JP2006140529A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006140529A JP2006140529A JP2006009371A JP2006009371A JP2006140529A JP 2006140529 A JP2006140529 A JP 2006140529A JP 2006009371 A JP2006009371 A JP 2006009371A JP 2006009371 A JP2006009371 A JP 2006009371A JP 2006140529 A JP2006140529 A JP 2006140529A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- imaging device
- state imaging
- adhesion layer
- shielding film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【解決手段】フォトダイオード部と、前記フォトダイオード部からの電荷信号を転送する電荷転送部とを具備してなる固体撮像装置において、前記フォトダイオード部に開口を有し、前記電荷転送部を覆う遮光膜13および下地密着層遮光膜はともに高融点金属またはそのシリサイドであり、下地密着層を構成する高融点金属あるいはそのシリサイドはスパッタリング法により形成しているため、チタンナイトライド層またはチタン層からなる下地密着層12を介して形成されていることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
この構成により、多重反射によるスミア特性の劣化を抑制し、より信頼性の高い固体撮像装置を得ることが可能となる。特に下地密着層としてアルミニウム膜よりも低反射率であるチタンナイトライド層、チタン層のうちのいずれかを用いることにより、密着性が良好でかつ遮光性が高く、かつ反射率も低いため、多重反射によるスミア特性の低下が抑制され、信頼性が高くスミア特性の良好な固体撮像装置を提供することが可能となる。
実施の形態1
図1は本発明の第1の実施の形態の固体撮像装置の断面図であり、図2はその製造方法を説明するための工程順断面図である。
なお、前記第1の実施の形態では、下地密着層と遮光膜とを、同一パターン形状となるように形成したが、本発明の第2の実施の形態として、図5に示すように下地密着層12の端部を遮光膜13の端部よりも控えるようにすることも可能である。この実施の形態によれば、矢印で示すように斜め方向からの光線は、薄い下地密着層に到達することなく、遮光膜で良好に遮断される。従って多重反射をより高度に抑制することが可能である。製造に際しては、下地密着層12と遮光膜13とのパターニングに際し、下地密着層のみにサイドエッチを生じさせるようなエッチング条件を選択することにより容易に形成可能である。
また、本発明の第3の実施の形態として、図6に示すように下地密着層12の端部を遮光膜13で覆うようにすることも可能である。かかる構成によれば、矢印で示すように斜め方向からの光線は、下地密着層に到達することなく、完全に遮光膜で遮断される。
本発明の参考例である、第4の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
2 P型領域
3 フォトダイオード部のN-型領域
4 垂直CCD部のN型領域
5 P++領域
6 シリコン酸化膜
7 シリコン窒化膜
8 シリコン酸化膜
9 ポリシリコン電極
10 ポリシリコン酸化膜
11 層間絶縁膜
12 下地密着層
13 遮光膜
14 層間絶縁膜
15 保護膜
18 電荷転送電極
19 下地密着層
Claims (18)
- 半導体基板に形成したフォトダイオード部と、前記フォトダイオード部からの電荷信号を転送する電荷転送部と、前記フォトダイオード部に開口を有すると共に前記電荷転送部を遮光する遮光膜が下地密着層を介して形成された固体撮像装置において、
前記下地密着層および前記遮光膜はともに高融点金属またはそのシリサイドであり、
前記下地密着層を構成する高融点金属あるいはそのシリサイドはスパッタリング法により形成した固体撮像装置。 - 前記下地密着層はアルミニウム膜よりも低反射率である請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記下地密着層の膜厚は10nm以上、200nm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像装置。
- 前記遮光膜の膜厚は50nm以上、350nm以下である請求項3に記載の固体撮像装置。
- 前記遮光膜の膜厚は前記下地密着層の膜厚の5倍以上である請求項1乃至4のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記遮光膜はタングステンあるいはそのシリサイドである請求項1乃至5のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記遮光膜は、フォトダイオード部の開口において、前記下地密着層よりも端部が突出している請求項1乃至6のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記遮光膜は、前記フォトダイオード部の開口において、前記下地密着層の端部を覆うように形成されている請求項1乃至6のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記遮光膜はCVD法により形成した請求項1乃至8のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 半導体基板上にフォトダイオード部および電荷転送部を形成する工程と、
前記電荷転送部上にスパッタリング法により高融点金属またはそのシリサイドからなる下地密着層を形成する工程と、
前記下地密着層の上に高融点金属またはそのシリサイドからなる遮光膜を形成する工程と、
前記遮光膜をパターニングして前記フォトダイオード部に開口を形成する工程と、を備えた固体撮像装置の製造方法。 - 前記下地密着層はアルミニウム膜よりも低反射率である請求項10に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記下地密着層の膜厚は10nm以上、200nm以下である請求項10または11に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記遮光膜の膜厚は50nm以上、350nm以下である請求項12に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記遮光膜の膜厚は前記下地密着層の膜厚の5倍以上である請求項10乃至13のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記遮光膜はタングステンあるいはそのシリサイドである請求項10乃至14のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記遮光膜は、フォトダイオード部の開口において、前記下地密着層よりも端部が突出している請求項10乃至15のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記遮光膜は、前記フォトダイオード部の開口において、前記下地密着層の端部を覆うように形成されている請求項10乃至15のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記遮光膜はCVD法により形成した請求項10乃至17のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006009371A JP2006140529A (ja) | 1997-04-08 | 2006-01-18 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8913097 | 1997-04-08 | ||
JP2006009371A JP2006140529A (ja) | 1997-04-08 | 2006-01-18 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10096321A Division JPH1145989A (ja) | 1997-04-08 | 1998-04-08 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006140529A true JP2006140529A (ja) | 2006-06-01 |
JP2006140529A5 JP2006140529A5 (ja) | 2008-06-05 |
Family
ID=36621057
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006009371A Withdrawn JP2006140529A (ja) | 1997-04-08 | 2006-01-18 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006140529A (ja) |
-
2006
- 2006-01-18 JP JP2006009371A patent/JP2006140529A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102076422B1 (ko) | 고체 촬상 소자와 그 제조 방법, 고체 촬상 장치 및 촬상 장치 | |
JP3204216B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
US8252614B2 (en) | Solid-state image sensor and imaging system | |
TWI442556B (zh) | A solid-state image pickup device, a method of manufacturing the same, and an image pickup device | |
US6849476B2 (en) | Method of manufacturing a solid-state imaging device | |
JP2008091643A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH10284709A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
JP3402429B2 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
US6133595A (en) | Solid state imaging device with improved ground adhesion layer | |
JPH1145989A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP2007134664A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP2833906B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
JPH04152674A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP2006140529A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP2001352051A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
JP3110524B2 (ja) | Ccd固体撮像素子およびその製造方法 | |
JPH02166769A (ja) | 積層型固体撮像装置及びその製造方法 | |
JPH0730088A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JPH0730090A (ja) | 固体撮像素子 | |
KR20030002018A (ko) | 이미지센서 | |
JPH0456272A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2008294242A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JPH06125069A (ja) | 固体撮像素子及びその作製方法 | |
JPH0992813A (ja) | 固体撮像素子とその製造方法 | |
JP3196727B2 (ja) | 固体撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060120 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060207 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060215 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060501 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060530 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060530 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080418 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20091005 |