JP2601148B2 - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

Info

Publication number
JP2601148B2
JP2601148B2 JP5202081A JP20208193A JP2601148B2 JP 2601148 B2 JP2601148 B2 JP 2601148B2 JP 5202081 A JP5202081 A JP 5202081A JP 20208193 A JP20208193 A JP 20208193A JP 2601148 B2 JP2601148 B2 JP 2601148B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
resin film
ccd
solid
state imaging
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP5202081A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0738075A (ja
Inventor
泰明 穂苅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP5202081A priority Critical patent/JP2601148B2/ja
Priority to KR1019940017732A priority patent/KR0144292B1/ko
Priority to US08/279,793 priority patent/US5493143A/en
Publication of JPH0738075A publication Critical patent/JPH0738075A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2601148B2 publication Critical patent/JP2601148B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14868—CCD or CID colour imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電荷結合素子（ＣＣＤ）
を用いた固体撮像装置に関し、特にカラー用の固体撮像
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４はＣＣＤを用いた固体撮像装置（以
下、ＣＣＤ素子と称する）を３枚用いたカラーカメラの
概略構成図である。カメラレンズＬを通った被写体光
は、ダイクロイックプリズムＤＰで、赤・緑・青の３色
に分光されたのち、各色ごとに設けられた３個のＣＣＤ
素子Ｒ−ＣＣＤ，Ｇ−ＣＣＤ，Ｂ−ＣＣＤにそれぞれ結
像される。したがって、各ＣＣＤ素子からは、赤・緑・
青の画像信号が出力される。通常はこれら３個のＣＣＤ
素子は構造的に全く同じものを用いている。
【０００３】図５はＣＣＤ素子の断面図であり、特に光
電変換を行う部位を示している。同図において、１はＮ
型半導体基板、１ＡはＰ型ウェル、２は光電変換を行う
フォトダイオードを構成するＮ型不純物領域、３は電荷
を転送するＣＣＤチャネルを構成するＮ型不純物領域、
４は各フォトダイオードと各ＣＣＤチャネルを分離する
Ｐ+ 分離領域である。そして、この半導体基板１上に絶
縁膜５と、多結晶シリコンからなる電極６と、多結晶シ
リコン電極６を透過してＣＣＤチャネル３に入る光を遮
断する遮光膜７を形成し、更にその上にマイクロレンズ
下の素子表面を平坦にし、かつ焦点距離を調整する樹脂
膜８を形成する。そして、この樹脂膜８上の前記フォト
ダイオードの直上位置には、光をフォトダイオードに集
光するマイクロレンズ９を形成している。このマイクロ
レンズ９の平面配置を図６に示す。
【０００４】このＣＣＤ素子では、マイクロレンズ９で
集束される光１０は、樹脂膜８を透過し、かつ遮光膜７
の開口部を通してフォトダイオード２に入射され、ここ
で光電変換され、電荷として蓄積される。フォトダイオ
ード２に蓄積された電荷は電極６にパルス電圧を加える
ことでＣＣＤチャネル３に移され、このＣＣＤチャネル
３内を紙面に垂直方向に転送される。ここで、光の利用
効率を高めるには、マイクロレンズ９に入る光がフォト
ダイオード２に導入される割合を高めればよく、このた
めマイクロレンズ９の曲率と樹脂膜８の膜厚を調整し、
光線１０ａで示すように、フォトダイオード２の表面、
または表面から０．１〜０．２μｍ内部に入った位置に
光が集束されるように設計される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この種のＣ
ＣＤ素子を用いたカメラでは、図７に示すように、カメ
ラレンズの絞りを開いて絞り値（Ｆ値）を小さくしたと
きに、ＣＣＤ素子に入射される光量が増加されるもの
の、逆に出力信号が低下され、光量の増加に比例した出
力信号が得られないという特性がある。そして、輝度信
号である緑光（Ｇ）はこの低下量が少ないが、赤光
（Ｒ）と青光（Ｂ）は低下量が大きくなり、このことは
カメラレンズの絞りを開くと三原色の色バランスが崩れ
ることになる。
【０００６】即ち、図５に示すように、カメラレンズの
絞りを絞り込んだ場合には、光は光路１０の如くＣＣＤ
素子にほぼ垂直に入射する。一般には、この条件で最適
な焦点距離となるようにマイクロレンズ９の曲率と樹脂
膜８の膜厚を選ぶ。しかし、カメラレンズの絞りを開く
と、ＣＣＤ素子に入射する光は光路１０′に示すように
ＣＣＤ素子に斜め方向から入射することになる。この場
合には光路１０ａ′に示すように焦点の位置はフォトダ
イオード２の表面から上方に移動するため、入射光１
０′の一部は遮光膜７で制限されることになり、これは
フォトダイオード２に入る光量の減少を招き信号電荷量
が減少することになる。
【０００７】そして、マイクロレンズ９と樹脂膜８を、
