JP2936153B2 - 固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 43
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Description
り、特に電荷転送効率の向上に適した固体撮像素子の製
造方法に関する。
ス状に配列され、光形態の映像を電気信号電荷として出
力する複数個のフォトダイオードＰＤを備えている。さ
らに、フォトダイオードＰＤで生成した映像信号電荷を
垂直方向に転送する複数個の垂直電荷転送領域ＶＣＣＤ
と、垂直電荷転送領域の出力端に形成され、垂直電荷転
送領域からの映像信号電荷を出力端に向かって水平方向
に転送する水平電荷転送領域ＨＣＣＤを有する。その水
平電荷転送領域の出力端には、転送された映像信号電荷
を感知して電気信号として出力するセンスアンプＳＡが
形成されている。
素子を説明する。図１は従来の固体撮像素子のレイアウ
ト図であり、図２は図１のＡ−Ａ’線に沿った断面図で
ある。従来の固体撮像素子は、図１に示すように、Ｐ導
電型の基板が設けられ、基板の表面部には複数個のフォ
トダイオードＰＤと、それぞれのフォトダイオードから
生成された映像信号電荷を垂直方向に転送する複数個の
垂直電荷転送領域ＶＣＣＤと、垂直電荷転送領域の出力
端に形成される一つの水平電荷転送領域ＨＣＣＤとが形
成されている。
のゲートが形成される。まず、垂直電荷転送領域上には
それぞれのフォトダイオードから生成された映像信号電
荷を出力端に向かって順次転送するための複数個の第１
垂直ポリゲート１と第２垂直ポリゲート２が繰り返し連
続して形成されている。この第２垂直ポリゲート２は、
その一部が該当するラインのフォトダイオードと部分的
にオーバーラップするように構成され、トランスファゲ
ートとして用いられる。即ち、フォトダイオードから生
成された映像信号電荷を垂直電荷転送領域にトランスフ
ァさせる役割を果たす。このように垂直電荷転送領域上
に繰り返し形成された第１、第２垂直ポリゲート１、２
には４個の垂直クロック信号Ｖφ1、Ｖφ2、Ｖφ3、Ｖ
φ4が交代に印加され、順次映像信号電荷を垂直方向に
転送する。即ち、４相クロックで映像信号電荷のトラン
スファ動作が行われる。
転送領域から転送されてきた電荷をセンスアンプへ転送
するための第１、第２水平ポリゲート１ａ、２ａが形成
されている。このように、水平電荷転送領域は２相クロ
ックで転送される。センスアンプでは、送られてきた映
像信号電荷を電気映像信号に変換して出力する。水平電
荷転送領域上に形成された複数個の第１、第２水平ポリ
ゲート１ａ、２ａはＨφ1、Ｈφ2のクロックが交代に印
加され、順次映像信号電荷を転送する。
では、それぞれの画素領域から生成された映像信号電荷
はＶφ1、Ｖφ2、Ｖφ3、Ｖφ4のクロックによってその
ポテンシャルレベルが変化して垂直方向に転送され、か
つＨφ1、Ｈφ2のクロックによって浮遊ゲート領域に転
送され、センスアンプを経てアナログ信号に変化して出
力される。このとき、フォトダイオードの映像信号電荷
をＶＣＣＤ領域へ転送するためにはトランスファゲート
に高い電圧を印加しなければならない。
あって、第１垂直ポリゲートと第２垂直ポリゲートは幅
が互いに異なるように形成されていることを示す。上記
のように、第１垂直ポリゲート１と第２垂直ポリゲート
２の幅が互いに異なるように形成されているので、前記
第１垂直ポリゲート１のドーピング濃度と第２垂直ポリ
ゲート２のドーピング濃度が同一である場合、第１垂直
ポリゲート１の抵抗と第２垂直ポリゲート２の抵抗は互
いに異なる。一方、水平電荷転送領域ＨＣＣＤ上の第１
水平ポリゲート１ａと第２水平ポリゲート２ａの幅は互
いに同一となるようにパターニングする。したがって、
不純物ドーピング濃度が互いに同一である場合には抵抗
が同一で特に問題とならない。
来の固体撮像素子の製造方法は、第１垂直ポリゲートと
第２垂直ポリゲートのパターン幅が互いに異なるにも拘
わらず、同一のドーピング濃度を有するので、第１、第
２垂直ポリゲートの抵抗値は互いに異なる。これによ
り、垂直電荷転送領域の電荷転送効率（ＣＴＥ）が減少
するという問題点があった。
ので、その目的は第１、第２垂直ポリゲートの抵抗値を
同一にすることにより、電荷転送効率の向上に適した固
体撮像素子の製造方法を提供することにある。
め、本発明は、第１、第２垂直ポリゲートのパターン幅
に応じてドーピング濃度を互いに異ならせてそれらの抵
抗値を同一にしたことを特徴とするものである。本発明
の固体撮像素子の製造方法は、基板上に第１半導体層を
