JPH0322480A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPH0322480A JPH0322480A JP1157719A JP15771989A JPH0322480A JP H0322480 A JPH0322480 A JP H0322480A JP 1157719 A JP1157719 A JP 1157719A JP 15771989 A JP15771989 A JP 15771989A JP H0322480 A JPH0322480 A JP H0322480A
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- JP
- Japan
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- semiconductor substrate
- transfer gate
- gate electrodes
- type
- light
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、固体撮像素子に関し、特にＣＣＤ垂直シフト
レジスタの構造に関するものである。
レジスタの構造に関するものである。
従来の固休撮像素子のＣＣＤ垂直シフトレジスタ（以下
単にシフトレジスタという）について図面を用いて説明
する。
単にシフトレジスタという）について図面を用いて説明
する。
第３図は、従来のシフトレジスタを説明するための図で
ある。
ある。
半導体基板１の一生平面上に第１層目の多結晶シリコン
膜からなる第１の転送ゲート電極３ｈ，３ｉ．３ｊ，・
・・第２層目の多結晶シリコン膜からなる第２の転送ゲ
ート電極４ｉ，４ｊ，・・とでシフトレジスタの電極を
形成している。シフトレジスタの電極上には、層間絶縁
膜５が形威され、その上に、遮光アルミニウムＩ１！６
が形戒されている。このように、従来のシフトレジスタ
は、半導体基板１と遮光アルミニウム膜６との間には、
転送ゲート電極３と転送ゲート電極４と、層間膜５との
厚さを加えた分の隔りがある。
膜からなる第１の転送ゲート電極３ｈ，３ｉ．３ｊ，・
・・第２層目の多結晶シリコン膜からなる第２の転送ゲ
ート電極４ｉ，４ｊ，・・とでシフトレジスタの電極を
形成している。シフトレジスタの電極上には、層間絶縁
膜５が形威され、その上に、遮光アルミニウムＩ１！６
が形戒されている。このように、従来のシフトレジスタ
は、半導体基板１と遮光アルミニウム膜６との間には、
転送ゲート電極３と転送ゲート電極４と、層間膜５との
厚さを加えた分の隔りがある。
半導体基板１と、遮光アルミニウム膜６との間には、大
きな隔りがあるので、斜めから入射して来た光（点線の
矢印で示す）によって、シフトレジスタのＮ型埋込みチ
ャネル２の中で電荷が発生し、スミア現象が起る。
きな隔りがあるので、斜めから入射して来た光（点線の
矢印で示す）によって、シフトレジスタのＮ型埋込みチ
ャネル２の中で電荷が発生し、スミア現象が起る。
上述した従来の固体撮像素子は、半導体基板の一生面上
に、第１の転送ゲート電極と、第２の転送ゲート電極と
を有しているので、半導体基板と、遮光アルミニウム膜
との隔りが大きくなり、スミア現象が起きやすいという
欠点がある。
に、第１の転送ゲート電極と、第２の転送ゲート電極と
を有しているので、半導体基板と、遮光アルミニウム膜
との隔りが大きくなり、スミア現象が起きやすいという
欠点がある。
本発明の目的は、スミア現象が起りにくい固体撮像素子
を提供することにある。
を提供することにある。
本発明の固体撮像素子は、半導体基板表面のＰ型半導体
層に選択的に設けられたＮ型ホトダイオード領域と、前
記Ｎ型ホトダイオード領域に隣接して前記Ｐ型半導体層
に設けられた溝部にゲート絶縁膜を介して設けられた転
送ゲート電極を有するＣＣＤ垂直シフトレジスタとを含
むというものである。
層に選択的に設けられたＮ型ホトダイオード領域と、前
記Ｎ型ホトダイオード領域に隣接して前記Ｐ型半導体層
に設けられた溝部にゲート絶縁膜を介して設けられた転
送ゲート電極を有するＣＣＤ垂直シフトレジスタとを含
むというものである。
次に、本発明について、図面を参照して説明する。
第１図（ａ）は、本発明の第１の実施例を示す半導体チ
