JP5437432B2 - Ｃｍｏｓイメージセンサー及びイメージセンサーを形成する方法 - Google Patents
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Description
本発明は、ＣＭＯＳイメージセンサーに関し、特に、フォトダイオードと絶縁膜との間
の界面での光の反射率を最小化し、感度を向上することができるＣＭＯＳイメージセンサ
ーに関する。
の界面での光の反射率を最小化し、感度を向上することができるＣＭＯＳイメージセンサ
ーに関する。
一般に、ＣＭＯＳイメージセンサーの各ピクセルは、多様な用途の複数のトランジスタ
と１つのフォトダイオードとから構成されている。ＣＭＯＳイメージセンサーでは、まず
、光がシリコン（Ｓｉ）のフォトダイオードに入射すると、フォトダイオード中での光電
変換によって電子とホールとが生じ、この電子による電気信号をイメージ信号として伝達
する。
と１つのフォトダイオードとから構成されている。ＣＭＯＳイメージセンサーでは、まず
、光がシリコン（Ｓｉ）のフォトダイオードに入射すると、フォトダイオード中での光電
変換によって電子とホールとが生じ、この電子による電気信号をイメージ信号として伝達
する。
ＣＭＯＳイメージセンサーに入射した光がフォトダイオードに１００％到達することが
最も理想的であるが、高画質、高解像度の要求に伴ってピクセルの大きさが益々減少し、
ピクセル当りのフォトダイオードが占める面積比率が３０％以下に減少するようになって
きている。このために、実際に入射する光の３０％以下しかフォトダイオードに入射でき
ないので、各ピクセルの上にマイクロレンズを設けて９０％以上の光をフォトダイオード
に収束させている。
最も理想的であるが、高画質、高解像度の要求に伴ってピクセルの大きさが益々減少し、
ピクセル当りのフォトダイオードが占める面積比率が３０％以下に減少するようになって
きている。このために、実際に入射する光の３０％以下しかフォトダイオードに入射でき
ないので、各ピクセルの上にマイクロレンズを設けて９０％以上の光をフォトダイオード
に収束させている。
一方、フォトダイオード及びトランジスタの上には、複数層の金属配線が形成されてお
り、マイクロレンズを通って入射する光は、複数層の絶縁膜を通過してフォトダイオード
に入射することになる。この過程において、光は１００％透過するのではなく、ある程度
反射が生じるが、この反射は隣接する材料間の屈折率の差が大きいほど大きくなる。一般
に、ピクセル構造において最も反射が大きい箇所は、ドープシリコンの一種であるフォト
ダイオード及びＳｉＯ２系列の絶縁膜であり、下記の表１に示したように、反射率が１５
％程度にも達する。
り、マイクロレンズを通って入射する光は、複数層の絶縁膜を通過してフォトダイオード
に入射することになる。この過程において、光は１００％透過するのではなく、ある程度
反射が生じるが、この反射は隣接する材料間の屈折率の差が大きいほど大きくなる。一般
に、ピクセル構造において最も反射が大きい箇所は、ドープシリコンの一種であるフォト
ダイオード及びＳｉＯ２系列の絶縁膜であり、下記の表１に示したように、反射率が１５
％程度にも達する。
表１は、Ｓｉのフォトダイオードと、その上に形成されるＳｉＯ２系列の絶縁膜との構
造における反射率を示す。ここで、Ｓｉのフォトダイオードは、屈折率ｎが３．４で、そ
の上に形成される絶縁膜の屈折率ｎは１．５である。
造における反射率を示す。ここで、Ｓｉのフォトダイオードは、屈折率ｎが３．４で、そ
の上に形成される絶縁膜の屈折率ｎは１．５である。
