JPH06125069A - 固体撮像素子及びその作製方法 - Google Patents
固体撮像素子及びその作製方法Info
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- JPH06125069A JPH06125069A JP4296665A JP29666592A JPH06125069A JP H06125069 A JPH06125069 A JP H06125069A JP 4296665 A JP4296665 A JP 4296665A JP 29666592 A JP29666592 A JP 29666592A JP H06125069 A JPH06125069 A JP H06125069A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】光電変換特性にリップルが生じることがなく、
スミアも生じ難く、しかも、反りの小さい固体撮像素
子、及びかかる固体撮像素子の作製方法を提供する。 【構成】受光部を有する本発明の固体撮像素子は、
（Ａ）受光部以外の固体撮像素子の部分１２の上に形成
された第１のパッシベーション膜３２，３４と、（Ｂ）
少なくとも受光部１０の上に形成された第２のパッシベ
ーション膜３８、とを備えていることを特徴とする。受
光部を有する固体撮像素子の上にパッシベーション膜を
形成する工程を含む本発明の固体撮像素子の作製方法
は、（イ）第１のパッシベーション膜３２，３４を、受
光部以外の固体撮像素子の部分１２の上に形成する工程
と、（ロ）第２のパッシベーション膜３８を、少なくと
も受光部１０の上に形成する工程、から成る。
スミアも生じ難く、しかも、反りの小さい固体撮像素
子、及びかかる固体撮像素子の作製方法を提供する。 【構成】受光部を有する本発明の固体撮像素子は、
（Ａ）受光部以外の固体撮像素子の部分１２の上に形成
された第１のパッシベーション膜３２，３４と、（Ｂ）
少なくとも受光部１０の上に形成された第２のパッシベ
ーション膜３８、とを備えていることを特徴とする。受
光部を有する固体撮像素子の上にパッシベーション膜を
形成する工程を含む本発明の固体撮像素子の作製方法
は、（イ）第１のパッシベーション膜３２，３４を、受
光部以外の固体撮像素子の部分１２の上に形成する工程
と、（ロ）第２のパッシベーション膜３８を、少なくと
も受光部１０の上に形成する工程、から成る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像素子及びその
作製方法、更に詳しくは、受光部の上のパッシベーショ
ン膜に特徴を有する固体撮像素子及びその作製方法に関
する。
作製方法、更に詳しくは、受光部の上のパッシベーショ
ン膜に特徴を有する固体撮像素子及びその作製方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、固体撮像素子の受光部及びその近
傍におけるパッシベーション膜は、図３に模式的な一部
断面図を示すように、例えばプラズマＣＶＤ法で形成さ
れたシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜と略す）から構成されて
いる。図３において、１０は受光部、１２は電荷転送
部、２０はシリコン基板、２２はＳｉＯ2から成るゲー
ト酸化膜、２４は電荷転送部のゲート電極、２６はＳｉ
Ｏ2から成る層間絶縁層、２８はＡｌから成る第１の配
線層、３０はＡｌから成る第２の配線層、４０はプラズ
マＳｉＮ膜から成るパッシベーション膜である。受光部
１０におけるＳｉＮ膜４０の厚さは約１３００ｎｍであ
る。
傍におけるパッシベーション膜は、図３に模式的な一部
断面図を示すように、例えばプラズマＣＶＤ法で形成さ
れたシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜と略す）から構成されて
いる。図３において、１０は受光部、１２は電荷転送
部、２０はシリコン基板、２２はＳｉＯ2から成るゲー
ト酸化膜、２４は電荷転送部のゲート電極、２６はＳｉ
Ｏ2から成る層間絶縁層、２８はＡｌから成る第１の配
線層、３０はＡｌから成る第２の配線層、４０はプラズ
マＳｉＮ膜から成るパッシベーション膜である。受光部
１０におけるＳｉＮ膜４０の厚さは約１３００ｎｍであ
る。
【０００３】固体撮像素子のダークむらを低減させるた