視感度の高い緑色の波長の光に対して設計した場合、波
長の短い青色光では光線１０ｂに示すように焦点距離が
フォトダイオード２の表面の上方に位置され、絞りを開
いて斜め方向から光が入射する場合には焦点位置はさら
に上方に移動するため、遮光膜７で制限される光線は緑
色光に比べ多くなる。逆に赤色光の場合には焦点位置は
フォトダイオード２の内部下方に位置するが、遮光膜７
で制限される光線が多くなることは青色光の場合と同様
である。したがって、カメラレンズの絞りを開いたとき
の信号出力の低下量は緑色光に比べ青色光と赤色光で多
く発生する。
【０００８】なお、このような問題はマイクロレンズの
径が大きい程顕著であるため、カメラの感度を高めるに
マイクロレンズの径を大きくしたときには前記した問題
は一層大きくなり、カメラの高感度化が制約されるとい
う問題になる。本発明の目的は、カメラの絞りを開いた
ときの色バランスの崩れを防止して高感度なカメラを得
ることを可能にした固体撮像装置を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像装置
は、赤色光用，緑色光用，青色光用としてそれぞれ固定
撮像装置を独立に形成し、かつ各固体撮像装置の各樹脂
膜の厚さを相違させ、各色光がそれぞれの樹脂膜を透し
て各光電変換部の内部に集光されるように構成する。
【００１０】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の第１の実施例を説明する図であり、
赤・緑・青の各ＣＣＤ素子の光電変換領域の断面構造を
示す。同図において、各符号は従来構成と同一部分を示
しており、１はＮ型半導体基板、１ＡはＰ型ウェル、２
はＮ型不純物領域で構成されるフォトダイオード、３は
Ｎ型不純物領域で構成されるＣＣＤチャネル、４はＰ+
分離領域、５は絶縁膜、６は電極、７は遮光膜、８は樹
脂膜、９はマイクロレンズである。
【００１１】そして、この実施例では、赤・緑・青の各
ＣＣＤ素子の樹脂膜８Ｒ，８Ｇ，８Ｂの厚さを相違さ
せ、各色におけるＣＣＤ素子の焦点距離をコントロール
し、各色の光がフォトダイオード２の表面もしくは表面
から０．１〜０．２μｍ内部に焦点を結ぶようにする。
即ち、緑色光用ＣＣＤ素子の樹脂膜８Ｇを基準とした場
合、波長の長い赤色光用ＣＣＤ素子の樹脂膜８Ｒの厚さ
をこれよりも厚くし、波長の短い青色光用ＣＣＤ素子の
樹脂膜８Ｂの厚さをこれよりも薄くしている。例えば、
緑色光の樹脂膜８Ｇを６μｍとした場合には、赤色光の
樹脂膜８Ｒを６．２μｍとし、青色光の樹脂膜８Ｂを
５．８μｍとする。
【００１２】ここで、各ＣＣＤ素子における樹脂膜８と
マイクロレンズ８の形成工程を簡単に説明する。なお、
ＣＣＤ素子のフォトダイオード２、ＣＣＤチャネル３、
電極６、遮光膜７の製造方法は既に広く知られている技
術であるので、これらが形成された後の工程を示す。ま
ず、図２（ａ）のように、光の透過率が充分に高い樹脂
膜８を所望の厚さに形成する。この樹脂膜８は、例えば
フォトレジスト材料が用いられ、所望の厚さに形成する
ために多数回塗布し、しかる後に１７０〜２００℃でベ
ーキングし、焼き固める。
【００１３】次に、図２（ｂ）のように、マイクロレン
ズを形成するべく樹脂膜８の上面にフォトレジストを塗
布し、かつレンズ形成箇所にのみこれを残すようにパタ
ーン形成してレンズパターン９０を形成する。次に、図
２（ｃ）のように、１６０〜１８０℃でベーキングする
ことでレンズパターン９０を流動化させ、この時生ずる
表面張力を利用して表面形状に曲率を持たせ、マイクロ
レンズ９を形成する。ここで、マイクロレンズの曲率は
ベーキング温度によっても異なるが、ほとんどはレンズ
パターン９０の厚さと径の寸法とで決定される。したが
って、フォトダイオード２の表面に焦点を結ばせるに
は、レンズパターン９０の厚さと径寸法と樹脂膜８の厚
さを選ぶことで実現される。
【００１４】したがって、図１に示したＣＣＤ素子で
は、赤・緑・青のそれぞれで樹脂膜８Ｒ，８Ｇ，８Ｂの
厚さが異なり、各色の光が正しくフォトダイオード２に
入射されるように構成しているので、図３に示すよう
に、カメラレンズの絞りを開いたときに、赤，緑，青の
各ＣＣＤ素子で感度が低下される場合でもその低下を最
小のものにでき、しかも各色光の出力信号が等しい特性
となるため、各色光間でのバラツキが解消でき、色バラ
ンスを保つことが可能となる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、赤色光
用，緑色光用，青色光用としてそれぞれ固定撮像装置を
独立に形成し、かつ各固体撮像装置の各樹脂膜の厚さを
相違させ、各色光がそれぞれの樹脂膜を透して各光電変
換部の内部に集光されるように構成しているので、各光
電変換部ではそれぞれ適切な状態での集光が行われ、カ
メラレンズ絞りを開いたときにも各色光の出力信号の低
下を抑制し、かつ各色光のバラツキを解消して色バラン
スの良好なカラー出力を得ることができる。特に、本発
明では樹脂膜の膜厚を相違するだけでよいので、各色光
における集光レンズの曲率を相違させる構成のものに比
較してその製造を容易に行うことができる。また、色バ
ランスの改善によりマイクロレンズ径を拡大して設ける
ことが可能となるため、感度を一層高めることができる
効果もある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例における各色光用ＣＣＤ素
子の断面図である。
【図２】製造方法の工程一部を示す断面図である。
【図３】本発明のＣＣＤ素子における出力信号の特性図
である。
【図４】 ＣＣＤカラーカメラの概略構成を示す模式図で
ある。
【図５】 従来のＣＣＤ素子とその問題点を説明するため
の断面図である。
【図６】 マイクロレンズの平面配置を示す図である。
【図７】 従来のカラー用ＣＣＤ素子における色バランス
の崩れを説明するための特性図である。
【符号の説明】
１ 半導体基板 ２ フォトダイオード ３ ＣＣＤチャネル ６ 電極 ７ 遮光膜 ８（８Ｇ，８Ｒ，８Ｂ） 樹脂膜９ マイクロレンズ １０ 光路

