JPH10209433A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JPH10209433A JPH10209433A JP9012666A JP1266697A JPH10209433A JP H10209433 A JPH10209433 A JP H10209433A JP 9012666 A JP9012666 A JP 9012666A JP 1266697 A JP1266697 A JP 1266697A JP H10209433 A JPH10209433 A JP H10209433A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、電荷転送路への光の入射を防ぐため
の遮光層にＡｌ積層膜を用いてなるＣＣＤイメージセン
サにおいて、遮光効果の低下を改善できるようにするこ
とを最も主要な特徴とする。 【解決手段】たとえば、層間電気絶縁層１６の上部に、
ＴｉＮ膜からなる下部側の反射防止膜１７ａを形成し、
その上に、下層Ａｌ膜１７ｂ-1および上層Ａｌ膜１７ｂ
-2からなる積層膜１７ｂを形成する。そして、その上
に、Ｔｉ−Ａｌ層１７ｃを介して、上部側の反射防止膜
１７ｄとなるＴｉ膜１７ｄ-1とＴｉＮ膜１７ｄ-2とを形
成する。こうして、上層Ａｌ膜１７ｂ-2との界面にＴｉ
膜１７ｄ-1との間の合金化反応によるＴｉ−Ａｌ層１７
ｃを設けることで、上層Ａｌ膜１７ｂ-2とＴｉＮ膜１７
ｄ-2との密着力を向上させ、パッシベーション層１８の
応力に起因するＡｌ原子の消失（結晶粒界の分断）を防
止する構成となっている。
の遮光層にＡｌ積層膜を用いてなるＣＣＤイメージセン
サにおいて、遮光効果の低下を改善できるようにするこ
とを最も主要な特徴とする。 【解決手段】たとえば、層間電気絶縁層１６の上部に、
ＴｉＮ膜からなる下部側の反射防止膜１７ａを形成し、
その上に、下層Ａｌ膜１７ｂ-1および上層Ａｌ膜１７ｂ
-2からなる積層膜１７ｂを形成する。そして、その上
に、Ｔｉ−Ａｌ層１７ｃを介して、上部側の反射防止膜
１７ｄとなるＴｉ膜１７ｄ-1とＴｉＮ膜１７ｄ-2とを形
成する。こうして、上層Ａｌ膜１７ｂ-2との界面にＴｉ
膜１７ｄ-1との間の合金化反応によるＴｉ−Ａｌ層１７
ｃを設けることで、上層Ａｌ膜１７ｂ-2とＴｉＮ膜１７
ｄ-2との密着力を向上させ、パッシベーション層１８の
応力に起因するＡｌ原子の消失（結晶粒界の分断）を防
止する構成となっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、固体撮像素子に
関するもので、特に、受光部を除く、電荷転送路への光
の入射を防ぐための遮光層にＡｌ積層膜を用いてなるＣ
ＣＤ（Charge Coupled Device ）イメージセンサに用い
られるものである。
関するもので、特に、受光部を除く、電荷転送路への光
の入射を防ぐための遮光層にＡｌ積層膜を用いてなるＣ
ＣＤ（Charge Coupled Device ）イメージセンサに用い
られるものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、たとえば携帯型のＴＶカメラにお
いては、固体撮像素子としてＣＣＤイメージセンサが広
く用いられている。図５は、従来のＣＣＤイメージセン
サにおける撮像部の概略構成を示すものである。
いては、固体撮像素子としてＣＣＤイメージセンサが広
く用いられている。図５は、従来のＣＣＤイメージセン
サにおける撮像部の概略構成を示すものである。
【０００３】たとえば、Ｐ型Ｓｉ（シリコン）で構成さ
れる半導体基板１０１の表面部に、受光部となるフォト
ダイオード１０２を形成するＰ+ 層１０２ａとＮ- 層１
０２ｂとが設けられてなるとともに、転送部としての垂
直電荷転送路１０３を形成するＮ+ 層１０３ａが設けら
れている。
れる半導体基板１０１の表面部に、受光部となるフォト
ダイオード１０２を形成するＰ+ 層１０２ａとＮ- 層１