めには、シリコン基板とＳｉＯ2との界面に存在するダ
ングリングボンドを減少させる必要がある。パッシベー
ション膜としてＳｉＮ膜を用いた場合、ＳｉＮ膜中に含
まれる水素がかかるダングリングボンドを減少させ得
る。従って、パッシベーション膜としてＳｉＮ膜を用い
ることが望ましい。
めには、シリコン基板とＳｉＯ2との界面に存在するダ
ングリングボンドを減少させる必要がある。パッシベー
ション膜としてＳｉＮ膜を用いた場合、ＳｉＮ膜中に含
まれる水素がかかるダングリングボンドを減少させ得
る。従って、パッシベーション膜としてＳｉＮ膜を用い
ることが望ましい。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】受光部１０における膜
構造は、下から、ＳｉＯ2（２２，２６）／ＳｉＮ（４
０）である。ＳｉＯ2とＳｉＮとは屈折率が異なる。従
って、このような膜構造とした場合、受光部に入射する
光は、ＳｉＮ膜４０表面、ＳｉＮ膜４０／層間絶縁層２
６の境界において反射し、多重干渉が生じる。その結
果、図４に示すように、シリコン基板２０に形成された
ｐ−ｎ接合において得られる光電変換特性に、かかる多
重干渉に起因したリップルが生じる。
構造は、下から、ＳｉＯ2（２２，２６）／ＳｉＮ（４
０）である。ＳｉＯ2とＳｉＮとは屈折率が異なる。従
って、このような膜構造とした場合、受光部に入射する
光は、ＳｉＮ膜４０表面、ＳｉＮ膜４０／層間絶縁層２
６の境界において反射し、多重干渉が生じる。その結
果、図４に示すように、シリコン基板２０に形成された
ｐ−ｎ接合において得られる光電変換特性に、かかる多
重干渉に起因したリップルが生じる。
【０００５】このようなリップルを減少させるために
は、ＳｉＮ膜を１３００ｎｍ程度の厚さにする必要があ
る。ところが、ＳｉＮ膜をこのような厚さとした場合、
シリコン基板に対するＳｉＮ膜の応力が大きくなり、シ
リコン基板に反りが生じる。即ち、固体撮像素子に反り
が生じ、リニアセンサのように細長い固体撮像素子の場
合、その実装時、かかる反りが大きな問題となる。
は、ＳｉＮ膜を１３００ｎｍ程度の厚さにする必要があ
る。ところが、ＳｉＮ膜をこのような厚さとした場合、
シリコン基板に対するＳｉＮ膜の応力が大きくなり、シ
リコン基板に反りが生じる。即ち、固体撮像素子に反り
が生じ、リニアセンサのように細長い固体撮像素子の場
合、その実装時、かかる反りが大きな問題となる。
【０００６】また、受光部における膜構造が上記の構造
を有する場合、屈折率の相違によって、受光部に入射し
た光が電荷転送部に洩れ、スミア発生の原因となる。
を有する場合、屈折率の相違によって、受光部に入射し
た光が電荷転送部に洩れ、スミア発生の原因となる。
【０００７】従って、本発明の目的は、光電変換特性に
リップルが生じることがなく、スミアも生じ難く、しか
も、反りの小さい固体撮像素子、及びかかる固体撮像素
子の作製方法を提供することにある。
リップルが生じることがなく、スミアも生じ難く、しか
も、反りの小さい固体撮像素子、及びかかる固体撮像素
子の作製方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】受光部を有する本発明の
固体撮像素子は、上記の目的を達成するために、（Ａ）
受光部以外の固体撮像素子の部分の上に形成された第１
のパッシベーション膜と、（Ｂ）少なくとも受光部の上
に形成された第２のパッシベーション膜、とを備えてい
ることを特徴とする。
固体撮像素子は、上記の目的を達成するために、（Ａ）
受光部以外の固体撮像素子の部分の上に形成された第１
のパッシベーション膜と、（Ｂ）少なくとも受光部の上
に形成された第２のパッシベーション膜、とを備えてい
ることを特徴とする。
【０００９】本発明の固体撮像素子の好ましい態様にお
いては、第１のパッシベーション膜はシリコン窒化膜か
ら成り、第２のパッシベーション膜はシリコン酸化膜か
ら成る。受光部の上に層間絶縁層等が形成されている場
合、第２のパッシベーション膜は、かかる層間絶縁層等
と同じ材料から構成されることが望ましい。
いては、第１のパッシベーション膜はシリコン窒化膜か
ら成り、第２のパッシベーション膜はシリコン酸化膜か
ら成る。受光部の上に層間絶縁層等が形成されている場
合、第２のパッシベーション膜は、かかる層間絶縁層等
と同じ材料から構成されることが望ましい。
【００１０】更に、受光部を有する固体撮像素子の上に
