JP2006165161A - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006165161A JP2006165161A JP2004352577A JP2004352577A JP2006165161A JP 2006165161 A JP2006165161 A JP 2006165161A JP 2004352577 A JP2004352577 A JP 2004352577A JP 2004352577 A JP2004352577 A JP 2004352577A JP 2006165161 A JP2006165161 A JP 2006165161A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductivity type
- type region
- solid
- imaging device
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
【課題】単位画素の光電変換効率を向上させることができる固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Pウェル領域2が形成されたN型シリコン基板1上にフォトレジスト3を形成した後、イオン注入法によりN型領域4およびP型領域5を形成してフォトダイオードを形成する。フォトレジスト3の上面3Aは、曲面で形成され、フォトレジスト3は、その厚さが中央部が最も薄く、中央部から外周部に至るに従ってしだいに厚くなるように形成されている。N型領域4の底面4Aは、中央部が前記半導体基板の厚さ方向に最も深く、中央部から外周部に至るに従ってしだいに深さが浅くなる曲面で形成され、P型領域4の底面(PN接合面)5Aは、N型領域4の底面4Aと同一形状に形成される。
【選択図】 図1
【解決手段】Pウェル領域2が形成されたN型シリコン基板1上にフォトレジスト3を形成した後、イオン注入法によりN型領域4およびP型領域5を形成してフォトダイオードを形成する。フォトレジスト3の上面3Aは、曲面で形成され、フォトレジスト3は、その厚さが中央部が最も薄く、中央部から外周部に至るに従ってしだいに厚くなるように形成されている。N型領域4の底面4Aは、中央部が前記半導体基板の厚さ方向に最も深く、中央部から外周部に至るに従ってしだいに深さが浅くなる曲面で形成され、P型領域4の底面(PN接合面)5Aは、N型領域4の底面4Aと同一形状に形成される。
【選択図】 図1
Description
本発明は、光電変換素子の光電変換効率を向上させる固体撮像装置及びその製造方法に関する。
従来、固体撮像装置では、単位画素の開口率を大きくしたり、マイクロレンズの集光効率を向上させることで、光電変換素子の光電変換効率を向上させている。
しかしながら、近年、ますます多画素化が進み、単位画素の面積が小さくなり、さらなる光電変換効率の向上が望まれている。このため、例えばフォトダイオードの場合には、PN接合のそれぞれの不純物領域の不純物濃度を高め、光電変換効率を向上させている(非特許文献1参照)。
米本和也著CQ出版社「CCD/CMOSイメージ・センサの基礎と応用」第92頁〜第94頁
しかしながら、近年、ますます多画素化が進み、単位画素の面積が小さくなり、さらなる光電変換効率の向上が望まれている。このため、例えばフォトダイオードの場合には、PN接合のそれぞれの不純物領域の不純物濃度を高め、光電変換効率を向上させている(非特許文献1参照)。
米本和也著CQ出版社「CCD/CMOSイメージ・センサの基礎と応用」第92頁〜第94頁
しかしながら、従来の固体撮像装置及びその製造方法では、光電変換素子の不純物領域の不純物濃度を過度に高くすると、白点等の欠陥画素が多発するといった問題があった。
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、その目的は、単位画素の光電変換効率を向上させることができる固体撮像装置及びその製造方法を提供するにある。
上記目的を達成するため、本発明の固体撮像装置は、半導体基板と、前記半導体基板の表面に臨むように形成された素子形成用のウェル領域と、前記ウェル領域の表面に臨むまたは近接するように形成された複数の光電変換部とを備え、前記光電変換部は、第1の導電型領域と第1の導電型領域上に積層され、前記ウェル領域の表面に臨むまたは近接するように形成された第2の導電型領域とを有し、前記第1の導電型領域と前記第2の導電型領域との間の境界面は、PN接合面を構成し、前記第1の導電型領域は、前記表面から最も離れた底面を有する固体撮像装置であって、前記底面の少なくとも一部は、前記光電変換部の下方に位置する前記ウェル領域の部分が薄くなるような深さで形成され、前記PN接合面は、前記底面と同一形状に形成されていることを特徴とする。
また、本発明の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板に素子形成用のウェル領域を前記半導体基板の表面に臨むように形成するウェル領域形成工程と、前記ウェル領域形成工程で形成されたウェル領域に第1の導電型領域を形成する第1の導電型領域形成工程と、前記ウェル領域の表面に臨むまたは近接するように第2の導電型領域を第1の導電型領域上に積層して形成する第2の導電型領域形成工程とを含み、前記第1の導電型領域と前記第2の導電型領域との間にPN接合面を構成して光電変換部を形成する光電変換部形成工程と、前記第1の導電型形成工程で形成された第1の導電型領域は、前記表面から最も離れた底面を有する固体撮像装置の製造方法であって、前記第1の導電型形成工程は、前記底面の少なくとも一部を前記光電変換部の下方に位置する前記ウェル領域の部分が薄くなるような深さで形成し、前記第2の導電型形成工程は、前記PN接合面を前記底面と同一形状に形成することを特徴とする。