０２ｂとが設けられてなるとともに、転送部としての垂
直電荷転送路１０３を形成するＮ+ 層１０３ａが設けら
れている。
【０００４】そして、それらの上面にゲート酸化膜１０
４が設けられ、さらに、このゲート酸化膜１０４上にお
ける、上記垂直電荷転送路１０３に対応する位置に転送
ゲート電極用のポリＳｉ層１０５ａ，１０５ｂが設けら
れている。ポリＳｉ層１０５ａ，１０５ｂの上部には、
透光性を有する層間電気絶縁層１０６が形成されてい
る。
４が設けられ、さらに、このゲート酸化膜１０４上にお
ける、上記垂直電荷転送路１０３に対応する位置に転送
ゲート電極用のポリＳｉ層１０５ａ，１０５ｂが設けら
れている。ポリＳｉ層１０５ａ，１０５ｂの上部には、
透光性を有する層間電気絶縁層１０６が形成されてい
る。
【０００５】また、層間電気絶縁層１０６の上部におけ
る、上記垂直電荷転送路１０３に対応する位置には遮光
層１０７がそれぞれ設けられている。そして、各遮光層
１０７および上記層間電気絶縁層１０６の上部がパッシ
ベーション層１０８によって共通に覆われてなる構成と
されている。
る、上記垂直電荷転送路１０３に対応する位置には遮光
層１０７がそれぞれ設けられている。そして、各遮光層
１０７および上記層間電気絶縁層１０６の上部がパッシ
ベーション層１０８によって共通に覆われてなる構成と
されている。
【０００６】さて、このような構成のＣＣＤイメージセ
ンサにおいて用いられる上記遮光層１０７としては、た
とえば図６に示すように、光反射率の良いＡｌ（アルミ
ニウム）系の材料により形成される積層膜１０７ａ-1，
１０７ａ-2の上下に、ＴｉＮ（チタンナイトライド）膜
からなる反射防止膜１０７ｂ-1，１０７ｂ-2をそれぞれ
形成してなる構造のものが知られている。
ンサにおいて用いられる上記遮光層１０７としては、た
とえば図６に示すように、光反射率の良いＡｌ（アルミ
ニウム）系の材料により形成される積層膜１０７ａ-1，
１０７ａ-2の上下に、ＴｉＮ（チタンナイトライド）膜
からなる反射防止膜１０７ｂ-1，１０７ｂ-2をそれぞれ
形成してなる構造のものが知られている。
【０００７】この場合、上記反射防止膜１０７ｂ-1によ
って、積層膜１０７ａ-1と層間電気絶縁層１０６下の上
記半導体基板１０１の表面との多重反射による受光部へ
の光の入射を防ぐとともに、上記反射防止膜１０７ｂ-2
によって、積層膜１０７ａ-2とアッセンブリ後のガラス
板（図示していない）との多重反射による光ノイズを防
止するようになっている。
って、積層膜１０７ａ-1と層間電気絶縁層１０６下の上
記半導体基板１０１の表面との多重反射による受光部へ
の光の入射を防ぐとともに、上記反射防止膜１０７ｂ-2
によって、積層膜１０７ａ-2とアッセンブリ後のガラス
板（図示していない）との多重反射による光ノイズを防
止するようになっている。
【０００８】しかしながら、上記した構造の遮光層１０
７の場合、たとえば、その上部にパッシベーション層１
０８をデポする際の、パッシベーション層１０８の強い
応力（Compressive ）により、上部側の反射防止膜１０
７ｂ-2に接する積層膜１０７ａ-2中の、Ａｌ原子（結晶
粒）の結晶粒界が分断して部分的に消失する（図示斜線
部１０７ａ´）という問題があった。
７の場合、たとえば、その上部にパッシベーション層１
０８をデポする際の、パッシベーション層１０８の強い
応力（Compressive ）により、上部側の反射防止膜１０
７ｂ-2に接する積層膜１０７ａ-2中の、Ａｌ原子（結晶
粒）の結晶粒界が分断して部分的に消失する（図示斜線
部１０７ａ´）という問題があった。
【０００９】このような問題は撮像部のみでなく、たと
えば図７に示すように、上記層間電気絶縁層１０６を介
して電荷を出力するためのＡｌ配線１０９が設けられ、
さらに、そのＡｌ配線１０９の上部に上記した構造の遮
光層１０７が形成されてなる、ＣＣＤイメージセンサの
配線部においても同様の問題があった。
