JP2001060679A - 光学層を含む半導体イメージセンサ - Google Patents
光学層を含む半導体イメージセンサInfo
- Publication number
- JP2001060679A JP2001060679A JP2000193068A JP2000193068A JP2001060679A JP 2001060679 A JP2001060679 A JP 2001060679A JP 2000193068 A JP2000193068 A JP 2000193068A JP 2000193068 A JP2000193068 A JP 2000193068A JP 2001060679 A JP2001060679 A JP 2001060679A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image sensor
- layer
- semiconductor image
- sensor according
- optical layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 51
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 3
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 SiO 2 Chemical compound 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、光学的効果を改善するために、光
学層を含むＣＭＯＳイメージセンサを提供する。 【解決手段】 本発明は、入射光を検出してイメージデ
ータを生成するための半導体イメージセンサにおいて、
光感知領域と周辺回路領域とに分けられた半導体基板
と、上記光感知領域上に形成されたフォトダイオード
と、上記周辺回路領域上に形成された少なくとも一つの
トランジスタと、上記フォトダイオードと上記トランジ
スタ上に形成された少なくとも一つの絶縁層と、上記フ
ォトダイオードに上記入射光を效果的に伝送するための
上記絶縁層上に形成された光学層とを含む。
学層を含むＣＭＯＳイメージセンサを提供する。 【解決手段】 本発明は、入射光を検出してイメージデ
ータを生成するための半導体イメージセンサにおいて、
光感知領域と周辺回路領域とに分けられた半導体基板
と、上記光感知領域上に形成されたフォトダイオード
と、上記周辺回路領域上に形成された少なくとも一つの
トランジスタと、上記フォトダイオードと上記トランジ
スタ上に形成された少なくとも一つの絶縁層と、上記フ
ォトダイオードに上記入射光を效果的に伝送するための
上記絶縁層上に形成された光学層とを含む。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明はＣＭＯＳ（compleme
ntary metal oxide semiconductor）イメージセンサに
関する。
ntary metal oxide semiconductor）イメージセンサに
関する。
【０００２】周知のように、イメージセンサは、物体か
ら反射された光、すなわち光子を受信してディジタルイ
メージデータを生成する装置である。特に、ＣＭＯＳ製
造技術を利用して製造されたイメージセンサをＣＭＯＳ
イメージセンサという。
ら反射された光、すなわち光子を受信してディジタルイ
メージデータを生成する装置である。特に、ＣＭＯＳ製
造技術を利用して製造されたイメージセンサをＣＭＯＳ
イメージセンサという。
【０００３】図１は、従来のＣＭＯＳイメージセンサに
含まれた単位画素の断面図である。
含まれた単位画素の断面図である。
【０００４】一般に、通常のＣＭＯＳイメージセンサに
含まれた単位画素は、物体から反射された光子を集める
ための光感知領域１１２と、データ処理部に光子を伝達
するための周辺回路領域１１４とに分けられる。フォト
ダイオード１２０は、光感知領域１１２上に形成され、
トランジスタ１３０は、周辺回路領域１１４上に形成さ
れて半導体構造体を提供する。
含まれた単位画素は、物体から反射された光子を集める
ための光感知領域１１２と、データ処理部に光子を伝達
するための周辺回路領域１１４とに分けられる。フォト
ダイオード１２０は、光感知領域１１２上に形成され、
トランジスタ１３０は、周辺回路領域１１４上に形成さ
れて半導体構造体を提供する。
【０００５】電気的分離及び電気的相互接続のために、
多数の絶縁層１４０、１５０、１６０と金属ライン１５
２、１６２とが半導体構造体上に形成される。次いで、
パッシベーション層１７０が単位画素を外部から保護す
るために最上位絶縁層１６０上に形成される。
多数の絶縁層１４０、１５０、１６０と金属ライン１５
２、１６２とが半導体構造体上に形成される。次いで、
パッシベーション層１７０が単位画素を外部から保護す
るために最上位絶縁層１６０上に形成される。
【０００６】しかし、パッシベーション層と絶縁層と
は、光透過性を考慮するよりは電気的特性及び素子の信
頼性を考慮して形成されており、パッシベーション層と
絶縁層との反射等により光透過性が劣化して光感度を低
下させる。
は、光透過性を考慮するよりは電気的特性及び素子の信
頼性を考慮して形成されており、パッシベーション層と
絶縁層との反射等により光透過性が劣化して光感度を低
下させる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明
は、光学的効果を改善するために、光学層を含むＣＭＯ
Ｓイメージセンサを提供することにその目的がある。
は、光学的効果を改善するために、光学層を含むＣＭＯ
Ｓイメージセンサを提供することにその目的がある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、入射光を検出してイメージデータを生成
するための半導体イメージセンサにおいて、光感知領域
