WO2022050345A1 - 固体撮像素子および製造方法 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 80
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 80
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
Definitions
- the present invention relates to a solid-state image sensor provided with a microlens. More specifically, the present invention relates to a solid-state image sensor used in a distance image sensor being developed in Japan and overseas, and a manufacturing method thereof.
- This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2020-147599 filed on September 2, 2020, and incorporates the content thereof.
- a distance image sensor capable of performing three-dimensional distance measurement is an image sensor capable of capturing an image including distance information to an object to be imaged, and irradiates the object with infrared rays to irradiate the object with infrared rays.
- Distance information was acquired by detecting the time until the reflected light from the light was received (flight time, TOF; Time of Image).
- TOF Time of Image
- a three-dimensional image sensor capable of measuring distance on a two-dimensional pixel array has been developed and is attracting attention as a next-generation image sensor.
- a space for measuring the time of the TOF is required, and there is a problem that the aperture ratio of the light receiving element for acquiring image information is lowered. Therefore, a microlens is required to improve the sensitivity.
- the height of the lens needs to be 10 ⁇ m to 15 ⁇ m.
- a lens diameter that is an order of magnitude larger than that of a microlens used in a conventional solid-state image sensor is required, but the height of the microlens tends to increase as the pixel size increases.
- the microlens is formed by using the etchback method.
- the etchback method first, a layer to be a microlens is formed, a resist pattern is formed on the layer, and the resist pattern is formed into a lens shape by heat flow.
- a method of transferring the lens shape to a layer to be a microlens by dry etching the resist pattern of the lens shape is used.
- the first aspect of the present invention is a solid-state image pickup device having a semiconductor substrate in which a plurality of light receiving elements are provided in a matrix, and a plurality of microlenses formed corresponding to each of the plurality of light receiving elements.
- a protruding portion made of a photosensitive resin is formed between adjacent microlenses or at a boundary portion.
- the second aspect of the present invention is the method for manufacturing a solid-state image sensor according to the first aspect.
- This manufacturing method includes a step of forming a protruding portion made of a photosensitive resin on a semiconductor substrate, a step of forming a transparent resin layer covering the protruding portion on the semiconductor substrate, and a plurality of micros using the transparent resin layer. It includes a process of forming a lens.
- a protruding portion for increasing the bulk of the resin constituting the valley portion of the microlens is provided in the portion where adjacent microlenses are connected (the valley portion of the microlens array). It is formed. Therefore, even if the force generated by the heat generated by the etchback method is concentrated in the valley, the resin layer in the cross-sectional view of the valley is increased, so that the stress is the force per unit cross-sectional area. Can be reduced and the occurrence of cracks in the valley can be suppressed.
- (a) is the top view which exemplifies a part of the solid-state image pickup element
- (b) is the sectional view at the AA'cutting line in (a).
- Is. It is a figure which shows the manufacturing method of the solid-state image sensor of this invention. It is a figure which shows the overlap area of a microlens. It is a figure which shows the other example of the protruding part. It is a schematic cross-sectional view which shows the other example of the solid-state image pickup device which concerns on this invention.
- the solid-state image sensor of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
- the solid-state image sensor 10 of the present invention is located at the positions of a time-of-flight type distance image sensor semiconductor substrate 1 including a silicon wafer 5 provided with a plurality of light receiving elements 4 in a matrix, and each light receiving element 4 of the semiconductor substrate 1.
- a correspondingly formed microlens 2 is provided.
- the microlens 2 is formed in a microlens array by connecting peripheral portions between adjacent microlenses 2.
- the thickness of the microlens 2 is 1 ⁇ 2 or more of the lens pitch of the microlens array.
- the aperture ratio decreases. It is necessary to form a microlens to cover the decrease in aperture ratio.
- the lens pitch is, for example, a hemispherical lens having a diameter of 20 ⁇ m, which is substantially the same as the diameter of the microlens, the height (thickness) of the lens needs to be 10 ⁇ m to 15 ⁇ m.
- the connected region (referring to the low region between the microlens 2 and the microlens 2 or the region where the valley of the microlens array is formed) in which the adjacent microlenses 2 are connected is micro.
- a protruding portion 3 is formed to increase the bulk of the resin constituting the valley portion of the lens 2.
- the articulated region of the microlens 2 will be described.
- the thickness of the resin forming the valley portion of the microlens 2 in the connected region changes depending on the overlapping state. For example, in a state where two adjacent microlenses are in contact with each other (not overlapped) at the peripheral edge thereof, the resin forming the microlens 2 does not overlap in the connected region.
- the resin layer (hereinafter, also simply referred to as a resin layer) constituting the peripheral edge of the microlens 2 is compared with the state where the peripheral edges of the two adjacent microlenses 2 are deeply overlapped. Become thin.
- the resin layer in the articulated region becomes thick.
- the resin layer in the articulated region is thinner than the peak position of the microlens 2 (the apex position of the microlens 2), so that it is the lowest region in the microlens 2.
- the thickness of the resin layer in the articulated region varies depending on the variation in the position accuracy of the microlens 2 and the like.
- the thickness of the resin layer formed by the overlapping of the resins of the microlenses 2 changes in the articulated region.
- the first aspect of the present invention is applicable in any of the states.
- a protruding portion 3 is formed between the microlens 2 and the semiconductor substrate 1 (hereinafter, also referred to as a base).
- the thickness of the resin layer in the articulated region changes.
- a resin layer having a thickness determined by the overlapping state of two adjacent microlenses is formed.
- the thickness of the protruding portion 3 formed on the semiconductor substrate 1 is added, so that the latter resin layer is formed thicker.
