KR20020017838A - 필드산화막을 식각하여 연결창 구조를 정의하는 이미지센서 제조 방법 - Google Patents
필드산화막을 식각하여 연결창 구조를 정의하는 이미지센서 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20020017838A KR20020017838A KR1020000051352A KR20000051352A KR20020017838A KR 20020017838 A KR20020017838 A KR 20020017838A KR 1020000051352 A KR1020000051352 A KR 1020000051352A KR 20000051352 A KR20000051352 A KR 20000051352A KR 20020017838 A KR20020017838 A KR 20020017838A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- photodiode
- region
- semiconductor substrate
- field oxide
- conductivity type
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 75
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 65
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 22
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 19
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 16
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 18
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/1461—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements characterised by the photosensitive area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
본 발명은 제1 도전형의 반도체 기판 내에 형성된 제2 도전형의 불순물 이온주입 영역 및 그 상부면이 반도체 기판 표면에 노출되며 그 하부면이 상기 제2 도전형의 불순물 도핑 영역과 접하는 제1 도전형의 불순물 도핑 영역으로 이루어지는 포토다이오드를 구비하는 이미지 센서 제조 방법에 있어서, 포토다이오드와 인접하는 필드산화막을 선택적으로 식각하여 그 가장자리의 반도체 기판을 노출시킨 다음 제1 도전형 불순물 이온주입 공정을 실시해서, 반도체 기판과 포토다이오드의 제1 도전형 불순물 이온주입 영역을 전기적으로 연결하기 위한 제1 도전형 불순물 이온주입 영역을 필드산화막과 포토다이오드 사이에 보다 정확하게 정의하고, 포토다이오드의 면적을 증가시키는데 그 특징이 있다.
Description
본 발명은 이미지 센서 제조 분야에 관한 것으로, 특히 필드산화막을 식각하여 연결창 구조를 정의하는 이미지 센서 제조 방법에 관한 것이다.
이미지 센서(image sensor)는 1차원 또는 2차원 이상의 광학 정보를 전기신호로 변환하는 장치이다. 이미지 센서의 종류는 크게 나누어 촬상관과 고체 촬상 소자로 분류된다. 촬상관은 텔레비전을 중심으로 하여 화상처리기술을 구사한 계측, 제어, 인식 등에서 널리 상용되며 응용 기술이 발전되었다. 시판되는 고체의 이미지 센서는 MOS(metal-oxide-semiconductor)형과 CCD(charge coupled device)형의 2종류가 있다.
CMOS 이미지 센서는 CMOS 제조 기술을 이용하여 광학적 이미지를 전기적 신호로 변환시키는 소자로서, 화소수 만큼 MOS트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력을 검출하는 스위칭 방식을 채용하고 있다. CMOS 이미지 센서는, 종래 이미지 센서로 널리 사용되고 있는 CCD 이미지센서에 비하여 구동 방식이 간편하고 다양한 스캐닝 방식의 구현이 가능하며, 신호처리 회로를 단일칩에 집적할 수 있어 제품의 소형화가 가능할 뿐만 아니라, 호환성의 CMOS 기술을 사용하므로 제조 단가를 낮출 수 있고, 전력 소모 또한 크게 낮다는 장점을 지니고 있다.
도 1은 4개의 트랜지스터와 2개의 커패시턴스 구조로 이루어지는 CMOS 이미지센서의 단위화소를 보이는 회로도로서, 광감지를 위한 포토다이오드(PD)와 4개의 NMOS트랜지스터로 구성되는 CMOS 이미지센서의 단위화소를 보이고 있다. 4개의 NMOS트랜지스터 중 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)는 포토다이오드(PD)에서 생성된 광전하를 플로팅 확산영역으로 운송하는 역할을 하고, 리셋 트랜지스터(Rx)는 신호검출을 위해 상기 플로팅확산영역에 저장되어 있는 전하를 배출하는 역할을 하고, 드라이브 트랜지스터(Dx)는 소스팔로워(Source Follower)로서 역할하며, 셀렉트 트랜지스터(Sx)는 스위칭(Switching) 및 어드레싱(Addressing)을 위한 것이다. 도면에서 "Cf"는 플로팅확산영역이 갖는 커패시턴스를, "Cp"는 포토다이오드가 갖는 커패시턴스를 각각 나타낸다.
