JPH01215084A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
- Publication number
- JPH01215084A JPH01215084A JP4105788A JP4105788A JPH01215084A JP H01215084 A JPH01215084 A JP H01215084A JP 4105788 A JP4105788 A JP 4105788A JP 4105788 A JP4105788 A JP 4105788A JP H01215084 A JPH01215084 A JP H01215084A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion implantation
- region
- junction
- active layer
- diffusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 11
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
- H01S5/0422—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
- H01S5/2063—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion obtained by particle bombardment
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、基板に垂直に形成されたｐｎ接合を有する
半導体レーザの製造方法に関するものである。
半導体レーザの製造方法に関するものである。
（従来の技術〕
第２図（ａ）〜（Ｃ）は例えば従来のＴＪＳ（Ｔｒａｎ
ｓｖｅｒｓｅ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ ５ｔｒｉｐｅ）レー
ザの製造方法を説明するための図である。
ｓｖｅｒｓｅ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ ５ｔｒｉｐｅ）レー
ザの製造方法を説明するための図である。
これらの図において、１は５１（半絶縁）−〇ａＡｓ基
板、２．４はｎ−ＡＪＩＧａＡｓからなるクラッド層、
３はＧａＡｓからなる活性層・、５はｎ−ＧａＡｓから
なるコンタクト層、６はＳｉＮ膜、７はｐ＋拡散領域、
８はｐ拡散領域、１１はｎ電極、１２はｐ電極である。
板、２．４はｎ−ＡＪＩＧａＡｓからなるクラッド層、
３はＧａＡｓからなる活性層・、５はｎ−ＧａＡｓから
なるコンタクト層、６はＳｉＮ膜、７はｐ＋拡散領域、
８はｐ拡散領域、１１はｎ電極、１２はｐ電極である。
次に製造方法について説明する。
まず、第２図（ａ）に示すように、クラッド層２からコ
ンタクト層５までを順次成長させたウェハ上からＳｉＮ
膜６をマスクとして用いて選択拡散を行ってｐ′″拡散
領域７を形成する。
ンタクト層５までを順次成長させたウェハ上からＳｉＮ
膜６をマスクとして用いて選択拡散を行ってｐ′″拡散
領域７を形成する。
次に、第２図（ｂ）に示すように、９５０℃程風の高温
ドライブによってｐ拡散領域８を形成する。
ドライブによってｐ拡散領域８を形成する。
そして、ＳｉＮ膜６を除去したのち、第２図（Ｃ）に示
すように、接合部のコンタクト層５を除去し、ｎ電極１
１、ｐ電極１２を形成すれば素子が完成する。
すように、接合部のコンタクト層５を除去し、ｎ電極１
１、ｐ電極１２を形成すれば素子が完成する。
次に動作について説明する。
ｐ電極１２より流入した電流は活性層３のｐ０ｐｎ接合
部に注入されて発光を生じさせるが、この光はこれらの
各領域間の屈折率差によりｐ拡散領域８に閉じ込められ
て横モードの制御が行われる。
部に注入されて発光を生じさせるが、この光はこれらの
各領域間の屈折率差によりｐ拡散領域８に閉じ込められ
て横モードの制御が行われる。
上記のような従来の半導体レーザの製造方法では、ｐ拡
散領域８を形成するために高温ドライブ工程が不可欠で
あるが、この際、クエへが９５０℃程度の高温にさらさ
れるため、クエへ表面が荒ｔＬ、０ＥＩＣ化の際に電子
デバイスが形成しにくい。また、活性層として多重量子
井戸（ＭＱＷ）構造を用いた場合、無秩序化してしまう
などの問題点があった。
散領域８を形成するために高温ドライブ工程が不可欠で
あるが、この際、クエへが９５０℃程度の高温にさらさ
れるため、クエへ表面が荒ｔＬ、０ＥＩＣ化の際に電子
デバイスが形成しにくい。また、活性層として多重量子
井戸（ＭＱＷ）構造を用いた場合、無秩序化してしまう
などの問題点があった。
この発明は、かかる課題を解決するためになされたもの
で、ウニへ表面に荒れを生じることなく、０ＥＩＣ化が
可能であるうえ、活性層としてＭＱＷ構造を採用するこ
とが可能な半導体レーザの製造方法を得ることを目的と
する。
で、ウニへ表面に荒れを生じることなく、０ＥＩＣ化が
可能であるうえ、活性層としてＭＱＷ構造を採用するこ
とが可能な半導体レーザの製造方法を得ることを目的と
する。
この発明に係る半導体レーザの製造方法は、ｐｎ接合を
形成するための第１領域をイオン注入またはイオン注入
と熱拡散によって形成するものである。
形成するための第１領域をイオン注入またはイオン注入
と熱拡散によって形成するものである。
この発明においては、イオン注入によって直接、または
イオン注入によって注入された不純物の拡散によって活
性層の導電型が反転され、ｐｎ接合が形成される。
イオン注入によって注入された不純物の拡散によって活
性層の導電型が反転され、ｐｎ接合が形成される。
（実施例〕
第１図（ａ）〜（Ｃ）はこの発明の半導体レーザの製造
方法の一実施例を説明するための図である。
方法の一実施例を説明するための図である。
これらの図において、第２図（ａ）〜（Ｃ）と同一符号
は同一のものを示し、９はｐイオン注入領域、１０は前
記ｐイオン注入領域９を形成するためのイオンビームで
ある。
は同一のものを示し、９はｐイオン注入領域、１０は前
記ｐイオン注入領域９を形成するためのイオンビームで
ある。
次にこの発明の製造方法について説明する。
まず、第１図（ａ）に示すように、クラッド層２からコ
ンタクト層５までを順次成長させたウェハ上からＳｉＮ
＠６をマスクとして用いて選択拡散を行って第２領域と
してのｐ◆拡散領域７を形成する。
ンタクト層５までを順次成長させたウェハ上からＳｉＮ
＠６をマスクとして用いて選択拡散を行って第２領域と
してのｐ◆拡散領域７を形成する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、ｐ′″ｎ接合部近傍
のコンタクト層５をエツチングによって取り除き、イオ
ン注入を行って第１領域としてのｐイオン注入領域９を
形成する。
のコンタクト層５をエツチングによって取り除き、イオ
ン注入を行って第１領域としてのｐイオン注入領域９を
形成する。
そして、この後、イオン注入による格子欠陥等のダメー
ジを回復させるためにアニールおよびＳｉｎ膜６の除去
を行い、第１図（Ｃ）に示すようにｎ電極１１およびｐ
電極１２を形成すれば素子が完成する。
ジを回復させるためにアニールおよびＳｉｎ膜６の除去
を行い、第１図（Ｃ）に示すようにｎ電極１１およびｐ
電極１２を形成すれば素子が完成する。
このような工程を経て得られた半導体レーザも動作につ
いては従来のものと同様であるが、高温ドライブ工程を
経ていないため、表面の荒れがなくｏ□ＥＩＣ化のため
の電子デバイスが形成しやすくなっている。
いては従来のものと同様であるが、高温ドライブ工程を
経ていないため、表面の荒れがなくｏ□ＥＩＣ化のため
の電子デバイスが形成しやすくなっている。
また、上記のアニールを高温、短時間、例えば９７０℃
、１０秒で行うようにすれば、活性層としてＭＱＷ構造
を採用しても無秩序化せず、より低しきい値で０ＥＩＣ
化に最適な半導体し′−ザが得られる。
、１０秒で行うようにすれば、活性層としてＭＱＷ構造
を採用しても無秩序化せず、より低しきい値で０ＥＩＣ
化に最適な半導体し′−ザが得られる。
さらに、例えばあらかじめＳｔをドープした領域にＢｅ
を注入してｐイオン注入領域９を形成するようにすれば
、アニールを８５０℃、１時間で行ってもＭＱＷが無秩
序化しなくなる。
を注入してｐイオン注入領域９を形成するようにすれば
、アニールを８５０℃、１時間で行ってもＭＱＷが無秩
序化しなくなる。
なお、上記実施例では、拡散を行ってｐ′″拡散領域７
を形成した後イオン注入を行ったが、イオン注入を先に
行ってｐイオン注入領域９を形成した後拡散を行っても
同じである。
を形成した後イオン注入を行ったが、イオン注入を先に
行ってｐイオン注入領域９を形成した後拡散を行っても
同じである。
また、上記実施例では、ＧａＡｓ系材料を用いているが
、他の材料、例えばＩｎＰ系を用いてもよい。
、他の材料、例えばＩｎＰ系を用いてもよい。
また、ｐイオン注入領域９を活性層３の上部の層まで形
成して止めておき、その後、短時間の熱拡散などによっ
て活性層３にｐ不純物を拡散させることも可能である。
成して止めておき、その後、短時間の熱拡散などによっ
て活性層３にｐ不純物を拡散させることも可能である。
（発明の効果〕
この発明は以上説明したとおり、ｐｎ接合を形成するた
めの第１領域をイオン注入またはイオン注入と熱拡散に
よって形成するので、長時間の高温ドライブ工程を省略
でき、ウニへ表面が荒れなくなり、０ＥＩＣ化が容易に
なる。また、活性層としてＭＱＷ構造を採用しても、無
秩序化されることがなく高効率のＴＪＳレーザが得られ
るという効果がある。
めの第１領域をイオン注入またはイオン注入と熱拡散に
よって形成するので、長時間の高温ドライブ工程を省略
でき、ウニへ表面が荒れなくなり、０ＥＩＣ化が容易に
なる。また、活性層としてＭＱＷ構造を採用しても、無
秩序化されることがなく高効率のＴＪＳレーザが得られ
るという効果がある。
第１図はこの発明の半導体レーザの製造方法の一実施例
を説明するための図、第２図は従来の半導体レーザの製
造方法を説明するための図である。 図において、１はＧａＡｓ基板、２．４はクラッド層、
３は活性層、５はコンタクト層、６はＳｉＮ膜、７はｐ
０拡散領域、９はｐイオン注入領域、１０はイオンビー
ム、１１はｎ電極、１２はｐ電極である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第２図
を説明するための図、第２図は従来の半導体レーザの製
造方法を説明するための図である。 図において、１はＧａＡｓ基板、２．４はクラッド層、
３は活性層、５はコンタクト層、６はＳｉＮ膜、７はｐ
０拡散領域、９はｐイオン注入領域、１０はイオンビー
ム、１１はｎ電極、１２はｐ電極である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第２図
Claims (1)
- 活性層を含む第１導電型のウェハ内に、ｐｎ接合を形
成するための第２導電型の第１領域と、電極が形成され
る高不純物濃度で第２導電型の第２領域とを隣接して有
するＴＪＳレーザの製造方法において、前記第１領域を
イオン注入またはイオン注入と熱拡散によって形成する
ことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4105788A JPH01215084A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4105788A JPH01215084A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01215084A true JPH01215084A (ja) | 1989-08-29 |
Family
ID=12597784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4105788A Pending JPH01215084A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01215084A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04239173A (ja) * | 1991-01-14 | 1992-08-27 | Sharp Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-02-24 JP JP4105788A patent/JPH01215084A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04239173A (ja) * | 1991-01-14 | 1992-08-27 | Sharp Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100255689B1 (ko) | 반도체 레이져 소자 및 그 제조방법 | |
| JPH06232494A (ja) | 面発光素子およびその製造方法 | |
| US4323856A (en) | Injection laser | |
| JP2653562B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPH01215084A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| US4581743A (en) | Semiconductor laser having an inverted layer in a stepped offset portion | |
| JPH0864899A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法，および半導体レーザ装置 | |
| KR950008860B1 (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| JPH0582885A (ja) | 双安定半導体レーザ | |
| JPS637691A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH01304793A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JP2855887B2 (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP2538613B2 (ja) | 半導体レ―ザ及びその製造方法 | |
| JPS6021587A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH1012965A (ja) | 利得導波路型半導体レーザ | |
| JPS59181084A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS58114478A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS63146480A (ja) | 埋め込み型量子井戸半導体レーザ | |
| JPH0661582A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JPS59222984A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH027489A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS60258986A (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| JPS63306684A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPH0795617B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 | |
| JPS59165483A (ja) | 半導体レ−ザ− |