JPH05315588A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置およびその製造方法Info
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- JPH05315588A JPH05315588A JP4119375A JP11937592A JPH05315588A JP H05315588 A JPH05315588 A JP H05315588A JP 4119375 A JP4119375 A JP 4119375A JP 11937592 A JP11937592 A JP 11937592A JP H05315588 A JPH05315588 A JP H05315588A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】固体撮像装置の電荷転送電極の形成工程を短縮
し、歩留りを向上させるとともに性能を向上させる。 【構成】同一層の電極からなる電荷転送電極群７５ａ，
７５ｂが、０．１〜０．２μｍの間隙で互いに分離して
設けられる。電荷転送電極７５ａはＣＣＤチャネルと直
交するＸ方向に延長して設けられた当該電極と同層の電
極で互いに接続される。電荷転送電極７５ｂはコンタク
ト穴９を介して１列ごとに配線電極７６で接続され、か
つ当該配線電極７６は前記電荷転送電極７５ａを接続す
るＸ方向に延長して設けられた電極上に設けられる。
し、歩留りを向上させるとともに性能を向上させる。 【構成】同一層の電極からなる電荷転送電極群７５ａ，
７５ｂが、０．１〜０．２μｍの間隙で互いに分離して
設けられる。電荷転送電極７５ａはＣＣＤチャネルと直
交するＸ方向に延長して設けられた当該電極と同層の電
極で互いに接続される。電荷転送電極７５ｂはコンタク
ト穴９を介して１列ごとに配線電極７６で接続され、か
つ当該配線電極７６は前記電荷転送電極７５ａを接続す
るＸ方向に延長して設けられた電極上に設けられる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置およびそ
の製造方法に関し、特にＣＣＤ型固体撮像装置およびそ
の製造方法に関する。
の製造方法に関し、特にＣＣＤ型固体撮像装置およびそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のインタライン転送方式のＣＣＤ型
固体撮像装置の例を図６に示す。図６は従来例の平面模
式図であり、１１ａ〜１１ｄ，１２ａ〜１２ｄは光電変
換を行うフォトダイオード、２１，２２は電荷を転送す
るＣＣＤチャネルを示す。この固体撮像装置の動作は概
略の通りである。まず、固体撮像装置上に投影される光
パターン強度に応じた電荷がフォトダイオード１１ａ〜
１１ｄ，１２ａ〜１２ｄに蓄積され、所定時間経過後に
蓄積された電荷がフォトダイオード１１ａ〜１１ｄ，１
２ａ〜１２ｄからそれぞれＣＣＤチャネル２１，２２に
矢印３１ａ〜３１ｄ，３２ａ〜３２ｄに示される如く一
括転送され、続いて当該電荷がＣＣＤチャネル２１，２
２の出力部に向けて矢印４１，４２に示す方向に転送さ
れ読み出される。
固体撮像装置の例を図６に示す。図６は従来例の平面模
式図であり、１１ａ〜１１ｄ，１２ａ〜１２ｄは光電変
換を行うフォトダイオード、２１，２２は電荷を転送す
るＣＣＤチャネルを示す。この固体撮像装置の動作は概
略の通りである。まず、固体撮像装置上に投影される光
パターン強度に応じた電荷がフォトダイオード１１ａ〜
１１ｄ，１２ａ〜１２ｄに蓄積され、所定時間経過後に
蓄積された電荷がフォトダイオード１１ａ〜１１ｄ，１
２ａ〜１２ｄからそれぞれＣＣＤチャネル２１，２２に
矢印３１ａ〜３１ｄ，３２ａ〜３２ｄに示される如く一
括転送され、続いて当該電荷がＣＣＤチャネル２１，２
２の出力部に向けて矢印４１，４２に示す方向に転送さ
れ読み出される。
【０００３】図７はＣＣＤチャネルの断面構造を説明す
るための従来例を示す図であり、図６のＡ−Ａ′相当部
における構造を示す。図に於て、１はｎ型Ｓｉ半導体基
板、２はｐ型ウェル，４はＣＣＤチャネル部となるｎ型
不純物層，６は絶縁膜，７１，７２はそれぞれＣＣＤレ
ジスタの電荷転送電極群をなす第１，第２転送電極、１