ップの断面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のｘ−ｘ’
線断面図、第１図（ｃ）は第１図（ａ）のＹ−Ｙ’線断
面図である。
ップの断面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のｘ−ｘ’
線断面図、第１図（ｃ）は第１図（ａ）のＹ−Ｙ’線断
面図である。
この実施例は、半導体基板１１表面のＰ型半導体層（Ｐ
ウェル〉に選択的に設けられたＮ型ホトダイオード領域
１７と、Ｎ型ホトダイオード領域１７に隣接して前述の
Ｐ型半導体層に設けられた溝部にゲート絶縁膜１９を介
して設けられた第１の転送ゲート電極１３ｈ，１３ｉ，
・・・（第１Ｍ目の多結晶シリコン膜で楕戒されている
）を有するＣＣＤ垂直シフトレジスタを含んでいる。第
２の転送ゲート電極１４１，１４ｊ，・・・は第２層目
の多結晶シリコン膜で楕戒され、第１の転送ゲート電極
と端部をオーバラツプして設けられている。
ウェル〉に選択的に設けられたＮ型ホトダイオード領域
１７と、Ｎ型ホトダイオード領域１７に隣接して前述の
Ｐ型半導体層に設けられた溝部にゲート絶縁膜１９を介
して設けられた第１の転送ゲート電極１３ｈ，１３ｉ，
・・・（第１Ｍ目の多結晶シリコン膜で楕戒されている
）を有するＣＣＤ垂直シフトレジスタを含んでいる。第
２の転送ゲート電極１４１，１４ｊ，・・・は第２層目
の多結晶シリコン膜で楕戒され、第１の転送ゲート電極
と端部をオーバラツプして設けられている。
Ｎ型埋込みチャネル１２は第１の転送ゲート電極下では
半導体基板の主平面より下方にあるので、遮光アルミニ
ウム膜１６の端部から入る光が届き難くなりスミア現象
は軽減される。
半導体基板の主平面より下方にあるので、遮光アルミニ
ウム膜１６の端部から入る光が届き難くなりスミア現象
は軽減される。
第２図（ａ）は本発明の第２の実施例を示す半導体チッ
プの平面図、第２図（ｂ）及び（Ｃ）はそれぞれ第２図
（ａ）のｘ−ｘ’線断面図及びＹ−Ｙ’線断面図である
。
プの平面図、第２図（ｂ）及び（Ｃ）はそれぞれ第２図
（ａ）のｘ−ｘ’線断面図及びＹ−Ｙ’線断面図である
。
この実施例では第２の転送ゲート電極２４１，・・・も
溝に埋込まれている。つまり、溝には深さの深い所と浅
い所とあり、深い所に第１の転送ゲート電極２３ｈ，２
３ｉ，・・・浅い所に第２の転送ゲート電極の主要部が
設けられている。
溝に埋込まれている。つまり、溝には深さの深い所と浅
い所とあり、深い所に第１の転送ゲート電極２３ｈ，２
３ｉ，・・・浅い所に第２の転送ゲート電極の主要部が
設けられている。
半導体基板２１と遮光アルミニウム膜２６との隔たりが
、第１の実施例よりさらに小さくなっているので、第１
の実施例よりさらにスミア現象が起きにくいという利点
がある。
、第１の実施例よりさらに小さくなっているので、第１
の実施例よりさらにスミア現象が起きにくいという利点
がある。
以上説明したように、本発明は転送ゲート電極を少なく
とも一部半導体基板に設けられた渭部に設けて、半導体
基板と遮光アルミニウム膜との隔りを小さくすることに
より、スミア現象が軽減される効果がある。
とも一部半導体基板に設けられた渭部に設けて、半導体
基板と遮光アルミニウム膜との隔りを小さくすることに
より、スミア現象が軽減される効果がある。
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例を示す半導体チッ
プの平面図、第１図（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ第１図
（ａ）のｘ−ｘ’線断面図及びＹ−Ｙ’線断面図、第２
図（ａ）は、本発明の第２の実施例を示す半導体チップ
の平面図、第２図（ｂ）及び（Ｃ）はそれぞれ第２図（
ａ）のｘ−ｘ’線断面図及びＹ−Ｙ’線断面図、第３図
（ａ）は、従来例を示す半導体チップの断面図、第３図
（ｂ）及び（Ｃ）はそれぞれ第３図（ａ）のｘ−ｘ’線
断面図及びＹ−Ｙ’線断面図である。 １，１１．２１・・・半導体基板、２，１２．２２・・
・Ｎ型埋込みチャネル、３ｈ，３ｉ，３ｊ，・・・１３
ｈ，１３ｉ．１３ｊ，・・・、２３ｈ，２３ｉ，２３ｊ
，・・・・・・第１の転送ゲート電極、４ｉ，４ｊ，２
