JPH06163863A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH06163863A JPH06163863A JP43A JP31026792A JPH06163863A JP H06163863 A JPH06163863 A JP H06163863A JP 43 A JP43 A JP 43A JP 31026792 A JP31026792 A JP 31026792A JP H06163863 A JPH06163863 A JP H06163863A
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- JP
- Japan
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- solid
- photodiode
- light
- image pickup
- pickup device
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光学レンズの絞り値を大きくし斜め光成分が
多くなっても感度の低下を防止する。 【構成】 フォトダイオード１２とマイクロレンズ１９
との間の層（１６，１７，１８）を隣接したフォトダイ
オード１２毎に分離し、光を反射する分離部１０を設け
ている。
多くなっても感度の低下を防止する。 【構成】 フォトダイオード１２とマイクロレンズ１９
との間の層（１６，１７，１８）を隣接したフォトダイ
オード１２毎に分離し、光を反射する分離部１０を設け
ている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ビデオカメラ等に用
いられる固体撮像装置に関するものである。
いられる固体撮像装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、固体撮像装置はビデオカメラの発
展に伴い、小型化，高画素化，高性能化が進められてい
る。以下、従来の固体撮像装置について説明する。図３
は従来の固体撮像装置の断面図である。図３において、
３１はシリコン基板、３２は光信号を電荷に変換するフ
ォトダイオード、３３はフォトダイオード３２により変
換された電荷を転送する転送部、３４はアルミ遮光膜、
３５は電極であるポリシリコン、３６は平坦化層、３７
はカラーフィルタ層、３８はカラーフィルタ・マイクロ
レンズ間層、３９はマイクロレンズである。
展に伴い、小型化，高画素化，高性能化が進められてい
る。以下、従来の固体撮像装置について説明する。図３
は従来の固体撮像装置の断面図である。図３において、
３１はシリコン基板、３２は光信号を電荷に変換するフ
ォトダイオード、３３はフォトダイオード３２により変
換された電荷を転送する転送部、３４はアルミ遮光膜、
３５は電極であるポリシリコン、３６は平坦化層、３７
はカラーフィルタ層、３８はカラーフィルタ・マイクロ
レンズ間層、３９はマイクロレンズである。
【０００３】被写体からの光は光学レンズにより集光さ
れ、固体撮像装置にあたる。その光は、さらにマイクロ
レンズ３９により集光され、フォトダイオード３２に入
射される。図４に図３に示す従来の固体撮像装置のフォ
トダイオードへの光入射の模式図を示す。図４におい
て、４１〜４３は入射光の光路である。
れ、固体撮像装置にあたる。その光は、さらにマイクロ
レンズ３９により集光され、フォトダイオード３２に入
射される。図４に図３に示す従来の固体撮像装置のフォ
トダイオードへの光入射の模式図を示す。図４におい
て、４１〜４３は入射光の光路である。
【０００４】被写体からの光で光学レンズにより集光さ
れ固体撮像装置にあたる光のうち光路４１〜４２の光
は、マイクロレンズ３９により集光されフォトダイオー
ド３２に入射し信号電荷となる。
れ固体撮像装置にあたる光のうち光路４１〜４２の光
は、マイクロレンズ３９により集光されフォトダイオー
ド３２に入射し信号電荷となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、光学レンズの絞り値が大きくなると固体
撮像装置に対し光が斜めにあたる成分の比率が大きくな
り、例えば光路４３で示すような斜めからの光はマイク
ロレンズ３９で集光されず、光が効率良くフォトダイオ
ード３２に入射されなくなり、被写体の明るさの低下以
上に固体撮像装置の感度が低下してしまうという問題点
があった。
来の構成では、光学レンズの絞り値が大きくなると固体
撮像装置に対し光が斜めにあたる成分の比率が大きくな
り、例えば光路４３で示すような斜めからの光はマイク
ロレンズ３９で集光されず、光が効率良くフォトダイオ
ード３２に入射されなくなり、被写体の明るさの低下以
上に固体撮像装置の感度が低下してしまうという問題点
があった。
【０００６】この発明は、上記従来の問題点を解決し、
光学レンズの絞り値を大きくし斜め光成分が多くなって
も感度が低下しない固体撮像装置を提供することを目的
とする。
光学レンズの絞り値を大きくし斜め光成分が多くなって
も感度が低下しない固体撮像装置を提供することを目的
とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
にこの発明の固体撮像装置は、フォトダイオードとマイ
クロレンズとの間の層を隣接したフォトダイオード毎に
分離し、光を反射する分離部を設けたことを特徴とす
る。
にこの発明の固体撮像装置は、フォトダイオードとマイ
クロレンズとの間の層を隣接したフォトダイオード毎に
分離し、光を反射する分離部を設けたことを特徴とす
る。
【０００８】
【作用】この構成によれば、光学レンズの絞り値を大き
くすることにより、マイクロレンズに入射する斜め光成
分が多くなっても、マイクロレンズで光路を変えられた
光を分離部で全反射させ、フォトダイオードに効率良く
入射させることができるため、低照度での感度の低下を
防ぐことができる。
