JP2006245161A - 撮像素子及び撮像素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】飽和出力、感度などのセンサ特性を損なわず、且つ、白点の発生やシェーディング発生をなくして総合的なセンサ特性を向上させること。
【解決手段】ゲート電極を形成する際に、ウェルタップ3の形成位置を規定するポリシリコン隔壁部10を微細に加工できるポリシリコンで形成し、この隔壁部10の内側のウェル層の表面から内部に向けてウェルタップ領域(P+)を形成することによって、その形成位置を、二つのフォトダイオード部の間でN−型領域層4に近接しない位置に精度良く規定することができる。その際、ポリシリコンは微細加工ができるため、フォトダイオード部をできるだけ大きくし、且つ、その間にあるウェルタップ領域(P+)がフォトダイオード部に近接しないような位置にウェルタップ3を形成する。
【選択図】図1
Description
Claims (5)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成されるウェル層と、
前記ウェル層に形成される複数の光電変換領域と、
前記光電変換領域の間の前記ウェル層の表面に形成されてウェルタップ領域の位置決めをする領域隔壁部と、
前記領域隔壁部の内部の前記ウェル層の表面からその内部に向けて形成されるウェルタップ領域と、
を具備することを特徴とする撮像素子。 - 前記ウェルタップ領域は、前記2個の光電変換領域領域の電荷蓄積層の間で、これら電荷蓄積層とはPN接合を生じないほど離れた位置に形成されることを特徴とする請求項1記載の撮像素子。
- 前記領域隔壁部は前記ウェル層の表面にポリシリコンで形成されることを特徴とする請求項1記載の撮像素子。
- 半導体基板上に形成されるウェル層内に形成される複数の光電変換部を有する撮像素子の製造方法であって、
前記ウェル層の表面に、ポリシリコンでウェルタップ領域の位置決めをする領域隔壁部をポリシリコンで形成する工程と、
前記領域隔壁部の内部のウェル層表面から不純物を注入して前記ウェルタップ領域を形成する工程と、
を具備することを特徴とする撮像素子の製造方法。 - 前記領域隔壁部をポリシリコンで形成する工程はゲート電極を形成する工程と同一工程であることを特徴とする請求項4記載の撮像素子の製造方法。
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