一方、反射率を１５％以下に下げるために、フォトダイオードと絶縁膜との間に、屈折
率２．１のＳｉＮの反射膜がコートされた構造を採用すると、反射率を略８％に下げるこ
とができる。しかし、そのような構造を採用した場合でも、マイクロレンズと複数層の絶
縁膜との界面での反射率を合せれば、最小でも１０％以上の損失をもたらすという問題が
ある。
率２．１のＳｉＮの反射膜がコートされた構造を採用すると、反射率を略８％に下げるこ
とができる。しかし、そのような構造を採用した場合でも、マイクロレンズと複数層の絶
縁膜との界面での反射率を合せれば、最小でも１０％以上の損失をもたらすという問題が
ある。
本発明はこのような点に鑑みて成されたものであって、光の損失が最も大きいＳｉのフ
ォトダイオードとＳｉＯ２の絶縁膜との間に、その屈折率がＳｉのフォトダイオードの屈
折率とＳｉＯ２の絶縁膜の屈折率との間にある半反射膜を介在させることによって、反射
率を最小化してマイクロレンズを通って入射する光が最大限にフォトダイオードに到達で
きるＣＭＯＳイメージセンサーを提供することに、その目的がある。
ォトダイオードとＳｉＯ２の絶縁膜との間に、その屈折率がＳｉのフォトダイオードの屈
折率とＳｉＯ２の絶縁膜の屈折率との間にある半反射膜を介在させることによって、反射
率を最小化してマイクロレンズを通って入射する光が最大限にフォトダイオードに到達で
きるＣＭＯＳイメージセンサーを提供することに、その目的がある。
上記した目的を達成するために、本発明によれば、Ｓｉのフォトダイオードが形成され
た基板と、該基板の上に形成されるＳｉＯ２の絶縁膜と、前記基板及び前記絶縁膜の間に
介在する半反射膜と、前記絶縁膜の上に形成され、単位画素を構成する複数の金属配線と
、カラーフィルターと、マイクロレンズとを備えているＣＭＯＳイメージセンサーであっ
て、前記半反射膜の屈折率が、前記Ｓｉのフォトダイオードの屈折率と前記ＳｉＯ２の絶
縁膜の屈折率との間の値であることを特徴とするＣＭＯＳイメージセンサーを提供するこ
とができる。
た基板と、該基板の上に形成されるＳｉＯ２の絶縁膜と、前記基板及び前記絶縁膜の間に
介在する半反射膜と、前記絶縁膜の上に形成され、単位画素を構成する複数の金属配線と
、カラーフィルターと、マイクロレンズとを備えているＣＭＯＳイメージセンサーであっ
て、前記半反射膜の屈折率が、前記Ｓｉのフォトダイオードの屈折率と前記ＳｉＯ２の絶
縁膜の屈折率との間の値であることを特徴とするＣＭＯＳイメージセンサーを提供するこ
とができる。
前記半反射膜には、ダイヤモンド、ＳｉＣ及びＳｉＮｘからなる群の中から選択される
いずれか一つの単一膜を用いることができる。ここで、前記半反射膜としてダイヤモンド
の単一膜を用いる場合、該ダイヤモンド単一膜は、屈折率が２．５以上３．４以下であり
、厚さが５００Å以上５０００Å以下であることができる。また、前記半反射膜としてＳ
ｉＣの単一膜を用いる場合、該ＳｉＣ単一膜は、屈折率が２．５以上３．４以下であるこ
とができる。一方、前記半反射膜としてＳｉＮｘの単一膜を用いる場合、該ＳｉＮｘ単一
膜は屈折率が１．９以上２．４以下であり、厚さが５００Å以上５０００Å以下であるこ
とができる。
いずれか一つの単一膜を用いることができる。ここで、前記半反射膜としてダイヤモンド
の単一膜を用いる場合、該ダイヤモンド単一膜は、屈折率が２．５以上３．４以下であり
、厚さが５００Å以上５０００Å以下であることができる。また、前記半反射膜としてＳ
ｉＣの単一膜を用いる場合、該ＳｉＣ単一膜は、屈折率が２．５以上３．４以下であるこ
