JP2768452B2 - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JP2768452B2 JP2768452B2 JP3002563A JP256391A JP2768452B2 JP 2768452 B2 JP2768452 B2 JP 2768452B2 JP 3002563 A JP3002563 A JP 3002563A JP 256391 A JP256391 A JP 256391A JP 2768452 B2 JP2768452 B2 JP 2768452B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、固体撮像装置の製造
方法に関し、特に、アライメントずれによる特性劣化を
防止して、歩留りを向上できる固体撮像装置の製造方法
に関する。
方法に関し、特に、アライメントずれによる特性劣化を
防止して、歩留りを向上できる固体撮像装置の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、インターライントランスファ方
式のＣＣＤ型の固体撮像装置の断面図である。この固体
撮像装置はＮ型層からなるＮ基板３１上に、Ｐ型層から
なる深層のＰ層３２とＰ型層であるＰ層３３からなるＨ
iＣ−Ｐウェルを備えている。このＨiＣ−Ｐウェル上に
は、Ｎ型層からなり、電荷転送部としての埋めこみチャ
ネルＣＣＤをなすＮ層３４を設けている。また、上記深
層のＰ層３２の上に、Ｎ型層からなるＮ層３８を設けて
いる。上記深層のＰ層３２とＮ層３８とで光電変換素子
としてのＰ／Ｎ接合ホトダイオードを構成している。ま
た、上記埋めこみチャネルＣＣＤをなすＮ層３４と上記
Ｐ／Ｎ接合ホトダイオードのＮ層３８との間の深層のＰ
層３２はトランスファゲート部４０をなす。また、上記
埋めこみチャネルＣＣＤおよびＰ／Ｎ接合ホトダイオー
ドを有する画素の周辺部には高濃度のＰ型層からなるＰ
+層３５を設けている。このＰ+層３５は個々の画素を分
離するチャネルストップ部をなす。なお、上記埋めこみ
チャネルＣＣＤをなすＮ層３４と上記トランスファゲー
ト部４０の上部には絶縁膜３６を介して信号電荷読み出
しゲート３７を設けている。また、上記Ｐ／Ｎ接合ホト
ダイオードのＮ層３８の上には高濃度のＰ型層からなる
Ｐ+層を設けている。
式のＣＣＤ型の固体撮像装置の断面図である。この固体
撮像装置はＮ型層からなるＮ基板３１上に、Ｐ型層から
なる深層のＰ層３２とＰ型層であるＰ層３３からなるＨ
iＣ−Ｐウェルを備えている。このＨiＣ−Ｐウェル上に
は、Ｎ型層からなり、電荷転送部としての埋めこみチャ
ネルＣＣＤをなすＮ層３４を設けている。また、上記深
層のＰ層３２の上に、Ｎ型層からなるＮ層３８を設けて
いる。上記深層のＰ層３２とＮ層３８とで光電変換素子
としてのＰ／Ｎ接合ホトダイオードを構成している。ま
た、上記埋めこみチャネルＣＣＤをなすＮ層３４と上記
Ｐ／Ｎ接合ホトダイオードのＮ層３８との間の深層のＰ
層３２はトランスファゲート部４０をなす。また、上記
埋めこみチャネルＣＣＤおよびＰ／Ｎ接合ホトダイオー
ドを有する画素の周辺部には高濃度のＰ型層からなるＰ
+層３５を設けている。このＰ+層３５は個々の画素を分
離するチャネルストップ部をなす。なお、上記埋めこみ
チャネルＣＣＤをなすＮ層３４と上記トランスファゲー
ト部４０の上部には絶縁膜３６を介して信号電荷読み出
しゲート３７を設けている。また、上記Ｐ／Ｎ接合ホト
ダイオードのＮ層３８の上には高濃度のＰ型層からなる
Ｐ+層を設けている。
【０００３】上記固体撮像装置のＰ型層であるＰ層３３
からなるＨiＣ−Ｐウェルと埋めこみチャネルＣＣＤを
なすＮ層３４を、従来の固体撮像装置の製造方法によっ
て形成するプロセスを示す模式的な断面図を図２に示
す。この製造方法では、まずＮ基板３１上の深層のＰ層
３２に、ホトリソグラフィとＰ型イオン注入と熱拡散行
程を順に経てＨiＣ−ＰウェルとなるＰ層４３を形成す
る。そして、この工程で用いたホトレジストからなるマ
スクパターンを取り除く。次に、上記ＨiＣ−Ｐウェル
となるＰ層４３の上の絶縁膜３６上にホトレジストから
なるマスクパターン４５を形成する。次に、Ｎ型イオン
を注入して、埋めこみチャネルＣＣＤをなすＮ層３４を
形成する。
からなるＨiＣ−Ｐウェルと埋めこみチャネルＣＣＤを