０は当該電極にパルス電圧を供給する線路，をそれぞれ
示す。第１，第２転送電極は通常はポリシリコンを用い
て形成される。形成の手順として、まず第１転送電極を
形成した後、当該転送電極表面に絶縁膜を形成し、続い
て第１転送電極の間隙部に第２転送電極が設けられる。
るための従来例を示す図であり、図６のＡ−Ａ′相当部
における構造を示す。図に於て、１はｎ型Ｓｉ半導体基
板、２はｐ型ウェル，４はＣＣＤチャネル部となるｎ型
不純物層，６は絶縁膜，７１，７２はそれぞれＣＣＤレ
ジスタの電荷転送電極群をなす第１，第２転送電極、１
０は当該電極にパルス電圧を供給する線路，をそれぞれ
示す。第１，第２転送電極は通常はポリシリコンを用い
て形成される。形成の手順として、まず第１転送電極を
形成した後、当該転送電極表面に絶縁膜を形成し、続い
て第１転送電極の間隙部に第２転送電極が設けられる。
【０００４】第１転送電極の間隙部に第２転送電極を設
ける理由は、この間隙部に電位のバリアが形成され、電
荷の完全転送が不可能となるためであり、当該間隙部に
第２転送電極を設けバイアスを加えることでバリアの形
成を防止している。シミュレーションの結果では、完全
転送を行わせるにはこの間隙は０．２μｍ以下とする必
要がある。しかし、現在のフォトエッチング技術では量
産技術のレベルで０．６〜０．８μｍであり、このよう
な微細な間隙を持つ転送電極は形成できない。従って間
隙部に第２転送電極を設け電位のバリア形成を防止して
いた。
ける理由は、この間隙部に電位のバリアが形成され、電
荷の完全転送が不可能となるためであり、当該間隙部に
第２転送電極を設けバイアスを加えることでバリアの形
成を防止している。シミュレーションの結果では、完全
転送を行わせるにはこの間隙は０．２μｍ以下とする必
要がある。しかし、現在のフォトエッチング技術では量
産技術のレベルで０．６〜０．８μｍであり、このよう
な微細な間隙を持つ転送電極は形成できない。従って間
隙部に第２転送電極を設け電位のバリア形成を防止して
いた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＣＣＤの電荷転送電極
を第１転送電極と第２転送電極とから構成するには、第
１転送電極形成後に当該電極表面に絶縁膜を設け、第２
転送電極との絶縁耐圧を得る必要がある。かかる絶縁膜
は、第１転送電極として用いたポリシリコンを熱酸化し
て形成する。しかし、当該膜を例えば０．２μｍの厚さ
に設けても膜に漏れ電流が流れ易く、またショート不良
を発生し易く、大面積あるいは多画素の撮像装置では歩
留りが著しく低下するという欠点がある。
を第１転送電極と第２転送電極とから構成するには、第
１転送電極形成後に当該電極表面に絶縁膜を設け、第２
転送電極との絶縁耐圧を得る必要がある。かかる絶縁膜
は、第１転送電極として用いたポリシリコンを熱酸化し
て形成する。しかし、当該膜を例えば０．２μｍの厚さ
に設けても膜に漏れ電流が流れ易く、またショート不良
を発生し易く、大面積あるいは多画素の撮像装置では歩
留りが著しく低下するという欠点がある。
【０００６】また、電極を低抵抗化すべく例えばＷＳｉ
／ポリシリコンの２層構造電極（ポリサイド電極）を用
いようとしても、当該構造電極は熱酸化により０．２μ
ｍ程度の厚い酸化膜を形成することはできず、低抵抗化
できないという欠点があった。
／ポリシリコンの２層構造電極（ポリサイド電極）を用
いようとしても、当該構造電極は熱酸化により０．２μ
ｍ程度の厚い酸化膜を形成することはできず、低抵抗化
できないという欠点があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】完全な電荷転送を行うに
は、第１転送電極の電極間隙を０．２μｍ以下に設ける
ことであり、これが実現できれば第２転送電極を設ける
必要なない。本発明は現状の量産の露光技術で形成でき
る０．６〜０．８μｍの間隙を第１マスク材料で形成し
たのちに、第２のマスク材料を設けこれをドライエッチ
ングすることで、前記第１のマスク材料の側壁に第２の
マスク材料を残すことで、マスク材料の間隙を０．２μ
ｍ以下に狭く設けるものである。また、本発明はかかる
技術を用いた２次元固体撮像装置の構成法を提供するも
のである。
は、第１転送電極の電極間隙を０．２μｍ以下に設ける
ことであり、これが実現できれば第２転送電極を設ける