とができる。一方、前記半反射膜としてＳｉＮｘの単一膜を用いる場合、該ＳｉＮｘ単一
膜は屈折率が１．９以上２．４以下であり、厚さが５００Å以上５０００Å以下であるこ
とができる。
前記半反射膜は、ＳｉＮｘ膜及びＳｉＯｘＮ１−ｘ（０＜ｘ＜１）からなる二重膜構造
を有することができる。ここで、ＳｉＯｘＮ１−ｘ膜は、屈折率が１．５以上２．１以下
であり、厚さが５００Å以上５０００Å以下であることができる。
を有することができる。ここで、ＳｉＯｘＮ１−ｘ膜は、屈折率が１．５以上２．１以下
であり、厚さが５００Å以上５０００Å以下であることができる。
前記半反射膜は、ＳｉＣ／ＳｉＮｘ膜又はＳｉＣｘ／ＳｉＮｘＣ１−ｘ／ＳｉＯｘＮ１
−ｘ膜のいずれか一方の構造を有することができる。ここで、該ＳｉＮｘＣ１−ｘ／Ｓｉ
ＯｘＮ１−ｘ膜は、屈折率が１．５から３．４まで連続に変化し、厚さが５００Å以上５
０００Å以下であることができる。
−ｘ膜のいずれか一方の構造を有することができる。ここで、該ＳｉＮｘＣ１−ｘ／Ｓｉ
ＯｘＮ１−ｘ膜は、屈折率が１．５から３．４まで連続に変化し、厚さが５００Å以上５
０００Å以下であることができる。
本発明によれば、光の損失が最も大きいＳｉのフォトダイオードとＳｉＯ２の絶縁膜と
の間に、Ｓｉのフォトダイオードの屈折率とＳｉＯ２の絶縁膜の屈折率との間の種々の屈
折率を有する半反射膜を介在させることによって、反射率を最小化することができ、マイ
クロレンズを通って入射する光が最大限にフォトダイオードに到達することができる。従
って、本発明を、百万画素以上のＣＭＯＳイメージセンサーに適用することによって、高
画質のイメージを具現することができる。
の間に、Ｓｉのフォトダイオードの屈折率とＳｉＯ２の絶縁膜の屈折率との間の種々の屈
折率を有する半反射膜を介在させることによって、反射率を最小化することができ、マイ
クロレンズを通って入射する光が最大限にフォトダイオードに到達することができる。従
って、本発明を、百万画素以上のＣＭＯＳイメージセンサーに適用することによって、高
画質のイメージを具現することができる。
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面に基づいて詳述する。
図１は、本発明の実施の形態に係るＣＭＯＳイメージセンサーの構造を示す断面図であ
り、図２は、本発明の実施の形態に係るＣＭＯＳイメージセンサーにおけるフォトダイオ
ード／半反射膜／絶縁膜の構造を示す断面図である。
り、図２は、本発明の実施の形態に係るＣＭＯＳイメージセンサーにおけるフォトダイオ
ード／半反射膜／絶縁膜の構造を示す断面図である。
本実施の形態に係るＣＭＯＳイメージセンサーは、図１に示すように、Ｓｉのフォトダ
イオード（ＰＤ）１２及び素子分離膜１１を備えた基板１０と、基板１０の上方に形成さ
れる第１の絶縁膜１４と、フォトダイオード１２及び第１の絶縁膜１４の間に介在する半
反射膜１３と、第１の絶縁膜１４の上に形成される第１の金属配線Ｍ１と、第１の金属配
線Ｍ１を含めて第１の絶縁膜１４の上に形成される第２の絶縁膜１５と、第２の絶縁膜１
５の上に形成される第２の金属配線Ｍ２と、第２の金属配線Ｍ２を含めて第２の絶縁膜１
５の上に形成される第３の絶縁膜１６と、第３の絶縁膜１６の上に形成される第３の金属
配線Ｍ３と、第３の金属配線Ｍ３を含めて第３の絶縁膜１６の上に形成される第４の絶縁
膜１７と、第４の絶縁膜１７の上に形成される第４の金属配線Ｍ４と、第４の金属配線Ｍ
４を含めて第４の絶縁膜１６の上に形成される第５の絶縁膜１８と、第５の絶縁膜１８の
