JPS6124270A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPS6124270A JPS6124270A JP14542584A JP14542584A JPS6124270A JP S6124270 A JPS6124270 A JP S6124270A JP 14542584 A JP14542584 A JP 14542584A JP 14542584 A JP14542584 A JP 14542584A JP S6124270 A JPS6124270 A JP S6124270A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は固体撮像装置の製造方法に関するものである。
(従来技術)
一般に固体撮像装置は半導体基板主面に光電変換部及び
信号読み出し部を有するため、光電変換に寄与する領域
は全体面積の20〜50%に制限されている。この欠点
を解決する手段として、固 ゛棒振像装置とレンズ
アレーを組合せ入射光を光電また本IIAyA明者によ
って国際同体装飲会議(IEEE Interrtat
ionaJ Electron De慧sMeetin
g r /J′1983年12月開催と於いて1積化樹
脂レンズアレーによる高感度IL−CODイメージ′+
L7す:J(A HiglIP、 hotosensi
tivi ty I L −CCD Image 8
enAor with Monolithic Res
inLens Array )と題してC,CDイメー
ジセンサ上圧集積化された樹脂レンズアレーが発表され
た。
信号読み出し部を有するため、光電変換に寄与する領域
は全体面積の20〜50%に制限されている。この欠点
を解決する手段として、固 ゛棒振像装置とレンズ
アレーを組合せ入射光を光電また本IIAyA明者によ
って国際同体装飲会議(IEEE Interrtat
ionaJ Electron De慧sMeetin
g r /J′1983年12月開催と於いて1積化樹
脂レンズアレーによる高感度IL−CODイメージ′+
L7す:J(A HiglIP、 hotosensi
tivi ty I L −CCD Image 8
enAor with Monolithic Res
inLens Array )と題してC,CDイメー
ジセンサ上圧集積化された樹脂レンズアレーが発表され
た。
この樹脂レンズアレーの製造方法をi1図に示す。第1
図はインターライン転送方式〇CDイメージセンサに樹
脂レンズアレーを適用した場合のプロセスを説明する断
面模式図を示す、まず、第1図(a)1で示すように、
通常の技術で製作したインターライン転送CODイメー
ジセンサのシリコンウェハー10の上に透明な第1の感
光性樹脂層11を箪布する。12はCODからなる1e
号読み換に寄与する領域以外の第1の感光性樹脂に11
は、露光および現像の方法により除去される。その後、
第1の感光性樹脂N111上に第2の感光性樹脂を塗布
する。次に、同図(b)に示すように露光・現像により
、光ダイオード列に対応してストライプ状に第2の感光
性樹脂15を残す。その後、第2の感光性樹脂15の軟
化温度以上で熱処理する。第、2の感光性樹脂のストラ
イプパターンは熱流動によりて同図ic)に示すように
凸状のレンズ16になる。しかし、隣接するストライプ
パターンが熱10によって接触すると、熱流動の横力晶
広がりは急速に進み、接触した部分の断面形状は#1は
平担になる。
図はインターライン転送方式〇CDイメージセンサに樹
脂レンズアレーを適用した場合のプロセスを説明する断
面模式図を示す、まず、第1図(a)1で示すように、
通常の技術で製作したインターライン転送CODイメー
ジセンサのシリコンウェハー10の上に透明な第1の感
光性樹脂層11を箪布する。12はCODからなる1e
号読み換に寄与する領域以外の第1の感光性樹脂に11
は、露光および現像の方法により除去される。その後、
第1の感光性樹脂N111上に第2の感光性樹脂を塗布
する。次に、同図(b)に示すように露光・現像により
、光ダイオード列に対応してストライプ状に第2の感光
性樹脂15を残す。その後、第2の感光性樹脂15の軟
化温度以上で熱処理する。第、2の感光性樹脂のストラ
イプパターンは熱流動によりて同図ic)に示すように
凸状のレンズ16になる。しかし、隣接するストライプ
パターンが熱10によって接触すると、熱流動の横力晶
広がりは急速に進み、接触した部分の断面形状は#1は
平担になる。
“第2区1a) 、 [b)は従来行なわれて−た第2
の感光性樹脂パターンの平面概念図と熱流M後の平面概
念図を示す。第2図1a)に示すようにストライプパタ
−ンの終端部19が矩形の形状では、熱流動径終端部が
′太く々すts’2図(b)のよう((パp −ンo
一部が接触する。ストライプパターンが一部接触すると
前述のように熱流動は急速に進み凸レンズ形状の変形t
M1分20の範囲は広くなる。
の感光性樹脂パターンの平面概念図と熱流M後の平面概
念図を示す。第2図1a)に示すようにストライプパタ