必要なない。本発明は現状の量産の露光技術で形成でき
る０．６〜０．８μｍの間隙を第１マスク材料で形成し
たのちに、第２のマスク材料を設けこれをドライエッチ
ングすることで、前記第１のマスク材料の側壁に第２の
マスク材料を残すことで、マスク材料の間隙を０．２μ
ｍ以下に狭く設けるものである。また、本発明はかかる
技術を用いた２次元固体撮像装置の構成法を提供するも
のである。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照しながら説明
する。
する。
【０００９】図１は本発明になる微細な間隙パターンを
形成する工程を説明するための断面構造図を示す。図に
於て、１は半導体基板、６は絶縁膜、７はポリシリ電
極、６１は第１マスク材、６２は第２マスク材をそれぞ
れ示す。
形成する工程を説明するための断面構造図を示す。図に
於て、１は半導体基板、６は絶縁膜、７はポリシリ電
極、６１は第１マスク材、６２は第２マスク材をそれぞ
れ示す。
【００１０】ポリシリ電極で微細な間隙パターンを形成
する手順は次の通りである。まず半導体基板１上に厚さ
５００〜７００オングストロームの絶縁膜６と厚さ３０
００オングストローム程度のポリシリ電極７を設けたの
ちに第１マスク材のパターン６１を形成する（図１
（ａ））。当該第１マスク材は、例えばＳｉＯ2 膜やＳ
ｉ3 Ｎ4 膜あるいはフォトレジスト材料が適しており、
好ましい厚さは０．３〜０．５μｍである。また第１マ
スク材パターンの間隙は、量産で使われるステッパーで
無理なく形成できる。０．６〜０．７μｍに設ける。
する手順は次の通りである。まず半導体基板１上に厚さ
５００〜７００オングストロームの絶縁膜６と厚さ３０
００オングストローム程度のポリシリ電極７を設けたの
ちに第１マスク材のパターン６１を形成する（図１
（ａ））。当該第１マスク材は、例えばＳｉＯ2 膜やＳ
ｉ3 Ｎ4 膜あるいはフォトレジスト材料が適しており、
好ましい厚さは０．３〜０．５μｍである。また第１マ
スク材パターンの間隙は、量産で使われるステッパーで
無理なく形成できる。０．６〜０．７μｍに設ける。
【００１１】次に、第２マスク材６２が基板表面に設け
られる（図１（ｂ））。当該マスク材は、例えばＳｉＯ
2 膜やＳｉ3 Ｎ4 膜あるいはフォトレジストが適してお
り、好ましい膜圧は０．２〜０．３μｍである。
られる（図１（ｂ））。当該マスク材は、例えばＳｉＯ
2 膜やＳｉ3 Ｎ4 膜あるいはフォトレジストが適してお
り、好ましい膜圧は０．２〜０．３μｍである。
【００１２】次に、リアクティブ・イオンエッチング法
により第２マスク材６２の平坦部分が除去され、第１マ
スク材６１の側壁にのみ第２マスク材６２が形成される
（図１（ｃ））。かかる手段により、第１マスク材が形
成された間隙０．６〜０．７μｍが、第２マスク材で設
けられた膜厚の２倍、即ち０．４〜０．６μｍ分だけ狭
められ、結果として０．２〜０．１μｍの間隙が形成さ
れる。
により第２マスク材６２の平坦部分が除去され、第１マ
スク材６１の側壁にのみ第２マスク材６２が形成される
（図１（ｃ））。かかる手段により、第１マスク材が形
成された間隙０．６〜０．７μｍが、第２マスク材で設
けられた膜厚の２倍、即ち０．４〜０．６μｍ分だけ狭
められ、結果として０．２〜０．１μｍの間隙が形成さ
れる。
【００１３】続いて、第１・第２マスク材６１，６２を
マスクとしてポリシリ電極７が選択的に除去され、０．
２〜０．１μｍの微細な間隙を有する電極パターンが形
成される（図１（ｄ））。
マスクとしてポリシリ電極７が選択的に除去され、０．
２〜０．１μｍの微細な間隙を有する電極パターンが形
成される（図１（ｄ））。
【００１４】なお、上記説明では電極としてポリシリ電
極を用いたが、本発明はポリシリ電極上にＷＳｉを積層
した構造の電極、あるいはポリシリ電極上にＷを積層し
た構造の電極、さらにＷやＭｏなどの金属の単層電極を
用いる場合にも適用できることは明らかである。
極を用いたが、本発明はポリシリ電極上にＷＳｉを積層
した構造の電極、あるいはポリシリ電極上にＷを積層し
た構造の電極、さらにＷやＭｏなどの金属の単層電極を
用いる場合にも適用できることは明らかである。
【００１５】図２は図１で述べた微細な間隙で分離した