また、本発明の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板に素子形成用のウェル領域を前記半導体基板の表面に臨むように形成するウェル領域形成工程と、前記ウェル領域形成工程で形成されたウェル領域に第1の導電型領域を形成する第1の導電型領域形成工程と、前記ウェル領域の表面に臨むまたは近接するように第2の導電型領域を第1の導電型領域上に積層して形成する第2の導電型領域形成工程とを含み、前記第1の導電型領域と前記第2の導電型領域との間にPN接合面を構成して光電変換部を形成する光電変換部形成工程と、前記第1の導電型形成工程で形成された第1の導電型領域は、前記表面から最も離れた底面を有する固体撮像装置の製造方法であって、前記第1の導電型形成工程は、前記底面の少なくとも一部を前記光電変換部の下方に位置する前記ウェル領域の部分が薄くなるような深さで形成し、前記第2の導電型形成工程は、前記PN接合面を前記底面と同一形状に形成することを特徴とする。
本発明の固体撮像装置及びその製造方法によれば、第1の導電型領域の底面の少なくとも一部を前記光電変換部の下方に位置する前記ウェル領域の部分が薄くなるような深さで形成し、第2の導電型領域の底面であるPN接合面を前記底面と同一形状に形成する。
したがって、平面状に形成された従来のPN接合面に比べ、PN接合面の面積を増大させることができるので、単位画素の電子の発生数を増大させて、光電変換素子の光電変換効率を向上させることができる。また、第1の導電型領域の底面と第2の導電型領域の底面であるPN接合面とを同一形状に形成するので、PN接合面の近傍に電子を均一に発生させることができる。したがって、信号電荷の読み出しを安定して行うことができる。
したがって、平面状に形成された従来のPN接合面に比べ、PN接合面の面積を増大させることができるので、単位画素の電子の発生数を増大させて、光電変換素子の光電変換効率を向上させることができる。また、第1の導電型領域の底面と第2の導電型領域の底面であるPN接合面とを同一形状に形成するので、PN接合面の近傍に電子を均一に発生させることができる。したがって、信号電荷の読み出しを安定して行うことができる。
上記目的を達成するため、半導体基板の表面に臨むように形成された素子形成用のウェル領域に第1の導電型領域と第2の導電型領域とを積層し、第1の導電型領域と第2の導電型領域との間の境界面にPN接合面を構成して光電変換部(フォトダイオード)を形成する。第1の導電型領域の底面の少なくとも一部を前記光電変換部の下方に位置する前記ウェル領域の部分が薄くなるような深さで形成し、第2の導電型領域の底面であるPN接合面を前記底面と同一形状に形成する。
以下、本発明の実施例1の固体撮像装置及びその製造方法について図面を参照して説明する。
図1は、実施例1の固体撮像装置及びその製造方法を示す断面図である。
実施例1の固体撮像装置は、図1(A)に示すように、図示しないPウェル領域2が形成されたN型シリコン基板1上にフォトレジスト3を形成した後、図1(B)に示すように、イオン注入法によりN型領域4およびP型領域5を形成し、N型領域4およびP型領域5からなる光電変換素子(フォトダイオード)を形成したものである。
なお、Pウェル領域2、N型領域4およびP型領域5の形成順は、とくに限定されるものではなく、どの領域を先に形成してもよい。
図1は、実施例1の固体撮像装置及びその製造方法を示す断面図である。
実施例1の固体撮像装置は、図1(A)に示すように、図示しないPウェル領域2が形成されたN型シリコン基板1上にフォトレジスト3を形成した後、図1(B)に示すように、イオン注入法によりN型領域4およびP型領域5を形成し、N型領域4およびP型領域5からなる光電変換素子(フォトダイオード)を形成したものである。
なお、Pウェル領域2、N型領域4およびP型領域5の形成順は、とくに限定されるものではなく、どの領域を先に形成してもよい。
フォトレジスト3の上面3Aは、曲面で形成され、フォトレジスト3は、その厚さが中央部が最も薄く、中央部から外周部に至るに従ってしだいに厚くなるように形成されている。このようなフォトレジスト3を使用してイオン注入法によりN型領域4およびP型領域5を形成すると、N型領域4の底面4Aは、中央部が前記半導体基板の厚さ方向に最も深く、中央部から外周部に至るに従ってしだいに深さが浅くなる曲面で形成され、P型領域4の底面(PN接合面)5Aは、N型領域4の底面4Aと同一形状に形成される。
このように実施例1の固体撮像装置及びその製造方法によれば、PN接合面がゆるやかな曲面で形成されるので、PN接合面が平面状に形成される従来のPN接合面に比べ、その面積を増大させることができる。したがって、単位画素の電子の発生数を増大させて、光電変換素子の光電変換効率を向上させることができる。また、N型領域4の底面4AとP型領域5の底面(PN接合面)5Aとを同一形状に形成するので、PN接合面5Aの近傍に電子を均一に発生させることができる。したがって、信号電荷の読み出しを安定して行うことができる。
