JPS6350057A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPS6350057A JPS6350057A JP61192656A JP19265686A JPS6350057A JP S6350057 A JPS6350057 A JP S6350057A JP 61192656 A JP61192656 A JP 61192656A JP 19265686 A JP19265686 A JP 19265686A JP S6350057 A JPS6350057 A JP S6350057A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、光遮蔽層を備えた固体撮像装置の製造方法に
関する。
関する。
（従来の技術）
インターラインＣＣＤ、ＭＯＳ、ＣＰＤ等の固体撮像装
置は入射した光を充電変換し、発生した電荷を一定期間
蓄積する感光画素部と前記感光画素部に蓄積された信号
電荷を読み出し、走査する信号走査部が半導体基板の同
一平面上に形成されている。このため、光は感光画素部
以外の半導体基板内にも入射し、これにより発生した電
荷は偽信号（スミャ）となり、画質が著しく低下する。
置は入射した光を充電変換し、発生した電荷を一定期間
蓄積する感光画素部と前記感光画素部に蓄積された信号
電荷を読み出し、走査する信号走査部が半導体基板の同
一平面上に形成されている。このため、光は感光画素部
以外の半導体基板内にも入射し、これにより発生した電
荷は偽信号（スミャ）となり、画質が著しく低下する。
この次に従来の光速へい層の形成工程をインターライン
ＣＣＤを例にとって説明する。第２図に従来の製造方法
によるインターラインＣＣＤの一画素の断面構造の一例
を示す。第２図において、半導体基板１例えばＰ型シリ
コン基板の一面には、ｎ＋型の埋込みチャネＡ／ＣＣＤ
からなる信号走査部２と、ＰＮ接合からなる感光画素部
３が、感光画素部３に蓄積された信号電荷を信号走査部
２に読み出す読み出しゲート部４をはさんで形成されて
いる。信号走査部２、及び読み出しゲート部４上にはゲ
ート酸化膜５を介して例えばポリシリコンからなる転送
電極６が形成される。次にこの基板上には、例えばＣＶ
Ｄ５ｉＯ，からなる絶縁層７が形成される。続いて絶縁
層７上の全面に例えばｋｌからなる光遮蔽層８が形成さ
れ、写真蝕刻法により感光画素部３上の光遮蔽層をエツ
チングして除去する。このような、従来の製造方法によ
る光遮蔽層の構造では、基板に対して垂直に入射する光
は光遮蔽層によって遮られるため、感光画素部３以外に
は入射しないが、基板に対して斜めに入射する光は、感
光画素部の周辺部上の絶縁層７の膜厚が厚いために転送
電極６と光遮蔽層８の間で多重反射されて感光画素部３
以外の基板内部に漏込んでしまい、スミャ低域のための
十分な光遮蔽効果が得られない。ただし、従来の製造方
法においても、絶縁層７の膜厚を薄くすることで光遮蔽
効果を向上することは可能であるが、反面絶縁層７の全
体の膜厚が薄くなるため光遮蔽層８と転送電極６の間の
浮遊容量が増加してしまう。転送電極６には外部から所
定のパルスが印加されている。上記の浮遊容量が増加す
ると、外部から印加されたパルスは、なまってしまい、
信号走査部２の最大転送電荷量、転送効率等に対し所定
の駆動が不可能となるため、従来の製造方法では絶縁層
７の膜厚を薄くできなかった。
ＣＣＤを例にとって説明する。第２図に従来の製造方法
によるインターラインＣＣＤの一画素の断面構造の一例
を示す。第２図において、半導体基板１例えばＰ型シリ
コン基板の一面には、ｎ＋型の埋込みチャネＡ／ＣＣＤ
からなる信号走査部２と、ＰＮ接合からなる感光画素部
３が、感光画素部３に蓄積された信号電荷を信号走査部
２に読み出す読み出しゲート部４をはさんで形成されて
いる。信号走査部２、及び読み出しゲート部４上にはゲ
ート酸化膜５を介して例えばポリシリコンからなる転送
電極６が形成される。次にこの基板上には、例えばＣＶ