なすＮ層３４を、従来の固体撮像装置の製造方法によっ
て形成するプロセスを示す模式的な断面図を図２に示
す。この製造方法では、まずＮ基板３１上の深層のＰ層
３２に、ホトリソグラフィとＰ型イオン注入と熱拡散行
程を順に経てＨiＣ−ＰウェルとなるＰ層４３を形成す
る。そして、この工程で用いたホトレジストからなるマ
スクパターンを取り除く。次に、上記ＨiＣ−Ｐウェル
となるＰ層４３の上の絶縁膜３６上にホトレジストから
なるマスクパターン４５を形成する。次に、Ｎ型イオン
を注入して、埋めこみチャネルＣＣＤをなすＮ層３４を
形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、固体
撮像装置は、カメラレンズの小形化および高解像度化へ
の要求を満たすために、チップサイズおよびセルサイズ
を縮小化する方向へ向かっている。しかし、この縮小化
に際し、電気転送部の縮小あるいは光電変換素子の縮小
を行うと、最大信号電荷量の制限や感度の劣化が発生す
る。そこで、特性劣化を生じることなく、固体撮像装置
のチップサイズおよびセルサイズを縮小するために、信
号電荷読み出しゲートの寸法を縮小している。ところ
が、上記信号電荷読み出しゲートの寸法を縮小すると、
上記信号電荷読み出しゲートの閾値電圧を製造上安定に
するためには、上記信号電荷読み出しゲートの下の不純
物濃度分布をより一層精密に制御することが必要にな
る。したがって、上記信号電荷読み出しゲートの下方の
電荷転送部となるＮ型層とこのＮ型層の直下のＨiＣ−
Ｐウェルとのアライメントずれによる上記信号電荷読み
出しゲートの下方の不純物濃度分布の変化は許容できな
いものになってきた。
撮像装置は、カメラレンズの小形化および高解像度化へ
の要求を満たすために、チップサイズおよびセルサイズ
を縮小化する方向へ向かっている。しかし、この縮小化
に際し、電気転送部の縮小あるいは光電変換素子の縮小
を行うと、最大信号電荷量の制限や感度の劣化が発生す
る。そこで、特性劣化を生じることなく、固体撮像装置
のチップサイズおよびセルサイズを縮小するために、信
号電荷読み出しゲートの寸法を縮小している。ところ
が、上記信号電荷読み出しゲートの寸法を縮小すると、
上記信号電荷読み出しゲートの閾値電圧を製造上安定に
するためには、上記信号電荷読み出しゲートの下の不純
物濃度分布をより一層精密に制御することが必要にな
る。したがって、上記信号電荷読み出しゲートの下方の
電荷転送部となるＮ型層とこのＮ型層の直下のＨiＣ−
Ｐウェルとのアライメントずれによる上記信号電荷読み
出しゲートの下方の不純物濃度分布の変化は許容できな
いものになってきた。
【０００５】ところが、上記従来の固体撮像装置の製造
方法では、図２に示す上記ＨiＣ−ＰウェルとなるＰ層
４３の上の絶縁膜３６上にホトレジストからなるマスク
パターン４５を形成する際に、このマスクパターン４５
のアライメントずれが発生するため、上記ＨiＣ−Ｐウ
ェルと上記埋めこみチャネルＣＣＤをなすＮ層３４との
アライメントずれが、トランスファゲート部４０となる
領域に発生する。このため、信号電荷読み出しゲートの
下の不純物濃度分布が変化して信号電荷読み出しゲート
の閾値電圧が製造上変動するという問題がある。
方法では、図２に示す上記ＨiＣ−ＰウェルとなるＰ層
４３の上の絶縁膜３６上にホトレジストからなるマスク
パターン４５を形成する際に、このマスクパターン４５
のアライメントずれが発生するため、上記ＨiＣ−Ｐウ
ェルと上記埋めこみチャネルＣＣＤをなすＮ層３４との
アライメントずれが、トランスファゲート部４０となる
領域に発生する。このため、信号電荷読み出しゲートの
下の不純物濃度分布が変化して信号電荷読み出しゲート
の閾値電圧が製造上変動するという問題がある。
【０００６】そこで、本発明の目的は、電荷転送部とな
るＮ型層と、このＮ型層の直下のＰウェルとのアライメ
ントずれが発生せず、信号電荷読み出しゲートの閾値電
圧を製造上、安定した値に維持できる固体撮像装置の製
造方法を提供することにある。
るＮ型層と、このＮ型層の直下のＰウェルとのアライメ
ントずれが発生せず、信号電荷読み出しゲートの閾値電
圧を製造上、安定した値に維持できる固体撮像装置の製
造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明の固体撮像装置の製造方法は、光電