上に形成される赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）のカラーフィルター１９と、カラーフィ
ルター１９全体を覆う平坦化膜２０と、平坦化膜２０の上に形成されるマイクロレンズ２
１とを備えて構成されている。
イオード（ＰＤ）１２及び素子分離膜１１を備えた基板１０と、基板１０の上方に形成さ
れる第１の絶縁膜１４と、フォトダイオード１２及び第１の絶縁膜１４の間に介在する半
反射膜１３と、第１の絶縁膜１４の上に形成される第１の金属配線Ｍ１と、第１の金属配
線Ｍ１を含めて第１の絶縁膜１４の上に形成される第２の絶縁膜１５と、第２の絶縁膜１
５の上に形成される第２の金属配線Ｍ２と、第２の金属配線Ｍ２を含めて第２の絶縁膜１
５の上に形成される第３の絶縁膜１６と、第３の絶縁膜１６の上に形成される第３の金属
配線Ｍ３と、第３の金属配線Ｍ３を含めて第３の絶縁膜１６の上に形成される第４の絶縁
膜１７と、第４の絶縁膜１７の上に形成される第４の金属配線Ｍ４と、第４の金属配線Ｍ
４を含めて第４の絶縁膜１６の上に形成される第５の絶縁膜１８と、第５の絶縁膜１８の
上に形成される赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）のカラーフィルター１９と、カラーフィ
ルター１９全体を覆う平坦化膜２０と、平坦化膜２０の上に形成されるマイクロレンズ２
１とを備えて構成されている。
半反射膜１３の屈折率は、Ｓｉのフォトダイオード１２の屈折率とＳｉＯ２の第１の絶
縁膜１４の屈折率との間の値である。ここで、Ｓｉのフォトダイオード１２の屈折率は３
．４であり、ＳｉＯ２の第１の絶縁膜１４の屈折率は１．５である。即ち、本実施の形態
に係る半反射膜１３の屈折率は、１．５以上３．４以下の間の値である。
縁膜１４の屈折率との間の値である。ここで、Ｓｉのフォトダイオード１２の屈折率は３
．４であり、ＳｉＯ２の第１の絶縁膜１４の屈折率は１．５である。即ち、本実施の形態
に係る半反射膜１３の屈折率は、１．５以上３．４以下の間の値である。
半反射膜１３の材料には、（１）ダイヤモンド、ＳｉＣ及びＳｉＮｘからなる群の中の
いずれか一つの単一膜、（２）ＳｉＮｘ／ＳｉＯｘＮ１−ｘの二重膜（ここで、０＜ｘ＜
１）、または（３）ＳｉＣ／ＳｉＮｘ又はＳｉＣｘ／ＳｉＮｘＣ１−ｘ／ＳｉＯｘＮ１−
ｘのいずれか一方の構造の膜（図２参照）を用いることができる。
いずれか一つの単一膜、（２）ＳｉＮｘ／ＳｉＯｘＮ１−ｘの二重膜（ここで、０＜ｘ＜
１）、または（３）ＳｉＣ／ＳｉＮｘ又はＳｉＣｘ／ＳｉＮｘＣ１−ｘ／ＳｉＯｘＮ１−
ｘのいずれか一方の構造の膜（図２参照）を用いることができる。
半反射膜１３として単一膜を採用する場合（（１）に該当）には、次の（ａ）〜（ｃ）
とすることができる。
（ａ）ダイヤモンドの単一膜を用いる場合：ダイヤモンド膜は、２．５以上３．４以下の
屈折率及び５００Å以上５０００Å以下の厚さを有するように形成される。
（ｂ）ＳｉＣの単一膜を用いる場合：ＳｉＣ膜は、屈折率が２．５以上３．４以下になる
ように形成される。
（ｃ）ＳｉＮｘの単一膜を用いる場合：ＳｉＮｘ膜は、１．９以上２．４以下の屈折率及
び５００Å以上５０００Å以下の厚さを有するように形成される。
とすることができる。
（ａ）ダイヤモンドの単一膜を用いる場合：ダイヤモンド膜は、２．５以上３．４以下の
屈折率及び５００Å以上５０００Å以下の厚さを有するように形成される。
（ｂ）ＳｉＣの単一膜を用いる場合：ＳｉＣ膜は、屈折率が２．５以上３．４以下になる
ように形成される。
（ｃ）ＳｉＮｘの単一膜を用いる場合：ＳｉＮｘ膜は、１．９以上２．４以下の屈折率及