- the thickness of the resin layer in the valley portion can be increased. Therefore, the cross-sectional area of the resin layer increases and the stress decreases, so that crack generation due to thermal strain or the like is suppressed even when a large microlens such as a microlens for time of flight is formed. ..
- the light that cannot be used because it becomes stray light and is not incident on the light receiving element 4 is the projecting portion. Since it can be used again by reflecting at 3, the sensitivity of the solid-state image sensor can be increased. In this case, it is preferable that the difference in refractive index between the resin material constituting the microlens 2 and the resin material constituting the projecting portion 3 exceeds 0.1.
- the method for manufacturing a microlens according to the second aspect of the present invention corresponds to the position of each light receiving element 4 of the semiconductor substrate 1 for a time-of-flight type distance image sensor in which a plurality of light receiving elements 4 are provided in a matrix.
- the formed microlens 2 is a method for manufacturing a microlens having a microlens array connected at a peripheral portion thereof.
- a protruding portion 3 is formed on a semiconductor substrate 1 (FIG. 2A) at least in at least a part of an articulated region which is a region in which adjacent microlenses 2 are articulated.
- Step 1 (FIG. 2 (b))
- step 2 (FIG. 2 (c)) for forming the transparent resin layer 6 to be the microlens 2 from above the protruding portion 3, and photosensitive on the transparent resin layer 6.
- Step 3 (FIG. 2 (d)) for forming the sex resist layer 7 and step 4 (FIG. 2 (FIG. 2)) for forming the resist pattern 8 by exposing and developing the photosensitive resist layer 7 using a predetermined photomask.
- step 5 (FIG. 2 (f)) of changing the resist pattern 8 into a lens shape by heat flow treatment for heating the resist pattern 8 to a softening temperature or higher, and the resist pattern 9 changed into a lens shape.
- step 6 (FIG. 2 (g)) of forming a lens shape on the transparent resin layer 6 by performing dry etching as an etching mask is provided.
- the second aspect includes steps 1 and 2.
- the photosensitive resist layer 7 is attached to a gray tone photomask.
- a step of forming a lens shape by exposure and development using (gray tone mask) without performing the heat flow treatment of the resist pattern 8 after development shown in FIG. 2 (e) (FIG. 2 (f)). ) May be used.
- Step 1 the light receiving elements 4 of the semiconductor substrate 1 are arranged in the substantially central portion through at least a part of the concatenated region in which the valley portion of the adjacent microlens 2 is formed on the semiconductor substrate 1.
- This is a step of forming a matrix-shaped projecting portion 3 in a plan view (FIG. 2 (b)).
- the protruding portion 3 may be formed at least in the connecting region of the microlens 2.
- the protruding portion 3 is not a matrix shape in a plan view, and the protruding portion 3 may be formed intermittently in the region corresponding to the valley portion of the microlens 2.
- the projecting portion 3 is, for example, as illustrated in FIG. 1A, a matrix-shaped projecting portion 3 in which each light receiving element 4 of the semiconductor substrate 1 is arranged in the central portion.
- the protruding portion 3 can be formed by applying a photosensitive resin on the semiconductor substrate 1, drying it, and then exposing and developing it using a photomask provided with a predetermined exposure pattern.
- the method of applying the photosensitive resin does not need to be particularly limited.
- Various coating methods such as a spin coating method used in a semiconductor manufacturing process, a die coating method, a roll coating method, and a screen printing method can be used. It may be appropriately selected in consideration of the size of the substrate and the required film thickness uniformity.
- a method for drying the photosensitive resin coated on the semiconductor substrate 1 a method of drying in warmed clean air using a clean oven used in the semiconductor manufacturing process is preferable, but the photosensitive resin It is not necessary to limit the drying method as long as it can be dried without foreign matter adhering to the oven.
- the method of exposing and developing the photosensitive resin can be carried out by using a projection type exposure device and a developing device used in the semiconductor manufacturing process, but the method is not limited to this, and a required pattern can be formed. Any exposure method and development method can be used.
- the protruding portion 3 may be a part of the matrix-shaped protruding portion 3. In that case, as illustrated in FIG. 1 (b), the protruding portion 3 is arranged in the portion where the microlens 2 between the adjacent microlens 2 and the microlens 2 overlaps and is connected to each other. It suffices if it is formed in. The protruding portion 3 may not be formed in the other portion.
- the cross-sectional area of that portion increases.
- the stress which is the force per unit cross-sectional area of the portion where the microlens 2 is connected between the adjacent microlens 2 and the microlens 2.
- the protruding portion 3 is arranged so as to pass through the center of the connecting region. Since the bottom of the valley formed by the adjacent microlens 2 is formed in the center of the articulated region, the effect of stress relaxation can be further enhanced. In other words, it is preferable that the protruding portion 3 is arranged in the region where the bottommost portion is formed in the valley portion of the adjacent microlens 2.
- the protruding portion 3 fills the entire connecting region.
- the protruding portion 3 is formed so as to cover the entire valley portion of the adjacent microlens 2. It is considered that the stress is most applied to the lowest portion of the valley portion, but by covering the periphery of the lowest portion with the protruding portion 3, the stress per unit cross-sectional area can be further relaxed.
- Step 2 is a step of forming a transparent resin layer 6 to be a microlens 2 from above the protruding portion 3 (FIG. 2 (c)).
- the coating method and drying method used in step 1 can be used.
- Step 3 is a step of forming the photosensitive resist layer 7 on the transparent resin layer 6 (FIG. 2 (d)).
- the coating method and drying method used in step 1 can be used.
- Step 4 is a step of forming a resist pattern 8 by exposing and developing the photosensitive resist layer 7 using a predetermined photomask (FIG. 2 (e)).
