NL1015511C2 - Halfgeleiderbeeldsensor waarin een optische laag is opgenomen. - Google Patents
Halfgeleiderbeeldsensor waarin een optische laag is opgenomen. Download PDFInfo
- Publication number
- NL1015511C2 NL1015511C2 NL1015511A NL1015511A NL1015511C2 NL 1015511 C2 NL1015511 C2 NL 1015511C2 NL 1015511 A NL1015511 A NL 1015511A NL 1015511 A NL1015511 A NL 1015511A NL 1015511 C2 NL1015511 C2 NL 1015511C2
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- layer
- image sensor
- semiconductor image
- optical layer
- sensor according
- Prior art date
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 44
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 25
- XQMTUIZTZJXUFM-UHFFFAOYSA-N tetraethoxy silicate Chemical group CCOO[Si](OOCC)(OOCC)OOCC XQMTUIZTZJXUFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 11
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910007277 Si3 N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
Korte aanduiding: Halfgeleiderbeeldsensor waarin een optische laag is opgenomen.
Gebied van de uitvinding
De uitvinding heeft betrekking op een beeldsensor en meer in het bijzonder op een CMOS-beeldsensor waarin een optische laag is opgenomen voor het verbeteren van een optisch rendement daarvan.
5 Beschrijving van de stand van de techniek
Zoals algemeen bekend is, is een beeldsensor een inrichting voor het ontvangen van door een voorwerp gereflecteerd licht, bijv. fotonen, en voor het opwekken van digitale beeldgegevens. In het bijzonder wordt een door middel van een CMOS (complementary metal oxide 10 semiconductor) fabricagetechniek vervaardigde beeldsensor een CMOS-beeldsensor genoemd.
In fig. 1 is een doorsnedeaanzicht van een in een gangbare CMOS-beeldsensor opgenomen eenheidspixel weergegeven.
In het algemeen is een in de gangbare CMOS-beeldsensor opgeno-15 men eenheidspixel verdeeld in een lichtwaarnemingsgebied 112 voor het accumuleren van door een voorwerp gereflecteerde fotonen en een rand-ketengebied 114 voor het overdragen van de fotonen aan een gegevens-verwerkingseenheid. Bovenop het lichtwaarnemingsgebied 112 is een fo-todiode 120 gevormd en bovenop het randketengebied 114 zijn transis-20 toren 130 gevormd teneinde daardoor een halfgeleiderstructuur te verschaffen.
Voor elektrische isolatie en elektrische verbinding zijn een aantal isolatielagen 140, 150 en 160 en metaallijnen 152 en 162 op de halfgeleiderstructuur gevormd. Vervolgens is een passiveringslaag 170 25 op de bovenste isolatielaag 160 gevormd om het eenheidspixel tegen uitwendige invloeden te beschermen.
De passiveringslaag en de isolatielagen zijn echter gevormd onder beschouwing van elektrische karakteristieken en betrouwbaarheid van de inrichting in plaats van onder beschouwing van een optische 30 doorlaatkarakteristiek. Als gevolg daarvan kan het optisch doorlaat-vermogen verslechteren als gevolg van een reflectievermogen van de passiveringslaag en de isolatielagen, waardoor de gevoeligheid wordt verminderd.
jA λ____ I - 2 - H Samenvatting van de uitvinding H Het is derhalve een doel van de onderhavige uitvinding om een CMOS-beeldsensor, waarin een optische laag voor het verbeteren van H een optisch rendement daarvan is opgenomen, te verschaffen.
5 Volgens een aspect van de uitvinding is een halfgeleiderbeeld- H sensor voor het detecteren van daarop invallend licht verschaft, welke sensor omvat: een halfgeleidersubstraat, dat in een lichtwaar- nemingsgebied en een randketengebied is verdeeld; een fotodiode, die bovenop het lichtwaarnemingsgebied is gevormd; ten minste een op het 10 randketengebied gevormde transistor; ten minste een op de fotodiode H en de transistor gevormde isolatielaag; en een op de isolatielaag ge- vormde optische laag om het licht op efficiënte wijze naar de foto- diode door te laten.
Korte beschrijving van de tekening 15 Andere doelen en aspecten van de uitvinding zullen duidelijk worden uit de volgende beschrijving van de uitvoeringsvormen onder I verwijzing naar de bijgevoegde tekening, waarin: fig. 1 een dwarsdoorsnedeaanzicht is, dat een in een gangbare CMOS-beeldsensor opgenomen eenheidspixel toont; I 20 fig. 2 een dwarsdoorsnedeaanzicht is, dat een eenheidspixel, waarin een optische laag is opgenomen, als een uitvoeringsvorm van de uitvinding toont; en fig. 3 een diagram is, dat een structuur van een eenheidspixel, waarin een optische laag is opgenomen, als een andere uitvoeringsvorm 25 van de uitvinding toont.