形成するステップと、第１半導体層上に第１濃度を有す
る不純物イオンを注入するステップと、第１半導体層の
一部に第２濃度を有する不純物を注入するステップと、
第１半導体層をパターニングして、第１幅を有する複数
個の第１ゲート電極を一定の間隔で形成するステップ
と、前記第１ゲート電極と基板の露出した全表面に第２
半導体層を形成するステップと、前記第２半導体層に第
３濃度を有する不純物イオンを注入するステップと、第
２半導体層をパターニングして、第２幅を有する第２ゲ
ート電極を第１ゲート電極の間に形成するステップとを
有する。
インの幅がそれぞれ同一の場合には不純物のドーピング
濃度を同一にする。不純物のドーピング濃度は不純物注
入を選択的に施して調節し、広い幅のゲート電極ライン
は相対的に狭い幅のゲート電極ラインに比べて不純物の
ドーピング濃度が高い。そして、第１幅は第２幅より狭
く、第１濃度は第３濃度より低い。
させるために第１絶縁層を形成し、前記第１ゲート電極
ラインと第２ゲートラインを絶縁させるために第２絶縁
層を形成している。
の一実施形態の素子の製造方法を詳細に説明する。図３
は図１のＢ−Ｂ’線に沿った断面図であって、ＶＣＣＤ
領域、ＨＣＣＤ領域、そしてＶＣＣＤ−ＨＣＣＤインタ
フェース領域上に形成された第１ポリゲート２１と第２
ポリゲート２２を示す。
固体撮像素子の製造方法を示す工程断面図である。本発
明の固体撮像素子の製造方法は、基板の表面内に複数個
のＶＣＣＤ領域、ＨＣＣＤ領域、及びＶＣＣＤ−ＨＣＣ
Ｄインタフェース領域を形成するステップと、基板の全
表面上に第１絶縁層と第１半導体層を形成するステップ
と、第１半導体層の全面に１次不純物ドーピングを施す
ステップと、ＨＣＣＤ領域に該当する第１半導体層にだ
け２次不純物ドーピングをさらに施すステップと、半導
体層をパターニングして複数個の第１垂直ゲート電極ラ
インと複数個の第１水平ゲート電極ラインを形成するス
テップと、前記第１絶縁層と前記ゲート電極ラインの露
出した全表面上に第２絶縁層と第２半導体層を順次形成
し、第２半導体層に３次不純物ドーピングを施すステッ
プと、前記第２半導体層をパターニングして前記第１垂
直ゲート電極ラインの間に第１垂直電極ラインより広い
幅の第２垂直ゲート電極ラインを形成し、かつ第１水平
ゲート電極の間に第２水平ゲート電極を形成するステッ
プとを備えている。
る。図４（ａ）に示すように、垂直電荷転送領域ＶＣＣ
Ｄ領域３１、水平電荷転送領域ＨＣＣＤ３２、そして垂
直電荷転送領域３１と水平電荷転送領域３２とのインタ
フェース領域３３が形成された基板上に第１絶縁層３４
を形成する。次に、第１絶縁層３４上に第１半導体層３
５を形成した後、全面に１次不純物ドーピングを施す。
第１半導体層３５は第１ポリゲートとして用いられる。
体層３５のうち、ＨＣＣＤ領域３２の部分を露出させ
る。ＨＣＣＤ領域３２上の第１半導体層３５の露出には
バリヤマスク３６を用いる。そして、露出されたＨＣＣ
Ｄ領域３２上の第１半導体層３５に２次不純物ドーピン
グを施す。従って、ＶＣＣＤ領域３１上の第１半導体層
３５とＨＣＣＤ領域３２の第１半導体層３５に注入され
た不純物のドーピング濃度は互いに異なる。
（ｃ）に示すように、ＶＣＣＤ領域３１とＨＣＣＤ領域
３２の上の第１半導体層３５をパターニングして、複数
個の第１垂直ポリゲートライン３５ａと複数個の第１水
平ポリゲートライン３５ｂを形成する。そして、ＶＣＣ
Ｄ領域３１及びＨＣＣＤ領域３２を含んだ全面に第２絶
縁層３７と第２半導体層３８を順次形成する。次に、全
面に形成された第２半導体層３８に３次不純物ドーピン
グを施す。第２半導体層３８は第２ポリゲートラインと
して用いる。第２半導体層３８に施された３次不純物の
ドーピング濃度は、以前に施された１次不純物のドーピ
ング濃度と２次不純物のドーピング濃度との和と同一で
ある。従って、ＨＣＣＤ領域３２上の第１半導体層３５
の不純物ドーピング濃度と第２半導体層の不純物ドーピ
ング濃度は互いに同一である。そして、ＶＣＣＤ領域３
１上の第１半導体層３５の不純物ドーピング濃度と第２
半導体層３８の不純物ドーピング濃度は互いに異なる。
尚、ＨＣＣＤ領域３２上の第２半導体層３８の不純物濃
度は、ＶＣＣＤ領域３１上の第２半導体層３８の不純物
ドーピング濃度と同一である。ということは第１半導体
層３５ｂの不純物ドーピング濃度とも等しいということ
を意味する。
体層３８と第２絶縁層３７をパターニングして、前記第
１垂直ポリゲートライン３５ａの間に第２垂直ポリゲー
トライン３８ａを形成し、第１水平ポリゲートライン３
５ｂの間に第２水平ポリゲートライン３８ｂを形成す
