JPS6321869A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS6321869A JPS6321869A JP61166973A JP16697386A JPS6321869A JP S6321869 A JPS6321869 A JP S6321869A JP 61166973 A JP61166973 A JP 61166973A JP 16697386 A JP16697386 A JP 16697386A JP S6321869 A JPS6321869 A JP S6321869A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14887—Blooming suppression
Landscapes
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、固体撮像装置、特に光電変換素子とＣＣＤシ
フトレジスタから構成されるＣＣＤ型固体撮像装置に関
するものである。
フトレジスタから構成されるＣＣＤ型固体撮像装置に関
するものである。
従来の技術
ＣＣＤ型固体撮像装置、特にインターラインＣＣＤ固体
撮像装置（以下ＩＬ−ＣＣＤと呼ぶ）は、総合特性がす
ぐれているため、実用化が進んでいる。しかし、特性面
での要求は、高解像度を満した上での、ダイナミックレ
ンジの維持（拡大）が第１であろう。高解像度の要求を
満すには、多画素化が必要でありそれは、必然的に、ユ
ニットセルの縮小化へとつながる。ＩＬ−ＣＣＤのユニ
ットセルは、光電変換素子とＣＣＤシフトレジスする必
要がある。パターン最小寸法は、リソグラフィーで決定
されるが、実際の仕上りは、ＬＯＣＯＳ法では、バーズ
ビークの大きさを含めたもので決定される。断面形状を
良好にするためだけなら、改良ＬＯＣＯ３等でバーズビ
ークを抑制したり、トレンチ４分離による分離領域形成
も可能であるが、ＩＬ−ＣＣＤは、高感度であるがゆえ
に、結晶歪や欠陥に起因したリーク電流に敏感である。
撮像装置（以下ＩＬ−ＣＣＤと呼ぶ）は、総合特性がす
ぐれているため、実用化が進んでいる。しかし、特性面
での要求は、高解像度を満した上での、ダイナミックレ
ンジの維持（拡大）が第１であろう。高解像度の要求を
満すには、多画素化が必要でありそれは、必然的に、ユ
ニットセルの縮小化へとつながる。ＩＬ−ＣＣＤのユニ
ットセルは、光電変換素子とＣＣＤシフトレジスする必
要がある。パターン最小寸法は、リソグラフィーで決定
されるが、実際の仕上りは、ＬＯＣＯＳ法では、バーズ
ビークの大きさを含めたもので決定される。断面形状を
良好にするためだけなら、改良ＬＯＣＯ３等でバーズビ
ークを抑制したり、トレンチ４分離による分離領域形成
も可能であるが、ＩＬ−ＣＣＤは、高感度であるがゆえ
に、結晶歪や欠陥に起因したリーク電流に敏感である。
そのため最新の分離技術は、使用が困難であり、多画素
化とダイナミックレンジの維持の両立は、困難であった
。
化とダイナミックレンジの維持の両立は、困難であった
。
本発明の目的は、従来の失報を解消し、多画素化て際し
ても、ダイナミックレンジの維持が可能でしかもスミア
低減が図れる固体撮像装置を提供することにある。
ても、ダイナミックレンジの維持が可能でしかもスミア
低減が図れる固体撮像装置を提供することにある。
問題点を解決するための手段
本発明の固体撮像装置は、光電変換素子上に素−子分離
用絶線膜が形成され、しかも前記光電変換素子の半導体
と前記絶線膜との界面は、ＣＣＤシフトレジスタの半導
体と絶線膜との界面上り深い位置シて形成されている。
用絶線膜が形成され、しかも前記光電変換素子の半導体
と前記絶線膜との界面は、ＣＣＤシフトレジスタの半導
体と絶線膜との界面上り深い位置シて形成されている。
作 用
上記構成だより、ＣＣＤユニットセルの平面図は、ＣＣ
Ｄ部とＬＯＣＯ３分離のみとみなせる。
Ｄ部とＬＯＣＯ３分離のみとみなせる。
そのため、特性上必要なＣＣＤのチャネル幅は、ＬＯＣ
ＯＳのバースビークを考慮に入れた設計寸法とすればよ
く、分離領域の増加は、ＣＣＤの特性上なんら問題とは
ならない。また、基板深部で発生した、信号電荷が、Ｃ
ＣＤに混入して、スミアとなるが、ＣＣＤが構造上光電