Gedetailleerde beschrijving van de voorkeursuitvoeringsvormen
Fig. 2 is een dwarsdoorsnedeaanzicht, dat een in een CMOS-beeldsensor opgenomen eenheidspixel 200 als een uitvoeringsvorm van de uitvinding toont.
30 Onder verwijzing naar fig. 2, zijn op een halfgeleidersubstraat 210 in een lichtwaarnemingsgebied 212 en een randketengebied 214 een fotodiode 220 respectievelijk een aantal transistoren 230 gevormd om een halfgeleiderstructuur te verschaffen.
Op de halfgeleiderstructuur is een eerste isolatielaag 240 ge-35 vormd. Op de eerste isolatielaag 240 zijn achtereenvolgens eerste me-taallijnen 252, een tweede isolatielaag 250, tweede metaallijnen 262 en een derde isolatielaag 260 gevormd.
Vervolgens is op de bovenste isolatielaag 260 een optisch ontworpen isolatielaag (hierna als optische laag aangeduid) 270 gevormd.
- 3 -
In dit stadium kan de optische laag 270 van een silicium- en zuurstof-bevattende laag, bijv. Si02, vervaardigd zijn. De optische laag 270 is bovendien voorzien van een tetra-ethoxy-ortho-silicaat (TEOS) door het uitvoeren van een plasma-versterkte chemische opdam-5 ping (PECVD).
Verder is de optische laag 270 tot een voorafbepaalde dikte, die overeenkomt met een optische kwart-golflengtedikte (hierna met QWOT aangeduid) gevormd. De QWOT wordt door een vergelijking 1 gedefinieerd.
(2N - 1)χλ 10 tOL = -— (Vgl. 1)
4xn0L
waarin t0L een dikte van de optische laag is, N een positief geheel getal is, n0L een brekingsindex van de optische laag is, en λ een golflengte van invallend licht is.
15 In de bovenstaande vergelijking is uitgedrukt, dat de optische laag 270 wordt gevormd om een brekingsindex te hebben, die overeenkomt met maximaal de wortel van een brekingsindex van de bovenste isolatielaag 260.
Hoewel het drie isolatielagen bevattende eenheidspixel 200 20 hierboven is beschreven, verdient het de voorkeur om de isolatielaag met slechts één laag of meervoudige lagen te vormen.
De optische laag doet derhalve dienst als een laag voor het voorkomen van een optisch reflectievermogen, teneinde daardoor een hoge optische doorlaatbaarheid te verkrijgen.
25 Fig. 3 is een dwarsdoorsnedeaanzicht, dat een eenheidspixel 300 volgens een andere uitvoeringsvorm van de uitvinding toont.
Vergeleken met fig. 2 is het enige verschil, dat een passive-ringslaag 370 is toegevoegd tussen de optische laag 380 en de bovenste isolatielaag 360. Dit wil zeggen, dat de passiveringslaag 370 is 30 gevormd op de bovenste isolatielaag 360, en dat de optische laag 380 is gevormd op de passiveringslaag 370. De passiveringslaag is een type laag voor het beschermen van de halfgeleiderinrichting tegen uitwendige invloeden, zoals vocht.
De passiveringslaag 370 kan van silicium- en stikstof-bevatten-35 de lagen, bijv. Si3N4 vervaardigd zijn.
De optische laag 370 kan van een silicium- en zuurstof-bevattende laag, bijv. Si02 vervaardigd zijn. Bovendien is de optische laag 370 voorzien van een tetra-ethoxy-ortho-silicaat (TEOS) door ·' i ; j i - 4 - middel van het uitvoeren van een plasma-versterkte chemische opdam-ping (PECVD).
De optische laag 370 is bovendien gevormd tot een voorafbepaalde dikte, die overeenkomt met de QWOT volgens de vergelijking 1.
5 In de vergelijking 1 is uitgedrukt, dat de optische laag 370 is gevormd om een brekingsindex te hebben, die overeenkomt met maximaal de wortel van een brekingsindex van de passiveringslaag.
Vergeleken met het gangbare eenheidspixel is het optische door-laatvermogen en de optische gevoeligheid, in het bijzonder in de 10 blauwe band, aanmerkelijk verbeterd. Dit wil zeggen, dat door middel van het eenvoudig vormen van de optische laag op de structuur van het gangbare eenheidspixel, de CMOS beeldsensor een verbeterd optisch doorlaatvermogen en een verbeterde optische gevoeligheid kan verkrijgen, teneinde daardoor de beeldkwaliteit en prestaties daarvan te 15 verbeteren.