えば図７に示すように、上記層間電気絶縁層１０６を介
して電荷を出力するためのＡｌ配線１０９が設けられ、
さらに、そのＡｌ配線１０９の上部に上記した構造の遮
光層１０７が形成されてなる、ＣＣＤイメージセンサの
配線部においても同様の問題があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
においては、パッシベーション層の応力によってＡｌ積
層膜中の結晶粒界が分断してＡｌの結晶粒が消失するこ
とにより、撮像部での光漏れを招いたり、配線部での電
流密度の上昇によるエレクトロマイグレーションを発生
させる要因となるなどの欠点があった。そこで、この発
明は、遮光効果の低下を防ぎ、転送部への光の入射を十
分に遮光することが可能な固体撮像素子を提供すること
を目的としている。
においては、パッシベーション層の応力によってＡｌ積
層膜中の結晶粒界が分断してＡｌの結晶粒が消失するこ
とにより、撮像部での光漏れを招いたり、配線部での電
流密度の上昇によるエレクトロマイグレーションを発生
させる要因となるなどの欠点があった。そこで、この発
明は、遮光効果の低下を防ぎ、転送部への光の入射を十
分に遮光することが可能な固体撮像素子を提供すること
を目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の固体撮像素子にあっては、光信号を受
光する受光部と、この受光部で受光した光信号に対応す
る電荷を転送する転送部と、これら受光部および転送部
の上面を覆うようにして設けられたパッシベーション膜
と、少なくとも、前記転送部へ入射する光信号を遮光す
るために、前記パッシベーション膜の下に選択的に設け
られた、Ａｌ／Ｔｉ−Ａｌ／Ｔｉ／ＴｉＮ膜構造を有す
る遮光層とから構成されている。
めに、この発明の固体撮像素子にあっては、光信号を受
光する受光部と、この受光部で受光した光信号に対応す
る電荷を転送する転送部と、これら受光部および転送部
の上面を覆うようにして設けられたパッシベーション膜
と、少なくとも、前記転送部へ入射する光信号を遮光す
るために、前記パッシベーション膜の下に選択的に設け
られた、Ａｌ／Ｔｉ−Ａｌ／Ｔｉ／ＴｉＮ膜構造を有す
る遮光層とから構成されている。
【００１２】この発明の固体撮像素子によれば、遮光層
におけるＡｌ膜とＴｉＮ膜との密着力を向上できるよう
になる。これにより、パッシベーション膜の応力に起因
するＡｌ原子の消失（結晶粒界の分断）を防止すること
が可能となるものである。
におけるＡｌ膜とＴｉＮ膜との密着力を向上できるよう
になる。これにより、パッシベーション膜の応力に起因
するＡｌ原子の消失（結晶粒界の分断）を防止すること
が可能となるものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施の
第一の形態にかかる、ＣＣＤイメージセンサの要部を概
略的に示すものである。
いて図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施の
第一の形態にかかる、ＣＣＤイメージセンサの要部を概
略的に示すものである。
【００１４】本ＣＣＤイメージセンサ１１は、たとえ
ば、入力画像データを二次元的に読み取る撮像部２１
と、この撮像部２１を囲むようにして設けられ、上記撮
像部２１で読み取った二次元の画像データを外部の画像
処理装置（図示していない）に出力するための配線部３
１とからなっている。
ば、入力画像データを二次元的に読み取る撮像部２１
と、この撮像部２１を囲むようにして設けられ、上記撮
像部２１で読み取った二次元の画像データを外部の画像
処理装置（図示していない）に出力するための配線部３
１とからなっている。
【００１５】撮像部２１は、その受光面にマトリックス
状に多数の受光部２２が配列され、マトリックスの各列
ごとに垂直電荷転送部２３が設けられている。そして、
各垂直電荷転送部２３の一端には１本の水平電荷転送部