- the exposure method and the developing method used in step 1 can be used.
- the resist pattern 8 is arranged in the region where the microlens 2 is formed.
- Step 5 is a step of changing the resist pattern 8 into a lens shape by heat flow treatment for heating the resist pattern 8 to a softening temperature or higher (FIG. 2 (f)). As illustrated in FIG. 2 (f), the resist pattern 8 formed in step 4 is heated to a temperature equal to or higher than the softening point of the resin material constituting the resist pattern 8 to cause a heat flow, thereby forming a lens shape. Can be changed to.
- the transparent resin layer 6 having a thickness b on the protruding portion 3 is also formed. Is formed.
- a lenticular resist pattern as shown in FIGS. 2 (d) to 2 (f) may be formed by exposure and development using a gray tone mask.
- the step (step 5) of heat flow treatment can be omitted by heating the resist pattern 8 shown in FIG. 2 (e) to a softening temperature or higher.
- Step 6 is a step of forming a lens shape on the transparent resin layer 6 by performing dry etching using the resist pattern (resist pattern after heat flow) 9 changed to the lens shape as an etching mask (FIG. 2 (g). )).
- a is the thickness of the resist pattern 9 changed to the lens shape and b is the thickness of the transparent resin layer 6, for example, as shown in FIG. 2 (g).
- the dry etching can be stopped just when the microlens 2 having the thickness b of the transparent resin layer 6 is formed. It is preferable to use a material in which the speed at which the resin is etched and removed by dry etching is the same for the resist pattern 9 and the transparent resin layer 6. As such a case, a case where both are made of the same resin can be mentioned, but different resins may be used.
- the thickness (height) of the microlens 2 is b, and in that state, the transparent resin having the thickness of baa remains on the protruding portion 3.
- a protruding portion 3 and a transparent resin layer having a thickness of ba are formed in the valley portion between the microlens 2 and the microlens 2.
- the transparent resin having a thickness of ba is the same as the thickness of the transparent resin formed in the valley portion when the protruding portion 3 is not formed in the valley portion. Therefore, when the protruding portion 3 is not formed in the valley portion, the thickness ba of the transparent resin formed in the valley portion between the microlens 2 and the microlens 2 is, but the valley portion is formed.
- the thickness of the resin layer formed in the valley portion is the sum of the thickness ba of the transparent resin and the thickness of the protruding portion 3. Therefore, since the thickness of the resin layer in the valley portion increases, the stress in the valley portion can be reduced and the occurrence of cracks can be suppressed.
- the protruding part when the diameter of the microlens 2 is larger than one side of the pixel region of the plan view square, an overlapping region is generated between the adjacent microlenses 2.
- the plurality of projecting portions 3A shown in FIG. 4 are formed so as to have a plan view shape similar to this overlapping region. Therefore, there are no protruding portions 3A at the corners of the pixel region (both sides of the microlens 2 in the diagonal direction of the pixel region), and unlike the above-mentioned protruding portions 3, they are not continuous in a matrix.
- the thickness of the protruding portion 3A is preferably 1 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less.
- the resin thickness at the corner becomes smaller.
- the height difference between the valley portion between the microlenses and the top of the microlens in the diagonal direction of the pixel region can be made large, so that it is easy to increase the curvature in the diagonal direction of the microlens.
- there is also an advantage that the light collection rate in the diagonal direction can be easily improved.
- the protruding portion 3A has an advantage even in an embodiment in which there is no overlapping region between the microlenses.
- step 6 when dry etching is performed until the transparent resin layer 6 on the protruding portion 3A disappears, as shown in FIG. 5, the protruding portion 3A is exposed between the microlenses 2.
- the silicon wafer 5 can be prevented from being exposed and protected by the protruding portion 3A while completely preventing the occurrence of cracks in the articulated region.
- the corner portion tends to be slightly thicker than the protrusion 3A due to the relationship of surface tension and the like. Therefore, it is possible to protect the silicon wafer 5 by leaving the transparent resin layer 6 on the corners, and to eliminate only the transparent resin layer 6 on the protruding portion 3A by dry etching.
- the microlens is made of a non-photosensitive resin
- the protruding portion is made of a photosensitive resin, so that the materials are different.
- the refractive indexes of both are made equal, the microlens and the projecting portion can be optically formed as a uniform resin layer, so that there is an advantage that the optical characteristics of the solid-state image sensor can be easily stabilized.
- the difference in refractive index between the two is preferably 0.1 or less.
- the crack suppression according to the present invention is particularly effective when the diameter of the microlens 2 (the maximum dimension in the radial direction when it is not a perfect circle in a plan view) is 15 ⁇ m or more.