이와 같이 구성된 이미지센서 단위화소에 대한 동작은 다음과 같이 이루어진다. 처음에는 리셋 트랜지스터(Rx), 트랜스퍼 트랜지스터(Tx) 및 셀렉트 트랜지스터(Sx)를 온(on)시켜 단위화소를 리셋시킨다. 이때 포토다이오드(PD)는 공핍되기 시작하여 커패시턴스 Cp는 전하축적(carrier changing)이 발생하고, 플로팅 확산영역의 커패시턴스 Cf는 공급전압 VDD 전압까지 전하축전된다. 그리고 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)를 오프시키고 셀렉트 트랜지스터(Sx)를 온시킨 다음 리셋트랜지스터(Rx)를 오프시킨다. 이와 같은 동작 상태에서 단위화소 출력단(Out)으로부터 출력전압 V1을 읽어 버퍼에 저장시키고 난 후, 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)를 온시켜 빛의 세기에 따라 변화된 커패시턴스 Cp의 캐리어들을 커패시턴스 Cf로 이동시킨 다음, 다시 출력단(Out)에서 출력전압 V2를 읽어들여 V1 - V2에 대한 아날로그 데이터를 디지털 데이터로 변경시키므로 단위화소에 대한 한 동작주기가 완료된다.
도 2a 내지 도 2d는 종래 기술에 따른 CMOS 이미지 센서 제조 공정 단면도로서, 광감지를 위한 포토다이오드와 광전하를 위한 트랜스퍼 트랜지스터 등을 함께보이고 있다. 이하, 도 2a 내지 도 2d를 참조하여 종래 기술에 따른 CMOS 이미지 센서 제조 방법의 문제점을 설명한다.
먼저 도 2a에 도시한 바와 같이, p형 실리콘 기판(20)에 필드산화막(21)을 형성하고, 게이트 절연막(22) 및 트랜스퍼 트랜지스터 등의 게이트 전극(23)을 형성한다.
다음으로 도 2b에 보이는 바와 같이, 포토다이오드의 n형 불순물 이온주입 영역을 형성하기 위한 이온주입 마스크로서 제1 포토레지스트 패턴(PR1)을 형성하고, p형 실리콘 기판(20) 내에 n형 불순물을 이온주입한다.
이어서 도 2c에 도시한 바와 같이, 상기 제1 포토레지스트 패턴(PR1)을 제거하고, n형 불순물 이온주입 영역(24)이 형성된 p형 실리콘 기판(20) 상에 산화막을 형성하고 전면식각하여 게이트 전극(23) 측벽에 산화막 스페이서(25)를 형성한 다음, 필드산화막(21)과 n형 불순물 이온주입 영역(24) 사이의 p형 실리콘 기판(20) 및 n형 불순물 이온주입 영역(24)을 노출시키는 제2 포토레지스트 패턴(PR2)을 형성하고 p형 불순물을 이온주입한다.
상기와 같은 p형 불순물 이온주입 공정에 의해 도 2d에 보이는 바와 같이 그 상부면이 p형 실리콘 기판(10) 표면에 드러나며 그 하부면이 n형 불순물 이온주입 영역(24)과 접하여 상기 n형 불순물 이온주입 영역(24)과 함께 포토다이오드를 이루는 제1 p형 불순물 이온주입 영역(26)을 형성함과 동시에, 필드산화막(21)과 n형 불순물 이온주입 영역(24) 사이의 p형 실리콘 기판(20) 내에 p형 불순물을 이온주입하여 p형 불순물 이온주입영역(24)과 p형 실리콘 기판(20)을 전기적으로 연결하는 제2 p형 불순물 이온주입 영역(27)을 형성한다.