２４が接続されている。さらに、この水平電荷転送部２
４の一方端には出力部２５が形成されている。
状に多数の受光部２２が配列され、マトリックスの各列
ごとに垂直電荷転送部２３が設けられている。そして、
各垂直電荷転送部２３の一端には１本の水平電荷転送部
２４が接続されている。さらに、この水平電荷転送部２
４の一方端には出力部２５が形成されている。
【００１６】さて、マトリックス状に配列された各受光
部２２により同一タイミングで受光した画像データ（光
信号）に対応する電荷は、右隣の垂直電荷転送部２３へ
転送される。そして、各垂直電荷転送部２３に送られた
電荷は外部クロックに同期して、順次、水平電荷転送部
２４へ繰出される。水平電荷転送部２４へ繰出された横
１列分の電荷は、出力部２５を経て上記配線部３１へ導
出された後、シリアル信号として外部に出力される。
部２２により同一タイミングで受光した画像データ（光
信号）に対応する電荷は、右隣の垂直電荷転送部２３へ
転送される。そして、各垂直電荷転送部２３に送られた
電荷は外部クロックに同期して、順次、水平電荷転送部
２４へ繰出される。水平電荷転送部２４へ繰出された横
１列分の電荷は、出力部２５を経て上記配線部３１へ導
出された後、シリアル信号として外部に出力される。
【００１７】図２は、上記ＣＣＤイメージセンサにおけ
る撮像部２１の断面構造を概略的に示すものである。な
お、同図（ａ）は図１のＡ線に沿う断面図であり、同図
（ｂ）は遮光層の膜構造を示す拡大図である。
る撮像部２１の断面構造を概略的に示すものである。な
お、同図（ａ）は図１のＡ線に沿う断面図であり、同図
（ｂ）は遮光層の膜構造を示す拡大図である。
【００１８】たとえば、Ｐ型Ｓｉで構成される半導体基
板１２の表面部には、受光部２２となるフォトダイオー
ドを形成するＰ+ 層とＮ- 層とが設けられてなるととも
に、垂直電荷転送部２３としての垂直電荷転送路を形成
するＮ+ 層が設けられている（いずれも図示していな
い）。
板１２の表面部には、受光部２２となるフォトダイオー
ドを形成するＰ+ 層とＮ- 層とが設けられてなるととも
に、垂直電荷転送部２３としての垂直電荷転送路を形成
するＮ+ 層が設けられている（いずれも図示していな
い）。
【００１９】そして、それらの上面にゲート酸化膜１３
が設けられ、さらに、このゲート酸化膜１３上の、上記
垂直電荷転送部２３に対応する位置に転送ゲート電極用
のポリＳｉ層１４ａ，１４ｂが設けられている。各ポリ
Ｓｉ層１４ａ，１４ｂの相互および上部には、ＵＤＯ
（Un Doped Oxide）層１５が形成されている。
が設けられ、さらに、このゲート酸化膜１３上の、上記
垂直電荷転送部２３に対応する位置に転送ゲート電極用
のポリＳｉ層１４ａ，１４ｂが設けられている。各ポリ
Ｓｉ層１４ａ，１４ｂの相互および上部には、ＵＤＯ
（Un Doped Oxide）層１５が形成されている。
【００２０】また、これらポリＳｉ層１４ａ，１４ｂな
どが形成された、上記半導体基板１２の全面に、透光性
を有する層間電気絶縁層１６が形成されている。さら
に、層間電気絶縁層１６の上部における、上記垂直電荷
転送部２３に対応する位置には遮光層１７がそれぞれ設
けられている。そして、各遮光層１７および上記層間電
気絶縁層１６の上部がパッシベーション層１８によって
共通に覆われてなる構成とされている。
どが形成された、上記半導体基板１２の全面に、透光性
を有する層間電気絶縁層１６が形成されている。さら
に、層間電気絶縁層１６の上部における、上記垂直電荷
転送部２３に対応する位置には遮光層１７がそれぞれ設
けられている。そして、各遮光層１７および上記層間電
気絶縁層１６の上部がパッシベーション層１８によって
共通に覆われてなる構成とされている。
【００２１】上記遮光層１７は、たとえば同図（ｂ）に
示すように、ＴｉＮ／Ａｌ／（Ｔｉ−Ａｌ）／Ｔｉ／Ｔ
ｉＮの膜構造を有して形成されている。すなわち、上記
層間電気絶縁層１６の上部に、ＴｉＮ膜からなる下部側