Ｄ５ｉＯ，からなる絶縁層７が形成される。続いて絶縁
層７上の全面に例えばｋｌからなる光遮蔽層８が形成さ
れ、写真蝕刻法により感光画素部３上の光遮蔽層をエツ
チングして除去する。このような、従来の製造方法によ
る光遮蔽層の構造では、基板に対して垂直に入射する光
は光遮蔽層によって遮られるため、感光画素部３以外に
は入射しないが、基板に対して斜めに入射する光は、感
光画素部の周辺部上の絶縁層７の膜厚が厚いために転送
電極６と光遮蔽層８の間で多重反射されて感光画素部３
以外の基板内部に漏込んでしまい、スミャ低域のための
十分な光遮蔽効果が得られない。ただし、従来の製造方
法においても、絶縁層７の膜厚を薄くすることで光遮蔽
効果を向上することは可能であるが、反面絶縁層７の全
体の膜厚が薄くなるため光遮蔽層８と転送電極６の間の
浮遊容量が増加してしまう。転送電極６には外部から所
定のパルスが印加されている。上記の浮遊容量が増加す
ると、外部から印加されたパルスは、なまってしまい、
信号走査部２の最大転送電荷量、転送効率等に対し所定
の駆動が不可能となるため、従来の製造方法では絶縁層
７の膜厚を薄くできなかった。
（発明が解決しようとする問題点）
以上述べてきたように、従来の製造方法では、光遮蔽層
８と転送電極６間の浮遊容量が増加し、駆動上の問題が
あるため、絶縁層７の膜厚を薄くすることができず、十
分な光遮蔽効果を実現できない欠点があった。本発明は
、光遮蔽層と転送電極間の浮遊容量を増加せずに光遮蔽
効果を向上することが可能な固体撮像装置の製造方法を
提供することを目的とする。
８と転送電極６間の浮遊容量が増加し、駆動上の問題が
あるため、絶縁層７の膜厚を薄くすることができず、十
分な光遮蔽効果を実現できない欠点があった。本発明は
、光遮蔽層と転送電極間の浮遊容量を増加せずに光遮蔽
効果を向上することが可能な固体撮像装置の製造方法を
提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
上記目的を達成するために本発明においては、感光画素
部と信号走査部を同一平面上に備えた半導体基板上に第
１の厚い絶縁層を形成し、感光画素部上の第１の絶縁層
を一端除去し、第２の薄い絶縁層を形成した後光遮蔽層
を形成し、感光画素部の周辺を覆う部分を残して、感光
画素部上の光遮蔽層を除去することを特徴とするもので
ある。
部と信号走査部を同一平面上に備えた半導体基板上に第
１の厚い絶縁層を形成し、感光画素部上の第１の絶縁層
を一端除去し、第２の薄い絶縁層を形成した後光遮蔽層
を形成し、感光画素部の周辺を覆う部分を残して、感光
画素部上の光遮蔽層を除去することを特徴とするもので
ある。
（作用）
光遮蔽層と転送電極間の絶縁層の膜厚が十分厚ければ、
浮遊容量は駆動上問題にならず、感光画素部の周辺にお
ける光遮蔽層の下の絶縁層の膜厚が薄くなれば光遮蔽効
果は向上するため、本発明のように、光遮蔽層と、転送
電極間の絶縁層の膜厚を厚くシ、感光画素部の周辺部と
光遮蔽層間の絶縁層の膜厚を薄くすれば、浮遊容量を増
加せずに、光遮蔽効果を向上することが可能となる。
浮遊容量は駆動上問題にならず、感光画素部の周辺にお
ける光遮蔽層の下の絶縁層の膜厚が薄くなれば光遮蔽効
果は向上するため、本発明のように、光遮蔽層と、転送
電極間の絶縁層の膜厚を厚くシ、感光画素部の周辺部と
光遮蔽層間の絶縁層の膜厚を薄くすれば、浮遊容量を増
加せずに、光遮蔽効果を向上することが可能となる。
（実施例）
以下、本発明の詳細についてインターラインＣＯＤを例
にとり図面を用いて説明する。
にとり図面を用いて説明する。
第１図（ａ）〜（ｆ）は、本発明の一実施例の製造工程
における断面図である。
における断面図である。
第１図（ａ）は、インターラインＣＯＤの転送電極６形
成工程終了後の一画素の断面図である。ここまでの工程
は従来のものと同様であるため省略する。まず第１図（
ａ）の状態の基板上に例えばＣＶＤ８ｉ０゜からなる第
１の厚い絶縁層１１を形成する〔第１図（ｂ）〕。ここ