変換部より上に位置しているため、スミア発生原因とな
る信号電荷も混入しにくくなる。
ＯＳのバースビークを考慮に入れた設計寸法とすればよ
く、分離領域の増加は、ＣＣＤの特性上なんら問題とは
ならない。また、基板深部で発生した、信号電荷が、Ｃ
ＣＤに混入して、スミアとなるが、ＣＣＤが構造上光電
変換部より上に位置しているため、スミア発生原因とな
る信号電荷も混入しにくくなる。
実施例
本発明の一実施例を第１図に基づｊハて説明する。
第１図は、ＩＬ−ＣＣＤ単位画素の水平方向断面図であ
る。第１図において、１はＰ形Ｓｉ基板であり、２は光
電変換部となるｎ影領域である。
る。第１図において、１はＰ形Ｓｉ基板であり、２は光
電変換部となるｎ影領域である。
３は、素子分離を兼用するＬＯＣＯ３酸化膜である。４
はＣＣＤシフシフレスタの埋め込みチャンネルであるｎ
影領域でちゃ、５ば、ＣＣＤシフトレジスタのポリシリ
コンゲート電極である。６は、層間絶縁膜。７は、ＣＣ
Ｄシフトレジスリスに設けられたアルミしゃ光膜である
。
はＣＣＤシフシフレスタの埋め込みチャンネルであるｎ
影領域でちゃ、５ば、ＣＣＤシフトレジスタのポリシリ
コンゲート電極である。６は、層間絶縁膜。７は、ＣＣ
Ｄシフトレジスリスに設けられたアルミしゃ光膜である
。
第２図に従って、この製造方法を簡単に述べる。
まず、Ｐ形Ｓｉ基板１上に、通常の熱酸化膜を形成しさ
らにナイトライド膜８を形成する。そして、光電変換部
２となる領域のみ選択的にナイトライド膜８を除去し、
リンをイオン注入し、アニール・ドライブイン熱処理を
行なう（第２図（ａ））。
らにナイトライド膜８を形成する。そして、光電変換部
２となる領域のみ選択的にナイトライド膜８を除去し、
リンをイオン注入し、アニール・ドライブイン熱処理を
行なう（第２図（ａ））。
次に、光電変換部ＣＣＤ間の分離領域となる部分のナイ
トライド膜８を除去し、ボロンをイオン注入する（第２
図（ｂ））。そして、ＬＯＣＯ！９酸化を行なうと第２
図（Ｃ）のようになり、ＣＣＤの埋め込みチャンネル４
を形成後、光電変換部２からＣＣＤへの読み出し部Ａの
ＬＯＣＯ３酸化膜を除去する（第２図（ｄ））。後は通
常のＣＣＤの製造方法と同一である。
トライド膜８を除去し、ボロンをイオン注入する（第２
図（ｂ））。そして、ＬＯＣＯ！９酸化を行なうと第２
図（Ｃ）のようになり、ＣＣＤの埋め込みチャンネル４
を形成後、光電変換部２からＣＣＤへの読み出し部Ａの
ＬＯＣＯ３酸化膜を除去する（第２図（ｄ））。後は通
常のＣＣＤの製造方法と同一である。
なお上記製造方法においては、光電変換部２のｎ影領域
の拡散長を熱処理を施こすことにより伸ばし、基板深部
において、ｎ影領域をＣＣＤ側へ広げている。これによ
りさらにスミア抑制効果が期待できるものである。
の拡散長を熱処理を施こすことにより伸ばし、基板深部
において、ｎ影領域をＣＣＤ側へ広げている。これによ
りさらにスミア抑制効果が期待できるものである。
なお、実施例では、出発材料をＰ形Ｓｉ基板としたが、
これは、ｎ形Ｓｉ基板に設けられたＰウェル上でも可能
であることは明らかである。
これは、ｎ形Ｓｉ基板に設けられたＰウェル上でも可能
であることは明らかである。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、ＬＯＣＯ３分離膜
を光電変換素子にも設けることにより、分離領域の微細
化を特に必要としないで、光電変換部とＣＣＤ部の面積
割合の有効な最適化を図ることが可能であり、また、ス
ミア低減効果も期待できるなど、その実用的効果は犬な
るものがある。
を光電変換素子にも設けることにより、分離領域の微細
化を特に必要としないで、光電変換部とＣＣＤ部の面積
割合の有効な最適化を図ることが可能であり、また、ス
ミア低減効果も期待できるなど、その実用的効果は犬な
るものがある。
第１図は本発明の一実施例におけるＩＬ−ＣＣＤ固体撮
像装置単位画素の断面図、第２図は本発明の一実施例の
製造工程図である。 １・・・・・・Ｐ形Ｓｉ基板、２・・・・・・ｎ影領域
、３・・・・・・ＬＯＣＯ３酸化膜、４・・・・・・Ｃ
ＣＤ埋め込みチャネル、５・・・・・・ＣＣＤ電極、６
・・・・・・層間絶縁膜、７−・・・・・アルミしゃ光
膜。
像装置単位画素の断面図、第２図は本発明の一実施例の