の反射防止膜１７ａが形成され、その上に、Ａｌの積層
膜１７ｂである下層Ａｌ膜１７ｂ-1および上層Ａｌ膜１
７ｂ-2が形成されている。
示すように、ＴｉＮ／Ａｌ／（Ｔｉ−Ａｌ）／Ｔｉ／Ｔ
ｉＮの膜構造を有して形成されている。すなわち、上記
層間電気絶縁層１６の上部に、ＴｉＮ膜からなる下部側
の反射防止膜１７ａが形成され、その上に、Ａｌの積層
膜１７ｂである下層Ａｌ膜１７ｂ-1および上層Ａｌ膜１
７ｂ-2が形成されている。
【００２２】そして、上記積層膜１７ｂ上に、Ｔｉ−Ａ
ｌ層１７ｃを介して、上部側の反射防止膜１７ｄとな
る、Ｔｉ（チタン）膜１７ｄ-1とＴｉＮ膜１７ｄ-2とが
それぞれ形成されている。
ｌ層１７ｃを介して、上部側の反射防止膜１７ｄとな
る、Ｔｉ（チタン）膜１７ｄ-1とＴｉＮ膜１７ｄ-2とが
それぞれ形成されている。
【００２３】上記Ｔｉ−Ａｌ層１７ｃは、積層膜１７ｂ
の上に反射防止膜１７ｄを形成する際の、上層Ａｌ膜１
７ｂ-2とＴｉ膜１７ｄ-1との間での合金化反応により、
上層Ａｌ膜１７ｂ-2との界面に形成されるようになって
いる。これにより、上層Ａｌ膜１７ｂ-2とＴｉＮ膜１７
ｄ-2との密着力を向上できるようになるため、パッシベ
ーション層１８のデポ時に、パッシベーション層１８の
応力に起因するＡｌ原子の消失（結晶粒界の分断）を防
止することが可能となる。したがって、撮像部２１での
光漏れを防ぐことができるなど、遮光層１７として十分
な効果が期待できる。
の上に反射防止膜１７ｄを形成する際の、上層Ａｌ膜１
７ｂ-2とＴｉ膜１７ｄ-1との間での合金化反応により、
上層Ａｌ膜１７ｂ-2との界面に形成されるようになって
いる。これにより、上層Ａｌ膜１７ｂ-2とＴｉＮ膜１７
ｄ-2との密着力を向上できるようになるため、パッシベ
ーション層１８のデポ時に、パッシベーション層１８の
応力に起因するＡｌ原子の消失（結晶粒界の分断）を防
止することが可能となる。したがって、撮像部２１での
光漏れを防ぐことができるなど、遮光層１７として十分
な効果が期待できる。
【００２４】図３は、上記ＣＣＤイメージセンサの配線
部３１における、遮光層１７の膜構造を拡大して示すも
のである。配線部３１においては、上記層間電気絶縁層
１６の上部にＡｌからなる配線パターン（Ａｌ配線）３
２が形成された後、その上に、上記撮像部２１における
遮光層１７と同様の、ＴｉＮ／Ａｌ／（Ｔｉ−Ａｌ）／
Ｔｉ／ＴｉＮの膜構造を有する遮光層１７が形成されて
なる構成とされている。
部３１における、遮光層１７の膜構造を拡大して示すも
のである。配線部３１においては、上記層間電気絶縁層
１６の上部にＡｌからなる配線パターン（Ａｌ配線）３
２が形成された後、その上に、上記撮像部２１における
遮光層１７と同様の、ＴｉＮ／Ａｌ／（Ｔｉ−Ａｌ）／
Ｔｉ／ＴｉＮの膜構造を有する遮光層１７が形成されて
なる構成とされている。
【００２５】すなわち、Ａｌ配線３２の上部にＴｉＮ膜
からなる下部側の反射防止膜１７ａが形成され、その上
に、Ａｌの積層膜１７ｂである下層Ａｌ膜１７ｂ-1およ
び上層Ａｌ膜１７ｂ-2が形成されている。
からなる下部側の反射防止膜１７ａが形成され、その上
に、Ａｌの積層膜１７ｂである下層Ａｌ膜１７ｂ-1およ
び上層Ａｌ膜１７ｂ-2が形成されている。
【００２６】そして、上記積層膜１７ｂ上に、Ｔｉ−Ａ
ｌ層１７ｃを介して、上部側の反射防止膜１７ｄとな
る、Ｔｉ膜１７ｄ-1とＴｉＮ膜１７ｄ-2とがそれぞれ形
成されている。
ｌ層１７ｃを介して、上部側の反射防止膜１７ｄとな
る、Ｔｉ膜１７ｄ-1とＴｉＮ膜１７ｄ-2とがそれぞれ形
成されている。
【００２７】この配線部３１における遮光層１７によっ
ても、積層膜１７ｂの上部への反射防止膜１７ｄの形成
により合金化反応が生じ、上層Ａｌ膜１７ｂ-2との間に
Ｔｉ−Ａｌ層１７ｃが形成される。このため、上層Ａｌ
膜１７ｂ-2とＴｉＮ膜１７ｄ-2との密着力を向上できる
ようになり、パッシベーション層１８の応力に起因する
Ａｌ原子の消失を防止することが可能となる結果、配線