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Abstract
複数の受光素子がマトリクス状に備えられた半導体基板と、複数の受光素子のそれぞれに対応して形成された複数のマイクロレンズとを有する固体撮像素子において、隣接するマイクロレンズの間または境界部に、感光性樹脂からなる突状部が形成されている。
Description
本発明は、マイクロレンズを備えた固体撮像素子に関する。更に詳しくは、国内外において開発が進められている距離画像センサに使用される固体撮像素子とその製造方法に関する。
本願は、2020年9月2日に出願された、日本国特願2020-147599に基づく優先権を主張し、その内容を援用する。
本願は、2020年9月2日に出願された、日本国特願2020-147599に基づく優先権を主張し、その内容を援用する。
従来、二次元的な撮像素子を用いて三次元的な距離測定を行う方法として、例えばスマートフォンなどでは、デュアルカメラやトリプルカメラを使用して、三角測量や焦点のボケなどの技法を使用した距離測定が行われていた。一方、三次元的な距離測定を行う事ができる距離画像センサは、撮像対象物までの距離情報が含まれる画像を撮像する事ができる画像センサであり、対象物に赤外線を照射し、対象物からの反射光を受光するまでの時間(飛行時間、TOF;Time of Flight)を検出する事により、距離情報を取得していた。この様な距離画像センサでは、距離測定には赤外線を使用し、カラー画像は別の撮像素子を使用するものであった。
近年、距離画像センサにおいて、二次元画素アレイ上で距離計測が可能な三次元撮像素子が開発され、次世代の撮像素子として注目されている。この様に、距離計測が可能な三次元撮像素子においては、TOFの時間計測用のスペースが必要となり、画像情報を取得する受光素子の開口率が低下する問題がある。その為、感度向上のためにマイクロレンズが必要となる。
この用途に用いられるマイクロレンズとしては、例えば、ピクセルサイズとマイクロレンズのレンズ径がほぼ同じ20μmの半球レンズの場合、レンズの高さは10μm~15μmが必要となる。この様に、従来の固体撮像素子に用いられるマイクロレンズと比べ桁違いに大きなレンズ径が必要となるが、ピクセルサイズの大型化に伴い、マイクロレンズの高さも高くなる傾向にある。
また、マイクロレンズの製造方法については、10μm以上の厚さを持つマイクロレンズを熱フローによって形成可能な永久レジストが入手できない為、エッチバック法を用いてマイクロレンズが形成されている。エッチバック法では、まず、マイクロレンズとなる層を形成後、その上にレジストパターンを形成し、そのレジストパターンを熱フローによってレンズ形状を形成する。次に、そのレンズ形状のレジストパターンをドライエッチングする事によって、そのレンズ形状をマイクロレンズとなる層に転写する方法(例えば、特許文献1参照)が用いられる。
しかしながら、例えば、直径が20μm、高さが10μmのマイクロレンズをエッチバック法で形成すると、隣接するマイクロレンズの間の谷部にクラックが発生する事がある。この原因は、従来のマイクロレンズと比較してマイクロレンズが大幅に厚くなり、直径も大きくなる事により、マイクロレンズの熱収縮による応力が谷部に集中する為であると考えられる。また、大きな曲率を持つレンズになっている事もその原因であると推定される。
この様に、マイクロレンズの間にクラック(亀裂)が発生すると、レンズの集光特性が低下し、撮像素子の感度が低下する。
上記の問題点を解決する為、本発明は、マイクロレンズの重なり部である谷部にクラックが発生しないマイクロレンズを有する固体撮像素子を提供する事を課題とする。
本発明の第一の態様は、複数の受光素子がマトリクス状に備えられた半導体基板と、複数の受光素子のそれぞれに対応して形成された複数のマイクロレンズとを有する固体撮像素子である。
この固体撮像素子では、隣接するマイクロレンズの間または境界部に、感光性樹脂からなる突状部が形成されている。
この固体撮像素子では、隣接するマイクロレンズの間または境界部に、感光性樹脂からなる突状部が形成されている。
本発明の第二の態様は、第一の態様に係る固体撮像素子の製造方法である。
この製造方法は、半導体基板上に感光性樹脂からなる突状部を形成する工程と、半導体基板上に突状部を覆う透明樹脂層を形成する工程と、透明樹脂層を用いて複数のマイクロレンズを形成する工程とを備える。
この製造方法は、半導体基板上に感光性樹脂からなる突状部を形成する工程と、半導体基板上に突状部を覆う透明樹脂層を形成する工程と、透明樹脂層を用いて複数のマイクロレンズを形成する工程とを備える。
本発明の固体撮像素子によれば、隣接するマイクロレンズが連接してなる部位(マイクロレンズアレイの谷部)には、マイクロレンズの谷部を構成する樹脂を嵩増しするための突状部が形成されている。その為、エッチバック法で形成する際の熱等により発生する力が谷部に集中しても、谷部の断面視における樹脂層が増大している為、単位断面積当たりの力である応力が減少し、谷部のクラックの発生を抑制する事ができる。
本発明の第二の態様によれば、本発明の第一の態様における固体撮像素子の提供を可能とする事ができる。
<固体撮像素子>
本発明の固体撮像素子について、図1と図2を用いて説明する。
本発明の固体撮像素子10は、複数の受光素子4をマトリクス状に備えたシリコンウェハ5を含むタイムオブフライト方式の距離画像センサ用半導体基板1と、半導体基板1の各受光素子4の位置に対応して形成されたマイクロレンズ2を備える。マイクロレンズ2は隣接するマイクロレンズ2間の周縁部が連接されてマイクロレンズアレイ状に形成されている。
本発明の固体撮像素子について、図1と図2を用いて説明する。
本発明の固体撮像素子10は、複数の受光素子4をマトリクス状に備えたシリコンウェハ5を含むタイムオブフライト方式の距離画像センサ用半導体基板1と、半導体基板1の各受光素子4の位置に対応して形成されたマイクロレンズ2を備える。マイクロレンズ2は隣接するマイクロレンズ2間の周縁部が連接されてマイクロレンズアレイ状に形成されている。