と周辺回路領域とに分けられた半導体基板と、上記光感
知領域上に形成されたフォトダイオードと、上記周辺回
路領域上に形成された少なくとも1つのトランジスタ
と、上記フォトダイオードと上記トランジスタ上に形成
された少なくとも1つの絶縁層と、上記フォトダイオー
ドに上記入射光を效果的に伝送するための上記絶縁層上
に形成された光学層を含んでなる。
に、本発明は、入射光を検出してイメージデータを生成
するための半導体イメージセンサにおいて、光感知領域
と周辺回路領域とに分けられた半導体基板と、上記光感
知領域上に形成されたフォトダイオードと、上記周辺回
路領域上に形成された少なくとも1つのトランジスタ
と、上記フォトダイオードと上記トランジスタ上に形成
された少なくとも1つの絶縁層と、上記フォトダイオー
ドに上記入射光を效果的に伝送するための上記絶縁層上
に形成された光学層を含んでなる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照して本
発明の望ましい一実施例を詳細に説明する。
発明の望ましい一実施例を詳細に説明する。
【００１０】図２は、本発明の実施例であるＣＭＯＳイ
メージセンサに含まれた単位画素２００を示す断面図で
ある。
メージセンサに含まれた単位画素２００を示す断面図で
ある。
【００１１】図２には、フォトダイオード２２０と多数
のトランジスタ２３０を光感知領域２１２及び周辺回路
領域２１４に各々形成した半導体構造体を示す。
のトランジスタ２３０を光感知領域２１２及び周辺回路
領域２１４に各々形成した半導体構造体を示す。
【００１２】半導体構造体上に第１絶縁層２４０を形成
する。第１金属ライン２５２、第２絶縁層２５０、第２
金属ライン２６２及び第３絶縁層２６０を第１絶縁層２
４０上に順に形成する。
する。第１金属ライン２５２、第２絶縁層２５０、第２
金属ライン２６２及び第３絶縁層２６０を第１絶縁層２
４０上に順に形成する。
【００１３】次いで、最上位絶縁層２６０上に光学的に
設計された絶縁層（以下、”光学層”という）２７０を
形成する。
設計された絶縁層（以下、”光学層”という）２７０を
形成する。
【００１４】この場合、光学層２７０は、SiO2のような
シリコン原子と酸素原子とを含む層から製造され得る。
また、光学層２７０は、ＰＥＣＶＤ（plasma-enhanced
chemical vapor deposition）を実行してＴＥＯＳ（tet
ra-ethoxy-ortho-silicate）層に形成され得る。
シリコン原子と酸素原子とを含む層から製造され得る。
また、光学層２７０は、ＰＥＣＶＤ（plasma-enhanced
chemical vapor deposition）を実行してＴＥＯＳ（tet
ra-ethoxy-ortho-silicate）層に形成され得る。
【００１５】また、光学層２７０は、λ／４厚（ＱＷＯ
Ｔ：quarter-wave optical thickness）を基準として、
次の数式１で定義される厚さで形成される。
Ｔ：quarter-wave optical thickness）を基準として、
次の数式１で定義される厚さで形成される。
【数３】 tOL：光学層の厚さ Ｎ：正の整数 nOL：光学層の屈折率 λ：入射光の波長 上記数式１で、光学層２７０は、最上位絶縁層２６０の
屈折率のルート倍に該当する屈折率を有するように形成
される。
屈折率のルート倍に該当する屈折率を有するように形成
される。
【００１６】３層の絶縁層を有する単位画素２００に対
して説明したが、絶縁層が１層または多層の場合にも適
用され得る。
して説明したが、絶縁層が１層または多層の場合にも適
用され得る。
【００１７】上記のように光学層を形成することによっ
て、光反射が減少され、向上した光透過性が得られる。
て、光反射が減少され、向上した光透過性が得られる。
【００１８】図３は、本発明の他の実施例である単位画
素３００を示す断面図である。
素３００を示す断面図である。
【００１９】図２と比較してみると、光学層３８０と最
上位絶縁層３６０との間にパッシベーション層３７０を
さらに蒸着することが差異点である。すなわち、最上位
絶縁層３６０上にパッシベーション層３７０を形成して
パッシベーション層３７０上に光学層３８０を形成す
る。パッシベーション層３７０は、半導体素子を湿気等
の外部の影響から保護するための層である。
上位絶縁層３６０との間にパッシベーション層３７０を
さらに蒸着することが差異点である。すなわち、最上位
絶縁層３６０上にパッシベーション層３７０を形成して
パッシベーション層３７０上に光学層３８０を形成す
る。パッシベーション層３７０は、半導体素子を湿気等
の外部の影響から保護するための層である。
【００２０】Si3N4のようなシリコン原子及び窒素原子
を含むパッシベーション層３７０を形成することができ
る。
を含むパッシベーション層３７０を形成することができ
る。
【００２１】SiO2のようなシリコン原子及び酸素原子を
含む光学層３８０を形成することができる。また、光学
層３８０は、ＰＥＣＶＤ工程を実行してＴＥＯＳ層に形
成され得る。
含む光学層３８０を形成することができる。また、光学
層３８０は、ＰＥＣＶＤ工程を実行してＴＥＯＳ層に形
成され得る。
【００２２】また、数式１によってＱＷＯＴに該当する
所定の厚さに光学層３８０を形成する。
所定の厚さに光学層３８０を形成する。
【００２３】数式１で、光学層３８０がパッシベーショ
ン層３７０の屈折率のルート倍に該当する屈折率を有す
るように形成される。
ン層３７０の屈折率のルート倍に該当する屈折率を有す
るように形成される。
【００２４】本発明の技術思想を上記好ましい実施例に
よって記述したが、請求項に記載した本発明の範囲を越
えない限り種々の変化及び変更が可能であることは当業
者において明白である。
よって記述したが、請求項に記載した本発明の範囲を越
えない限り種々の変化及び変更が可能であることは当業
者において明白である。
【００２５】
【発明の効果】本発明により、通常の単位画素と比較し