パッシベーション膜を形成する工程を含む本発明の固体
撮像素子の作製方法は、上記の目的を達成するために、
（イ）第１のパッシベーション膜を、受光部以外の固体
撮像素子の部分の上に形成する工程と、（ロ）第２のパ
ッシベーション膜を、少なくとも受光部の上に形成する
工程、から成ることを特徴とする。
パッシベーション膜を形成する工程を含む本発明の固体
撮像素子の作製方法は、上記の目的を達成するために、
（イ）第１のパッシベーション膜を、受光部以外の固体
撮像素子の部分の上に形成する工程と、（ロ）第２のパ
ッシベーション膜を、少なくとも受光部の上に形成する
工程、から成ることを特徴とする。
【００１１】本発明の固体撮像素子の作製方法の好まし
い態様においては、第１のパッシベーション膜はシリコ
ン窒化膜から成り、第２のパッシベーション膜はシリコ
ン酸化膜から成る。
い態様においては、第１のパッシベーション膜はシリコ
ン窒化膜から成り、第２のパッシベーション膜はシリコ
ン酸化膜から成る。
【００１２】
【作用】本発明においては、受光部の上には第２のパッ
シベーション膜が形成されている。従って、従来の固体
撮像素子のように、受光部の上に材質の異なる複数の膜
が形成されておらず、固体撮像素子の光電変換特性にリ
ップルが生じることがなく、スミアの発生も抑制し得
る。
シベーション膜が形成されている。従って、従来の固体
撮像素子のように、受光部の上に材質の異なる複数の膜
が形成されておらず、固体撮像素子の光電変換特性にリ
ップルが生じることがなく、スミアの発生も抑制し得
る。
【００１３】光電変換特性にリップルが生じることがな
いので、第２のパッシベーション膜の厚さを従来より薄
くすることができる。その結果、固体撮像素子の反りを
小さくすることができる。
いので、第２のパッシベーション膜の厚さを従来より薄
くすることができる。その結果、固体撮像素子の反りを
小さくすることができる。
【００１４】
【実施例】以下、図１及び図２を参照して、実施例に基
づき本発明を説明する。尚、固体撮像素子がＣＣＤ（Ch
arged Coupled Device）から成る例をとり、説明する。
づき本発明を説明する。尚、固体撮像素子がＣＣＤ（Ch
arged Coupled Device）から成る例をとり、説明する。
【００１５】通常の工程により、シリコン基板２０上
に、受光部１０及び電荷転送部１２を形成する。ｐ−ｎ
接合（図示せず）が形成された受光部１０上にはＳｉＯ
2から成るゲート酸化膜２２が形成されている。また、
電荷転送部１２においては、ゲート酸化膜２２上にゲー
ト電極２４が形成されている。
に、受光部１０及び電荷転送部１２を形成する。ｐ−ｎ
接合（図示せず）が形成された受光部１０上にはＳｉＯ
2から成るゲート酸化膜２２が形成されている。また、
電荷転送部１２においては、ゲート酸化膜２２上にゲー
ト電極２４が形成されている。
【００１６】次いで、全面にプラズマＣＶＤ法にてＳｉ
Ｏ2から成る層間絶縁層２６を形成し、スパッタリング
法及びドライエッチング法によりアルミニウム（Ａｌ）
から成る第１の配線層２８を形成する。
Ｏ2から成る層間絶縁層２６を形成し、スパッタリング
法及びドライエッチング法によりアルミニウム（Ａｌ）
から成る第１の配線層２８を形成する。
【００１７】以降の工程が、本発明の固体撮像素子の作
製方法に相当する。
製方法に相当する。
【００１８】先ず、第１のパッシベーション膜を、受光
部以外の固体撮像素子の部分の上に形成する。
部以外の固体撮像素子の部分の上に形成する。
【００１９】そのために、全面にプラズマＣＶＤ法にて
ＳｉＮ層３２を形成し、次いで、スパッタリング法及び
ドライエッチング法によりＡｌから成る第２の配線層３
０を形成する。更に、全面にプラズマＣＶＤ法にてＳｉ
Ｎ層３４を形成する（図１の（Ａ）の模式的な一部断面
図を参照）。ＳｉＮ層３２及び３４が第１のパッシベー
ション膜に相当する。尚、第１のパッシベーション膜３
２，３４の合計厚さは約３００ｎｍとすることができ
る。
ＳｉＮ層３２を形成し、次いで、スパッタリング法及び
ドライエッチング法によりＡｌから成る第２の配線層３
０を形成する。更に、全面にプラズマＣＶＤ法にてＳｉ
Ｎ層３４を形成する（図１の（Ａ）の模式的な一部断面
図を参照）。ＳｉＮ層３２及び３４が第１のパッシベー
ション膜に相当する。尚、第１のパッシベーション膜３
２，３４の合計厚さは約３００ｎｍとすることができ
る。