る。このとき、第２垂直ポリゲートライン３８ａの幅が
第１垂直ポリゲート３５ａの幅より狭くなるようにパタ
ーニングし、且つ第２水平ポリゲートライン３８ｂの幅
が第１水平ポリゲートライン３５ｂの幅と同一となるよ
うにパターニングする。そして、第１、第２絶縁層３
４、３７としては酸化物もしくは窒化物を使用する。
素子の製造方法によれば、ＶＣＣＤ領域の第１ポリゲー
トと第２ポリゲートとはそれぞれ幅を異にするが、それ
ぞれの不純物濃度が異なるようにすることができるの
で、双方の抵抗値を同じとすることができる。したがっ
て、電荷転送効率が向上する。
図であり、
素子の製造方法を示す工程断面図である。
Claims (5)
- 【請求項１】 基板の表面部に複数個のＶＣＣＤ領域、
ＨＣＣＤ領域、及びＶＣＣＤ−ＨＣＣＤインタフェース
領域を形成する第１ステップと、 前記基板の全表面上に第１絶縁層と第１半導体層を形成
する第２ステップと、 前記第１半導体層の全面に１次不純物ドーピングを行う
第３ステップと、 前記ＨＣＣＤ領域に該当する第１半導体層にのみ２次不
純物ドーピングを行う第４ステップと、 前記ＨＣＣＤ領域とＶＣＣＤ領域の第１半導体層をパタ
ーニングして、前記第１垂直ゲート電極と複数個の第１
水平ゲート電極を形成する第５ステップと、 前記第１絶縁層と前記ゲート電極の露出した全表面上に
第２絶縁層と第２半導体層を順次形成し、３次不純物ド
ーピングを行う第６ステップと、 前記第２半導体層をパターニングして、前記第１垂直ゲ
ート電極の間に第１垂直ゲート電極より狭い幅の第２垂
直ゲート電極を、そして第１水平ゲート電極の間に第１
水平ゲート電極と同じ幅の第２水平ゲート電極を形成す
る第７ステップとを備えることを特徴とする固体撮像素
子の製造方法。 - 【請求項２】 １次ドーピングされる不純物の濃度と２
次ドーピングされる不純物の濃度との和は、３次ドーピ
ングされる不純物の濃度と同一であることを特徴とする
請求項２記載の固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項３】 ＨＣＣＤ領域上の第１半導体層の不純物
ドーピング濃度と第２半導体層の不純物ドーピング濃度
は同一であることを特徴とする請求項２記載の固体撮像
素子の製造方法。 - 【請求項４】 第２垂直ゲート電極の幅は第１垂直ゲー
ト電極の幅よりも狭くパターニングすることを特徴とす
る請求項２記載の固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項５】 第２水平ゲート電極の幅は第１水平ゲー
ト電極の幅と同一にパターニングすることを特徴とする
請求項２記載の固体撮像素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960016466A KR100215882B1 (ko) | 1996-05-16 | 1996-05-16 | 고체촬상소자 제조방법 |
| KR16466/1996 | 1996-05-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1022492A JPH1022492A (ja) | 1998-01-23 |
| JP2936153B2 true JP2936153B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=19458923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9013236A Expired - Fee Related JP2936153B2 (ja) | 1996-05-16 | 1997-01-10 | 固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5741728A (ja) |
| JP (1) | JP2936153B2 (ja) |
| KR (1) | KR100215882B1 (ja) |
| DE (1) | DE19715684A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3011137B2 (ja) * | 1997-06-27 | 2000-02-21 | 日本電気株式会社 | 電荷転送装置およびその製造方法 |
| KR100630704B1 (ko) * | 2004-10-20 | 2006-10-02 | 삼성전자주식회사 | 비평면 구조의 트랜지스터를 구비한 ｃｍｏｓ 이미지 센서및 그 제조 방법 |