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板に光電変換部を設け、この光
    電変換部を樹脂膜で被覆し、かつこの樹脂膜の表面に前
    記光電変換部に光を集光させるマイクロレンズを設けた
    固体撮像装置において、赤色光用，緑色光用，青色光用
    としてそれぞれ固定撮像装置を独立に形成し、かつ各固
    体撮像装置の各樹脂膜の厚さを相違させ、各色光がそれ
    ぞれの樹脂膜を透して各光電変換部の内部に集光される
    ように構成したことを特徴とする固体撮像装置。
JP5202081A 1993-07-23 1993-07-23 固体撮像装置 Expired - Fee Related JP2601148B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5202081A JP2601148B2 (ja) 1993-07-23 1993-07-23 固体撮像装置
KR1019940017732A KR0144292B1 (ko) 1993-07-23 1994-07-22 고체 컬러 촬상 장치
US08/279,793 US5493143A (en) 1993-07-23 1994-07-25 Solid color image pickup device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5202081A JP2601148B2 (ja) 1993-07-23 1993-07-23 固体撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0738075A JPH0738075A (ja) 1995-02-07
JP2601148B2 true JP2601148B2 (ja) 1997-04-16

Family

ID=16451651

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5202081A Expired - Fee Related JP2601148B2 (ja) 1993-07-23 1993-07-23 固体撮像装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5493143A (ja)
JP (1) JP2601148B2 (ja)
KR (1) KR0144292B1 (ja)