【００２０】次に、レジストマスク３６を従来の方法で
形成する。受光部１０の上にはレジストマスク３６は形
成されていない。次いで、第１のパッシベーション膜３
２，３４をリアクティブ・イオン・エッチング法又はプ
ラズマエッチング法でエッチングする（図１の（Ｂ）参
照）。これによって、第１のパッシベーション膜３２，
３４が、受光部１０以外の固体撮像素子の部分１２の上
に形成される。受光部１０の上には、ＳｉＯ2から成る
層間絶縁層２６及びＳｉＯ2から成るゲート酸化膜２２
が残される。尚、第１のパッシベーション膜３２，３４
が、受光部１０の一部分の上に形成されていてもよい。
形成する。受光部１０の上にはレジストマスク３６は形
成されていない。次いで、第１のパッシベーション膜３
２，３４をリアクティブ・イオン・エッチング法又はプ
ラズマエッチング法でエッチングする（図１の（Ｂ）参
照）。これによって、第１のパッシベーション膜３２，
３４が、受光部１０以外の固体撮像素子の部分１２の上
に形成される。受光部１０の上には、ＳｉＯ2から成る
層間絶縁層２６及びＳｉＯ2から成るゲート酸化膜２２
が残される。尚、第１のパッシベーション膜３２，３４
が、受光部１０の一部分の上に形成されていてもよい。
【００２１】その後、第２のパッシベーション膜を、少
なくとも受光部の上に形成する。即ち、従来のプラズマ
ＣＶＤ法等によってシリコン酸化膜（ＳｉＯ2膜）から
成る第２のパッシベーション膜３８を全面に形成する
（図１の（Ｃ）参照）。第２のパッシベーション膜３８
の厚さを例えば５００ｎｍとすることができる。次い
で、必要に応じて、第２のパッシベーション膜３８上に
レジストマスクを形成して、受光部１０上及びその近傍
の第２のパッシベーション膜３８を残し、他の部分の上
に形成された第２のパッシベーション膜３８を除去する
（図２）。
なくとも受光部の上に形成する。即ち、従来のプラズマ
ＣＶＤ法等によってシリコン酸化膜（ＳｉＯ2膜）から
成る第２のパッシベーション膜３８を全面に形成する
（図１の（Ｃ）参照）。第２のパッシベーション膜３８
の厚さを例えば５００ｎｍとすることができる。次い
で、必要に応じて、第２のパッシベーション膜３８上に
レジストマスクを形成して、受光部１０上及びその近傍
の第２のパッシベーション膜３８を残し、他の部分の上
に形成された第２のパッシベーション膜３８を除去する
（図２）。
【００２２】受光部１０以外の部分１２が固体撮像素子
の大半を占めるが、その部分１２の上に、厚さ３００ｎ
ｍ程度のＳｉＮから成る第１のパッシベーション膜３
２，３４が形成されている。このパッシベーション膜の
厚さは、従来の固体撮像素子におけるパッシベーション
膜の厚さ（１３００ｎｍ）よりも遥かに薄い。従って、
固体撮像素子の反りを効果的に防止することができる。
の大半を占めるが、その部分１２の上に、厚さ３００ｎ
ｍ程度のＳｉＮから成る第１のパッシベーション膜３
２，３４が形成されている。このパッシベーション膜の
厚さは、従来の固体撮像素子におけるパッシベーション
膜の厚さ（１３００ｎｍ）よりも遥かに薄い。従って、
固体撮像素子の反りを効果的に防止することができる。
【００２３】また、受光部１０上には厚さ５００ｎｍ程
度のＳｉＯ2膜から成る第２のパッシベーション膜３８
が形成されている。第２のパッシベーション膜３８の下
にはＳｉＯ2から成る層間絶縁層２６及びゲート酸化膜
２２が形成されている。これらの膜及び層は同じ材質で
あるため、受光部に入射する光に多重干渉が生じること
がなく、屈折率差もない。従って、固体撮像素子の光電
変換特性にリップルが生じることを抑制することがで
き、更に、スミア発生を効果的に抑制し得る。
度のＳｉＯ2膜から成る第２のパッシベーション膜３８
が形成されている。第２のパッシベーション膜３８の下
にはＳｉＯ2から成る層間絶縁層２６及びゲート酸化膜
２２が形成されている。これらの膜及び層は同じ材質で
あるため、受光部に入射する光に多重干渉が生じること
がなく、屈折率差もない。従って、固体撮像素子の光電
変換特性にリップルが生じることを抑制することがで
き、更に、スミア発生を効果的に抑制し得る。
【００２４】以上、好ましい実施例に基づき本発明を説
明したが、本発明はこの実施例に限定されるものではな
い。第２のパッシベーション膜３８を、受光部１０以外
の部分１２の上に残しておいてもよい。即ち、図１の
（Ｃ）の状態のままとすることができる。