部３１での電流密度の上昇によるエレクトロマイグレー
ションの発生を防ぐことができるなど、十分な効果が期
待できる。
ても、積層膜１７ｂの上部への反射防止膜１７ｄの形成
により合金化反応が生じ、上層Ａｌ膜１７ｂ-2との間に
Ｔｉ−Ａｌ層１７ｃが形成される。このため、上層Ａｌ
膜１７ｂ-2とＴｉＮ膜１７ｄ-2との密着力を向上できる
ようになり、パッシベーション層１８の応力に起因する
Ａｌ原子の消失を防止することが可能となる結果、配線
部３１での電流密度の上昇によるエレクトロマイグレー
ションの発生を防ぐことができるなど、十分な効果が期
待できる。
【００２８】なお、遮光層１７を形成する場合において
は、たとえば、上記撮像部２１および上記配線部３１に
対して、同一工程により同時に形成することが可能とな
っている。
は、たとえば、上記撮像部２１および上記配線部３１に
対して、同一工程により同時に形成することが可能とな
っている。
【００２９】上記したように、受光部を除く、それ以外
の部位への光の入射を遮るための遮光層を、ＴｉＮ／Ａ
ｌ／（Ｔｉ−Ａｌ）／Ｔｉ／ＴｉＮの膜構造を有して形
成するようにしている。
の部位への光の入射を遮るための遮光層を、ＴｉＮ／Ａ
ｌ／（Ｔｉ−Ａｌ）／Ｔｉ／ＴｉＮの膜構造を有して形
成するようにしている。
【００３０】すなわち、遮光層におけるＡｌ積層膜上に
Ｔｉ膜とＴｉＮ膜とからなるバリアメタルを形成するこ
とにより、上層Ａｌ膜との間にＴｉ−Ａｌ膜を設けるよ
うにしている。これにより、上層Ａｌ膜とＴｉＮ膜との
密着力を向上できるようになるため、パッシベーション
層の応力に起因するＡｌ原子の消失を防止することが可
能となる。したがって、撮像部での光漏れや配線部での
エレクトロマイグレーションの発生を防ぐことができる
など、遮光層として十分な効果が期待できるものであ
る。
Ｔｉ膜とＴｉＮ膜とからなるバリアメタルを形成するこ
とにより、上層Ａｌ膜との間にＴｉ−Ａｌ膜を設けるよ
うにしている。これにより、上層Ａｌ膜とＴｉＮ膜との
密着力を向上できるようになるため、パッシベーション
層の応力に起因するＡｌ原子の消失を防止することが可
能となる。したがって、撮像部での光漏れや配線部での
エレクトロマイグレーションの発生を防ぐことができる
など、遮光層として十分な効果が期待できるものであ
る。
【００３１】なお、上記した本発明の実施の第一の形態
においては、Ａｌ配線３２上に遮光層１７における下部
側の反射防止膜１７ａを配設するようにした構成の配線
部３１を備えるＣＣＤイメージセンサに適用した場合を
例に説明したが、これに限らず、たとえば図４に示すよ
うに、バリアメタル１７ａ´としても機能する、下部側
の反射防止膜となるＴｉ膜１７ａ-1とＴｉＮ膜１７ａ-2
とをＡｌ配線３２の下に配設するようにした構成の配線
部３１を備えるＣＣＤイメージセンサにも同様に適用す
ることが可能である。
においては、Ａｌ配線３２上に遮光層１７における下部
側の反射防止膜１７ａを配設するようにした構成の配線
部３１を備えるＣＣＤイメージセンサに適用した場合を
例に説明したが、これに限らず、たとえば図４に示すよ
うに、バリアメタル１７ａ´としても機能する、下部側
の反射防止膜となるＴｉ膜１７ａ-1とＴｉＮ膜１７ａ-2
とをＡｌ配線３２の下に配設するようにした構成の配線
部３１を備えるＣＣＤイメージセンサにも同様に適用す
ることが可能である。
【００３２】因みに、同図（ａ）は、ＣＣＤイメージセ
ンサの撮像部２１における遮光層１７の膜構造を拡大し
て示す図であり、同図（ｂ）は、同じく配線部３１にお
ける遮光層１７の膜構造を拡大して示す図である。
ンサの撮像部２１における遮光層１７の膜構造を拡大し
て示す図であり、同図（ｂ）は、同じく配線部３１にお
ける遮光層１７の膜構造を拡大して示す図である。
【００３３】このような構成のＣＣＤイメージセンサの
場合、層間電気絶縁層１６の上部にバリアメタル１７ａ
´となる、Ｔｉ膜１７ａ-1とＴｉＮ膜１７ａ-2とをそれ