て、特に青色帯域で光透過性及び光感度が顕著に増大す
る。すなわち、通常の単位画素の構造体上に光学層を形
成することによって、ＣＭＯＳイメージセンサの光透過
性及び光感度を向上することができ、画質及びその動作
性能を改善することができる。
て、特に青色帯域で光透過性及び光感度が顕著に増大す
る。すなわち、通常の単位画素の構造体上に光学層を形
成することによって、ＣＭＯＳイメージセンサの光透過
性及び光感度を向上することができ、画質及びその動作
性能を改善することができる。
【図１】 従来のＣＭＯＳイメージセンサの単位画素を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】 本発明の実施例である光学層を有する単位画
素を示す断面図である。
素を示す断面図である。
【図３】 本発明の他の実施例である光学層を有する単
位画素の構造を示す図面である。
位画素の構造を示す図面である。
２２０ フォトダイオード ２５２ 金属ライン ２７０、３８０ 光学層 ３７０ パッシベーション層
Claims (13)
- 【請求項１】 入射光を検出してイメージデータを生成
するための半導体イメージセンサであって、 光感知領域と周辺回路領域とに分けられた半導体基板
と、 上記光感知領域上に形成されたフォトダイオードと、 上記周辺回路領域上に形成された少なくとも一つのトラ
ンジスタと、 上記フォトダイオードと上記トランジスタ上に形成され
た少なくとも一つの絶縁層と、 上記フォトダイオードに上記入射光を效果的に伝送する
ための上記絶縁層上に形成された光学層とを含む半導体
イメージセンサ。 - 【請求項２】 上記光学層の厚さ（tOL）は、絶縁層の
屈折率のルート倍に該当する上記光学層の屈折率nOL、
正の整数N及び上記入射光の波長λを用いて次式により
決定される請求項１に記載の半導体イメージセンサ。 【数１】 - 【請求項３】 上記光学層は、シリコン原子及び酸素原
子を含む層からなる請求項２に記載の半導体イメージセ
ンサ。 - 【請求項４】 上記光学層は、ＴＥＯＳ(tetra-ethoxy-
ortho-silicate)層からなる請求項２に記載の半導体イ
メージセンサ。 - 【請求項５】 上記ＴＥＯＳ層は、ＰＥＣＶＤ（plasma
enhanced chemicalvapor deposition）工程を使用して
形成された請求項４に記載の半導体イメージセンサ。 - 【請求項６】 上記フォトダイオード及び上記トランジ
スタを電気的に接続させるために上記周辺回路に形成さ
れた上記絶縁層内部に多数の金属ラインが内蔵された請
求項５に記載の半導体イメージセンサ。 - 【請求項７】 上記イメージセンサを外部影響から保護
するために上記絶縁層と上記光学層との間に形成された
パッシベーション層をさらに含む請求項１に記載の半導
体イメージセンサ。 - 【請求項８】 上記パッシベーション層は、シリコン原
子と窒素原子とを含む層からなる請求項７に記載の半導
体イメージセンサ。 - 【請求項９】 上記光学層の厚さ（tOL）は、絶縁層の
屈折率のルート倍に該当する上記光学層の屈折率nOL、
正の整数N及び上記入射光の波長λを用いて次式により
決定される請求項８に記載の半導体イメージセンサ。 【数２】 - 【請求項１０】 上記光学層がシリコン原子及び酸素原
子を含む層からなる請求項９に記載の半導体イメージセ
ンサ。 - 【請求項１１】 上記光学層がＴＥＯＳ（tetra-ethoxy
-ortho-silicate）層からなる請求項１０に記載の半導
体イメージセンサ。 - 【請求項１２】 上記ＴＥＯＳ層がＰＥＣＶＤ工程を使
用して形成された請求項４に記載の半導体イメージセン
サ。 - 【請求項１３】 上記フォトダイオード及び上記トラン
ジスタを電気的に接続させるために上記周辺回路領域に
形成された上記絶縁層内部に多数の金属ラインが内蔵さ
れた請求項５に記載の半導体イメージセンサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990024950A KR100340068B1 (ko) | 1999-06-28 | 1999-06-28 | 광투과도 개선을 위하여 광학적으로 설계된 층을 갖는 이미지센서 |
| KR1999-24950 | 1999-06-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001060679A true JP2001060679A (ja) | 2001-03-06 |
Family
ID=19596395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000193068A Pending JP2001060679A (ja) | 1999-06-28 | 2000-06-27 | 光学層を含む半導体イメージセンサ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6512220B1 (ja) |
| JP (1) | JP2001060679A (ja) |
| KR (1) | KR100340068B1 (ja) |
| DE (1) | DE10031439A1 (ja) |
| NL (1) | NL1015511C2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004023107A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-01-22 | Samsung Electronics Co Ltd | イメージセンサ及びその製造方法 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100748327B1 (ko) * | 2001-11-22 | 2007-08-09 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 시모스 이미지센서 및 그 제조방법 |