상기 제2 p형 불순물 이온주입 영역(27)은 제1 p형 불순물 이온주입 영역(26)과 p형 실리콘 기판(20)의 전위가 갖도록 하기 위한 것으로서 연결창 구조(connection window structure)를 이룬다.
이와 같은 제2 p형 불순물 이온주입 영역(27)을 형성하기 위해서는 포토다이오드의 n형 불순물 이온주입 영역(24)과 필드산화막(21)이 제2 불순물 이온주입 영역(27)의 폭(x) 만큼의 간격을 두어야 한다. 이는 n형 불순물 이온주입 영역(24)의 면적 감소를 가져와 포토다이오드의 정전용량(chage capacity) 및 CMOS 이미지 센서의 포화 수준(saturation level)을 감소시키는 요인으로 작용한다.
한편, n형 불순물 이온주입 영역(24)을 형성하는 과정에서 이온주입 마스크인 제1 포토레지스트 패턴(PR1) 형성시 마스크의 오정렬이 발생하면 제2 p형 불순물 이온주입 영역(27)의 폭(x)이 충분히 확보되지 않고, 심할 경우 제2 p형 불순물 이온주입 영역(27)이 형성되지 않아 제1 p형 불순물 이온주입 영역(26)과 n형 불순물 이온주입 영역이 포토다이오드로서 동작하지 않고 단순한 p-n 접합처럼 동작하게 되는 문제점이 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 제1 도전형의 반도체 기판 내에 형성된 제2 도전형의 불순물 이온주입 영역 및 그 상부면이 반도체 기판 표면에 노출되며 그 하부면이 상기 제2 도전형의 불순물 이온주입 영역과 접하는 제1도전형의 불순물 이온주입 영역으로 이루어지는 포토다이오드를 구비하는 이미지 센서 제조 방법에 있어서, 필드산화막과 포토다이오드 사이에 반도체 기판과 포토다이오드의 제1 도전형 불순물 이온주입 영역을 전기적으로 연결하기 위한 연결창 구조를 보다 정확하게 형성할 수 있으며, 포토다이오드의 면적을 증가시킬 수 있는 이미지 센서 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 CMOS 이미지 센서의 단위화소 구조를 개략적으로 보이는 단면도,
도 2a 내지 도 2d는 종래 기술에 따라 광감지를 위한 포토다이오드 영역과 광전하를 위한 트랜스퍼 트랜지스터를 형성한 것을 보이는 공정 단면도,
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 실시예에 따른 CMOS 이미지 센서 제조 공정 단면도.
*도면의 주요부분에 대한 도면 부호의 설명*
31: 필드산화막 34: n형 불순물 이온주입영역
36: 제1 p형 불순물 이온주입영역 37: 제2 p형 불순물 이온주입영역
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 제1 도전형 반도체 기판 내에 형성된 제2 도전형의 제1 영역과 그 상부면이 상기 반도체 기판 표면에 노출되는 제1 도전형의 제2 영역으로 이루어지는 포토다이오드를 구비하는 이미지 센서 제조 방법에 있어서, 제1 도전형 반도체 기판에 필드산화막을 형성하는 단계; 상기 포토다이오드의 영역과 접하는 상기 필드산화막을 선택적으로 식각하여, 식각된 필드산화막과 상기 포토다이오드 영역 사이의 상기 반도체 기판을 노출시키는 단계; 및 상기 식각된 필드산화막과 상기 포토다이오드 영역 사이의 상기 반도체 기판 내에 제1 도전형 불순물을 이온주입하여 상기 포토다이오드의 제2 영역과 상기 반도체 기판을 연결하는 제1 도전형 불순물 이온주입 영역을 형성하는 단계를 포함하는 이미지 센서 제조 방법을 제공한다.