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2755176B2 (ja) * 1994-06-30 1998-05-20 日本電気株式会社 固体撮像素子
US5614950A (en) * 1995-08-02 1997-03-25 Lg Semicon Co., Ltd. CCD image sensor and method of preventing a smear phenomenon in the sensor
US5986297A (en) * 1996-05-22 1999-11-16 Eastman Kodak Company Color active pixel sensor with electronic shuttering, anti-blooming and low cross-talk
KR100223853B1 (ko) * 1996-08-26 1999-10-15 구본준 고체촬상소자의 구조 및 제조방법
JPH10104411A (ja) * 1996-09-26 1998-04-24 Olympus Optical Co Ltd 回折光学素子を用いた撮影光学系
JP3003590B2 (ja) * 1996-10-02 2000-01-31 日本電気株式会社 固体撮像素子およびその製造方法
JPH10125887A (ja) * 1996-10-21 1998-05-15 Toshiba Corp 固体撮像素子
KR19980039148A (ko) * 1996-11-27 1998-08-17 문정환 고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법
JPH10285331A (ja) * 1997-04-10 1998-10-23 Canon Inc イメージセンサおよびこのイメージセンサを用いた情報処理装置
JPH10332920A (ja) * 1997-05-27 1998-12-18 Sony Corp カラー固体撮像装置のカラーフィルタの形成方法
KR100278983B1 (ko) * 1997-12-26 2001-02-01 김영환 고체촬상소자
JP3159171B2 (ja) * 1998-06-05 2001-04-23 日本電気株式会社 固体撮像装置
US6200712B1 (en) * 1999-02-18 2001-03-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Color filter image array optoelectronic microelectronic fabrication with three dimensional color filter layer and method for fabrication thereof
US6218692B1 (en) 1999-11-23 2001-04-17 Eastman Kodak Company Color active pixel sensor with electronic shuttering, anti-blooming and low cross talk
JP2002171537A (ja) * 2000-11-30 2002-06-14 Canon Inc 複眼撮像系、撮像装置および電子機器
US8103877B2 (en) 2000-12-21 2012-01-24 Digimarc Corporation Content identification and electronic tickets, coupons and credits
US6556349B2 (en) 2000-12-27 2003-04-29 Honeywell International Inc. Variable focal length micro lens array field curvature corrector
US6909554B2 (en) 2000-12-27 2005-06-21 Finisar Corporation Wafer integration of micro-optics
DE10109787A1 (de) * 2001-02-28 2002-10-02 Infineon Technologies Ag Digitale Kamera mit einem lichtempfindlichen Sensor
KR100443348B1 (ko) * 2001-12-29 2004-08-09 주식회사 하이닉스반도체 씨모스 이미지센서 및 그의 제조 방법
JP4817584B2 (ja) * 2002-05-08 2011-11-16 キヤノン株式会社 カラー撮像素子
JP4397819B2 (ja) * 2002-09-17 2010-01-13 アンテルヨン、ベスローテン、フェンノートシャップ カメラ・デバイス、ならびに、カメラ・デバイスおよびウェハスケールパッケージの製造方法
US6638786B2 (en) * 2002-10-25 2003-10-28 Hua Wei Semiconductor (Shanghai ) Co., Ltd. Image sensor having large micro-lenses at the peripheral regions
US6737719B1 (en) * 2002-10-25 2004-05-18 Omnivision International Holding Ltd Image sensor having combination color filter and concave-shaped micro-lenses
US6861280B2 (en) * 2002-10-25 2005-03-01 Omnivision International Holding Ltd Image sensor having micro-lenses with integrated color filter and method of making
US7502058B2 (en) * 2003-06-09 2009-03-10 Micron Technology, Inc. Imager with tuned color filter
US7227692B2 (en) * 2003-10-09 2007-06-05 Micron Technology, Inc Method and apparatus for balancing color response of imagers
JP4595405B2 (ja) * 2004-07-02 2010-12-08 ソニー株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
CN100530517C (zh) * 2004-12-08 2009-08-19 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 场发射照明光源
KR100658930B1 (ko) * 2004-12-30 2006-12-15 매그나칩 반도체 유한회사 칼라별 초점 거리 조절이 가능한 이미지센서 및 그 제조방법
US7791158B2 (en) * 2005-04-13 2010-09-07 Samsung Electronics Co., Ltd. CMOS image sensor including an interlayer insulating layer and method of manufacturing the same
JP2006351801A (ja) * 2005-06-15 2006-12-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置及びカメラ
JP2007157743A (ja) * 2005-11-30 2007-06-21 Fujifilm Corp 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法
US7569804B2 (en) * 2006-08-30 2009-08-04 Dongbu Hitek Co., Ltd. Image sensor having exposed dielectric layer in a region corresponding to a first color filter by a passivation layer
US8400537B2 (en) * 2008-11-13 2013-03-19 Omnivision Technologies, Inc. Image sensors having gratings for color separation
JP5569715B2 (ja) * 2009-06-17 2014-08-13 株式会社ニコン 撮像素子
JP2011164014A (ja) * 2010-02-12 2011-08-25 Shimadzu Corp ポリクロメータ
CN102893400B (zh) * 2010-05-14 2015-04-22 松下电器产业株式会社 固体摄像装置及其制造方法
JP2012064924A (ja) * 2010-08-17 2012-03-29 Canon Inc マイクロレンズアレイの製造方法、固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置
KR101708807B1 (ko) * 2010-09-30 2017-02-21 삼성전자 주식회사 이미지 센서
JP6045208B2 (ja) * 2012-06-13 2016-12-14 オリンパス株式会社 撮像装置
JP6221540B2 (ja) * 2013-09-13 2017-11-01 富士通株式会社 光デバイス、光モジュール、光デバイスの製造方法及び光モジュールの製造方法
US9640576B2 (en) 2014-08-20 2017-05-02 Visera Technologies Company Limited Image sensing device and method for fabricating the same
JP2018019020A (ja) 2016-07-29 2018-02-01 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置
JP2019091853A (ja) * 2017-11-16 2019-06-13 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子及び電子装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59198754A (ja) * 1983-04-26 1984-11-10 Toshiba Corp カラ−用固体撮像デバイス
JPH0226071A (ja) * 1988-07-15 1990-01-29 Toppan Printing Co Ltd 固体撮像装置
JP2678074B2 (ja) * 1989-12-19 1997-11-17 松下電子工業株式会社 固体撮像装置の製造方法
JPH0442966A (ja) * 1990-06-06 1992-02-13 Mitsubishi Electric Corp カラー固体撮像素子
JPH0821703B2 (ja) * 1990-07-17 1996-03-04 株式会社東芝 固体撮像素子
KR920015461A (ko) * 1991-01-10 1992-08-26 김광호 칼라필터 및 그 제조방법
JPH04334056A (ja) * 1991-05-09 1992-11-20 Toshiba Corp 固体撮像装置の製造方法
JPH05167054A (ja) * 1991-12-19 1993-07-02 Toshiba Corp 固体撮像装置の製造方法
JP2825702B2 (ja) * 1992-05-20 1998-11-18 シャープ株式会社 固体撮像素子