電極形成法を２次元固体撮像装置に適用した実施例であ
り電極の構成法を説明する平面図である。
電極形成法を２次元固体撮像装置に適用した実施例であ
り電極の構成法を説明する平面図である。
【００１６】図に於て、１００はフォトダイオード、７
５ａ，７５ｂは電荷転送電極、７６は配線電極、９は電
荷転送電極７５と配線電極７６とを接続するコンタクト
穴をそれぞれ示す。
５ａ，７５ｂは電荷転送電極、７６は配線電極、９は電
荷転送電極７５と配線電極７６とを接続するコンタクト
穴をそれぞれ示す。
【００１７】かかる配置の固体撮像装置は、半導体基板
上にフォトダイオード１００が設けられ、電荷転送電極
７５ａ，７５ｂが図１で説明した方法で０．１〜０．２
μｍの微細電極間隙で分離形成され、全面に絶縁膜が設
けられたのちに配線電極７６がコンタクト穴９を介して
電荷転送電極７５ｂに接続される。この時、配線電極７
６は電荷転送電極７５ａ上に図の左右方向に設けること
を特徴としている。
上にフォトダイオード１００が設けられ、電荷転送電極
７５ａ，７５ｂが図１で説明した方法で０．１〜０．２
μｍの微細電極間隙で分離形成され、全面に絶縁膜が設
けられたのちに配線電極７６がコンタクト穴９を介して
電荷転送電極７５ｂに接続される。この時、配線電極７
６は電荷転送電極７５ａ上に図の左右方向に設けること
を特徴としている。
【００１８】図３は図２に示すＡ−Ａ′部分のＣＣＤ部
断面の構造を説明する図であり、１はｎ型半導体基板、
２はｐ型ウェル、４はＣＣＤチャネルとなるｎ型不純物
層、６は絶縁膜、７５ａ，７５ｂは電荷転送電極、７６
は配線電極、１０は電荷転送電極７５ａ，７５ｂに電圧
パルスを供給する線路である。線路１０はａ〜ｄの４本
で構成され、電荷転送電極７５ａ，７５ｂは並ぶ順番に
線路１０のａ〜ｄに順次接続される。かかる線路１０に
は４相の電圧パルスが印加され、いわゆる４相駆動でＣ
ＣＤチャネル中を電荷が転送される。電荷転送電極７５
ａ，７５ｂの電極間隙は０．１〜０．２μｍに形成され
るため、電極間隙部には電位のバリアは形成されず、完
全な電荷転送が行える。なお、当該実施例では、電荷転
送電極７５ａと７５ｂとしてポリシリ電極，配線電極７
６としてＷＳｉを用いるとして説明したが、本特許はこ
れら材料に制限されるものではない。例えば電荷転送電
極７５ａ，７５ｂの材料としてポリシリ電極上ＷＳｉや
ＭｏＳｉを積層した構造のポリサイド電極，ポリシリ電
極上にＷやＭｏを積層した構造の電極、あるいはＷやＭ
ｏの単層金属電極のいずれかを用いても良い。また、配
線電極７ｂとしてＭｏＳｉのシリサイドを用いていつ
も、あるいはＷやＭｏの金属電極を用いて良いことは明
らかである。
断面の構造を説明する図であり、１はｎ型半導体基板、
２はｐ型ウェル、４はＣＣＤチャネルとなるｎ型不純物
層、６は絶縁膜、７５ａ，７５ｂは電荷転送電極、７６
は配線電極、１０は電荷転送電極７５ａ，７５ｂに電圧
パルスを供給する線路である。線路１０はａ〜ｄの４本
で構成され、電荷転送電極７５ａ，７５ｂは並ぶ順番に
線路１０のａ〜ｄに順次接続される。かかる線路１０に
は４相の電圧パルスが印加され、いわゆる４相駆動でＣ
ＣＤチャネル中を電荷が転送される。電荷転送電極７５
ａ，７５ｂの電極間隙は０．１〜０．２μｍに形成され
るため、電極間隙部には電位のバリアは形成されず、完
全な電荷転送が行える。なお、当該実施例では、電荷転
送電極７５ａと７５ｂとしてポリシリ電極，配線電極７
６としてＷＳｉを用いるとして説明したが、本特許はこ
れら材料に制限されるものではない。例えば電荷転送電
極７５ａ，７５ｂの材料としてポリシリ電極上ＷＳｉや
ＭｏＳｉを積層した構造のポリサイド電極，ポリシリ電
極上にＷやＭｏを積層した構造の電極、あるいはＷやＭ
ｏの単層金属電極のいずれかを用いても良い。また、配
線電極７ｂとしてＭｏＳｉのシリサイドを用いていつ
も、あるいはＷやＭｏの金属電極を用いて良いことは明
らかである。
【００１９】図４は本発明になる微細な間隙で分離した
電極形成法と他の２次元固体撮像装置に適用した実施例
であり、電極の構成法を説明する平面図である。図に於
て、図２と同記号は同一機能を有する材料を示す。
電極形成法と他の２次元固体撮像装置に適用した実施例
であり、電極の構成法を説明する平面図である。図に於
て、図２と同記号は同一機能を有する材料を示す。