また、本発明の固体撮像素子10においては、マイクロレンズ2の厚さは、マイクロレンズアレイのレンズピッチの1/2以上である。
タイムオブフライト方式の距離画像センサでは、受光素子の他に、TOF測定の為のスペースが必要となる。その為、開口率が低下する。開口率の低下をカバーする為、マイクロレンズの形成が必要となる。レンズピッチが、例えばマイクロレンズの直径とほぼ同じ20μmの半球形レンズである場合、レンズの高さ(厚さ)は10μm~15μmが必要となる。
タイムオブフライト方式の距離画像センサでは、受光素子の他に、TOF測定の為のスペースが必要となる。その為、開口率が低下する。開口率の低下をカバーする為、マイクロレンズの形成が必要となる。レンズピッチが、例えばマイクロレンズの直径とほぼ同じ20μmの半球形レンズである場合、レンズの高さ(厚さ)は10μm~15μmが必要となる。
隣接するマイクロレンズ2が連接してなる連接領域(マイクロレンズ2とマイクロレンズ2の間の低くなっている領域、あるいはマイクロレンズアレイの谷部が形成される領域のことを指す)には、マイクロレンズ2の谷部を構成する樹脂を嵩増しするための突状部3が形成されている。
ここで、マイクロレンズ2の連接領域について説明する。隣接する2つの略半球形状のマイクロレンズの周縁部が重なって連接する場合、重なる状態によって、連接領域におけるマイクロレンズ2の谷部を形成する樹脂の厚さが変化する。
例えば、隣接する2つのマイクロレンズがその周縁部で接している(重なっていない)状態においては、連接領域にマイクロレンズ2を形成する樹脂の重なりは生じない。隣接する2つのマイクロレンズ2の周縁部が連接領域において浅く重なっている状態は、深く重なっている状態に比べ、マイクロレンズ2の周縁部を構成する樹脂層(以下、単に樹脂層とも呼ぶ)は薄くなる。一方、隣接するマイクロレンズ2同士が深く重なっている状態では、連接領域における樹脂層は厚くなる。
上述した3つの状態のいずれの場合も、連接領域の樹脂層はマイクロレンズ2のピーク位置(マイクロレンズ2の頂点位置)より薄い為、マイクロレンズ2における最も低い領域となる。なお、連接領域における樹脂層の厚さはマイクロレンズ2の位置精度のばらつきなどにより異なる。
例えば、隣接する2つのマイクロレンズがその周縁部で接している(重なっていない)状態においては、連接領域にマイクロレンズ2を形成する樹脂の重なりは生じない。隣接する2つのマイクロレンズ2の周縁部が連接領域において浅く重なっている状態は、深く重なっている状態に比べ、マイクロレンズ2の周縁部を構成する樹脂層(以下、単に樹脂層とも呼ぶ)は薄くなる。一方、隣接するマイクロレンズ2同士が深く重なっている状態では、連接領域における樹脂層は厚くなる。
上述した3つの状態のいずれの場合も、連接領域の樹脂層はマイクロレンズ2のピーク位置(マイクロレンズ2の頂点位置)より薄い為、マイクロレンズ2における最も低い領域となる。なお、連接領域における樹脂層の厚さはマイクロレンズ2の位置精度のばらつきなどにより異なる。
その為、隣接する2つのマイクロレンズの重なる状態によっては、連接領域においてマイクロレンズ2の樹脂の重なりによって形成される樹脂層の厚さは変化する。本発明の第一の態様はそのいずれの状態であっても適用可能である。
また、連接領域において、マイクロレンズ2と半導体基板1の間に何も無い状態と、図1に示す様に、マイクロレンズ2と半導体基板1の間(以下、下地とも呼ぶ)に突状部3が形成されている状態では、連接領域における樹脂層の厚さが変化する。
前者では、隣接する2つのマイクロレンズの重なり状態によって決まる厚さの樹脂層が形成される。
後者では、前者の厚さの樹脂層に加えて、半導体基板1上に形成された突状部3の厚さが加わる為、後者の方が厚い樹脂層が形成される。
前者では、隣接する2つのマイクロレンズの重なり状態によって決まる厚さの樹脂層が形成される。
後者では、前者の厚さの樹脂層に加えて、半導体基板1上に形成された突状部3の厚さが加わる為、後者の方が厚い樹脂層が形成される。
以上の事から、本発明の第一の態様のように連接領域の下地に突状部3が形成されている場合、谷部の樹脂層の厚さを厚くする事ができる。その為、樹脂層の断面積が増加し、応力が低下する為、タイムオブフライト用のマイクロレンズのような大型のマイクロレンズを形成する場合であっても熱歪み等によるクラック発生が抑制される。
また、突状部3として、マイクロレンズ2を構成する樹脂材料より高い屈折率を持つ樹脂を使用する事により、迷光となって受光素子4に入射されずに利用できなかった光が突状部3で反射する事で再度利用可能となる為、固体撮像素子の感度を高める事ができる。この場合、マイクロレンズ2を構成する樹脂材料と突状部3を構成する樹脂材料との屈折率差が0.1を超えていることが好ましい。
<固体撮像素子の製造方法>
次に、本発明の第二の態様に係る固体撮像素子の製造方法について、図1と図2を用いて説明する。
本発明の第二の態様におけるマイクロレンズの製造方法は、複数の受光素子4がマトリクス状に備えられたタイムオブフライト方式の距離画像センサ用半導体基板1の各受光素子4の位置に対応して形成されたマイクロレンズ2が、それらの周縁部で連接されたマイクロレンズアレイを有するマイクロレンズの製造方法である。
次に、本発明の第二の態様に係る固体撮像素子の製造方法について、図1と図2を用いて説明する。
本発明の第二の態様におけるマイクロレンズの製造方法は、複数の受光素子4がマトリクス状に備えられたタイムオブフライト方式の距離画像センサ用半導体基板1の各受光素子4の位置に対応して形成されたマイクロレンズ2が、それらの周縁部で連接されたマイクロレンズアレイを有するマイクロレンズの製造方法である。