Hoewel de voorkeursuitvoeringsvormen van de uitvinding voor illustratieve doeleinden zijn geopenbaard, zal de vakman op dit gebied van de techniek onderkennen, dat verschillende modificaties, toevoegingen en vervangingen mogelijk zijn, zonder het kader en de gedachte 20 van de uitvinding, zoals deze in de bijgevoegde conclusies worden geopenbaard, te verlaten.
Claims (13)
1. Halfgeleiderbeeldsensor voor het detecteren van daarop invallend licht, welke sensor omvat: een halfgeleidersubstraat, dat in een lichtwaarnemingsgebied en een randketengebied is verdeeld; 5 een fotodiode, die bovenop het lichtwaarnemingsgebied is ge vormd; ten minste een op het randketengebied gevormde transistor; ten minste een 'op de fotodiode en de transistor gevormde isolatielaag; en 10 een op de isolatielaag gevormde optische laag om het licht op efficiënte wijze naar de fotodiode door te laten.
2. Halfgeleiderbeeldsensor volgens conclusie 1, waarbij een dikte (t0L) van de optische laag als volgt wordt bepaald: (2N - 1)χλ t()L ~ . 15 waarin n0Li N en λ een brekingsindex van de optische laag, een positief geheel getal, respectievelijk een golflengte van het invallende licht weergeven, waarbij de brekingsindex van de optische laag overeenkomt met maximaal de wortel van een brekingsindex van de isolatielaag.
3. Halfgeleiderbeeldsensor volgens conclusie 2, waarbij de op tische laag een silicium- en zuurstof-bevattende laag is.
4. Halfgeleiderbeeldsensor vólgens conclusie 2, waarbij de optische laag een tetra-ethoxy-ortho-silicaat (TEOS) laag is.
5. Halfgeleiderbeeldsensor volgens conclusie 4, waarbij de te- 25 tra-ethoxy-ortho-silicaat (TEOS) laag is gevormd onder gebruikmaking van een plasma-versterkte chemische opdamping (PECVD).
6. Halfgeleiderbeeldsensor volgens conclusie 5, waarbij een aantal metaallijnen is ingebed in de in het randketengebied gevormde isolatielaag om de fotodiode elektrisch met de transistoren te ver- 30 binden.
7. Halfgeleiderbeeldsensor volgens conclusie 1, verder omvattende een tussen de isolatielaag en de optische laag gevormde passi-veringslaag voor het beschermen van de beeldsensor tegen uitwendige invloeden. 1015511- * « - 6 -
8. Halfgeleiderbeeldsensor volgens conclusie 7, waarbij de pas-siveringslaag van een silicium- en stikstof-bevattende laag is vervaardigd.
9. Halfgeleiderbeeldsensor volgens conclusie 8, waarbij een 5 dikte (t0L) van de optische laag als volgt wordt bepaald: (2N - 1)χλ toi — . 4xn0l waarin n0L/ N en λ een brekingsindex van de optische laag, een positief geheel getal, respectievelijk een golflengte van het invallende licht weergeven, waarbij de brekingsindex van de optische laag 10 overeenkomt met maximaal de wortel van een brekingsindex van de pas-siveringslaag.
10. Halfgeleiderbeeldsensor volgens conclusie 9, waarbij de optische laag een silicium- en zuurstof-bevattende laag is.
11. Halfgeleiderbeeldsensor volgens conclusie 9, waarbij de op-15 tische laag een tetra-ethoxy-ortho-silicaat (TEOS) laag is.
12. Halfgeleiderbeeldsensor volgens conclusie 11, waarbij de tetra-ethoxy-ortho-silicaat (TEOS) laag is gevormd onder gebruikmaking van een plasma-versterkte chemische opdamping (PECVD).