또한 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 광감지를 위한 포토다이오드 및 상기 포토다이오드 영역으로부터 신호처리 영역으로 광전하를 전송하는 트랜스퍼 트랜지스터를 구비하는 이미지 센서 제조 방법에 있어서, 제1 도전형 반도체 기판에 필드산화막을 형성하는 제1 단계; 상기 필드산화막과 트랜스퍼 트랜지스터 사이의 상기 반도체 기판 내에 제2 도전형 불순물을 이온주입하여 포토다이오드의 제1 영역을 형성하는 제2 단계; 상기 포토다이오드에 접하는 상기 필드산화막을 선택적으로 식각하여, 식각된 필드산화막과 상기 포토다이오드 영역 사이의 상기 반도체 기판을 노출시키는 제3 단계; 및 상기 포토다이오드의 제1 영역에 제1 도전형 불순물을 이온주입하여 그 상부면이 상기 반도체 기판 표면에 드러나며 그 하부면이 상기 포토다이오드의 제1 영역과 접하는 포토다이오드의 제2 영역을 형성함과 동시에, 상기 식각된 필드산화막과 상기 포토다이오드 영역 사이의 상기 반도체 기판 내에 제1 도전형 불순물을 이온주입하여 상기 포토다이오드의 제2 영역과 상기 반도체 기판을 연결하는 제1 도전형 불순물 이온주입 영역을 형성하는 제4 단계를 포함하는 이미지 센서 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 제1 도전형의 반도체 기판 내에 형성된 제2 도전형의 불순물 이온주입 영역 및 그 상부면이 반도체 기판 표면에 노출되며 그 하부면이 상기 제2 도전형의 불순물 이온주입 영역과 접하는 제1 도전형의 불순물 이온주입 영역으로 이루어지는 포토다이오드를 구비하는 이미지 센서 제조 방법에 있어서, 포토다이오드와 인접하는 필드산화막을 선택적으로 식각하여 그 가장자리의 반도체 기판을 노출시킨 다음 제1 도전형 불순물 이온주입 공정을 실시해서, 반도체 기판과 포토다이오드의 제1 도전형 불순물 이온주입 영역을 전기적으로 연결하기 위한 제1 도전형 불순물 이온주입 영역을 필드산화막과 포토다이오드 사이에 보다 정확하게 정의하고, 포토다이오드의 면적을 증가시키는데 그 특징이 있다.
이하 첨부된 도면 도 3a 내지 도 3e를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서 제조 방법을 설명한다.
먼저 도 3a에 도시한 바와 같이, p형 실리콘 기판(30)에 필드산화막(31)을 형성하고, 게이트 절연막(32) 및 트랜스퍼 트랜지스터 등의 게이트 전극(33)을 형성한다. 상기 필드산화막(31)의 두께는 이후의 식각 공정을 고려하여 결정한다.
다음으로 도 3b에 보이는 바와 같이, 포토다이오드의 n형 불순물 이온주입 영역을 형성하기 위해 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극(33)과 필드산화막(31) 사이의 p형 실리콘 기판(30)을 노출시키는 제1 포토레지스트 패턴(PR1)을 형성하고, p형 실리콘 기판(30) 내에 n형 불순물을 이온주입한다. 도 3b에서 점선은 종래 n형 불순물 이온주입 형성 과정에서 이온주입 마스크로 덮이는 부분을 나타내고 있다.
상기와 같은 이온 주입 공정에 의해 도 3c에 도시한 바와 같이, 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극(33)과 필드산화막(31) 사이의 p형 실리콘 기판(30) 내에 n형 불순물 이온주입 영역(34)을 형성하고, 전체 구조 상에 산화막을 증착하고 전면식각을 실시하여 게이트 전극(33) 측벽에 산화막 스페이서(35)를 형성한 다음, 포토다이오드에 접하는 필드산화막(31)을 노출시키는 제2 포토레지스트 패턴(PR2)을 형성한다. 도 3c에서는 제2 포토레지스트 패턴(PR2)이 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트 전극(33) 및 그 주변까지 노출시키는 경우를 보이고 있지만, 포토다이오드에 접하는 필드산화막(31)만을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성할 수도 있다.