明したが、本発明はこの実施例に限定されるものではな
い。第２のパッシベーション膜３８を、受光部１０以外
の部分１２の上に残しておいてもよい。即ち、図１の
（Ｃ）の状態のままとすることができる。
【００２５】第１のパッシベーション膜はＳｉＮから成
ることが好ましいが、ＳｉＯ2、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ等の
各種パッシベーション膜用材料から構成することができ
る。また、第２のパッシベーション膜はＳｉＯ2から成
ることが好ましいが、その他、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、プラ
ズマＢＰＳＧ等の各種パッシベーション膜用材料から構
成することができる。第１のパッシベーション膜と第２
のパッシベーション膜は、場合によっては、同一の材料
から構成されていてもよい。例えば、受光部１０上に形
成されたＳｉＯ2から成る層間絶縁層２６及びゲート酸
化膜２２を除去するならば、第２のパッシベーション膜
をＳｉＮから構成することもできる。
ることが好ましいが、ＳｉＯ2、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ等の
各種パッシベーション膜用材料から構成することができ
る。また、第２のパッシベーション膜はＳｉＯ2から成
ることが好ましいが、その他、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、プラ
ズマＢＰＳＧ等の各種パッシベーション膜用材料から構
成することができる。第１のパッシベーション膜と第２
のパッシベーション膜は、場合によっては、同一の材料
から構成されていてもよい。例えば、受光部１０上に形
成されたＳｉＯ2から成る層間絶縁層２６及びゲート酸
化膜２２を除去するならば、第２のパッシベーション膜
をＳｉＮから構成することもできる。
【００２６】第１のパッシベーション膜及び第２のパッ
シベーション膜は、他にも、ＣＶＤ法等、従来の如何な
る方法によっても形成することができる。これらのパッ
シベーション膜の膜厚は例示であり、適宜変更すること
ができる。
シベーション膜は、他にも、ＣＶＤ法等、従来の如何な
る方法によっても形成することができる。これらのパッ
シベーション膜の膜厚は例示であり、適宜変更すること
ができる。
【００２７】固体撮像素子として、ＣＣＤ以外にも、Ｃ
ＰＤ（Charged Priming Device）、ＭＯＳイメージセン
サ、ＣＩＤ（Charged Injection Device）等、種々の固
体撮像素子を例示することができる。また、本発明の固
体撮像素子には、受光部を一次元に配列した所謂リニア
センサはもとより、受光部を二次元に配列した所謂イメ
ージセンサが包含される。
ＰＤ（Charged Priming Device）、ＭＯＳイメージセン
サ、ＣＩＤ（Charged Injection Device）等、種々の固
体撮像素子を例示することができる。また、本発明の固
体撮像素子には、受光部を一次元に配列した所謂リニア
センサはもとより、受光部を二次元に配列した所謂イメ
ージセンサが包含される。
【００２８】
【発明の効果】本発明においては、受光部の上に第２の
パッシベーション膜が形成されているので、多重干渉に
よる分光特性におけるリップルの発生を効果的に抑制す
ることができる。また、受光部の上に形成された膜や層
の屈折率の相違に起因したスミアの発生を低減すること
ができる。しかも固体撮像素子全体におけるパッシベー
ション膜の膜厚を従来より薄くすることができ、固体撮
像素子の反りを減少させることができる。
パッシベーション膜が形成されているので、多重干渉に
よる分光特性におけるリップルの発生を効果的に抑制す
ることができる。また、受光部の上に形成された膜や層
の屈折率の相違に起因したスミアの発生を低減すること
ができる。しかも固体撮像素子全体におけるパッシベー
ション膜の膜厚を従来より薄くすることができ、固体撮
像素子の反りを減少させることができる。
【図１】本発明の固体撮像素子の作製工程を説明するた
めの、固体撮像素子の模式的な一部断面図である。
めの、固体撮像素子の模式的な一部断面図である。
【図２】本発明の固体撮像素子の模式的な一部断面図で
ある。
ある。
【図３】従来の固体撮像素子の受光部及びその近傍の断
面構造を模式的に示した図である。
面構造を模式的に示した図である。