13. Halfgeleiderbeeldsensor volgens conclusie 12, waarbij een 20 aantal metaallijnen is ingebed in de in het randketengebied gevormde isolatielaag om de fotodiode elektrisch met de transistoren te verbinden. 1015511-
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019990024950A KR100340068B1 (ko) | 1999-06-28 | 1999-06-28 | 광투과도 개선을 위하여 광학적으로 설계된 층을 갖는 이미지센서 |
KR19990024950 | 1999-06-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL1015511A1 NL1015511A1 (nl) | 2001-01-02 |
NL1015511C2 true NL1015511C2 (nl) | 2004-08-26 |
Family
ID=19596395
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL1015511A NL1015511C2 (nl) | 1999-06-28 | 2000-06-23 | Halfgeleiderbeeldsensor waarin een optische laag is opgenomen. |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6512220B1 (nl) |
JP (1) | JP2001060679A (nl) |
KR (1) | KR100340068B1 (nl) |
DE (1) | DE10031439A1 (nl) |
NL (1) | NL1015511C2 (nl) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100748327B1 (ko) * | 2001-11-22 | 2007-08-09 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 시모스 이미지센서 및 그 제조방법 |
JP4541666B2 (ja) * | 2002-06-20 | 2010-09-08 | 三星電子株式会社 | イメージセンサ及びその製造方法 |
KR100825087B1 (ko) * | 2007-11-23 | 2008-04-25 | (주)실리콘화일 | 형광형 바이오칩의 진단장치 |
KR101107003B1 (ko) * | 2009-04-09 | 2012-01-25 | 제일모직주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
KR101201831B1 (ko) * | 2009-07-09 | 2012-11-15 | 제일모직주식회사 | 유-무기 하이브리드 조성물 및 이미지 센서 |
US10792752B2 (en) * | 2017-08-08 | 2020-10-06 | Lincoln Global, Inc. | Dual wire welding or additive manufacturing system and method |
US10773335B2 (en) * | 2017-08-08 | 2020-09-15 | Lincoln Global, Inc. | Dual wire welding or additive manufacturing system and method |
US10532418B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-01-14 | Lincoln Global, Inc. | Dual wire welding or additive manufacturing contact tip and diffuser |
US11440121B2 (en) | 2017-08-08 | 2022-09-13 | Lincoln Global, Inc. | Dual wire welding or additive manufacturing system and method |
US11504788B2 (en) | 2017-08-08 | 2022-11-22 | Lincoln Global, Inc. | Dual wire welding or additive manufacturing system and method |
US11285557B2 (en) | 2019-02-05 | 2022-03-29 | Lincoln Global, Inc. | Dual wire welding or additive manufacturing system |
US11498146B2 (en) | 2019-09-27 | 2022-11-15 | Lincoln Global, Inc. | Dual wire welding or additive manufacturing system and method |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0308127A2 (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-22 | Seiko Instruments Inc. | Semi-conductor photo-detecting device |
JPH06302793A (ja) * | 1993-04-19 | 1994-10-28 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JPH1027922A (ja) * | 1996-07-11 | 1998-01-27 | Denso Corp | 光センサの製造方法 |
JPH10135506A (ja) * | 1996-10-28 | 1998-05-22 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6085669A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-15 | Toppan Printing Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
JPS61124901A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-12 | Toppan Printing Co Ltd | 色分解フイルタ−の製造方法 |
JP2606834B2 (ja) | 1986-12-27 | 1997-05-07 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JPS63182854A (ja) | 1987-01-26 | 1988-07-28 | Seiko Epson Corp | 固体撮像素子 |
JPS63185059A (ja) | 1987-01-27 | 1988-07-30 | Fujitsu Ltd | 固体撮像素子の製造方法 |
JPS6473728A (en) | 1987-09-16 | 1989-03-20 | Fujitsu Ltd | Formation of passivation film |
JPH0294664A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
JPH03238863A (ja) * | 1990-02-15 | 1991-10-24 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JPH03270074A (ja) | 1990-03-19 | 1991-12-02 | Toshiba Corp | InSb素子の電極構体 |
IT1243188B (it) | 1990-08-01 | 1994-05-24 | Himont Inc | Composizioni poliolefiniche elastoplastiche |
JPH04113674A (ja) | 1990-09-03 | 1992-04-15 | Toshiba Corp | 固体撮像素子 |
JPH05121708A (ja) * | 1991-10-25 | 1993-05-18 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
JPH05198785A (ja) * | 1992-01-21 | 1993-08-06 | Sony Corp | オンチップレンズの形成方法 |
JPH0794693A (ja) * | 1993-09-24 | 1995-04-07 | Toshiba Corp | 半導体赤外線撮像素子 |
US5648653A (en) | 1993-10-22 | 1997-07-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical filter having alternately laminated thin layers provided on a light receiving surface of an image sensor |
JPH07202157A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