| KR100825087B1 (ko) * | 2007-11-23 | 2008-04-25 | (주)실리콘화일 | 형광형 바이오칩의 진단장치 |
| KR101107003B1 (ko) * | 2009-04-09 | 2012-01-25 | 제일모직주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| KR101201831B1 (ko) * | 2009-07-09 | 2012-11-15 | 제일모직주식회사 | 유-무기 하이브리드 조성물 및 이미지 센서 |
| US10773335B2 (en) * | 2017-08-08 | 2020-09-15 | Lincoln Global, Inc. | Dual wire welding or additive manufacturing system and method |
| US11504788B2 (en) | 2017-08-08 | 2022-11-22 | Lincoln Global, Inc. | Dual wire welding or additive manufacturing system and method |
| US10532418B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-01-14 | Lincoln Global, Inc. | Dual wire welding or additive manufacturing contact tip and diffuser |
| US11440121B2 (en) | 2017-08-08 | 2022-09-13 | Lincoln Global, Inc. | Dual wire welding or additive manufacturing system and method |
| US10792752B2 (en) * | 2017-08-08 | 2020-10-06 | Lincoln Global, Inc. | Dual wire welding or additive manufacturing system and method |
| US11285557B2 (en) | 2019-02-05 | 2022-03-29 | Lincoln Global, Inc. | Dual wire welding or additive manufacturing system |
| US11498146B2 (en) | 2019-09-27 | 2022-11-15 | Lincoln Global, Inc. | Dual wire welding or additive manufacturing system and method |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61124901A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-12 | Toppan Printing Co Ltd | 色分解フイルタ−の製造方法 |
| JPH0294664A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
| JPH03238863A (ja) * | 1990-02-15 | 1991-10-24 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JPH05121708A (ja) * | 1991-10-25 | 1993-05-18 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JPH05198785A (ja) * | 1992-01-21 | 1993-08-06 | Sony Corp | オンチップレンズの形成方法 |
| JPH07202157A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
| JPH09148554A (ja) * | 1995-11-24 | 1997-06-06 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置 |
| JPH10270672A (ja) * | 1997-03-25 | 1998-10-09 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
| JPH1187674A (ja) * | 1997-07-11 | 1999-03-30 | Sony Corp | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法および撮像装置 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6085669A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-15 | Toppan Printing Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
| JP2606834B2 (ja) | 1986-12-27 | 1997-05-07 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JPS63182854A (ja) | 1987-01-26 | 1988-07-28 | Seiko Epson Corp | 固体撮像素子 |
| JPS63185059A (ja) | 1987-01-27 | 1988-07-30 | Fujitsu Ltd | 固体撮像素子の製造方法 |