다음으로 도 3d에 보이는 바와 같이 산화막 식각공정을 실시하여 노출된 필드산화막의 일부를 제거함으로써 식각된 필드산화막(31A)과 n형 불순물 이온주입 영역(34) 사이의 p형 실리콘 기판(30)을 노출시키고, 제2 포토레지스트 패턴을 제거한다. 필드산화막이 제거되어 노출된 p형 실리콘 기판(30)의 폭(a)에 따라 연결창 구조의 폭이 결정된다. 한편, 도 3c에 보이는 바와 같은 제2 포토레지스트 패턴(PR)을 식각마스크로 이용하더라도 트랜스퍼 트랜지스터 게이트 전극(32) 측벽의 산화막 스페이서(35)는 전면식각을 통해 형성된 것이기 때문에 산화막 식각공정 중에 제거되지 않는다.
다음으로 도 3e에 보이는 바와 같이, 식각된 필드산화막(31A)과 n형 불순물 이온주입 영역(34) 사이의 p형 실리콘 기판(30) 및 n형 불순물 이온주입 영역(34)을 노출시키는 제3 포토레지스트 패턴(PR3)을 형성하고 p형 불순물을 이온주입한다.
상기와 같은 p형 불순물 이온주입 공정에 의해 도 3e에 보이는 바와 같이 그 상부면이 p형 실리콘 기판(30) 표면에 드러나며 그 하부면이 n형 불순물 이온주입 영역(34)과 접하여 상기 n형 불순물 이온주입 영역(34)과 함께 포토다이오드를 이루는 제1 p형 불순물 이온주입 영역(36)을 형성함과 동시에, 식각된 필드산화막(31A)과 n형 불순물 이온주입 영역(34) 사이의 p형 실리콘 기판(30) 내에 p형 불순물을 이온주입하여 p형 불순물 이온주입영역(34)과 p형 실리콘 기판을 전기적으로 연결하는 제2 p형 불순물 이온주입 영역(37)을 형성한다. 이후, 제3 포토레지스트 패턴(PR3)을 제거한다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
상기와 같이 이루어지는 본 발명은 필드산화막과 포토다이오드 사이에 제1 도전형 반도체 기판과 포토다이오드의 제1 도전형 불순물 이온주입 영역을 전기적으로 연결하기 위한 제1 도전형 불순물 이온주입 영역 즉, 연결창 구조를 형성함에 있어서, 포토다이오드의 제2 도전형 불순물 이온주입 형성과 관계없이 연결창 구조를 정의할 수 있다. 따라서, 마스크 오정렬에 따른 문제를 해결할 수 있다. 또한, 필드산화막의 일부를 제거하여 연결창 구조 형성 영역을 마련함으로써 도 3e의 'b'에 보이는 바와 같이 포토다이오드의 면적을 증가시킬 수 있다. 그에 따라 포토다이오드의 정전용량 및 이미지 센서의 포화 수준이 향상될 수 있다.