KR0147401B1 (ko) | 1994-02-23 | 1998-08-01 | 구본준 | 고체촬상소자 및 그 제조방법 |
JPH08125156A (ja) | 1994-10-19 | 1996-05-17 | Fuji Xerox Co Ltd | イメージセンサ |
US5629517A (en) | 1995-04-17 | 1997-05-13 | Xerox Corporation | Sensor element array having overlapping detection zones |
JP3430759B2 (ja) * | 1995-11-24 | 2003-07-28 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置 |
JPH10270672A (ja) * | 1997-03-25 | 1998-10-09 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
JPH10288550A (ja) * | 1997-04-15 | 1998-10-27 | Nikon Corp | 熱型赤外線センサ及び固体撮像装置 |
KR100464186B1 (ko) | 1997-06-20 | 2005-04-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 배선구조 및 그 제조방법 |
JP3695082B2 (ja) * | 1997-07-11 | 2005-09-14 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法および撮像装置 |
-
1999
- 1999-06-28 KR KR1019990024950A patent/KR100340068B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-06-23 NL NL1015511A patent/NL1015511C2/nl not_active IP Right Cessation
- 2000-06-27 JP JP2000193068A patent/JP2001060679A/ja active Pending
- 2000-06-28 US US09/604,771 patent/US6512220B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-28 DE DE10031439A patent/DE10031439A1/de not_active Ceased
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0308127A2 (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-22 | Seiko Instruments Inc. | Semi-conductor photo-detecting device |
JPH06302793A (ja) * | 1993-04-19 | 1994-10-28 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JPH1027922A (ja) * | 1996-07-11 | 1998-01-27 | Denso Corp | 光センサの製造方法 |
JPH10135506A (ja) * | 1996-10-28 | 1998-05-22 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1995, no. 01 28 February 1995 (1995-02-28) * |
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1998, no. 05 30 April 1998 (1998-04-30) * |
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1998, no. 10 31 August 1998 (1998-08-31) * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20010004325A (ko) | 2001-01-15 |
US6512220B1 (en) | 2003-01-28 |
NL1015511A1 (nl) | 2001-01-02 |
KR100340068B1 (ko) | 2002-06-12 |
DE10031439A1 (de) | 2001-03-01 |
JP2001060679A (ja) | 2001-03-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL1015511C2 (nl) | Halfgeleiderbeeldsensor waarin een optische laag is opgenomen. | |
US8471311B2 (en) | Anti-reflective image sensor | |
US20090189055A1 (en) | Image sensor and fabrication method thereof | |
US6171883B1 (en) | Image array optoelectronic microelectronic fabrication with enhanced optical stability and method for fabrication thereof | |
CN101488508B (zh) | 用于光线传导的抗反射结构及图像感测装置 | |
KR20110077451A (ko) | 이미지 센서, 그 제조 방법, 및 상기 이미지 센서를 포함하는 장치 | |
KR101672737B1 (ko) | 이미지 센서 및 상기 이미지 센서를 포함하는 영상 장치 | |
US20130203209A1 (en) | Image sensor and method of fabricating the same | |
KR100562293B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 이의 제조 방법 | |
KR20110023741A (ko) | 비-평면 반사층을 포함하는 이미지 센서, 방법 및 설계 구조 | |
KR20100036200A (ko) | 고체 촬상 장치, 고체 촬상 장치의 제조 방법 및 전자 기기 | |
CN108807443A (zh) | 一种具有嵌入式彩色滤色片阵列的图像传感器 | |
KR20090068808A (ko) | 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
US20020063214A1 (en) | Optoelectronic microelectronic fabrication with infrared filter and method for fabrication thereof | |
KR20000044582A (ko) | 개선된 광 투과도의 이미지센서 | |
CN106910754A (zh) | 半导体元件及其制造方法 | |
US20240243150A1 (en) | Image sensor | |
JP3103977B2 (ja) | リニアイメージセンサic | |
KR100788354B1 (ko) | 반도체 소자의 보호막, 이를 사용한 이미지 센서, 및 이를사용한 이미지 센서의 제조방법 | |
US20150187831A1 (en) | Solid state imaging device | |
KR100410693B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
JP2002141490A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
KR20000044584A (ko) | 높은 광감도를 갖는 이미지센서 | |
KR20000044581A (ko) | 높은 광감도를 갖는 이미지센서 | |
JP2001085656A (ja) | 固体撮像素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
AD1A | A request for search or an international type search has been filed | ||
RD2N | Patents in respect of which a decision has been taken or a report has been made (novelty report) |
Effective date: 20040421 |
|
PD2B | A search report has been drawn up | ||
TD | Modifications of names of proprietors of patents |
Owner name: HYNIX SEMICONDUCTOR INC. |
|
SD | Assignments of patents |
Owner name: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD. Effective date: 20050715 |
|
V1 | Lapsed because of non-payment of the annual fee |
Effective date: 20110101 |