変換素子と、信号電荷読み出し手段とを備え、この信号
電荷読み出し手段は電荷転送部とトランスファゲート部
と信号電荷読み出しゲートとを備える固体撮像装置の製
造方法において、上記信号電荷読み出しゲートの下方の
電荷転送部となる第１導電型層と、この第１導電型層の
直下の第２導電型層のうちの一方の導電型層を熱処理の
前後で形状が変化しない膜からなるマスクを用いてイオ
ン注入を行ない、熱処理することによって形成し、その
後、上記マスクを用いてイオン注入を行ない、熱処理す
ることにより、他方の導電型層を形成することを特徴と
している。また、請求項２の発明は、請求項１に記載の
固体撮像装置の製造方法において、上記熱処理の前後で
形状が変化しない膜がシリコン窒化膜であることを特徴
としている。
め、請求項１の発明の固体撮像装置の製造方法は、光電
変換素子と、信号電荷読み出し手段とを備え、この信号
電荷読み出し手段は電荷転送部とトランスファゲート部
と信号電荷読み出しゲートとを備える固体撮像装置の製
造方法において、上記信号電荷読み出しゲートの下方の
電荷転送部となる第１導電型層と、この第１導電型層の
直下の第２導電型層のうちの一方の導電型層を熱処理の
前後で形状が変化しない膜からなるマスクを用いてイオ
ン注入を行ない、熱処理することによって形成し、その
後、上記マスクを用いてイオン注入を行ない、熱処理す
ることにより、他方の導電型層を形成することを特徴と
している。また、請求項２の発明は、請求項１に記載の
固体撮像装置の製造方法において、上記熱処理の前後で
形状が変化しない膜がシリコン窒化膜であることを特徴
としている。
【０００８】
【作用】信号電荷読み出しゲートの下方の電荷転送部と
なる第１導電型層と、この第１導電型層の直下の第２導
電型層とを熱処理によって変化しない膜からなる同一の
マスクを用いてセルフイオン注入および熱拡散を行なう
ことにより形成するので、上記熱拡散の工程で上記マス
クが変化することがなく、電荷転送部となる第１導電型
層と、この第１導電型層の直下の第２導電型層とのアラ
イメントずれが発生しない。したがって、上記信号電荷
読み出しゲートの下の不純物濃度分布が変化せず、信号
電荷読み出しゲートの閾値電圧が製造上安定した値に維
持される。
なる第１導電型層と、この第１導電型層の直下の第２導
電型層とを熱処理によって変化しない膜からなる同一の
マスクを用いてセルフイオン注入および熱拡散を行なう
ことにより形成するので、上記熱拡散の工程で上記マス
クが変化することがなく、電荷転送部となる第１導電型
層と、この第１導電型層の直下の第２導電型層とのアラ
イメントずれが発生しない。したがって、上記信号電荷
読み出しゲートの下の不純物濃度分布が変化せず、信号
電荷読み出しゲートの閾値電圧が製造上安定した値に維
持される。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の固体撮像装置の製造方法を図
示の実施例により詳細に説明する。図１は本発明の固体
撮像装置の製造方法の一実施例を模式的に示す断面図で
ある。尚、この実施例では本発明に係る要部のみを説明
する。この実施例は、図１(Ａ)に示すように、Ｎ型層か
らなるＮ基板１上に、Ｐ型層からなる深層のＰ層２と、
絶縁膜３と、パターン形成され熱処理前後で形状が変化
しない膜としてのＳiＮ膜４を順に形成する。次に、同
じく、上記パターン形成されたＳiＮ膜４をマスクとし
てＰ型イオンを、セルフイオン注入してから熱拡散を行
うことにより、図１(Ｂ)に示すＨiＣ−Ｐウェルとなる
Ｐ層５を形成する。次に、上記パターン形成されたＳi
Ｎ膜４をマスクとしてＮ型イオンをセルフイオン注入し
てから熱拡散を行うことにより、電荷転送部としての埋
めこみチャネルＣＣＤをなすＮ型層を形成する。このよ
うに、上記実施例では、電荷転送部としての埋めこみチ
ャネルＣＣＤをなす第１導電型層であるＮ型層と、その
直下の第２導電型層であるＨiＣ−ＰウェルとなるＰ層
５とを、熱処理で変化しない膜としての同一のＳiＮ膜
４をマスクとして、セルフイオン注入および熱拡散を行
なうことにより形成するので、上記電荷転送部としての
埋めこみチャネルＣＣＤをなすＮ型層と、その直下のＨ
iＣ−ＰウェルとなるＰ層５とのアライメントずれが発