| JPS6472557A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-17 | Seiko Instr & Electronics | Image sensor |
| JPS6473728A (en) | 1987-09-16 | 1989-03-20 | Fujitsu Ltd | Formation of passivation film |
| JPH03270074A (ja) | 1990-03-19 | 1991-12-02 | Toshiba Corp | ＩｎＳｂ素子の電極構体 |
| IT1243188B (it) | 1990-08-01 | 1994-05-24 | Himont Inc | Composizioni poliolefiniche elastoplastiche |
| JPH04113674A (ja) | 1990-09-03 | 1992-04-15 | Toshiba Corp | 固体撮像素子 |
| JPH06302793A (ja) * | 1993-04-19 | 1994-10-28 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JPH0794693A (ja) * | 1993-09-24 | 1995-04-07 | Toshiba Corp | 半導体赤外線撮像素子 |
| US5648653A (en) | 1993-10-22 | 1997-07-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical filter having alternately laminated thin layers provided on a light receiving surface of an image sensor |
| KR0147401B1 (ko) | 1994-02-23 | 1998-08-01 | 구본준 | 고체촬상소자 및 그 제조방법 |
| JPH08125156A (ja) | 1994-10-19 | 1996-05-17 | Fuji Xerox Co Ltd | イメージセンサ |
| US5629517A (en) | 1995-04-17 | 1997-05-13 | Xerox Corporation | Sensor element array having overlapping detection zones |
| JP3900552B2 (ja) * | 1996-07-11 | 2007-04-04 | 株式会社デンソー | 光センサの製造方法 |
| JP2973948B2 (ja) * | 1996-10-28 | 1999-11-08 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH10288550A (ja) * | 1997-04-15 | 1998-10-27 | Nikon Corp | 熱型赤外線センサ及び固体撮像装置 |
| KR100464186B1 (ko) | 1997-06-20 | 2005-04-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 배선구조 및 그 제조방법 |
-
1999
- 1999-06-28 KR KR1019990024950A patent/KR100340068B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-06-23 NL NL1015511A patent/NL1015511C2/nl not_active IP Right Cessation
- 2000-06-27 JP JP2000193068A patent/JP2001060679A/ja active Pending
- 2000-06-28 US US09/604,771 patent/US6512220B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-28 DE DE10031439A patent/DE10031439A1/de not_active Ceased
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61124901A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-12 | Toppan Printing Co Ltd | 色分解フイルタ−の製造方法 |
| JPH0294664A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
| JPH03238863A (ja) * | 1990-02-15 | 1991-10-24 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JPH05121708A (ja) * | 1991-10-25 | 1993-05-18 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JPH05198785A (ja) * | 1992-01-21 | 1993-08-06 | Sony Corp | オンチップレンズの形成方法 |
| JPH07202157A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
| JPH09148554A (ja) * | 1995-11-24 | 1997-06-06 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置 |
| JPH10270672A (ja) * | 1997-03-25 | 1998-10-09 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