で、絶縁［１１の膜厚は前述の浮遊容量が駆動上問題な
い様に十分厚くなっている。
成工程終了後の一画素の断面図である。ここまでの工程
は従来のものと同様であるため省略する。まず第１図（
ａ）の状態の基板上に例えばＣＶＤ８ｉ０゜からなる第
１の厚い絶縁層１１を形成する〔第１図（ｂ）〕。ここ
で、絶縁［１１の膜厚は前述の浮遊容量が駆動上問題な
い様に十分厚くなっている。
次に感光画素部３上にある第１の絶縁層１１を写真蝕刻
法によりエツチングし除去する〔第１図◎〕。
法によりエツチングし除去する〔第１図◎〕。
続いて第１図０の状態の基板上にＣＶＤ、又は熱酸化に
よるＳｉｎ、からなる第２の絶縁層１２を形成する〔第
１図（ｄ）〕。ここで、絶縁層１２の膜厚は、十分な光
遮蔽効果が得られる程度に薄くなっている。更に絶縁層
１２上に例えばＡ７からなる光遮蔽層１３を形成する〔
第１図（ｅ）〕。最後に、感光画素部３に光を入射する
ために写真蝕刻法により、感光画素部２上の光遮蔽層１
３をエツチングし除去する〔第１図（ｆ）〕。ただし、
感光画素部３の周辺部の上には、第１図（ｆ）に示す様
に第２の絶縁層１２を介して、光遮蔽層１３の一部分１
３′が残されている。
よるＳｉｎ、からなる第２の絶縁層１２を形成する〔第
１図（ｄ）〕。ここで、絶縁層１２の膜厚は、十分な光
遮蔽効果が得られる程度に薄くなっている。更に絶縁層
１２上に例えばＡ７からなる光遮蔽層１３を形成する〔
第１図（ｅ）〕。最後に、感光画素部３に光を入射する
ために写真蝕刻法により、感光画素部２上の光遮蔽層１
３をエツチングし除去する〔第１図（ｆ）〕。ただし、
感光画素部３の周辺部の上には、第１図（ｆ）に示す様
に第２の絶縁層１２を介して、光遮蔽層１３の一部分１
３′が残されている。
この実施例による固体撮像装置では、基板に対し斜めに
入射し、多重反射されて感光画素ｍ３以外の基板内部に
漏込む光を遮るように光遮蔽層の一部１３が感光画素部
３の周辺部上に第２の薄い絶縁層１２を介して形成され
ているので、光遮蔽効果は向上し、更に光遮蔽層１３と
転送電極６間の絶縁層１１．１２の合計した膜厚は十分
厚いため、浮遊容量が増加することもない。
入射し、多重反射されて感光画素ｍ３以外の基板内部に
漏込む光を遮るように光遮蔽層の一部１３が感光画素部
３の周辺部上に第２の薄い絶縁層１２を介して形成され
ているので、光遮蔽効果は向上し、更に光遮蔽層１３と
転送電極６間の絶縁層１１．１２の合計した膜厚は十分
厚いため、浮遊容量が増加することもない。
なお１今までインターラインＣＯＤを例にあげて述べて
きたが、これが感光画素部と信号走査部が半導体基板の
同一平面上に形成されているＭＯＳ。
きたが、これが感光画素部と信号走査部が半導体基板の
同一平面上に形成されているＭＯＳ。
ＣＰＤ等の他の固体撮像装置であっても、本発明を適用
できることは言うまでもない。また絶縁層としてＳｉｎ
、の例を述べたが、これに限らず他の絶縁膜であっても
良い。また、光遮蔽層としてＭの例を述べたが、光遮蔽
効果があり、前記の絶縁層と選択的にエツチング可能な
ものであれば良く、更に光遮蔽層が外部の電源と接続さ
れた電極を兼ねていても良い。
できることは言うまでもない。また絶縁層としてＳｉｎ
、の例を述べたが、これに限らず他の絶縁膜であっても
良い。また、光遮蔽層としてＭの例を述べたが、光遮蔽
効果があり、前記の絶縁層と選択的にエツチング可能な
ものであれば良く、更に光遮蔽層が外部の電源と接続さ
れた電極を兼ねていても良い。
以上述べた様に、本発明によれば、光遮蔽層と転送電極
間の絶縁層を厚くし、感光画素部の周辺部と、光遮蔽層
間の絶縁層を薄くすることにより、光遮蔽層と転送電極
間の浮遊容量を増加することなく、光遮蔽効果を向上す
ることが可能となる。
間の絶縁層を厚くし、感光画素部の周辺部と、光遮蔽層
間の絶縁層を薄くすることにより、光遮蔽層と転送電極
間の浮遊容量を増加することなく、光遮蔽効果を向上す
ることが可能となる。
第１図は、本発明の一実施例の製造工程を示す断面図、