生しない。したがって、上記電荷転送部としての埋めこ
みチャネルＣＣＤをなすＮ型層の上方の信号電荷読み出
しゲートの閾値電圧を製造上安定した値に維持できる。
示の実施例により詳細に説明する。図１は本発明の固体
撮像装置の製造方法の一実施例を模式的に示す断面図で
ある。尚、この実施例では本発明に係る要部のみを説明
する。この実施例は、図１(Ａ)に示すように、Ｎ型層か
らなるＮ基板１上に、Ｐ型層からなる深層のＰ層２と、
絶縁膜３と、パターン形成され熱処理前後で形状が変化
しない膜としてのＳiＮ膜４を順に形成する。次に、同
じく、上記パターン形成されたＳiＮ膜４をマスクとし
てＰ型イオンを、セルフイオン注入してから熱拡散を行
うことにより、図１(Ｂ)に示すＨiＣ−Ｐウェルとなる
Ｐ層５を形成する。次に、上記パターン形成されたＳi
Ｎ膜４をマスクとしてＮ型イオンをセルフイオン注入し
てから熱拡散を行うことにより、電荷転送部としての埋
めこみチャネルＣＣＤをなすＮ型層を形成する。このよ
うに、上記実施例では、電荷転送部としての埋めこみチ
ャネルＣＣＤをなす第１導電型層であるＮ型層と、その
直下の第２導電型層であるＨiＣ−ＰウェルとなるＰ層
５とを、熱処理で変化しない膜としての同一のＳiＮ膜
４をマスクとして、セルフイオン注入および熱拡散を行
なうことにより形成するので、上記電荷転送部としての
埋めこみチャネルＣＣＤをなすＮ型層と、その直下のＨ
iＣ−ＰウェルとなるＰ層５とのアライメントずれが発
生しない。したがって、上記電荷転送部としての埋めこ
みチャネルＣＣＤをなすＮ型層の上方の信号電荷読み出
しゲートの閾値電圧を製造上安定した値に維持できる。
【００１０】また、上記電荷転送部としての埋めこみチ
ャネルＣＣＤをなすＮ型層と、その直下のＨiＣ−Ｐウ
ェルとなるＰ層５との両方を熱処理で変化しない膜とし
てのＳiＮ膜４からなる同一のマスクを用いて形成する
ので、従来必要となっていた上記埋めこみチャネルＣＣ
ＤをなすＮ型層を形成する際のホトリソグラフィ工程が
上記実施例では不必要になる。したがって、製造工程を
簡単にできる。
ャネルＣＣＤをなすＮ型層と、その直下のＨiＣ−Ｐウ
ェルとなるＰ層５との両方を熱処理で変化しない膜とし
てのＳiＮ膜４からなる同一のマスクを用いて形成する
ので、従来必要となっていた上記埋めこみチャネルＣＣ
ＤをなすＮ型層を形成する際のホトリソグラフィ工程が
上記実施例では不必要になる。したがって、製造工程を
簡単にできる。
【００１１】尚、上記実施例で説明した部分以外の部分
である光電変換素子等はどのような方法で製造してもよ
い。
である光電変換素子等はどのような方法で製造してもよ
い。
【００１２】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、本発明
の固体撮像装置の製造方法は、信号電荷読み出しゲート
の下方の電荷転送部となるＮ型層と、このＮ型層の直下
のＰウェルとを熱処理前後で形状が変化しない膜からな
る同一のマスクを用いてセルフイオン注入および熱拡散
を行なうことにより形成するので、上記熱拡散の工程で
上記マスクが変化することがなく、電荷転送部となるＮ
型層と、このＮ型層の直下のＰウェルとのアライメント
ずれが発生しない。したがって、上記信号電荷読み出し
ゲートの下の不純物濃度分布が変化せず、信号電荷読み
出しゲートの閾値電圧を製造上安定した値に維持でき
る。
の固体撮像装置の製造方法は、信号電荷読み出しゲート
の下方の電荷転送部となるＮ型層と、このＮ型層の直下
のＰウェルとを熱処理前後で形状が変化しない膜からな
る同一のマスクを用いてセルフイオン注入および熱拡散
を行なうことにより形成するので、上記熱拡散の工程で
上記マスクが変化することがなく、電荷転送部となるＮ
型層と、このＮ型層の直下のＰウェルとのアライメント
ずれが発生しない。したがって、上記信号電荷読み出し
ゲートの下の不純物濃度分布が変化せず、信号電荷読み
出しゲートの閾値電圧を製造上安定した値に維持でき
る。
【図１】 本発明の固体撮像装置の製造方法の一実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】 従来の固体撮像装置の製造方法を示す断面図
である。
である。
【図３】 インターライントランスファ方式のＣＣＤ型
の固体撮像装置の断面図である。
の固体撮像装置の断面図である。