| JP4348644B2 (ja) * | 2006-09-26 | 2009-10-21 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタ、電気光学装置および電子機器 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8501339A (nl) * | 1985-05-10 | 1986-12-01 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting en werkwijze ter vervaardiging daarvan. |
| KR940010932B1 (ko) * | 1991-12-23 | 1994-11-19 | 금성일렉트론주식회사 | Ccd영상소자 제조방법 |
| KR950013435B1 (ko) * | 1992-05-22 | 1995-11-08 | 삼성전자주식회사 | 정상상 및 거울상을 위한 고체촬영소자 |
| KR0136933B1 (ko) * | 1994-05-21 | 1998-04-24 | 문정환 | 씨씨디(ccd) 영상소자 및 제조방법 |
-
1996
- 1996-05-16 KR KR1019960016466A patent/KR100215882B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-08-13 US US08/696,150 patent/US5741728A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-01-10 JP JP9013236A patent/JP2936153B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-04-15 DE DE19715684A patent/DE19715684A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5741728A (en) | 1998-04-21 |
| JPH1022492A (ja) | 1998-01-23 |
| DE19715684A1 (de) | 1997-11-20 |
| KR970077705A (ko) | 1997-12-12 |
| KR100215882B1 (ko) | 1999-08-16 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
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| S633 | Written request for registration of reclamation of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313633 |
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| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
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| R371 | Transfer withdrawn |
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| S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
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| S633 | Written request for registration of reclamation of name |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100611 Year of fee payment: 11 |
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| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100611 Year of fee payment: 11 |
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