ぞれ形成した後、全面に、Ａｌ配線３２となる配線パタ
ーンをデポする。
場合、層間電気絶縁層１６の上部にバリアメタル１７ａ
´となる、Ｔｉ膜１７ａ-1とＴｉＮ膜１７ａ-2とをそれ
ぞれ形成した後、全面に、Ａｌ配線３２となる配線パタ
ーンをデポする。
【００３４】そして、撮像部２１における配線パターン
をウェットエッチングなどにより除去し、配線部３１に
のみ配線パターンを残してＡｌ配線３２を形成する。こ
の後、同一工程により、Ａｌの積層膜１７ｂである、下
層Ａｌ膜１７ｂ-1および上層Ａｌ膜１７ｂ-2の形成、さ
らに、上部側の反射防止膜１７ｄとなる、Ｔｉ膜１７ｄ
-1およびＴｉＮ膜１７ｄ-2の形成など、上記ＴｉＮ膜１
７ａ-2の形成以降は上記撮像部２１および上記配線部３
１に対して遮光層１７を同時に形成することが可能であ
る。
をウェットエッチングなどにより除去し、配線部３１に
のみ配線パターンを残してＡｌ配線３２を形成する。こ
の後、同一工程により、Ａｌの積層膜１７ｂである、下
層Ａｌ膜１７ｂ-1および上層Ａｌ膜１７ｂ-2の形成、さ
らに、上部側の反射防止膜１７ｄとなる、Ｔｉ膜１７ｄ
-1およびＴｉＮ膜１７ｄ-2の形成など、上記ＴｉＮ膜１
７ａ-2の形成以降は上記撮像部２１および上記配線部３
１に対して遮光層１７を同時に形成することが可能であ
る。
【００３５】また、いずれの形態においても、Ａｌの積
層膜１７ｂに限らず、たとえば三層以上の積層膜構造を
有するもの、もしくは、単層の膜構造からなるものにも
同様に適用可能である。その他、この発明の要旨を変え
ない範囲において、種々変形実施可能なことは勿論であ
る。
層膜１７ｂに限らず、たとえば三層以上の積層膜構造を
有するもの、もしくは、単層の膜構造からなるものにも
同様に適用可能である。その他、この発明の要旨を変え
ない範囲において、種々変形実施可能なことは勿論であ
る。
【００３６】
【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、遮光効果の低下を防ぎ、転送部への光の入射を十分
に遮光することが可能な固体撮像素子を提供できる。
ば、遮光効果の低下を防ぎ、転送部への光の入射を十分
に遮光することが可能な固体撮像素子を提供できる。
【図１】この発明の実施の第一の形態にかかる、ＣＣＤ
イメージセンサの構成を示す概略平面図。
イメージセンサの構成を示す概略平面図。
【図２】同じく、ＣＣＤイメージセンサにおける撮像部
の構造を示す要部の断面図。
の構造を示す要部の断面図。
【図３】同じく、ＣＣＤイメージセンサの配線部におけ
る遮光層の膜構造を拡大して示す概略図。
る遮光層の膜構造を拡大して示す概略図。
【図４】この発明の実施の他の形態にかかる、ＣＣＤイ
メージセンサにおける遮光層の膜構造を拡大して示す概
略図。
メージセンサにおける遮光層の膜構造を拡大して示す概
略図。
【図５】従来技術とその問題点を説明するために示す、
ＣＣＤイメージセンサの要部の断面図。
ＣＣＤイメージセンサの要部の断面図。
【図６】同じく、ＣＣＤイメージセンサの撮像部におけ
る遮光層の膜構造を拡大して示す概略図。
る遮光層の膜構造を拡大して示す概略図。
【図７】同じく、ＣＣＤイメージセンサの配線部におけ
る遮光層の膜構造を拡大して示す概略図。
る遮光層の膜構造を拡大して示す概略図。
１１…ＣＣＤイメージセンサ １２…半導体基板 １３…ゲート酸化膜 １４ａ，１４ｂ…転送ゲート電極用ポリＳｉ層 １５…ＵＤＯ層 １６…層間電気絶縁層 １７…遮光層 １７ａ…反射防止膜（下部側） １７ａ´…バリアメタル １７ａ-1…Ｔｉ膜 １７ａ-2…ＴｉＮ膜 １７ｂ…積層膜 １７ｂ-1…下層Ａｌ膜 １７ｂ-2…上層Ａｌ膜 １７ｃ…Ｔｉ−Ａｌ層 １７ｄ…反射防止膜（上部側） １７ｄ-1…Ｔｉ膜 １７ｄ-2…ＴｉＮ膜 １８…パッシベーション層 ２１…撮像部 ２２…受光部 ２３…垂直電荷転送部 ２４…水平電荷転送部 ２５…出力部 ３１…配線部 ３２…Ａｌ配線
Claims (4)