【００２０】当該実施例での電極配置は、配線電極７６
がＣＣＤのチャネル上に、図の上下方向に設けられるこ
とを特徴としている。図５は図４のＢ−Ｂ′部分のＣＣ
Ｄ部断面の構造を示す図であり、図に於て５はｎ型不純
物層４表面に設けられたｐ型不純物領域を示す。線路１
０はａ，ｂの２本で構成され、転送電極７５ａと７５ｂ
は各々の線路に接続される。かかる線路１０ａ，１０ｂ
には２相の電圧パルスが印加され、ＣＣＤチャネル中を
いわゆる２相駆動で電荷が転送される。ｐ型不純物領域
５は転送電荷が逆方向に転送されるのを防止する役割を
持つ。
がＣＣＤのチャネル上に、図の上下方向に設けられるこ
とを特徴としている。図５は図４のＢ−Ｂ′部分のＣＣ
Ｄ部断面の構造を示す図であり、図に於て５はｎ型不純
物層４表面に設けられたｐ型不純物領域を示す。線路１
０はａ，ｂの２本で構成され、転送電極７５ａと７５ｂ
は各々の線路に接続される。かかる線路１０ａ，１０ｂ
には２相の電圧パルスが印加され、ＣＣＤチャネル中を
いわゆる２相駆動で電荷が転送される。ｐ型不純物領域
５は転送電荷が逆方向に転送されるのを防止する役割を
持つ。
【００２１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明はＣＣＤの電
荷転送電極の間隙を０．１〜０．２μｍに設けることが
できるため、１層の電極層を設けることで２次元ＣＣＤ
の電荷転送電極が構成できる利点を持つ。このため、電
極形成プロセスが従来の２層から単層と単純化されるた
め装置の低価格化が図れる。また、従来の１−２電極間
の層間膜の耐圧リーク不良が生じないため、歩留りが大
幅に向上させるという利点を有する。また、転送電極材
料としてポリシリ電極上にＷＳｉやＷを積層した構造の
電極あるいはＷやＭｏの単層の金属電極が使えるため、
電極の低抵抗化が図れる。これは図２と図４に示した転
送電荷７５ａのフォトダイオード１００間の電極寸法を
さらに狭めることができるため、フォトダイオードの面
積を拡大でき、感度が高くなるという効果を持つ。さら
に電圧パルス波形のなまりが装置内の場所により異ると
いうことが低減できるため画質の画内均一性が向上でき
るという利点を有する。さらに、本実施例では構造を省
略したが第１，第２電極間の絶縁膜が不要となるためフ
ォトダイオード上の絶縁膜が薄く形成できるためＣＣＤ
上に設けられる遮光膜ＣＣＤへの光の漏れこみ（スミ
ア）が低減するという利点も持つ。
荷転送電極の間隙を０．１〜０．２μｍに設けることが
できるため、１層の電極層を設けることで２次元ＣＣＤ
の電荷転送電極が構成できる利点を持つ。このため、電
極形成プロセスが従来の２層から単層と単純化されるた
め装置の低価格化が図れる。また、従来の１−２電極間
の層間膜の耐圧リーク不良が生じないため、歩留りが大
幅に向上させるという利点を有する。また、転送電極材
料としてポリシリ電極上にＷＳｉやＷを積層した構造の
電極あるいはＷやＭｏの単層の金属電極が使えるため、
電極の低抵抗化が図れる。これは図２と図４に示した転
送電荷７５ａのフォトダイオード１００間の電極寸法を
さらに狭めることができるため、フォトダイオードの面
積を拡大でき、感度が高くなるという効果を持つ。さら
に電圧パルス波形のなまりが装置内の場所により異ると
いうことが低減できるため画質の画内均一性が向上でき
るという利点を有する。さらに、本実施例では構造を省
略したが第１，第２電極間の絶縁膜が不要となるためフ
ォトダイオード上の絶縁膜が薄く形成できるためＣＣＤ
上に設けられる遮光膜ＣＣＤへの光の漏れこみ（スミ
ア）が低減するという利点も持つ。
【図１】本発明を説明する工程図である。
【図２】本発明の実施例を説明する平面図である。
【図３】本発明の実施例の要部断面構造図である。
【図４】本発明の他の実施例を説明する平面図である。
【図５】本発明の他の実施例の要部断面構造図である。
【図６】固体撮像装置の原理を説明する図である。
【図７】従来の固体撮像装置の電荷転送電極構造を説明
する図である。
する図である。
１ ｎ型半導体基板 ２ ｐ型ウェル ４ ｎ型不純物層 ６ 絶縁膜 ７１ 第１転送電極 ７２ 第２転送電極 ７５ａ，７５ｂ 電荷転送電極 ７６ 配線電極 ９ コンタクト穴 １０ 線路 １００ フォトダイオード
Claims (4)