製造工程図である。 １・・・・・・Ｐ形Ｓｉ基板、２・・・・・・ｎ影領域
、３・・・・・・ＬＯＣＯ３酸化膜、４・・・・・・Ｃ
ＣＤ埋め込みチャネル、５・・・・・・ＣＣＤ電極、６
・・・・・・層間絶縁膜、７−・・・・・アルミしゃ光
膜。
Claims (1)
- 同一半導体基板上に光電変換素子群、前記光電変換素子
群から光信号を読出し転送する走査用ＣＣＤシフトレジ
スタ群が形成されるとともに、前記光電変換素子上に素
子分離用絶縁膜が形成され、その半導体と絶縁膜との界
面が、ＣＣＤシフトレジスタの形成されたところの主た
る半導体と絶縁膜との界面よりも深い位置にあることを
特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61166973A JPS6321869A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61166973A JPS6321869A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6321869A true JPS6321869A (ja) | 1988-01-29 |
Family
ID=15841048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61166973A Pending JPS6321869A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6321869A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020017838A (ko) * | 2000-08-31 | 2002-03-07 | 박종섭 | 필드산화막을 식각하여 연결창 구조를 정의하는 이미지센서 제조 방법 |
| US7034634B2 (en) | 2003-03-28 | 2006-04-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave (SAW) resonator, SAW filter and SAW antenna duplexer using the SAW resonator |
| JPWO2008035525A1 (ja) * | 2006-09-22 | 2010-01-28 | 株式会社村田製作所 | 縦結合共振子型弾性波フィルタ装置 |
-
1986
- 1986-07-16 JP JP61166973A patent/JPS6321869A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020017838A (ko) * | 2000-08-31 | 2002-03-07 | 박종섭 | 필드산화막을 식각하여 연결창 구조를 정의하는 이미지센서 제조 방법 |
| US7034634B2 (en) | 2003-03-28 | 2006-04-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave (SAW) resonator, SAW filter and SAW antenna duplexer using the SAW resonator |
| US7138890B2 (en) | 2003-03-28 | 2006-11-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave (SAW) resonator SAW filter and SAW antenna duplexer using the SAW resonator |
| JPWO2008035525A1 (ja) * | 2006-09-22 | 2010-01-28 | 株式会社村田製作所 | 縦結合共振子型弾性波フィルタ装置 |
| JP4670956B2 (ja) * | 2006-09-22 | 2011-04-13 | 株式会社村田製作所 | 縦結合共振子型弾性波フィルタ装置 |
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