−ンの終端部19が矩形の形状では、熱流動径終端部が
′太く々すts’2図(b)のよう((パp −ンo
一部が接触する。ストライプパターンが一部接触すると
前述のように熱流動は急速に進み凸レンズ形状の変形t
M1分20の範囲は広くなる。
(発明の目的)
本発明の目的は、上記の欠点をなくし、樹脂レンズアレ
ーを用いた高感度な固体撮像装置の製造方法を提供する
ことにある。
ーを用いた高感度な固体撮像装置の製造方法を提供する
ことにある。
(発明の構成)
本発明による固体撮像装置の製造方法は、半導体基板上
に光電変換素子群を任意の行列に配置し、列方向に配置
する前記光電変換素子群の各列間に遮光された信号読み
出し群を配置し、前記光電変換素子群と信号読み出し群
を第1の感光性樹脂で被い、前記第1の感光性樹脂をそ
の軟化温度以上で熱処理し、その後、前記第1の感光性
樹脂上に第2の感光性樹脂を被着し、露光・現像により
各列方向に配置されている前記光電変換素子群の列に対
応するように前記第2の感光性樹脂をストライプ状に残
し、その後、前記第2の感光性樹脂の軟化温度以上で熱
処理することにより凸状のレンズアレーを形成する固体
撮像装置の製造方法において、ストライプ状に残す前記
第2の感光性樹脂の終端部の間隔を中心部の間隔より広
くすることを特徴とする方法である。
に光電変換素子群を任意の行列に配置し、列方向に配置
する前記光電変換素子群の各列間に遮光された信号読み
出し群を配置し、前記光電変換素子群と信号読み出し群
を第1の感光性樹脂で被い、前記第1の感光性樹脂をそ
の軟化温度以上で熱処理し、その後、前記第1の感光性
樹脂上に第2の感光性樹脂を被着し、露光・現像により
各列方向に配置されている前記光電変換素子群の列に対
応するように前記第2の感光性樹脂をストライプ状に残
し、その後、前記第2の感光性樹脂の軟化温度以上で熱
処理することにより凸状のレンズアレーを形成する固体
撮像装置の製造方法において、ストライプ状に残す前記
第2の感光性樹脂の終端部の間隔を中心部の間隔より広
くすることを特徴とする方法である。
(実施例)
次に図面を用いて本発明を説明する。第3図は本発明の
一実施例を説明するための図で、従来例の第2図に対応
する平面概念図である。
一実施例を説明するための図で、従来例の第2図に対応
する平面概念図である。
従来例と異り第3図(a)のようにストライプパターン
の終端部21け先端が細くなっている。換言すれば、終
端部のストライプパターンのギャップが広がるように形
成されている。このため第3図(b)のようK、熱流動
後の第2の感光性樹脂のパターン17′は終端部が接触
することがない。
の終端部21け先端が細くなっている。換言すれば、終
端部のストライプパターンのギャップが広がるように形
成されている。このため第3図(b)のようK、熱流動
後の第2の感光性樹脂のパターン17′は終端部が接触
することがない。
第4図は本発明の他の実施例における第2の感光性樹脂
のパターン17′で、第2の感光性樹脂の終端部22は
任意の曲率をもったゆるやかな形状になっている。この
様な形状でも熱処理後に終端部が接触することはない。
のパターン17′で、第2の感光性樹脂の終端部22は
任意の曲率をもったゆるやかな形状になっている。この
様な形状でも熱処理後に終端部が接触することはない。
本発明は第2のIe−光性樹脂からなるストライプパタ
ーンの長端15(lの間隔が中心部より広くなそよう外
形状であればよく、実施例の他に例えば終端が弗゛物状
の形状でも、先端が尖った形状でも良い。
ーンの長端15(lの間隔が中心部より広くなそよう外
形状であればよく、実施例の他に例えば終端が弗゛物状
の形状でも、先端が尖った形状でも良い。
盈たレンズアレーの形状も本実施例で説明したようなス
トフイプたけでなく、各光電変換素子群とレンズ〃工ぞ
れそれ1:1に対応するような固体撮像装置に通用する
ことも可能である。
トフイプたけでなく、各光電変換素子群とレンズ〃工ぞ
れそれ1:1に対応するような固体撮像装置に通用する
ことも可能である。
(発明の効果〕
本殉明によれば、固体撮像装置上に第1の感光13に樹
脂を被着し、その上に、固体撮像装置の光電変換素子の
列に対応するように第2の感光性樹脂をストライプ状に
残し、その後、熱処理により第2の感光性樹脂をレンズ
状のにする固体撮像装置において、第2の感光性樹脂ス
トライプパターンの終端部の間隔を中心部の間隔より広
くすることにより、熱流動時におけるレンズ形状の変形
を防ぐことができる。
脂を被着し、その上に、固体撮像装置の光電変換素子の
列に対応するように第2の感光性樹脂をストライプ状に
残し、その後、熱処理により第2の感光性樹脂をレンズ
状のにする固体撮像装置において、第2の感光性樹脂ス
トライプパターンの終端部の間隔を中心部の間隔より広
くすることにより、熱流動時におけるレンズ形状の変形
を防ぐことができる。
第1図(a) 、 (b) 、 fc)は、従来の固体
撮像装置の製造方法を示す断面模式図、第2図(a)
、 fb)は第1図の平面概念図、第3図(a) 、
fb)、第4図は本発明の実施例を示す平面概念図を示
している。 10・・・・・・シリコンウェハー、11・・・・・・