本発明のマイクロレンズの製造方法は、半導体基板1(図2(a))上に、少なくとも、隣接するマイクロレンズ2が連接する領域である連接領域の少なくとも一部領域に突状部3を形成する工程1(図2(b))と、突状部3の上からマイクロレンズ2となる透明樹脂層6を形成する工程2(図2(c))と、透明樹脂層6の上に感光性レジスト層7を形成する工程3(図2(d))と、感光性レジスト層7を所定のフォトマスクを用いて露光し現像する事により、レジストパターン8を形成する工程4(図2(e))と、レジストパターン8を軟化温度以上に加熱する熱フロー処理により、レジストパターン8をレンズ形状に変化させる工程5(図2(f))と、レンズ形状に変化させたレジストパターン9をエッチングマスクとしてドライエッチングを行う事により、透明樹脂層6にレンズ形状を形成する工程6(図2(g))と、を備えている。特に、第二の態様では工程1、工程2を備える。
また、本発明のマイクロレンズの製造方法は、透明樹脂層6の上に感光性レジスト層7を形成する工程3(図2(d))の後、感光性レジスト層7を、グレートーンフォトマスク(グレートーンマスク)を用いて露光し現像する事により、図2(e)に示した現像後のレジストパターン8の熱フロー処理を行う事無く、レンズ形状を形成する工程(図2(f))としてもよい。
(工程1)
工程1は、半導体基板1上に、隣接するマイクロレンズ2の谷部が形成される連接領域の少なくとも一部領域を通り、半導体基板1の各受光素子4が略中心部に配置される様に、平面視でマトリクス状の突状部3を形成する工程である(図2(b))。突状部3は、少なくとも、マイクロレンズ2の連接領域に形成されていればよい。突状部3は平面視でマトリクス状ではなく、マイクロレンズ2の谷部にあたる領域に断続的に突状部3を形成してもよい。
工程1は、半導体基板1上に、隣接するマイクロレンズ2の谷部が形成される連接領域の少なくとも一部領域を通り、半導体基板1の各受光素子4が略中心部に配置される様に、平面視でマトリクス状の突状部3を形成する工程である(図2(b))。突状部3は、少なくとも、マイクロレンズ2の連接領域に形成されていればよい。突状部3は平面視でマトリクス状ではなく、マイクロレンズ2の谷部にあたる領域に断続的に突状部3を形成してもよい。
突状部3は、例えば図1(a)に例示した様に、半導体基板1の各受光素子4を中心部に配置したマトリクス状の突状部3である。突状部3は、感光性樹脂を半導体基板1上に塗布、乾燥させた後、所定の露光パターンを備えたフォトマスクを用いて露光、現像する事によって形成する事ができる。
感光性樹脂の塗布方法としては、特に限定する必要は無い。半導体製造工程で使用されるスピンコート法をはじめ、ダイコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法、など各種の塗布方法を使用する事ができる。基板のサイズや必要な膜厚均一性を考慮して適宜、選択すればよい。
半導体基板1上に塗布された感光性樹脂を乾燥する方法としては、半導体製造工程で使用されているクリーンオーブンを用いて、昇温されたクリーンエアー中で乾燥する方法が好ましいが、感光性樹脂に異物が付着する事無く、乾燥する事が可能であれば乾燥方法を限定する必要は無い。
感光性樹脂を露光、現像する方法は、半導体製造工程で使用されるプロジェクション方式の露光装置および現像装置を用いて実施することができるが、これに限定する必要は無く、必要なパターンを形成可能な露光方法および現像方法であれば使用する事ができる。
また、突状部3は、マトリクス状の突状部3の一部であってもよい。その場合は、図1(b)に例示した様に、隣接するマイクロレンズ2とマイクロレンズ2の間のマイクロレンズ2が重なり合って、連接している部分に、突状部3が配置される様に形成されていればよい。その他の部分には突状部3が形成されていなくてもよい。
少なくとも、連接領域に突状部3が配置される様に形成されていれば、その部分の断面積が増加する。断面積が増加する事で、隣接するマイクロレンズ2とマイクロレンズ2の間のマイクロレンズ2が連接している部分の単位断面積当たりの力である応力を低下させる事ができる。
なお、突状部3は連接領域の中央を通るように配置されることが好ましい。連接領域の中央は隣接するマイクロレンズ2で形成される谷部の最底部が形成されるため、より応力緩和の効果を高めることができる。換言すると、隣接するマイクロレンズ2の谷部のうち最底部が形成される領域に突状部3が配置されていることが好ましい。
さらに好ましくは、突状部3は連接領域全体を満たすことが好ましい。換言すると、隣接するマイクロレンズ2の谷部全体をカバーするように突状部3が形成されていることが好ましい。応力が最もかかるのは谷部の最低部と考えられるが、最低部の周辺も突状部3でカバーすることで、より単位断面積当たりの応力を緩和することができる。
なお、突状部3は連接領域の中央を通るように配置されることが好ましい。連接領域の中央は隣接するマイクロレンズ2で形成される谷部の最底部が形成されるため、より応力緩和の効果を高めることができる。換言すると、隣接するマイクロレンズ2の谷部のうち最底部が形成される領域に突状部3が配置されていることが好ましい。
さらに好ましくは、突状部3は連接領域全体を満たすことが好ましい。換言すると、隣接するマイクロレンズ2の谷部全体をカバーするように突状部3が形成されていることが好ましい。応力が最もかかるのは谷部の最低部と考えられるが、最低部の周辺も突状部3でカバーすることで、より単位断面積当たりの応力を緩和することができる。
(工程2)
工程2は、突状部3の上からマイクロレンズ2となる透明樹脂層6を形成する工程である(図2(c))。工程1において使用した塗布方法および乾燥方法を使用することができる。
工程2は、突状部3の上からマイクロレンズ2となる透明樹脂層6を形成する工程である(図2(c))。工程1において使用した塗布方法および乾燥方法を使用することができる。
(工程3)
工程3は、透明樹脂層6の上に感光性レジスト層7を形成する工程である(図2(d))。工程1において使用した塗布方法および乾燥方法を使用することができる。
工程3は、透明樹脂層6の上に感光性レジスト層7を形成する工程である(図2(d))。工程1において使用した塗布方法および乾燥方法を使用することができる。
(工程4)
工程4は、感光性レジスト層7を所定のフォトマスクを用いて露光し現像する事により、レジストパターン8を形成する工程である(図2(e))。工程1において使用した露光方法および現像方法を使用することができる。レジストパターン8はマイクロレンズ2が形成される領域に配置されている。