N型領域4の底面4AおよびP型領域5の底面(PN接合面)5Aは、例えば、図1の場合と反対に、外周部がシリコン基板1の厚さ方向に最も深く、外周部から中央部に至るに従ってしだいに深さが浅くなる曲面で形成してもよい。
また、N型領域4の底面4AおよびP型領域5の底面(PN接合面)5Aの全体でなく、その一部、例えば中央部や外周部を曲面で構成してもよい。
これらの場合のように、N型領域4の底面4AおよびP型領域5の底面(PN接合面)5Aは、PN接合面5Aの近傍で電子が均一に発生するような形状であればよい。
また、N型領域4の底面4AおよびP型領域5の底面(PN接合面)5Aの全体でなく、その一部、例えば中央部や外周部を曲面で構成してもよい。
これらの場合のように、N型領域4の底面4AおよびP型領域5の底面(PN接合面)5Aは、PN接合面5Aの近傍で電子が均一に発生するような形状であればよい。
フォトレジスト3は、いわゆるグレートーンマスクを使用してシリコン基板1上に形成することができる。グレートーンマスクは、光の透過量を制御してフォトレジストの膜厚を変化させる。グレートーンマスクは、例えば、微細パターンを構成する透過部および遮光部の面積を変化させることにより、また、描画機の露光量を変化させることにより、光の透過量を制御するように作製することができる。
図2は、汚染防止膜の形成を示す図である。
図2に示すように、フォトレジスト3を形成する前に、N型シリコン基板1上に汚染防止膜6を形成するとよい。汚染防止膜6は、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜から構成され、イオン注入の際にフォトレジスト3に含まれる金属等の不純物がN型シリコン基板1内に進入するのを防止する。
図2に示すように、フォトレジスト3を形成する前に、N型シリコン基板1上に汚染防止膜6を形成するとよい。汚染防止膜6は、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜から構成され、イオン注入の際にフォトレジスト3に含まれる金属等の不純物がN型シリコン基板1内に進入するのを防止する。
図3は、フォトレジスト3の変形例を示す図である。
図3に示すように、フォトレジスト3を、フォトレジスト31およびフォトレジスト32から構成するとよい。フォトレジスト31は、N型領域4およびP型領域5の側面と同一の側面を有し、その上面31Aは、N型領域4の底面4AおよびP型領域5の底面(PN接合面)5Aを形成する。フォトレジスト32は、フォトレジスト31の側面を囲む、すなわちN型領域4およびP型領域5の側面を囲む側壁から構成される。フォトレジスト32によりイオン注入の際に打ち込まれるイオンの隣接画素への混入を防止することができる。したがって、N型領域4およびP型領域5の側面を精度良く形成することができる。
図3に示すように、フォトレジスト3を、フォトレジスト31およびフォトレジスト32から構成するとよい。フォトレジスト31は、N型領域4およびP型領域5の側面と同一の側面を有し、その上面31Aは、N型領域4の底面4AおよびP型領域5の底面(PN接合面)5Aを形成する。フォトレジスト32は、フォトレジスト31の側面を囲む、すなわちN型領域4およびP型領域5の側面を囲む側壁から構成される。フォトレジスト32によりイオン注入の際に打ち込まれるイオンの隣接画素への混入を防止することができる。したがって、N型領域4およびP型領域5の側面を精度良く形成することができる。
1……N型シリコン基板、2……Pウェル領域、3……フォトレジスト、4……フォトダイオードのN型領域、5……フォトダイオードのP型領域、6……汚染防止膜。
Claims (16)
- 半導体基板と、前記半導体基板の表面に臨むように形成された素子形成用のウェル領域と、前記ウェル領域の表面に臨むまたは近接するように形成された複数の光電変換部とを備え、
前記光電変換部は、第1の導電型領域と第1の導電型領域上に積層され、前記ウェル領域の表面に臨むまたは近接するように形成された第2の導電型領域とを有し、
前記第1の導電型領域と前記第2の導電型領域との間の境界面は、PN接合面を構成し、
前記第1の導電型領域は、前記表面から最も離れた底面を有する固体撮像装置であって、
前記底面の少なくとも一部は、前記光電変換部の下方に位置する前記ウェル領域の部分が薄くなるような深さで形成され、
前記PN接合面は、前記底面と同一形状に形成されている、
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記底面は、曲面で形成されていることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記底面は、中央部が前記半導体基板の厚さ方向に最も深く、中央部から外周部に至るに従ってしだいに深さが浅くなる曲面で形成されていることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記底面は、外周部が前記半導体基板の厚さ方向に最も深く、外周部から中央部に至るに従ってしだいに深さが浅くなる曲面で形成されていることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記ウェル領域の部分が薄くなるような深さで形成された前記底面の一部は、前記底面の中央部であることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記ウェル領域の部分が薄くなるような深さで形成された前記底面の一部は、前記底面の外周部であることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 半導体基板に素子形成用のウェル領域を前記半導体基板の表面に臨むように形成するウェル領域形成工程と、