び５００Å以上５０００Å以下の厚さを有するように形成される。
半反射膜１３として二重膜を採用する場合（（２）に該当）には、ＳｉＯｘＮ１−ｘ膜
は、１．５以上２．１以下の屈折率及び５００Å以上５０００Å以下の厚さを有するよう
に形成される。
は、１．５以上２．１以下の屈折率及び５００Å以上５０００Å以下の厚さを有するよう
に形成される。
半反射膜１３として、ｘが一定である単一組成のＳｉＣ／ＳｉＮｘの膜、又はＳｉＣｘ
／ＳｉＮｘＣ１−ｘ／ＳｉＯｘＮ１−ｘの膜のいずれか一方の構造を採用する場合（（３
）に該当）には、ＳｉＣｘ／ＳｉＮｘＣ１−ｘ／ＳｉＯｘＮ１−ｘ膜は、１．５から３．
４まで連続に変化する屈折率を有し、且つ５００Å以上５０００Å以下の厚さを有するよ
うに形成される。
／ＳｉＮｘＣ１−ｘ／ＳｉＯｘＮ１−ｘの膜のいずれか一方の構造を採用する場合（（３
）に該当）には、ＳｉＣｘ／ＳｉＮｘＣ１−ｘ／ＳｉＯｘＮ１−ｘ膜は、１．５から３．
４まで連続に変化する屈折率を有し、且つ５００Å以上５０００Å以下の厚さを有するよ
うに形成される。
以下では、上記した構成のＣＭＯＳイメージセンサーの製造方法について述べる。
最初に、半導体基板１０の上に、素子間の電気的な絶縁のための素子分離膜１１を形成
する。ここで、素子分離膜１１はＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ Ｏｆ
Ｓｉｌｉｃｏｎ）法で形成してもよく、トレンチ構造を有していてもよい。
する。ここで、素子分離膜１１はＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ Ｏｆ
Ｓｉｌｉｃｏｎ）法で形成してもよく、トレンチ構造を有していてもよい。
続いて、素子分離膜１１を含めて基板１０の上に、ゲート電極（図示せず）を形成した
後、イオン注入を行ってＳｉのフォトダイオード１２を形成し、トランジスタのソース／
ドレイン及びセンスノードを形成するためのイオン注入（図示せず）を施す。
後、イオン注入を行ってＳｉのフォトダイオード１２を形成し、トランジスタのソース／
ドレイン及びセンスノードを形成するためのイオン注入（図示せず）を施す。
その次に、フォトダイオード１２及び素子分離膜（フィールド酸化膜）１１を含む構造
全体の上に、半反射膜１３及び第１の絶縁膜１４を順に形成する。
全体の上に、半反射膜１３及び第１の絶縁膜１４を順に形成する。
ここで、半反射膜１３としてダイヤモンドの単一膜を用いる場合（上記した（１）の場
合）、ダイヤモンド単一膜をプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ）法で形成する。また、半反射膜１３としてＳｉＣの単一膜を用いる場合、
ＳｉＣ単一膜をＣＶＤまたはＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＣＶＤ）法
で形成する。一方、半反射膜１３としてＳｉＮｘの単一膜を用いる場合（ｘ＝１）、Ｓｉ
Ｎｘ単一膜は、１．９以上２．４以下、望ましくは、下記の表２に示したように２．１の
屈折率を有する。
合）、ダイヤモンド単一膜をプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ）法で形成する。また、半反射膜１３としてＳｉＣの単一膜を用いる場合、
ＳｉＣ単一膜をＣＶＤまたはＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＣＶＤ）法
で形成する。一方、半反射膜１３としてＳｉＮｘの単一膜を用いる場合（ｘ＝１）、Ｓｉ