Claims (5)
- 제1 도전형 반도체 기판 내에 형성된 제2 도전형의 제1 영역과 그 상부면이 상기 반도체 기판 표면에 노출되는 제1 도전형의 제2 영역으로 이루어지는 포토다이오드를 구비하는 이미지 센서 제조 방법에 있어서,제1 도전형 반도체 기판에 필드산화막을 형성하는 단계;상기 포토다이오드의 영역과 접하는 상기 필드산화막을 선택적으로 식각하여, 식각된 필드산화막과 상기 포토다이오드 영역 사이의 상기 반도체 기판을 노출시키는 단계; 및상기 식각된 필드산화막과 상기 포토다이오드 영역 사이의 상기 반도체 기판 내에 제1 도전형 불순물을 이온주입하여 상기 포토다이오드의 제2 영역과 상기 반도체 기판을 연결하는 제1 도전형 불순물 이온주입 영역을 형성하는 단계를 포함하는 이미지 센서 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 반도체 기판에 필드산화막을 형성하는 제1 단계;상기 반도체 기판 내에 선택적으로 제2 도전형 불순물을 이온주입하여, 포토다이오드의 제1 영역을 형성하는 제2 단계;상기 포토다이오드 영역에 접하는 상기 필드산화막을 선택적으로 식각하여,식각된 필드산화막과 상기 포토다이오드 영역 사이의 상기 반도체 기판을 노출시키는 제3 단계; 및상기 포토다이오드의 제1 영역에 제1 도전형 불순물을 이온주입하여 그 상부면이 상기 반도체 기판 표면에 드러나며 그 하부면이 상기 포토다이오드의 제1 영역과 접하는 포토다이오드의 제2 영역을 형성함과 동시에, 상기 식각된 필드산화막과 상기 포토다이오드 영역 사이의 상기 반도체 기판 내에 제1 도전형 불순물을 이온주입하여 상기 포토다이오드의 제2 영역과 상기 반도체 기판을 연결하는 제1 도전형 불순물 이온주입 영역을 형성하는 제4 단계를 포함하는 이미지 센서 제조 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 제4 단계는,상기 포토다이오드의 제1 영역 및 상기 식각된 필드산화막과 상기 포토다이오드 영역 사이의 상기 반도체 기판을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 이온주입 마스크로 이용하여 제1 도전형 불순물을 이온주입하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 이미지 센서 제조 방법.
- 광감지를 위한 포토다이오드 및 상기 포토다이오드 영역으로부터 신호처리 영역으로 광전하를 전송하는 트랜스퍼 트랜지스터를 구비하는 이미지 센서 제조 방법에 있어서,제1 도전형 반도체 기판에 필드산화막을 형성하는 제1 단계;상기 필드산화막과 트랜스퍼 트랜지스터 사이의 상기 반도체 기판 내에 제2 도전형 불순물을 이온주입하여 포토다이오드의 제1 영역을 형성하는 제2 단계;상기 포토다이오드에 접하는 상기 필드산화막을 선택적으로 식각하여, 식각된 필드산화막과 상기 포토다이오드 영역 사이의 상기 반도체 기판을 노출시키는 제3 단계; 및상기 포토다이오드의 제1 영역에 제1 도전형 불순물을 이온주입하여 그 상부면이 상기 반도체 기판 표면에 드러나며 그 하부면이 상기 포토다이오드의 제1 영역과 접하는 포토다이오드의 제2 영역을 형성함과 동시에, 상기 식각된 필드산화막과 상기 포토다이오드 영역 사이의 상기 반도체 기판 내에 제1 도전형 불순물을 이온주입하여 상기 포토다이오드의 제2 영역과 상기 반도체 기판을 연결하는 제1 도전형 불순물 이온주입 영역을 형성하는 제4 단계를 포함하는 이미지 센서 제조 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 제4 단계는,상기 포토다이오드의 제1 영역 및 상기 식각된 필드산화막과 상기 포토다이오드 영역 사이의 상기 반도체 기판을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 이온주입 마스크로 이용하여 제1 도전형 불순물을 이온주입하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 이미지 센서 제조 방법.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020000051352A KR20020017838A (ko) | 2000-08-31 | 2000-08-31 | 필드산화막을 식각하여 연결창 구조를 정의하는 이미지센서 제조 방법 |
| US09/941,256 US6472245B2 (en) | 2000-08-31 | 2001-08-28 | Image sensor forming method capable of defining connection window structure by etching field oxide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020000051352A KR20020017838A (ko) | 2000-08-31 | 2000-08-31 | 필드산화막을 식각하여 연결창 구조를 정의하는 이미지센서 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20020017838A true KR20020017838A (ko) | 2002-03-07 |
Family
ID=19686589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020000051352A KR20020017838A (ko) | 2000-08-31 | 2000-08-31 | 필드산화막을 식각하여 연결창 구조를 정의하는 이미지센서 제조 방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6472245B2 (ko) |
| KR (1) | KR20020017838A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100680891B1 (ko) * | 2002-03-12 | 2007-02-09 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체장치의 제조방법 및 반도체장치 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100345669B1 (ko) * | 2000-08-18 | 2002-07-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 트랜스퍼 트랜지스터 게이트 측벽에 비대칭 절연막스페이서를 구비하는 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| KR100462164B1 (ko) * | 2002-01-11 | 2004-12-17 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 필팩터를 향상시킨 씨모스 이미지센서 |