前記ウェル領域形成工程で形成されたウェル領域に第1の導電型領域を形成する第1の導電型領域形成工程と、前記ウェル領域の表面に臨むまたは近接するように第2の導電型領域を第1の導電型領域上に積層して形成する第2の導電型領域形成工程とを含み、前記第1の導電型領域と前記第2の導電型領域との間にPN接合面を構成して光電変換部を形成する光電変換部形成工程と、
前記第1の導電型形成工程で形成された第1の導電型領域は、前記表面から最も離れた底面を有する固体撮像装置の製造方法であって、
前記第1の導電型形成工程は、前記底面の少なくとも一部を前記光電変換部の下方に位置する前記ウェル領域の部分が薄くなるような深さで形成し、
前記第2の導電型形成工程は、前記PN接合面を前記底面と同一形状に形成することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記底面は、曲面で形成されることを特徴とする請求項7記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記底面は、中央部が最も深く、中央部から外周部に至るに従ってしだいに深さが浅くなる曲面で形成されることを特徴とする請求項7記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記底面は、外周部が最も深く、外周部から中央部に至るに従ってしだいに深さが浅くなる曲面で形成されることを特徴とする請求項7記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記ウェル領域の部分が薄くなるような深さで形成された前記底面の一部は、前記底面の中央部であることを特徴とする請求項7記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記ウェル領域の部分が薄くなるような深さで形成された前記底面の一部は、前記底面の外周部であることを特徴とする請求項7記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記第1の導電型形成工程は、前記第1の導電型の不純物のイオン注入を行う第1のイオン注入工程であり、
前記第2の導電型形成工程は、前記第2の導電型の不純物のイオン注入を行う第2のイオン注入工程であり、
前記光電変換部形成工程は、前記第1および第2のイオン注入工程の前に前記第1の導電型形成工程で形成すべき前記第1の導電型領域の前記底面と同一形状の上面を有するフォトレジストを前記半導体基板上に形成するフォトレジスト形成工程を含み、
前記第1および第2のイオン注入工程は、前記フォトレジスト形成工程で形成されたフォトレジストを介してイオン注入を行うことを特徴とする請求項7記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記フォトレジスト形成工程は、グレートーンマスクを使用して前記フォトレジストを形成することを特徴とする請求項13記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記光電変換部形成工程は、前記フォトレジスト形成工程の前に、前記第1および第2のイオン注入工程の際に前記フォトレジストに含まれる不純物が前記半導体基板を汚染するのを防止するための汚染防止膜を前記半導体基板上に形成する汚染防止膜形成工程を含むことを特徴とする請求項13記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記フォトレジストは、第1および第2のフォトレジストから構成され、
前記フォトレジスト形成工程は、
前記第1の導電型領域形成工程で形成すべき前記第1の導電型領域の前記底面と同一形状の前記上面を有する第1のフォトレジストを形成する第1の工程と、
前記光電変換部形成工程で形成される前記光電変換部の側面を前記ウェル領域と区画するように前記第1のフォトレジストの周囲を囲む側壁から構成される第2のフォトレジストを形成する第2の工程とを含むことを特徴とする請求項13記載の固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004352577A JP2006165161A (ja) | 2004-12-06 | 2004-12-06 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004352577A JP2006165161A (ja) | 2004-12-06 | 2004-12-06 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006165161A true JP2006165161A (ja) | 2006-06-22 |
Family
ID=36666842