【図４】従来の固体撮像素子の分光特性におけるリップ
ルの発生を説明するための図である。
ルの発生を説明するための図である。
１０ 受光部 １２ 電荷転送部 ２０ シリコン基板 ２２ ゲート酸化膜 ２４ ゲート電極 ２６ 層間絶縁層 ２８ 第１の配線層 ３０ 第２の配線層 ３２，３４ 第１のパッシベーション膜 ３６ レジストマスク ３８ 第２のパッシベーション膜 ４０ プラズマＳｉＮ膜から成るパッシベーション膜
Claims (4)
- 【請求項１】受光部を有する固体撮像素子であって、 （Ａ）受光部以外の固体撮像素子の部分の上に形成され
た第１のパッシベーション膜と、 （Ｂ）少なくとも受光部の上に形成された第２のパッシ
ベーション膜、とを備えていることを特徴とする固体撮
像素子。 - 【請求項２】第１のパッシベーション膜はシリコン窒化
膜から成り、第２のパッシベーション膜はシリコン酸化
膜から成ることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像
素子。 - 【請求項３】受光部を有する固体撮像素子の上にパッシ
ベーション膜を形成する工程を含む固体撮像素子の作製
方法であって、 （イ）第１のパッシベーション膜を、受光部以外の固体
撮像素子の部分の上に形成する工程と、 （ロ）第２のパッシベーション膜を、少なくとも受光部
の上に形成する工程、から成ることを特徴とする固体撮
像素子の作製方法。 - 【請求項４】第１のパッシベーション膜はシリコン窒化
膜から成り、第２のパッシベーション膜はシリコン酸化
膜から成ることを特徴とする請求項３に記載の固体撮像
素子の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4296665A JPH06125069A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 固体撮像素子及びその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4296665A JPH06125069A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 固体撮像素子及びその作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06125069A true JPH06125069A (ja) | 1994-05-06 |
Family
ID=17836495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4296665A Pending JPH06125069A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 固体撮像素子及びその作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06125069A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003303948A (ja) * | 2002-04-10 | 2003-10-24 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP2003324189A (ja) * | 2002-05-01 | 2003-11-14 | Sony Corp | 固体撮像素子及び固体撮像装置、並びにこれらの製造方法 |
| US7342269B1 (en) | 1999-08-05 | 2008-03-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device, and process for its fabrication |
| JP2008199059A (ja) * | 2008-05-01 | 2008-08-28 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-10-09 JP JP4296665A patent/JPH06125069A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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