Ｎｘ単一膜は、１．９以上２．４以下、望ましくは、下記の表２に示したように２．１の
屈折率を有する。
ｉＯ２の構造である場合における反射率を示す（表２で、ｎは屈折率である）。
半反射膜１３としてＳｉＮｘ／ＳｉＯｘＮ１−ｘの二重膜を用いる場合（上記した（２
）の場合）、ＳｉＯｘＮ１−ｘ膜は、窒素ソース（ＮＨ３）及び酸素ソース（ＴＥＯＳま
たはＯ２）の比率を時間に応じて連続的に変化させつつ、ＣＶＤまたはＰＥＣＶＤ法によ
って形成され得る。即ち、ＳｉＯｘＮ１−ｘ膜は、ｘが一定の単一組成の膜、または０＜
ｘ＜１の範囲においてｘが連続に変化する組成の膜である。
）の場合）、ＳｉＯｘＮ１−ｘ膜は、窒素ソース（ＮＨ３）及び酸素ソース（ＴＥＯＳま
たはＯ２）の比率を時間に応じて連続的に変化させつつ、ＣＶＤまたはＰＥＣＶＤ法によ
って形成され得る。即ち、ＳｉＯｘＮ１−ｘ膜は、ｘが一定の単一組成の膜、または０＜
ｘ＜１の範囲においてｘが連続に変化する組成の膜である。
上記した（３）の場合、半反射膜１３としてＳｉＣ／ＳｉＮｘの単一組成膜、またはＳ
ｉＣｘ／ＳｉＮｘＣ１−ｘ／ＳｉＯｘＮ１−ｘ膜を用いるが、このうちでＳｉＣ／ＳｉＮ
（ｘ＝１の場合）の単一組成膜を用いる場合、下記の表３に示したように、ＳｉＣの屈折
率が２．４、ＳｉＮの屈折率が２．１である。
ｉＣｘ／ＳｉＮｘＣ１−ｘ／ＳｉＯｘＮ１−ｘ膜を用いるが、このうちでＳｉＣ／ＳｉＮ
（ｘ＝１の場合）の単一組成膜を用いる場合、下記の表３に示したように、ＳｉＣの屈折
率が２．４、ＳｉＮの屈折率が２．１である。
２構造である場合、即ち、フォトダイオードがＳｉ、半反射膜がＳｉＣ／ＳｉＮ、第１の
絶縁膜がＳｉＯ２である場合における反射率を示している（表３で、ｎは屈折率である）
。
一方、半反射膜にＳｉＣｘ／ＳｉＮｘＣ１−ｘ／ＳｉＯｘＮ１−ｘ膜を用いる場合（図
２参照）、ＳｉＯｘＮ１−ｘ膜は、ＳｉＣ→ＳｉＮ→ＳｉＯｘのように、組成が連続して
変化するように反応ガスの量を調節しながら、ＣＶＤまたはＰＥＣＶＤ法を用いて形成さ
れる。
２参照）、ＳｉＯｘＮ１−ｘ膜は、ＳｉＣ→ＳｉＮ→ＳｉＯｘのように、組成が連続して
変化するように反応ガスの量を調節しながら、ＣＶＤまたはＰＥＣＶＤ法を用いて形成さ
れる。
以上によって半反射膜１３及び第１の絶縁膜１４を形成した後、第１の絶縁膜１４の上
に、単位画素を構成する第１〜第４の金属配線Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４を形成する。こ
こで、第１〜第４の金属配線Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４は、フォトダイオード１２への入
射光を遮蔽しないような位置に配設される。一方、各層の単位画素構成用の第１〜第４金
属配線Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４の間には、電気的な絶縁のための第２〜第５の絶縁膜１
５、１６、１７及び１８の各々を形成する。
に、単位画素を構成する第１〜第４の金属配線Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４を形成する。こ
こで、第１〜第４の金属配線Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４は、フォトダイオード１２への入
射光を遮蔽しないような位置に配設される。一方、各層の単位画素構成用の第１〜第４金