| JPH1187674A (ja) * | 1997-07-11 | 1999-03-30 | Sony Corp | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法および撮像装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004023107A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-01-22 | Samsung Electronics Co Ltd | イメージセンサ及びその製造方法 |
| JP4541666B2 (ja) * | 2002-06-20 | 2010-09-08 | 三星電子株式会社 | イメージセンサ及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL1015511A1 (nl) | 2001-01-02 |
| KR20010004325A (ko) | 2001-01-15 |
| DE10031439A1 (de) | 2001-03-01 |
| KR100340068B1 (ko) | 2002-06-12 |
| NL1015511C2 (nl) | 2004-08-26 |
| US6512220B1 (en) | 2003-01-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1722459B (zh) | 图像传感器和制造其的方法 | |
| JP5082855B2 (ja) | 反射防止膜を有する固体撮像装置および表示装置並びにその製造方法 | |
| JP5437432B2 (ja) | Ｃｍｏｓイメージセンサー及びイメージセンサーを形成する方法 | |
| TWI260742B (en) | Light shield for CMOS imager | |
| US8237237B2 (en) | Solid-state imaging device, method for manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus | |
| KR20110077451A (ko) | 이미지 센서, 그 제조 방법, 및 상기 이미지 센서를 포함하는 장치 | |
| US20090189055A1 (en) | Image sensor and fabrication method thereof | |
| JP2001060679A (ja) | 光学層を含む半導体イメージセンサ | |
| US20090185275A1 (en) | Image sensor device with high photosensitivity | |
| JPH0964325A (ja) | 固体撮像素子とその製造方法 | |
| US6130422A (en) | Embedded dielectric film for quantum efficiency enhancement in a CMOS imaging device | |
| JP2000323695A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| JP6711673B2 (ja) | 光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び撮像システム | |
| KR100540557B1 (ko) | 광전송률 개선을 위한 이미지센서 제조 방법 | |
| JPH04206571A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH10112532A (ja) | 撮像素子 | |
| JP2001352051A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JP2002009074A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11214664A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| KR20030002018A (ko) | 이미지센서 | |
| JPH06125069A (ja) | 固体撮像素子及びその作製方法 | |
| WO2024079990A1 (ja) | 光検出装置及び電子機器 | |
| KR100410693B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| JPH03227063A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP5378077B2 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20060201 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070518 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20070518 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070621 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20090626 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100518 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100520 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100816 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110617 |