１,３１ Ｎ基板 ２,５,３２,３３ Ｐ層 ３,３６ 絶縁膜 ４ ＳiＮ膜 ３４,３８ Ｎ層 ３７ 信号電荷読み出しゲート ４０ トランスファゲート部 ４５ マスクパターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 27/148 H01L 21/265
Claims (2)
- 【請求項１】 光電変換素子と、信号電荷読み出し手段
とを備え、この信号電荷読み出し手段は電荷転送部とト
ランスファゲート部と信号電荷読み出しゲートとを備え
る固体撮像装置の製造方法において、 上記信号電荷読み出しゲートの下方の電荷転送部となる
第１導電型層と、この第１導電型層の直下の第２導電型
層のうちの一方の導電型層を熱処理の前後で形状が変化
しない膜からなるマスクを用いてイオン注入を行ない、
熱処理することによって形成し、その後、上記マスクを
用いてイオン注入を行ない、熱処理することにより、他
方の導電型層を形成することを特徴とする固体撮像装置
の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の固体撮像装置の製造方
法において、 上記熱処理の前後で形状が変化しない膜がシリコン窒化
膜であることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3002563A JP2768452B2 (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3002563A JP2768452B2 (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04239173A JPH04239173A (ja) | 1992-08-27 |
| JP2768452B2 true JP2768452B2 (ja) | 1998-06-25 |
Family
ID=11532843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3002563A Expired - Lifetime JP2768452B2 (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2768452B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5389366A (en) * | 1977-01-18 | 1978-08-05 | Toshiba Corp | Production of semiconductor device |
| JPS53138284A (en) * | 1977-05-09 | 1978-12-02 | Fujitsu Ltd | Manufacture for semiconductor part |
| JPS6221264A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-29 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6420654A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-24 | Toshiba Corp | Solid-state image sensing device and manufacture thereof |
| JPH01215084A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザの製造方法 |
| JPH02218134A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-01-14 JP JP3002563A patent/JP2768452B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04239173A (ja) | 1992-08-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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