属配線Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３及びＭ４の間には、電気的な絶縁のための第２〜第５の絶縁膜１
５、１６、１７及び１８の各々を形成する。
続いて、第５の絶縁膜１８の上に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）のカラーフィルター
１９の各々を形成し、各々のカラーフィルター１９を覆うように平坦化膜２０を形成する
。その後、平坦化膜２０の上にマイクロレンズ２１を形成する。以上によって、本発明の
実施の形態に係るＣＭＯＳイメージセンサーが製造される。
１９の各々を形成し、各々のカラーフィルター１９を覆うように平坦化膜２０を形成する
。その後、平坦化膜２０の上にマイクロレンズ２１を形成する。以上によって、本発明の
実施の形態に係るＣＭＯＳイメージセンサーが製造される。
１０ 基板
１１ 素子分離膜
１２ フォトダイオード
１３ 半反射膜
１４ 第１の絶縁膜
１５ 第２の絶縁膜
１６ 第３の絶縁膜
１７ 第４の絶縁膜
１８ 第５の絶縁膜
１９ カラーフィルター
２０ 平坦化膜
２１ マイクロレンズ
Ｍ１ 第１の金属配線
Ｍ２ 第２の金属配線
Ｍ３ 第３の金属配線
Ｍ４ 第４の金属配線
１１ 素子分離膜
１２ フォトダイオード
１３ 半反射膜
１４ 第１の絶縁膜
１５ 第２の絶縁膜
１６ 第３の絶縁膜
１７ 第４の絶縁膜
１８ 第５の絶縁膜
１９ カラーフィルター
２０ 平坦化膜
２１ マイクロレンズ
Ｍ１ 第１の金属配線
Ｍ２ 第２の金属配線
Ｍ３ 第３の金属配線
Ｍ４ 第４の金属配線
Claims (4)
- Ｓｉフォトダイオードを含む基板と、
前記基板上に形成されたＳｉＯ２絶縁膜と、
前記Ｓｉフォトダイオードと前記ＳｉＯ２絶縁膜との間に介装され、前記Ｓｉフォトダイオードの屈折率と前記ＳｉＯ２絶縁膜の屈折率の間を変化する勾配の屈折率の値を有している反射防止膜と、
個々の単位画素を構成している金属配線と、カラーフィルタと、マイクロレンズと
を備え、
前記反射防止膜が、単一組成のＳｉＣ／ＳｉＮ ｘ および０＜ｘ＜１の範囲内を連続的に変化する組成を有するＳｉＣ ｘ ／ＳｉＮ ｘ Ｃ １−ｘ ／ＳｉＯ ｘ Ｎ １−ｘ で構成されるグループから選択される任意の１つの構造を有するＣＭＯＳイメージセンサー。 - 前記ＳｉＣｘ／ＳｉＮｘＣ１−ｘ／ＳｉＯｘＮ１−ｘ膜が、約１．５〜約３．４の間を連続的に変化する勾配の屈折率の値および約５００Å〜約５０００Åの厚さを有する請求項１に記載のＣＭＯＳイメージセンサー。
- イメージセンサーを形成する方法であって、
基板にＳｉフォトダイオードを形成するステップと、
前記Ｓｉフォトダイオード上に、前記Ｓｉフォトダイオードの屈折率とＳｉＯ２絶縁膜の屈折率との間を変化する勾配の屈折率を有する反射防止膜を形成するステップと、
前記反射防止膜上に前記ＳｉＯ２絶縁膜を形成するステップと
を含み、
前記反射防止膜を形成するステップが、単一組成のＳｉＣ／ＳｉＮ ｘ および０＜ｘ＜１の範囲内を連続的に変化する組成を有するＳｉＣ ｘ ／ＳｉＮ ｘ Ｃ １−ｘ ／ＳｉＯ ｘ Ｎ １−ｘ で構成されるグループから選択される構造を形成するステップを含む方法。 - 前記ＳｉＣｘ／ＳｉＮｘＣ１−ｘ／ＳｉＯｘＮ１−ｘ膜を形成するステップが、約１．５〜約３．４の間を連続的に変化する勾配の屈折率および約５００Å〜約５０００Åの厚さを有するＳｉＣｘ／ＳｉＮｘＣ１−ｘ／ＳｉＯｘＮ１−ｘ膜を形成するステップを含む請求項３に記載の方法。
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