くすることにより、マイクロレンズに入射する斜め光成
分が多くなっても、マイクロレンズで光路を変えられた
光を分離部で全反射させ、フォトダイオードに効率良く
入射させることができるため、低照度での感度の低下を
防ぐことができる。
【０００９】
【実施例】以下この発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。図１はこの発明の一実施例におけ
る固体撮像装置の断面図を示すものである。図１におい
て、１１〜１９は図３における３１〜３９と同様の部分
であり、１１はシリコン基板、１２は一次元または二次
元状に配列され光信号を電荷に変換するフォトダイオー
ド、１３はフォトダイオード１２により変換された電荷
を転送する転送部、１４はアルミ遮光膜、１５は電極で
あるポリシリコン、１６は平坦化層、１７はカラーフィ
ルタ層、１８はカラーフィルタ・マイクロレンズ間層、
１９はフォトダイオード１２に対応して配列されたマイ
クロレンズである。また、１０は平坦化層１６の一部，
カラーフィルタ層１７およびカラーフィルタ・マイクロ
レンズ間層１８を分離する分離部で、光を反射する物質
（例えばＡｌ）により構成されている。
照しながら説明する。図１はこの発明の一実施例におけ
る固体撮像装置の断面図を示すものである。図１におい
て、１１〜１９は図３における３１〜３９と同様の部分
であり、１１はシリコン基板、１２は一次元または二次
元状に配列され光信号を電荷に変換するフォトダイオー
ド、１３はフォトダイオード１２により変換された電荷
を転送する転送部、１４はアルミ遮光膜、１５は電極で
あるポリシリコン、１６は平坦化層、１７はカラーフィ
ルタ層、１８はカラーフィルタ・マイクロレンズ間層、
１９はフォトダイオード１２に対応して配列されたマイ
クロレンズである。また、１０は平坦化層１６の一部，
カラーフィルタ層１７およびカラーフィルタ・マイクロ
レンズ間層１８を分離する分離部で、光を反射する物質
（例えばＡｌ）により構成されている。
【００１０】この固体撮像装置は、フォトダイオード１
２とマイクロレンズ１９との間の層（１６，１７，１
８）を隣接したフォトダイオード１２毎に分離し、光を
反射する分離部１０を設けたことを特徴とする。図２は
この実施例における固体撮像装置のフォトダイオードへ
の光入射の模式図である。図２において、２１〜２３は
入射光の光路である。
２とマイクロレンズ１９との間の層（１６，１７，１
８）を隣接したフォトダイオード１２毎に分離し、光を
反射する分離部１０を設けたことを特徴とする。図２は
この実施例における固体撮像装置のフォトダイオードへ
の光入射の模式図である。図２において、２１〜２３は
入射光の光路である。
【００１１】被写体からの光は、光学レンズで集光され
固体撮像装置にあたる。図２のように光路２１から２２
の範囲の光はマイクロレンズ１９により集光され、フォ
トダイオード１２に入射される。さらに、光路２２から
２３の光は、マイクロレンズ１９により屈折された後分
離部１０で全反射し、フォトダイオード１２に入射する
ことになる。
固体撮像装置にあたる。図２のように光路２１から２２
の範囲の光はマイクロレンズ１９により集光され、フォ
トダイオード１２に入射される。さらに、光路２２から
２３の光は、マイクロレンズ１９により屈折された後分
離部１０で全反射し、フォトダイオード１２に入射する
ことになる。
【００１２】このようにこの実施例によれば、光学レン
ズの絞り値を大きくし、マイクロレンズ１９に入射する
斜め光成分が多くなっても、分離部１０で全反射させ効
率よくフォトダイオード１２に入射させることができる
ため、低照度での感度の低下を抑えることができる。
ズの絞り値を大きくし、マイクロレンズ１９に入射する
斜め光成分が多くなっても、分離部１０で全反射させ効
率よくフォトダイオード１２に入射させることができる
ため、低照度での感度の低下を抑えることができる。
【００１３】
【発明の効果】この発明の固体撮像装置は、フォトダイ
オードとマイクロレンズとの間の層を隣接したフォトダ
イオード毎に分離し、光を反射する分離部を設けてあ
り、光学レンズの絞り値を大きくすることにより、マイ
クロレンズに入射する斜め光成分が多くなっても、マイ
クロレンズで光路を変えられた光を分離部で全反射さ
せ、フォトダイオードに効率良く入射させることができ
るため、低照度での感度の低下を防ぐことができ、その
効果は絶大である。
オードとマイクロレンズとの間の層を隣接したフォトダ
イオード毎に分離し、光を反射する分離部を設けてあ
り、光学レンズの絞り値を大きくすることにより、マイ
クロレンズに入射する斜め光成分が多くなっても、マイ
クロレンズで光路を変えられた光を分離部で全反射さ
せ、フォトダイオードに効率良く入射させることができ
るため、低照度での感度の低下を防ぐことができ、その
効果は絶大である。
【図１】この発明一実施例における固体撮像装置の断面
図。
図。
【図２】この発明の一実施例におけるフォトダイオード
への光入射の模式図。
への光入射の模式図。
【図３】従来の固体撮像装置の断面図。
【図４】従来の固体撮像装置のフォトダイオードへの光
入射の模式図。
入射の模式図。
１０ 分離部 １２ フォトダイオード １６ 平坦化層 １７ カラーフィルタ層 １８ カラーフィルタ・レンズ間層 １９ マイクロレンズ
Claims (1)
- 【請求項１】 一次元または二次元状に配列されたフォ
トダイオードと、前記フォトダイオードの上方に対応し
て配列されたマイクロレンズとを備えた固体撮像装置で
あって、 前記フォトダイオードと前記マイクロレンズとの間の層
を隣接したフォトダイオード毎に分離し、光を反射する