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004352577A Pending JP2006165161A (ja) | 2004-12-06 | 2004-12-06 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006165161A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8476153B2 (en) | 2011-02-01 | 2013-07-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor device |
US8912034B2 (en) | 2011-07-07 | 2014-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing energy ray detection device |
CN111656524A (zh) * | 2018-03-29 | 2020-09-11 | 索尼半导体解决方案公司 | 固态摄像装置和电子设备 |
-
2004
- 2004-12-06 JP JP2004352577A patent/JP2006165161A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8476153B2 (en) | 2011-02-01 | 2013-07-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor device |
US8912034B2 (en) | 2011-07-07 | 2014-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing energy ray detection device |
CN111656524A (zh) * | 2018-03-29 | 2020-09-11 | 索尼半导体解决方案公司 | 固态摄像装置和电子设备 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7855407B2 (en) | CMOS image sensor and method for manufacturing the same | |
CN102800684B (zh) | 固态图像拾取器件及其制造方法、图像拾取系统 | |
JP5558857B2 (ja) | 光電変換装置およびそれを用いた撮像システム | |
US7420234B2 (en) | Solid-state imaging device and method for fabricating same | |
US7217961B2 (en) | Solid-state image pickup device and method for producing the same | |
TWI830988B (zh) | 影像感測器及其形成方法及製造用於影像感測器之電晶體之方法 | |
US8193025B2 (en) | Photomask, image sensor, and method of manufacturing the image sensor | |
JP2011061239A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法並びに電子機器 | |
JP2013062537A (ja) | 光電変換装置及び撮像システム | |
JP2006310650A (ja) | 撮像装置 | |
US7611918B2 (en) | CMOS image sensor and method for fabricating the same | |
TWI836198B (zh) | 影像感測器及用於形成其之方法 | |
JP5950507B2 (ja) | 半導体装置の製造方法およびcmosイメージセンサーの製造方法 | |
JP6132891B2 (ja) | 固体撮像装置、それを用いた撮像システム及び固体撮像装置の製造方法 | |
JP2004134790A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法並びに電子機器 | |
JP2005347740A (ja) | 光電変換装置及び撮像システム | |
JP2007526638A (ja) | 低暗電流cmosイメージセンサー画素 | |
JP2013042074A (ja) | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 | |
JP2006165161A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP2016018823A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JP5665951B2 (ja) | 固体撮像装置、および固体撮像装置を用いた撮像システム | |
JP4696596B2 (ja) | 撮像素子及び撮像素子の製造方法 | |
JP2010027750A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP5262447B2 (ja) | Cmos固体撮像素子 | |
JP2006165143A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 |