工程4は、感光性レジスト層7を所定のフォトマスクを用いて露光し現像する事により、レジストパターン8を形成する工程である(図2(e))。工程1において使用した露光方法および現像方法を使用することができる。レジストパターン8はマイクロレンズ2が形成される領域に配置されている。
(工程5)
工程5は、レジストパターン8を軟化温度以上に加熱する熱フロー処理により、レジストパターン8をレンズ形状に変化させる工程である(図2(f))。工程4で形成されたレジストパターン8を、レジストパターン8を構成する樹脂材料の軟化点以上の温度に加熱し、熱フローを起こさせる事により、図2(f)に例示した様に、レンズ形状に変化させる事ができる。
工程5は、レジストパターン8を軟化温度以上に加熱する熱フロー処理により、レジストパターン8をレンズ形状に変化させる工程である(図2(f))。工程4で形成されたレジストパターン8を、レジストパターン8を構成する樹脂材料の軟化点以上の温度に加熱し、熱フローを起こさせる事により、図2(f)に例示した様に、レンズ形状に変化させる事ができる。
レンズ形状に変化させたレジストパターン9の厚さ(高さ)をa、透明樹脂層6の厚さをb、とすると、例えば、突状部3の上にも厚さbの透明樹脂層6が形成される。
工程4において、グレートーンマスクを用いて、露光・現像する事により、図2(d)から図2(f)に示した様なレンズ状のレジストパターンを形成する工程であってもよい。その場合、図2(e)に示したレジストパターン8を軟化温度以上に加熱する事により熱フロー処理する段階(工程5)を省略することができる。
(工程6)
工程6は、レンズ形状に変化させたレジストパターン(熱フロー後のレジストパターン)9をエッチングマスクとしてドライエッチングを行う事により、透明樹脂層6にレンズ形状を形成する工程である(図2(g))。
工程6は、レンズ形状に変化させたレジストパターン(熱フロー後のレジストパターン)9をエッチングマスクとしてドライエッチングを行う事により、透明樹脂層6にレンズ形状を形成する工程である(図2(g))。
図2(f)に示した様に、レンズ形状に変化させたレジストパターン9の厚さをa、透明樹脂層6の厚さをbとすると、図2(g)に示した様に、例えば、丁度、透明樹脂層6の厚さbを持つマイクロレンズ2が形成されたところで、ドライエッチングを停止する事ができる。なお、ドライエッチングによって樹脂がエッチング除去される速度が、レジストパターン9と透明樹脂層6で同じである材料を使用することが好ましい。その様な場合としては、両者が同じ樹脂からなる場合を挙げる事ができるが、異なる樹脂であってもよい。
即ち、マイクロレンズ2の厚さ(高さ)はbであり、その状態では突状部3の上に、b-aの厚さの透明樹脂が残っている。
従って、マイクロレンズ2とマイクロレンズ2の間の谷部には、突状部3と、厚さがb-aの透明樹脂層と、が形成されている。
ここで、厚さがb-aの透明樹脂は、谷部に突状部3が形成されていない場合に、谷部に形成される透明樹脂の厚さと同じである。その為、谷部に突状部3が形成されていない場合は、マイクロレンズ2とマイクロレンズ2の間の谷部に形成される透明樹脂の厚さb-aであったが、谷部に突状部3が形成されている場合は、谷部に形成される樹脂層の厚さは、透明樹脂の厚さb-aと、突状部3の厚さと、を足した厚さとなる。
従って、谷部の樹脂層の厚さが増える為、谷部における応力を低減し、クラックの発生を抑制する事ができる。
従って、谷部の樹脂層の厚さが増える為、谷部における応力を低減し、クラックの発生を抑制する事ができる。
突状部の他の態様について説明する。例えば、図3に示すように、マイクロレンズ2の径が平面視正方形の画素領域の一辺よりも大きい場合、隣り合うマイクロレンズ2間に重なり領域が生じる。図4に示す複数の突状部3Aは、この重なり領域と同様の平面視形状を有するように形成されている。したがって、画素領域の隅部(画素領域の対角方向におけるマイクロレンズ2の両側)には突状部3Aはなく、上述した突状部3と異なり、マトリクス状に連続していない。
発明者の検討では、連接領域における樹脂の厚さが2μm以下になると、クラックの頻度が上がることが確認された。その一方で、応力のかかり方が異なる隅部では、厚さが2μm以下であってもクラックが生じないことも確認できた。したがって、上記重なり領域のみに設けた突状部3Aであっても、連接領域における樹脂層の厚さを増加させることで、クラックの発生を好適に抑制し、隅部にもクラックが生じない構成とすることができる。
発明者の検討では、連接領域における樹脂の厚さが2μmを超えると、クラックの頻度が著しく下がり、5.5μm以上となると、ほとんどゼロになった。このような観点からは、突状部3Aの厚さは、1μm以上5μm以下が好ましいと言える。
突状部3Aを設ける場合、隅部の樹脂厚が小さくなる。これにより、画素領域の対角方向におけるマイクロレンズ間の谷部とマイクロレンズ頂部との高低差を大きく取ることができるため、マイクロレンズの対角方向の曲率を大きくすることが容易である。その結果、対角方向における集光率を向上させやすいという利点もある。
さらに、突状部3Aは、マイクロレンズ間に重なり領域がない態様においても利点を有する。
工程6において、突状部3A上の透明樹脂層6がなくなるまでドライエッチングを行うと、図5に示すように、マイクロレンズ2間に突状部3Aが露出する構造となる。この構成では、連接領域におけるクラックの発生を完全に防止しつつ、突状部3Aによってシリコンウェハ5の露出を防ぎ、保護することができる。工程2で透明樹脂層を形成する際、表面張力等の関係によって、突状部3A上よりも隅部の方が若干厚くなる傾向がある。したがって、隅部上に透明樹脂層6を残してシリコンウェハ5を保護しつつ、突状部3A上の透明樹脂層6だけをドライエッチングで消失させることが可能である。