- 【請求項１】 電荷転送電極が、同一層で設けられた電
極群イとロからなり、イはＣＣＤチャネルと直交するＸ
方向に延長されて設けられた同層の電極パターンにより
互いに接続された構造であり、またロは互いに分離して
設けられた電極パターンであり、コンタクト穴を介して
別層の配線電極で接続され、かつ当該配線電極が前記電
極イのＸ方向に延長された電極パターン上に設けられる
ことを特徴とした電極構造から構成された固体撮像装
置。 - 【請求項２】 電荷転送電極が、同一層で設けられた電
極群イとロからなり、イはＣＣＤチャネルと直交するＸ
方向に延長されて設けられた同層の電極パターンにより
互いに接続された構造であり、またロは互いに分離して
設けられた電極パターンであり、コンタクト穴を介して
別層の配線電極で接続され、かつ当該配線電極が前記電
極イのＸ方向とは直交するＹ方向に設けられることを特
徴とした電極構造から構成された固体撮像装置。 - 【請求項３】 電極群イとロを構成する電極材料が、ポ
リシリコン，ポリシリコン上にＷＳｉやＭｏＳｉを積層
した電極，ＷＳｉやＭｏＳｉなどのシリサイド単層電
極，ＷやＭｏなどの金属単層電極のいずれかであり、ま
た配線電極がＷＳｉや，ＭｏＳｉなどのシリサイド電
極，ＷやＭｏなどの金属単層電極のいずれかであること
を特徴とする請求項１または請求項２記載の固体撮像装
置。 - 【請求項４】 電極層上に第１マスク材で間隙の狭いパ
ターンを設け、次に全面に第２マスク材を設けたのちに
リアクティブエッチングにより第２マスク材の平坦部分
を除去することで前記第１のマスク材パターンの側壁に
のみ第２マスク材を残し、第１マスク材パターンで規定
されて間隙を狭め、しかるのちに前記電極層を選択的に
除去し微細間隙を有する電極パターンを形成する工程を
含むことを特徴とした固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4119375A JPH05315588A (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4119375A JPH05315588A (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315588A true JPH05315588A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14759959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4119375A Pending JPH05315588A (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315588A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005340287A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP2006041369A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2006108609A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-04-20 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| JP2006140411A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
| JP2008166845A (ja) * | 2008-03-17 | 2008-07-17 | Sony Corp | 固体撮像素子及び固体撮像素子の駆動方法 |
| JP2011258906A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Kinki Univ | 素子内信号積算機能を持つ超高速撮像素子 |
| KR101103089B1 (ko) * | 2004-05-07 | 2012-01-04 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 소자, 고체 촬상 소자의 제조 방법 및 그 구동방법 |