第２図は、従来例を示す断面図である。 １・・・Ｐ型半導体基板、 ２・・・信号走査部、３・
・・感光画素部、 ４・・・読み出しデー１部、５
・・・ゲート酸化膜、 ６・・・転送電極、７・・
・絶縁層、 ８・・・光遮へい層、１１・・
・第１絶縁層、１２・・・第２絶縁層、１３・・・光遮
へい層、１３・・・光遮へい層の一部。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男
第２図は、従来例を示す断面図である。 １・・・Ｐ型半導体基板、 ２・・・信号走査部、３・
・・感光画素部、 ４・・・読み出しデー１部、５
・・・ゲート酸化膜、 ６・・・転送電極、７・・
・絶縁層、 ８・・・光遮へい層、１１・・
・第１絶縁層、１２・・・第２絶縁層、１３・・・光遮
へい層、１３・・・光遮へい層の一部。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 複数の感光画素部と前記感光画素部からの 信号を走査する信号画素部が２次元に配列された半導体
基板と、前記半導体基板上に絶縁層を介して光遮蔽層が
形成された固体撮像装置を製造するに際し、前記半導体
基板上に第１の絶縁層を形成する工程と、前記感光画素
上の前記第１の絶縁層を除去する工程と、前記第１の絶
縁層よりも薄い第２の絶縁層を形成する工程と、前記第
２の絶縁層上に光遮蔽層を形成する工程と、前記感光画
素上の前記光遮蔽層に対し、前記感光画素の周辺部を覆
う部分を残して除去する工程とを有することを特徴とす
る固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61192656A JPS6350057A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61192656A JPS6350057A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6350057A true JPS6350057A (ja) | 1988-03-02 |
Family
ID=16294862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61192656A Pending JPS6350057A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6350057A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02273970A (ja) * | 1989-04-15 | 1990-11-08 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置 |
| US5763292A (en) * | 1993-05-17 | 1998-06-09 | Sony Corporation | Method of making a solid state imager with reduced smear |
-
1986
- 1986-08-20 JP JP61192656A patent/JPS6350057A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02273970A (ja) * | 1989-04-15 | 1990-11-08 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置 |
| US5763292A (en) * | 1993-05-17 | 1998-06-09 | Sony Corporation | Method of making a solid state imager with reduced smear |
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