工程6において、突状部3A上の透明樹脂層6がなくなるまでドライエッチングを行うと、図5に示すように、マイクロレンズ2間に突状部3Aが露出する構造となる。この構成では、連接領域におけるクラックの発生を完全に防止しつつ、突状部3Aによってシリコンウェハ5の露出を防ぎ、保護することができる。工程2で透明樹脂層を形成する際、表面張力等の関係によって、突状部3A上よりも隅部の方が若干厚くなる傾向がある。したがって、隅部上に透明樹脂層6を残してシリコンウェハ5を保護しつつ、突状部3A上の透明樹脂層6だけをドライエッチングで消失させることが可能である。
本実施形態において、マイクロレンズは非感光性樹脂からなり、突状部は感光性樹脂からなるため、材質は異なっている。両者の屈折率を同等にすると、光学的にはマイクロレンズと突状部とを一様の樹脂層とできるため、固体撮像素子の光学特性を安定させやすいという利点がある。マイクロレンズと突状部とを一様の樹脂層とする観点からは、両者の屈折率差が0.1以内であることが好ましい。
本発明によるクラック抑制は、マイクロレンズ2の直径(平面視正円でない場合は、径方向の最大寸法)が15μm以上となる場合に特に有効である。
1 (タイムオブフライト方式の距離画像センサ用)半導体基板
2 マイクロレンズ
3、3A 突状部
4 受光素子
5 シリコンウェハ
6 透明樹脂層
7 感光性レジスト層
8 レジストパターン
9 レンズ形状に変化させたレジストパターン(または熱フロー処理後のレジストパターン)
10 固体撮像素子
a レンズ形状に変化させたレジストパターンの厚さ(高さ)
b 透明樹脂層の厚さ
2 マイクロレンズ
3、3A 突状部
4 受光素子
5 シリコンウェハ
6 透明樹脂層
7 感光性レジスト層
8 レジストパターン
9 レンズ形状に変化させたレジストパターン(または熱フロー処理後のレジストパターン)
10 固体撮像素子
a レンズ形状に変化させたレジストパターンの厚さ(高さ)
b 透明樹脂層の厚さ
Claims (9)
- 複数の受光素子がマトリクス状に備えられた半導体基板と、複数の前記受光素子のそれぞれに対応して形成された複数のマイクロレンズとを有する固体撮像素子であって、
隣接する前記マイクロレンズの間または境界部に、感光性樹脂からなる突状部が形成されている、
固体撮像素子。 - 前記マイクロレンズの直径が15μm以上である、
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記突状部を構成する樹脂の屈折率と前記マイクロレンズを構成する樹脂の屈折率との差が0.1以内である、
請求項1または2に記載の固体撮像素子。 - 前記突状部を構成する樹脂の屈折率が、前記マイクロレンズを構成する樹脂よりも高い、
請求項1または2に記載の固体撮像素子。 - 前記突状部が、前記マイクロレンズを構成する樹脂に覆われている、請求項1から4のいずれか一項に記載の固体撮像素子。
- 隣り合う前記マイクロレンズ間に前記突状部が露出している、請求項1から4のいずれか一項に記載の固体撮像素子。
- 請求項1から6のいずれか一項に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記半導体基板上に感光性樹脂からなる突状部を形成する工程と、
前記半導体基板上に前記突状部を覆う透明樹脂層を形成する工程と、
前記透明樹脂層を用いて複数のマイクロレンズを形成する工程と、
を備える、
固体撮像素子の製造方法。 - 前記複数のマイクロレンズをドライエッチングにより形成する、
請求項7に記載の固体撮像素子の製造方法。 - 前記ドライエッチングにより、前記突状部上の前記透明樹脂層を消失させる、
請求項8に記載の固体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202180057935.1A CN116113856A (zh) | 2020-09-02 | 2021-09-02 | 固体拍摄元件以及制造方法 |
JP2022546967A JPWO2022050345A1 (ja) | 2020-09-02 | 2021-09-02 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020-147599 | 2020-09-02 | ||
JP2020147599 | 2020-09-02 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2022050345A1 true WO2022050345A1 (ja) | 2022-03-10 |
Family
ID=80491092
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2021/032276 WO2022050345A1 (ja) | 2020-09-02 | 2021-09-02 | 固体撮像素子および製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2022050345A1 (ja) |
CN (1) | CN116113856A (ja) |
WO (1) | WO2022050345A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023203919A1 (ja) * | 2022-04-20 | 2023-10-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
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-
2021
- 2021-09-02 CN CN202180057935.1A patent/CN116113856A/zh active Pending
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2022050345A1 (ja) | 2022-03-10 |
CN116113856A (zh) | 2023-05-12 |
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