-
1992
- 1992-05-13 JP JP4119375A patent/JPH05315588A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8198121B2 (en) | 2004-05-07 | 2012-06-12 | Sony Corporation | Method of manufacturing solid-state imaging device |
| US8154056B2 (en) | 2004-05-07 | 2012-04-10 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device and method of driving solid-state imaging device |
| KR101103089B1 (ko) * | 2004-05-07 | 2012-01-04 | 소니 주식회사 | 고체 촬상 소자, 고체 촬상 소자의 제조 방법 및 그 구동방법 |
| JP2005340287A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP4715110B2 (ja) * | 2004-05-24 | 2011-07-06 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
| US8149306B2 (en) | 2004-07-29 | 2012-04-03 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, production method and drive method thereof, and camera |
| JP2006041369A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| US8883542B2 (en) | 2004-07-29 | 2014-11-11 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, production method and drive method thereof, and camera |
| US7667251B2 (en) | 2004-07-29 | 2010-02-23 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, production method and drive method thereof, and camera |
| US7952125B2 (en) | 2004-07-29 | 2011-05-31 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, production method and drive method thereof, and camera |
| JP2006108609A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-04-20 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| JP2006140411A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
| JP4710305B2 (ja) * | 2004-11-15 | 2011-06-29 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
| JP2008166845A (ja) * | 2008-03-17 | 2008-07-17 | Sony Corp | 固体撮像素子及び固体撮像素子の駆動方法 |
| JP2011258906A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Kinki Univ | 素子内信号積算機能を持つ超高速撮像素子 |
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