分離部を設けたことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43A JPH06163863A (ja) | 1992-11-19 | 1992-11-19 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43A JPH06163863A (ja) | 1992-11-19 | 1992-11-19 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163863A true JPH06163863A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18003183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP43A Pending JPH06163863A (ja) | 1992-11-19 | 1992-11-19 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163863A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100399937B1 (ko) * | 2001-11-06 | 2003-09-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 광감도 개선을 위한 이미지 센서의 제조방법 |
| JP2006202778A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| KR100731131B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-06-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| CN100428484C (zh) * | 2003-09-11 | 2008-10-22 | 松下电器产业株式会社 | 固体成像器件及其制造方法 |
| JP2008270679A (ja) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその製造方法および撮像装置 |
| JP2009021415A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Panasonic Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| US7511257B2 (en) * | 2005-08-24 | 2009-03-31 | Aptina Imaging Corporation | Method and apparatus providing and optical guide in image sensor devices |
| JP2011134788A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Canon Inc | 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 |
| US8053855B2 (en) | 2004-05-17 | 2011-11-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | CMOS image sensor for photosensitivity and brightness ratio |
-
1992
- 1992-11-19 JP JP43A patent/JPH06163863A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100399937B1 (ko) * | 2001-11-06 | 2003-09-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 광감도 개선을 위한 이미지 센서의 제조방법 |
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| US8053855B2 (en) | 2004-05-17 | 2011-11-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | CMOS image sensor for photosensitivity and brightness ratio |
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| US7511257B2 (en) * | 2005-08-24 | 2009-03-31 | Aptina Imaging Corporation | Method and apparatus providing and optical guide in image sensor devices |
| US8304707B2 (en) | 2005-08-24 | 2012-11-06 | Aptina Imaging Corporation | Method and apparatus providing an optical guide in image sensor devices |
| KR100731131B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-06-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
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| JP2011134788A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Canon Inc | 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 |
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