- 【請求項１】 光信号を受光する受光部と、 この受光部で受光した光信号に対応する電荷を転送する
転送部と、 これら受光部および転送部の上面を覆うようにして設け
られたパッシベーション膜と、 少なくとも、前記転送部へ入射する光信号を遮光するた
めに、前記パッシベーション膜の下に選択的に設けられ
た、Ａｌ／Ｔｉ−Ａｌ／Ｔｉ／ＴｉＮ膜構造を有する遮
光層とを具備したことを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項２】 前記遮光層のうち、Ａｌ膜は積層膜から
なることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。 - 【請求項３】 前記遮光層は、前記受光部および前記転
送部を覆うようにして設けられた、透光性を有する絶縁
層上に設けられることを特徴とする請求項１に記載の固
体撮像素子。 - 【請求項４】 前記絶縁層上には、さらに、Ａｌ配線が
形成されてなることを特徴とする請求項３に記載の固体
撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9012666A JPH10209433A (ja) | 1997-01-27 | 1997-01-27 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9012666A JPH10209433A (ja) | 1997-01-27 | 1997-01-27 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209433A true JPH10209433A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=11811701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9012666A Pending JPH10209433A (ja) | 1997-01-27 | 1997-01-27 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10209433A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100440774B1 (ko) * | 2001-12-21 | 2004-07-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 광차단층을 구비한 이미지센서 |
| US7732238B2 (en) | 2003-05-30 | 2010-06-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing an image sensing apparatus in which two members are bonded together |
-
1997
- 1997-01-27 JP JP9012666A patent/JPH10209433A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100440774B1 (ko) * | 2001-12-21 | 2004-07-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 광차단층을 구비한 이미지센서 |
| US7732238B2 (en) | 2003-05-30 | 2010-06-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing an image sensing apparatus in which two members are bonded together |
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