４ ｉ ，２４ｊ・・・、・・・第２の転送ゲート電極
、５，１５．２５・・・層間絶縁膜、６．１６．２６・
・・遮光アルミニウム膜、７，１７．２７・・・Ｎ型ホ
トダイオード領域、８，１８．２８・・・チャンネルス
トッパ、９，１９．２９・・・ゲート絶縁膜。
プの平面図、第１図（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ第１図
（ａ）のｘ−ｘ’線断面図及びＹ−Ｙ’線断面図、第２
図（ａ）は、本発明の第２の実施例を示す半導体チップ
の平面図、第２図（ｂ）及び（Ｃ）はそれぞれ第２図（
ａ）のｘ−ｘ’線断面図及びＹ−Ｙ’線断面図、第３図
（ａ）は、従来例を示す半導体チップの断面図、第３図
（ｂ）及び（Ｃ）はそれぞれ第３図（ａ）のｘ−ｘ’線
断面図及びＹ−Ｙ’線断面図である。 １，１１．２１・・・半導体基板、２，１２．２２・・
・Ｎ型埋込みチャネル、３ｈ，３ｉ，３ｊ，・・・１３
ｈ，１３ｉ．１３ｊ，・・・、２３ｈ，２３ｉ，２３ｊ
，・・・・・・第１の転送ゲート電極、４ｉ，４ｊ，２
４ ｉ ，２４ｊ・・・、・・・第２の転送ゲート電極
、５，１５．２５・・・層間絶縁膜、６．１６．２６・
・・遮光アルミニウム膜、７，１７．２７・・・Ｎ型ホ
トダイオード領域、８，１８．２８・・・チャンネルス
トッパ、９，１９．２９・・・ゲート絶縁膜。
Claims (1)
- 半導体基板表面のＰ型半導体層に選択的に設けられたＮ
型ホトダイオード領域と、前記Ｎ型ホトダイオード領域
に隣接して前記Ｐ型半導体層に設けられた溝部にゲート
絶縁膜を介して設けられた転送ゲート電極を有するＣＣ
Ｄ垂直シフトレジスタとを含むことを特徴とする固体撮
像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1157719A JPH0322480A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1157719A JPH0322480A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0322480A true JPH0322480A (ja) | 1991-01-30 |
Family
ID=15655879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1157719A Pending JPH0322480A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0322480A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7281734B2 (en) | 2003-01-23 | 2007-10-16 | Takata Corporation | Airbag and airbag system |
| US8865003B2 (en) | 2008-09-26 | 2014-10-21 | Abbott Laboratories | Apparatus and method for separation of particles suspended in a liquid from the liquid in which they are suspended |
-
1989
- 1989-06-19 JP JP1157719A patent/JPH0322480A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7281734B2 (en) | 2003-01-23 | 2007-10-16 | Takata Corporation | Airbag and airbag system |
| US8865003B2 (en) | 2008-09-26 | 2014-10-21 | Abbott Laboratories | Apparatus and method for separation of particles suspended in a liquid from the liquid in which they are suspended |
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