Also Published As

Publication number Publication date
US5493143A (en) 1996-02-20
KR950004569A (ko) 1995-02-18
KR0144292B1 (ko) 1998-07-01
JPH0738075A (ja) 1995-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2601148B2 (ja) 固体撮像装置
US7522341B2 (en) Sharing of microlenses among pixels in image sensors
US7816169B2 (en) Colors only process to reduce package yield loss
US7955764B2 (en) Methods to make sidewall light shields for color filter array
US7119319B2 (en) Solid-state image sensing element and its design support method, and image sensing device
KR102178387B1 (ko) 고체 촬상 소자 및 고체 촬상 소자의 제조 방법, 전자 기기
US7560295B2 (en) Methods for creating gapless inner microlenses, arrays of microlenses, and imagers having same
US7476562B2 (en) Gapless microlens array and method of fabrication
US6495813B1 (en) Multi-microlens design for semiconductor imaging devices to increase light collection efficiency in the color filter process
JP2621767B2 (ja) 固体撮像素子
JPH05335531A (ja) 固体撮像装置
TWI235606B (en) Solid state image pick up device
JP2004047682A (ja) 固体撮像装置
JP3571982B2 (ja) 固体撮像装置及びそれを備えた固体撮像システム
JP2742185B2 (ja) 固体撮像装置
JP2024091720A (ja) 撮像素子
TWI711173B (zh) 固態影像裝置
JPH0750401A (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
KR100848945B1 (ko) 주광선 손실을 보상하는 마이크로렌즈 어레이 및 이를포함하는 이미지센서 조립체
JPH04229802A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
JPH11289073A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
JPH06163863A (ja) 固体撮像装置
JPH04343470A (ja) 固体撮像装置
JP2003234965A (ja) 撮像素子
KR100555480B1 (ko) 마이크로 렌즈를 갖는 고체촬상소자 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees