JPH03169077A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JPH03169077A JPH03169077A JP1310101A JP31010189A JPH03169077A JP H03169077 A JPH03169077 A JP H03169077A JP 1310101 A JP1310101 A JP 1310101A JP 31010189 A JP31010189 A JP 31010189A JP H03169077 A JPH03169077 A JP H03169077A
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- Japan
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Links
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 abstract description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体撮像素子に関する。
第３図は従来例のＣＯＤ固体撮像素子の画素セルを示す
半導体チップの断面図である。例えばＳｔなどのＰ型半
導体基板ｌに選択的に形成されたＮ型不純物領域２上に
素子分離用Ｐ＋型不純物層４と連結してＰ型不純物層３
が設けられた受光部領域を有している。この受光部領域
で光電変換された電子は、絶縁膜５を介して形或された
転送電極である多結晶シリコン電極６直下の半導体表面
を通って、電荷転送用Ｎ型不純物層７（埋め込みチャネ
ル）に移され、紙面と垂直方向へ転送され出力される。
半導体チップの断面図である。例えばＳｔなどのＰ型半
導体基板ｌに選択的に形成されたＮ型不純物領域２上に
素子分離用Ｐ＋型不純物層４と連結してＰ型不純物層３
が設けられた受光部領域を有している。この受光部領域
で光電変換された電子は、絶縁膜５を介して形或された
転送電極である多結晶シリコン電極６直下の半導体表面
を通って、電荷転送用Ｎ型不純物層７（埋め込みチャネ
ル）に移され、紙面と垂直方向へ転送され出力される。
第４図＜ａ），（ｂ）に光電変換された電荷８一ｌが受
光部領域に蓄えられた状態、およびその電荷が転送用Ｎ
型不純物層７へ移された状態のポテンシャル図を示す。
光部領域に蓄えられた状態、およびその電荷が転送用Ｎ
型不純物層７へ移された状態のポテンシャル図を示す。
上述した従来の固体撮像素子は、第４図のポテンシャル
図よりわかるように、ゲート電極と受光部のＮ型不純物
領域の重なり部で電荷が常に蓄積される領域ができる。
図よりわかるように、ゲート電極と受光部のＮ型不純物
領域の重なり部で電荷が常に蓄積される領域ができる。
この事が原因となって従来の固体撮像素子は信号の読み
残し、すなわち残像特性を示すという欠点がある。
残し、すなわち残像特性を示すという欠点がある。
本発明の固体撮像素子は、半導体基板上に形成される受
光部領域と、該受光部領域で光電変換された電荷を出力
回路へ転送する転送電極を有する固体撮像素子において
、前記受光部領域は第１導電型を有する第１の不純物層
と、該第１の不純物層にこれと自己整合して浅く設けら
れた第２導電型を有する第２の不純物層とを含むという
ものである。
光部領域と、該受光部領域で光電変換された電荷を出力
回路へ転送する転送電極を有する固体撮像素子において
、前記受光部領域は第１導電型を有する第１の不純物層
と、該第１の不純物層にこれと自己整合して浅く設けら
れた第２導電型を有する第２の不純物層とを含むという
ものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例のＣＯＤ固体撮像素子の画素
セルを示す半導体チップの断面図である。
セルを示す半導体チップの断面図である。
Ｐ型半導体基板１（Ｓｉ）に選択的にＮ型不純物層９お
よびＰ型不純物層１０が互いに自己整合的に設けられて
いる。そしてこのＰ型不純物層■０は素子分離用Ｐ型不
純物層４に連結されている。従ってＰ型半導体基板と同
電位になる。このような楕或の受光部領域で光電変換さ
れた電子は絶縁膜５を介して形成された多結晶シリコン
電極６直下の半導体表面を通って電荷転送用Ｎ型不純物
層７に移され、転送され出力される。
よびＰ型不純物層１０が互いに自己整合的に設けられて
いる。そしてこのＰ型不純物層■０は素子分離用Ｐ型不
純物層４に連結されている。従ってＰ型半導体基板と同
電位になる。このような楕或の受光部領域で光電変換さ
れた電子は絶縁膜５を介して形成された多結晶シリコン
電極６直下の半導体表面を通って電荷転送用Ｎ型不純物
層７に移され、転送され出力される。
ここで自己整合的にＮ型不純物層９およびＰ型不純物層
１０を作る方法の一例を第２図（ａ），（ｂ）を参照し
て説明する。まず第２図（ａ）に示すようにＰ型半導体
基板１表面に酸化膜の一部をエッチング除去し、その部
分にＮ型の不純物層８を形或する。次に同じ酸化膜をマ
スクとして、Ｐ型不純物層９をＮ型不純物層９より、浅
く形或する。
１０を作る方法の一例を第２図（ａ），（ｂ）を参照し
て説明する。まず第２図（ａ）に示すようにＰ型半導体
基板１表面に酸化膜の一部をエッチング除去し、その部
分にＮ型の不純物層８を形或する。次に同じ酸化膜をマ
スクとして、Ｐ型不純物層９をＮ型不純物層９より、浅
く形或する。
このようにして、受光部領域を自己整合的にＮ型不純物
層およびＰ型不純物層で作ることで、多結晶シリコン電
極直下のＮ型不純物層９の幅を小さくすることができる
。従来例では自己整合的でないためこの幅は２μｍ位で
あるが、この実施例では０．５μｍ程度にすることがで
きる。従ってこの部分のポテンシャル・ウエルに残る読
み残し電荷量は、従来例の半分以下に減少する。
層およびＰ型不純物層で作ることで、多結晶シリコン電
極直下のＮ型不純物層９の幅を小さくすることができる
。従来例では自己整合的でないためこの幅は２μｍ位で
あるが、この実施例では０．５μｍ程度にすることがで
きる。従ってこの部分のポテンシャル・ウエルに残る読
み残し電荷量は、従来例の半分以下に減少する。
以上説明したように本発明は、受光部領域が、互いに自
己整合したＮ型不純物層およびＰ型不純物層からなって
いるので、転送電極直下の信号の読み残しを減らし残像
を低減することができる効果がある。
己整合したＮ型不純物層およびＰ型不純物層からなって
いるので、転送電極直下の信号の読み残しを減らし残像
を低減することができる効果がある。
第１図は本発明の固体撮像素子の一実施例を示す半導体
チップの断面図、第２図（ａ）．（ｂ）は一実施例の製
造方法を説明するための工程順に示す半導体チップの断
面図、第３図は従来の固体撮像素子を示す半導体チップ
の断面図、第４図（．ａ），（ｂ）は読み出し動作時の
ポテンシャル図である。 ■・・・Ｐ型半導体基板、２・・・Ｎ型不純物領域、３
・・・Ｐ型不純物層、４・・・素子分１！ｆ！雨Ｐ型不
純物層、５・・・絶縁膜、６・・・多結晶シリコン電極
、７・・・電荷転送用Ｎ型不純物層、８・・・電荷、９
・・・Ｎ型不純物層、］０・・・Ｐ型不純物層。
チップの断面図、第２図（ａ）．（ｂ）は一実施例の製
造方法を説明するための工程順に示す半導体チップの断
面図、第３図は従来の固体撮像素子を示す半導体チップ
の断面図、第４図（．ａ），（ｂ）は読み出し動作時の
ポテンシャル図である。 ■・・・Ｐ型半導体基板、２・・・Ｎ型不純物領域、３
・・・Ｐ型不純物層、４・・・素子分１！ｆ！雨Ｐ型不
純物層、５・・・絶縁膜、６・・・多結晶シリコン電極
、７・・・電荷転送用Ｎ型不純物層、８・・・電荷、９
・・・Ｎ型不純物層、］０・・・Ｐ型不純物層。
Claims (1)
- 半導体基板上に形成される受光部領域と、該受光部領域
で光電変換された電荷を出力回路へ転送する転送電極を
有する固体撮像素子において、前記受光部領域は第１導
電型を有する第１の不純物層と、該第１の不純物層にこ
れと自己整合して浅く設けられた第２導電型を有する第
２の不純物層とを含むことを特徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1310101A JPH03169077A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1310101A JPH03169077A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03169077A true JPH03169077A (ja) | 1991-07-22 |
Family
ID=18001197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1310101A Pending JPH03169077A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03169077A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011014918A (ja) * | 2010-08-27 | 2011-01-20 | Canon Inc | 光電変換装置、その製造方法及び撮像システム |
-
1989
- 1989-11-28 JP JP1310101A patent/JPH03169077A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011014918A (ja) * | 2010-08-27 | 2011-01-20 | Canon Inc | 光電変換装置、その製造方法及び撮像システム |
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