、メ
タルシリサイド、ポリサイド、Ａｌ−８ｉ膜等、絶縁性
の酸化物を形成し、またそれ自身導電性を有するものな
らば適用可能である。
タルシリサイド、ポリサイド、Ａｌ−８ｉ膜等、絶縁性
の酸化物を形成し、またそれ自身導電性を有するものな
らば適用可能である。
第１図は本発明の実施例である白黒用インターライン転
送方式アモルファスシリコン膜積層型ＣＯＤイメージセ
ンサの製造工８ｔｌ−示す断面図。 第２図は従来の白黒用インターライン転送方式アモルフ
ァスシリコン膜積層型ＣＯＤイメージセンサの断面図で
ある。 １・・・Ｐ型シリコン半導体基板、２・・・Ｎ中型の第
１不純物層、３□、３□１８．Ｎ中型の第２不純物層％
４１．４２・・・Ｐ＋型の第３不純Ｉｍ（チャネルスト
ッパ）５・・・Ｎ←型の第４不純物層、 ６１６２．、
、絶、縁膜、７１７２・・・第１の多結晶クリコン・ゲ
ート電極５８１８２・・・第２の多結晶シリコン・ゲー
ト電極、 ９１９２・・・第１電極（ポリサイド電極
）、１０□１（５２・・・絶縁膜、１１・・・第２電極
材料層（多結晶シリコンノ→）、１１１１１□・・・第
２電極（多結晶シリコン）、】２・・・シリコンナイト
ライド、１３・・・フォトレジスト、１４・・・Ｓ ｉ
Ｏ２ｇ ｈ １５・・・ＨＩＨアモルファスシリコ
ン膜。 １６・・・ＩＴＯ電極、１７１１７２・・・第１ｈｔ電
鈑。 １８．１８２・・・第２Ａｔ１ｆ極。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 第１図 第１図
送方式アモルファスシリコン膜積層型ＣＯＤイメージセ
ンサの製造工８ｔｌ−示す断面図。 第２図は従来の白黒用インターライン転送方式アモルフ
ァスシリコン膜積層型ＣＯＤイメージセンサの断面図で
ある。 １・・・Ｐ型シリコン半導体基板、２・・・Ｎ中型の第
１不純物層、３□、３□１８．Ｎ中型の第２不純物層％
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ッパ）５・・・Ｎ←型の第４不純物層、 ６１６２．、
、絶、縁膜、７１７２・・・第１の多結晶クリコン・ゲ
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ト電極、 ９１９２・・・第１電極（ポリサイド電極
）、１０□１（５２・・・絶縁膜、１１・・・第２電極
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２電極（多結晶シリコン）、】２・・・シリコンナイト
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ン膜。 １６・・・ＩＴＯ電極、１７１１７２・・・第１ｈｔ電
鈑。 １８．１８２・・・第２Ａｔ１ｆ極。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 第１図 第１図
Claims (1)
- 回路基板上に光導電膜を設けた２階建の固体撮像装置に
おいて、回路基板表面の画素電極間が、該電極の絶縁化
層により分離されている事を特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61033889A JPS62193277A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61033889A JPS62193277A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62193277A true JPS62193277A (ja) | 1987-08-25 |
Family
ID=12399098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61033889A Pending JPS62193277A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62193277A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6013928A (en) * | 1991-08-23 | 2000-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having interlayer insulating film and method for forming the same |
| EP1113499A2 (en) * | 1999-12-28 | 2001-07-04 | Xerox Corporation | High fill factor image array having a continuous amorphous silicon sensor layer and a doped poly-silicon back contact |
| JP2013093353A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-16 | Fujifilm Corp | 有機撮像素子 |
-
1986
- 1986-02-20 JP JP61033889A patent/JPS62193277A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6013928A (en) * | 1991-08-23 | 2000-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having interlayer insulating film and method for forming the same |
| EP1113499A2 (en) * | 1999-12-28 | 2001-07-04 | Xerox Corporation | High fill factor image array having a continuous amorphous silicon sensor layer and a doped poly-silicon back contact |
| EP1113499A3 (en) * | 1999-12-28 | 2003-04-16 | Xerox Corporation | High fill factor image array having a continuous amorphous silicon sensor layer and a doped poly-silicon back contact |
| JP2013093353A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-16 | Fujifilm Corp | 有機撮像素子 |
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