第1の感光性樹脂層、14.18・・・・・・光ダイオ
ード、15゜17・・・・・・第2感光性樹脂パターン
、16・・・・・・レンズ、19,20,21,22・
・・・・・第2感光性樹脂の終漏部を示モ5±4 代理人 弁理士 内 原 音 p図 (cL) どb) 1? 13 14 (C) l♂ /3 14 22図 z4図 re zt’ zz
撮像装置の製造方法を示す断面模式図、第2図(a)
、 fb)は第1図の平面概念図、第3図(a) 、
fb)、第4図は本発明の実施例を示す平面概念図を示
している。 10・・・・・・シリコンウェハー、11・・・・・・
第1の感光性樹脂層、14.18・・・・・・光ダイオ
ード、15゜17・・・・・・第2感光性樹脂パターン
、16・・・・・・レンズ、19,20,21,22・
・・・・・第2感光性樹脂の終漏部を示モ5±4 代理人 弁理士 内 原 音 p図 (cL) どb) 1? 13 14 (C) l♂ /3 14 22図 z4図 re zt’ zz
Claims (1)
- 半導体基板上に光電変換素子群を任意の行列に配置し
、列方向に配置する前記光電変換素子群の各列間に遮光
された信号読み出し群を配置し、前記光電変換素子群と
信号読み出し群を第1の感光性樹脂で被い、前記第1の
感光性樹脂をその軟化温度以上で熱処理し、その後、前
記第1の感光性樹脂上に第2の感光性樹脂を被着し、露
光、現象により各列方向に配置されている前記光電変換
素子群の列に対応するように前記第2の感光性樹脂をス
トライプ状に残し、その後、前記第2の感光性樹脂の軟
化温度以上で熱処理することにより凸状のレンズアレー
を形成する固体撮像装置の製造方法において、ストライ
プ状に残す前記第2の感光性樹脂の終端部の間隔を中心
部の間隔より広くすることを特徴とする固体撮像装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59145425A JPH0612808B2 (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59145425A JPH0612808B2 (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6124270A true JPS6124270A (ja) | 1986-02-01 |
JPH0612808B2 JPH0612808B2 (ja) | 1994-02-16 |
Family
ID=15384950
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59145425A Expired - Lifetime JPH0612808B2 (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0612808B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62293673A (ja) * | 1986-06-12 | 1987-12-21 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
JPS63229851A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-26 | Toshiba Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
US8274657B2 (en) | 2006-11-30 | 2012-09-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Radiation detector |
-
1984
- 1984-07-13 JP JP59145425A patent/JPH0612808B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62293673A (ja) * | 1986-06-12 | 1987-12-21 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
JPS63229851A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-26 | Toshiba Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
US8274657B2 (en) | 2006-11-30 | 2012-09-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Radiation detector |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0612808B2 (ja) | 1994-02-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |