JPH04239173A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPH04239173A JPH04239173A JP3002563A JP256391A JPH04239173A JP H04239173 A JPH04239173 A JP H04239173A JP 3002563 A JP3002563 A JP 3002563A JP 256391 A JP256391 A JP 256391A JP H04239173 A JPH04239173 A JP H04239173A
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
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- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、固体撮像装置の製造
方法に関し、特に、アライメントずれによる特性劣化を
防止して、歩留りを向上できる固体撮像装置の製造方法
に関する。
方法に関し、特に、アライメントずれによる特性劣化を
防止して、歩留りを向上できる固体撮像装置の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、インターライントランスファ方
式のＣＣＤ型の固体撮像装置の断面図である。この固体
撮像装置はＮ型層からなるＮ基板３１上に、Ｐ型層から
なる深層のＰ層３２とＰ型層であるＰ層３３からなるＨ
ｉＣ−Ｐウェルを備えている。このＨｉＣ−Ｐウェル上
には、Ｎ型層からなり、電荷転送部としての埋めこみチ
ャネルＣＣＤをなすＮ層３４を設けている。また、上記
深層のＰ層３２の上に、Ｎ型層からなるＮ層３８を設け
ている。上記深層のＰ層３２とＮ層３８とで光電変換素
子としてのＰ／Ｎ接合ホトダイオードを構成している。 また、上記埋めこみチャネルＣＣＤをなすＮ層３４と上
記Ｐ／Ｎ接合ホトダイオードのＮ層３８との間の深層の
Ｐ層３２はトランスファゲート部４０をなす。また、上
記埋めこみチャネルＣＣＤおよびＰ／Ｎ接合ホトダイオ
ードを有する画素の周辺部には高濃度のＰ型層からなる
Ｐ＋層３５を設けている。このＰ＋層３５は個々の画素
を分離するチャネルストップ部をなす。なお、上記埋め
こみチャネルＣＣＤをなすＮ層３４と上記トランスファ
ゲート部４０の上部には絶縁膜３６を介して信号電荷読
み出しゲート３７を設けている。また、上記Ｐ／Ｎ接合
ホトダイオードのＮ層３８の上には高濃度のＰ型層から
なるＰ＋層を設けている。
式のＣＣＤ型の固体撮像装置の断面図である。この固体
撮像装置はＮ型層からなるＮ基板３１上に、Ｐ型層から
なる深層のＰ層３２とＰ型層であるＰ層３３からなるＨ
ｉＣ−Ｐウェルを備えている。このＨｉＣ−Ｐウェル上
には、Ｎ型層からなり、電荷転送部としての埋めこみチ
ャネルＣＣＤをなすＮ層３４を設けている。また、上記
深層のＰ層３２の上に、Ｎ型層からなるＮ層３８を設け
ている。上記深層のＰ層３２とＮ層３８とで光電変換素
子としてのＰ／Ｎ接合ホトダイオードを構成している。 また、上記埋めこみチャネルＣＣＤをなすＮ層３４と上
記Ｐ／Ｎ接合ホトダイオードのＮ層３８との間の深層の
Ｐ層３２はトランスファゲート部４０をなす。また、上
記埋めこみチャネルＣＣＤおよびＰ／Ｎ接合ホトダイオ
ードを有する画素の周辺部には高濃度のＰ型層からなる
Ｐ＋層３５を設けている。このＰ＋層３５は個々の画素
を分離するチャネルストップ部をなす。なお、上記埋め
こみチャネルＣＣＤをなすＮ層３４と上記トランスファ
ゲート部４０の上部には絶縁膜３６を介して信号電荷読
み出しゲート３７を設けている。また、上記Ｐ／Ｎ接合
ホトダイオードのＮ層３８の上には高濃度のＰ型層から
なるＰ＋層を設けている。
【０００３】上記固体撮像装置のＰ型層であるＰ層３３
からなるＨｉＣ−Ｐウェルと埋めこみチャネルＣＣＤを
なすＮ層３４を、従来の固体撮像装置の製造方法によっ
て形成するプロセスを示す模式的な断面図を図２に示す
。この製造方法では、まずＮ基板３１上の深層のＰ層３
２に、ホトリソグラフィとＰ型イオン注入と熱拡散行程
を順に経てＨｉＣ−ＰウェルとなるＰ層４３を形成する
。そして、この工程で用いたホトレジストからなるマス
クパターンを取り除く。次に、上記ＨｉＣ−Ｐウェルと
なるＰ層４３の上の絶縁膜３６上にホトレジストからな
るマスクパターン４５を形成する。次に、Ｎ型イオンを
注入して、埋めこみチャネルＣＣＤをなすＮ層３４を形
成する。
からなるＨｉＣ−Ｐウェルと埋めこみチャネルＣＣＤを
なすＮ層３４を、従来の固体撮像装置の製造方法によっ
て形成するプロセスを示す模式的な断面図を図２に示す
。この製造方法では、まずＮ基板３１上の深層のＰ層３
２に、ホトリソグラフィとＰ型イオン注入と熱拡散行程
を順に経てＨｉＣ−ＰウェルとなるＰ層４３を形成する
。そして、この工程で用いたホトレジストからなるマス
クパターンを取り除く。次に、上記ＨｉＣ−Ｐウェルと
なるＰ層４３の上の絶縁膜３６上にホトレジストからな
るマスクパターン４５を形成する。次に、Ｎ型イオンを
注入して、埋めこみチャネルＣＣＤをなすＮ層３４を形
成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、固体
撮像装置は、カメラレンズの小形化および高解像度化へ
の要求を満たすために、チップサイズおよびセルサイズ
を縮小化する方向へ向かっている。しかし、この縮小化
に際し、電気転送部の縮小あるいは光電変換素子の縮小
を行うと、最大信号電荷量の制限や感度の劣化が発生す
る。そこで、特性劣化を生じることなく、固体撮像装置
のチップサイズおよびセルサイズを縮小するために、信
号電荷読み出しゲートの寸法を縮小している。ところが
、上記信号電荷読み出しゲートの寸法を縮小すると、上
記信号電荷読み出しゲートの閾値電圧を製造上安定にす
るためには、上記信号電荷読み出しゲートの下の不純物
濃度分布をより一層精密に制御することが必要になる。 したがって、上記信号電荷読み出しゲートの下方の電荷
転送部となるＮ型層とこのＮ型層の直下のＨｉＣ−Ｐウ
ェルとのアライメントずれによる上記信号電荷読み出し
ゲートの下方の不純物濃度分布の変化は許容できないも
のになってきた。
撮像装置は、カメラレンズの小形化および高解像度化へ
の要求を満たすために、チップサイズおよびセルサイズ
を縮小化する方向へ向かっている。しかし、この縮小化
に際し、電気転送部の縮小あるいは光電変換素子の縮小
を行うと、最大信号電荷量の制限や感度の劣化が発生す
る。そこで、特性劣化を生じることなく、固体撮像装置
のチップサイズおよびセルサイズを縮小するために、信
号電荷読み出しゲートの寸法を縮小している。ところが
、上記信号電荷読み出しゲートの寸法を縮小すると、上
記信号電荷読み出しゲートの閾値電圧を製造上安定にす
るためには、上記信号電荷読み出しゲートの下の不純物
濃度分布をより一層精密に制御することが必要になる。 したがって、上記信号電荷読み出しゲートの下方の電荷
転送部となるＮ型層とこのＮ型層の直下のＨｉＣ−Ｐウ
ェルとのアライメントずれによる上記信号電荷読み出し
ゲートの下方の不純物濃度分布の変化は許容できないも
のになってきた。
【０００５】ところが、上記従来の固体撮像装置の製造
方法では、図２に示す上記ＨｉＣ−ＰウェルとなるＰ層
４３の上の絶縁膜３６上にホトレジストからなるマスク
パターン４５を形成する際に、このマスクパターン４５
のアライメントずれが発生するため、上記ＨｉＣ−Ｐウ
ェルと上記埋めこみチャネルＣＣＤをなすＮ層３４との
アライメントずれが、トランスファゲート部４０となる
領域に発生する。このため、信号電荷読み出しゲートの
下の不純物濃度分布が変化して信号電荷読み出しゲート
の閾値電圧が製造上変動するという問題がある。
方法では、図２に示す上記ＨｉＣ−ＰウェルとなるＰ層
４３の上の絶縁膜３６上にホトレジストからなるマスク
パターン４５を形成する際に、このマスクパターン４５
のアライメントずれが発生するため、上記ＨｉＣ−Ｐウ
ェルと上記埋めこみチャネルＣＣＤをなすＮ層３４との
アライメントずれが、トランスファゲート部４０となる
領域に発生する。このため、信号電荷読み出しゲートの
下の不純物濃度分布が変化して信号電荷読み出しゲート
の閾値電圧が製造上変動するという問題がある。
【０００６】そこで、本発明の目的は、電荷転送部とな
るＮ型層と、このＮ型層の直下のＰウェルとのアライメ
ントずれが発生せず、信号電荷読み出しゲートの閾値電
圧を製造上、安定した値に維持できる固体撮像装置の製
造方法を提供することにある。
るＮ型層と、このＮ型層の直下のＰウェルとのアライメ
ントずれが発生せず、信号電荷読み出しゲートの閾値電
圧を製造上、安定した値に維持できる固体撮像装置の製
造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
、本発明の固体撮像装置の製造方法は、光電変換素子と
、信号電荷読み出し手段とを備え、この信号電荷読み出
し手段は電荷転送部とトランスファゲート部と信号電荷
読み出しゲートとを備える固体撮像装置の製造方法にお
いて、上記信号電荷読み出しゲートの下方の電荷転送部
となるＮ型層と、このＮ型層の直下のＰウェルとを、熱
処理によって変化しない膜からなる同一のマスクを用い
てセルフイオン注入および熱拡散を行なうことにより形
成することを特徴としている。
、本発明の固体撮像装置の製造方法は、光電変換素子と
、信号電荷読み出し手段とを備え、この信号電荷読み出
し手段は電荷転送部とトランスファゲート部と信号電荷
読み出しゲートとを備える固体撮像装置の製造方法にお
いて、上記信号電荷読み出しゲートの下方の電荷転送部
となるＮ型層と、このＮ型層の直下のＰウェルとを、熱
処理によって変化しない膜からなる同一のマスクを用い
てセルフイオン注入および熱拡散を行なうことにより形
成することを特徴としている。
【０００８】
【作用】信号電荷読み出しゲートの下方の電荷転送部と
なるＮ型層と、このＮ型層の直下のＰウェルとを熱処理
によって変化しない膜からなる同一のマスクを用いてセ
ルフイオン注入および熱拡散を行なうことにより形成す
るので、上記熱拡散の工程で上記マスクが変化すること
がなく、電荷転送部となるＮ型層と、このＮ型層の直下
のＰウェルとのアライメントずれが発生しない。したが
って、上記信号電荷読み出しゲートの下の不純物濃度分
布が変化せず、信号電荷読み出しゲートの閾値電圧が製
造上安定した値に維持される。
なるＮ型層と、このＮ型層の直下のＰウェルとを熱処理
によって変化しない膜からなる同一のマスクを用いてセ
ルフイオン注入および熱拡散を行なうことにより形成す
るので、上記熱拡散の工程で上記マスクが変化すること
がなく、電荷転送部となるＮ型層と、このＮ型層の直下
のＰウェルとのアライメントずれが発生しない。したが
って、上記信号電荷読み出しゲートの下の不純物濃度分
布が変化せず、信号電荷読み出しゲートの閾値電圧が製
造上安定した値に維持される。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の固体撮像装置の製造方法を図
示の実施例により詳細に説明する。図１は本発明の固体
撮像装置の製造方法の一実施例を模式的に示す断面図で
ある。尚、この実施例では本発明に係る要部のみを説明
する。この実施例は、図１（Ａ）に示すように、Ｎ型層
からなるＮ基板１上に、Ｐ型層からなる深層のＰ層２と
、絶縁膜３と、パターン形成され熱処理で変化しない膜
としてのＳｉＮ膜４を順に形成する。次に、同じく、上
記パターン形成されたＳｉＮ膜４をマスクとしてＰ型イ
オンを、セルフイオン注入してから熱拡散を行うことに
より、図１（Ｂ）に示すＨｉＣ−ＰウェルとなるＰ層５
を形成する。次に、上記パターン形成されたＳｉＮ膜４
をマスクとしてＮ型イオンをセルフイオン注入してから
熱拡散を行うことにより、電荷転送部としての埋めこみ
チャネルＣＣＤをなすＮ型層を形成する。このように、
上記実施例では、電荷転送部としての埋めこみチャネル
ＣＣＤをなすＮ型層と、その直下のＨｉＣ−Ｐウェルと
なるＰ層５とを、熱処理で変化しない膜としての同一の
ＳｉＮ膜４をマスクとして、セルフイオン注入および熱
拡散を行なうことにより形成するので、上記電荷転送部
としての埋めこみチャネルＣＣＤをなすＮ型層と、その
直下のＨｉＣ−ＰウェルとなるＰ層５とのアライメント
ずれが発生しない。したがって、上記電荷転送部として
の埋めこみチャネルＣＣＤをなすＮ型層の上方の信号電
荷読み出しゲートの閾値電圧を製造上安定した値に維持
できる。
示の実施例により詳細に説明する。図１は本発明の固体
撮像装置の製造方法の一実施例を模式的に示す断面図で
ある。尚、この実施例では本発明に係る要部のみを説明
する。この実施例は、図１（Ａ）に示すように、Ｎ型層
からなるＮ基板１上に、Ｐ型層からなる深層のＰ層２と
、絶縁膜３と、パターン形成され熱処理で変化しない膜
としてのＳｉＮ膜４を順に形成する。次に、同じく、上
記パターン形成されたＳｉＮ膜４をマスクとしてＰ型イ
オンを、セルフイオン注入してから熱拡散を行うことに
より、図１（Ｂ）に示すＨｉＣ−ＰウェルとなるＰ層５
を形成する。次に、上記パターン形成されたＳｉＮ膜４
をマスクとしてＮ型イオンをセルフイオン注入してから
熱拡散を行うことにより、電荷転送部としての埋めこみ
チャネルＣＣＤをなすＮ型層を形成する。このように、
上記実施例では、電荷転送部としての埋めこみチャネル
ＣＣＤをなすＮ型層と、その直下のＨｉＣ−Ｐウェルと
なるＰ層５とを、熱処理で変化しない膜としての同一の
ＳｉＮ膜４をマスクとして、セルフイオン注入および熱
拡散を行なうことにより形成するので、上記電荷転送部
としての埋めこみチャネルＣＣＤをなすＮ型層と、その
直下のＨｉＣ−ＰウェルとなるＰ層５とのアライメント
ずれが発生しない。したがって、上記電荷転送部として
の埋めこみチャネルＣＣＤをなすＮ型層の上方の信号電
荷読み出しゲートの閾値電圧を製造上安定した値に維持
できる。
【００１０】また、上記電荷転送部としての埋めこみチ
ャネルＣＣＤをなすＮ型層と、その直下のＨｉＣ−Ｐウ
ェルとなるＰ層５との両方を熱処理で変化しない膜とし
てのＳｉＮ膜４からなる同一のマスクを用いて形成する
ので、従来必要となっていた上記埋めこみチャネルＣＣ
ＤをなすＮ型層を形成する際のホトリソグラフィ工程が
上記実施例では不必要になる。したがって、製造工程を
簡単にできる。
ャネルＣＣＤをなすＮ型層と、その直下のＨｉＣ−Ｐウ
ェルとなるＰ層５との両方を熱処理で変化しない膜とし
てのＳｉＮ膜４からなる同一のマスクを用いて形成する
ので、従来必要となっていた上記埋めこみチャネルＣＣ
ＤをなすＮ型層を形成する際のホトリソグラフィ工程が
上記実施例では不必要になる。したがって、製造工程を
簡単にできる。
【００１１】尚、上記実施例で説明した部分以外の部分
である光電変換素子等はどのような方法で製造してもよ
い。
である光電変換素子等はどのような方法で製造してもよ
い。
【００１２】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、本発明
の固体撮像装置の製造方法は、信号電荷読み出しゲート
の下方の電荷転送部となるＮ型層と、このＮ型層の直下
のＰウェルとを熱処理によって変化しない膜からなる同
一のマスクを用いてセルフイオン注入および熱拡散を行
なうことにより形成するので、上記熱拡散の工程で上記
マスクが変化することがなく、電荷転送部となるＮ型層
と、このＮ型層の直下のＰウェルとのアライメントずれ
が発生しない。したがって、上記信号電荷読み出しゲー
トの下の不純物濃度分布が変化せず、信号電荷読み出し
ゲートの閾値電圧を製造上安定した値に維持できる。
の固体撮像装置の製造方法は、信号電荷読み出しゲート
の下方の電荷転送部となるＮ型層と、このＮ型層の直下
のＰウェルとを熱処理によって変化しない膜からなる同
一のマスクを用いてセルフイオン注入および熱拡散を行
なうことにより形成するので、上記熱拡散の工程で上記
マスクが変化することがなく、電荷転送部となるＮ型層
と、このＮ型層の直下のＰウェルとのアライメントずれ
が発生しない。したがって、上記信号電荷読み出しゲー
トの下の不純物濃度分布が変化せず、信号電荷読み出し
ゲートの閾値電圧を製造上安定した値に維持できる。
【図１】 本発明の固体撮像装置の製造方法の一実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図２】 従来の固体撮像装置の製造方法を示す断面
図である。
図である。
【図３】 インターライントランスファ方式のＣＣＤ
型の固体撮像装置の断面図である。
型の固体撮像装置の断面図である。
１，３１ Ｎ基板
２，５，３２，３３ Ｐ層
３，３６ 絶縁膜
４ ＳｉＮ膜
３４，３８ Ｎ層
３７ 信号電荷読み出しゲート
４０ トランスファゲート部
４５ マスクパターン
Claims (1)
- 【請求項１】 光電変換素子と、信号電荷読み出し手
段とを備え、この信号電荷読み出し手段は電荷転送部と
トランスファゲート部と信号電荷読み出しゲートとを備
える固体撮像装置の製造方法において、上記信号電荷読
み出しゲートの下方の電荷転送部となるＮ型層と、この
Ｎ型層の直下のＰウェルとを、熱処理によって変化しな
い膜からなる同一のマスクを用いてセルフイオン注入お
よび熱拡散を行なうことにより形成することを特徴とす
る固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3002563A JP2768452B2 (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3002563A JP2768452B2 (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04239173A true JPH04239173A (ja) | 1992-08-27 |
| JP2768452B2 JP2768452B2 (ja) | 1998-06-25 |
Family
ID=11532843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3002563A Expired - Lifetime JP2768452B2 (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2768452B2 (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5389366A (en) * | 1977-01-18 | 1978-08-05 | Toshiba Corp | Production of semiconductor device |
| JPS53138284A (en) * | 1977-05-09 | 1978-12-02 | Fujitsu Ltd | Manufacture for semiconductor part |
| JPS6221264A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-29 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6420654A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-24 | Toshiba Corp | Solid-state image sensing device and manufacture thereof |
| JPH01215084A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザの製造方法 |
| JPH02218134A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-01-14 JP JP3002563A patent/JP2768452B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5389366A (en) * | 1977-01-18 | 1978-08-05 | Toshiba Corp | Production of semiconductor device |
| JPS53138284A (en) * | 1977-05-09 | 1978-12-02 | Fujitsu Ltd | Manufacture for semiconductor part |
| JPS6221264A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-29 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6420654A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-24 | Toshiba Corp | Solid-state image sensing device and manufacture thereof |
| JPH01215084A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザの製造方法 |
| JPH02218134A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2768452B2 (ja) | 1998-06-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080410 Year of fee payment: 10 |
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