| DE10312095A1 (de) * | 2003-03-19 | 2004-09-30 | Valeo Schalter Und Sensoren Gmbh | Einparkhilfesystem für ein Kraftfahrzeug |
| US7098067B2 (en) * | 2004-12-13 | 2006-08-29 | International Business Machines Corporation | Masked sidewall implant for image sensor |
| KR100699844B1 (ko) * | 2005-06-10 | 2007-03-27 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서의 제조 방법 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6321869A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-01-29 | Matsushita Electronics Corp | 固体撮像装置 |
| JPH05326915A (ja) * | 1992-05-21 | 1993-12-10 | Nikon Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| JPH0653473A (ja) * | 1992-07-29 | 1994-02-25 | Nikon Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| KR20000041462A (ko) * | 1998-12-22 | 2000-07-15 | 김영환 | 핀드 포토다이오드를 갖는 이미지센서 제조방법 |
| KR20000041452A (ko) * | 1998-12-22 | 2000-07-15 | 김영환 | 핀드 포토다이오드를 갖는 이미지센서 제조방법 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6740915B1 (en) * | 1998-11-12 | 2004-05-25 | Micron Technology, Inc. | CMOS imager cell having a buried contact |
| US6350127B1 (en) * | 1999-11-15 | 2002-02-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of manufacturing for CMOS image sensor |
| US6329218B1 (en) * | 2000-06-08 | 2001-12-11 | United Microelectronics Corp. | Method for forming a CMOS sensor with high S/N |
-
2000
- 2000-08-31 KR KR1020000051352A patent/KR20020017838A/ko not_active Application Discontinuation
-
2001
- 2001-08-28 US US09/941,256 patent/US6472245B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6321869A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-01-29 | Matsushita Electronics Corp | 固体撮像装置 |
| JPH05326915A (ja) * | 1992-05-21 | 1993-12-10 | Nikon Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| JPH0653473A (ja) * | 1992-07-29 | 1994-02-25 | Nikon Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| KR20000041462A (ko) * | 1998-12-22 | 2000-07-15 | 김영환 | 핀드 포토다이오드를 갖는 이미지센서 제조방법 |
| KR20000041452A (ko) * | 1998-12-22 | 2000-07-15 | 김영환 | 핀드 포토다이오드를 갖는 이미지센서 제조방법 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100680891B1 (ko) * | 2002-03-12 | 2007-02-09 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체장치의 제조방법 및 반도체장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020025596A1 (en) | 2002-02-28 |
| US6472245B2 (en) | 2002-10-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100381026B1 (ko) | 펀치전압과 포토다이오드의 집전양을 증가시킬 수 있는씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| KR20020045165A (ko) | 전자운송 효율을 향상시킬 수 있는 이미지 센서 및 그제조 방법 | |
| KR100345669B1 (ko) | 트랜스퍼 트랜지스터 게이트 측벽에 비대칭 절연막스페이서를 구비하는 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| KR100298199B1 (ko) | 피엔 다이오드를 갖는 씨모스 이미지센서의 단위화소 | |
| KR100606910B1 (ko) | Ｃｍｏｓ 이미지 센서 및 그의 제조 방법 | |
| KR20020017838A (ko) | 필드산화막을 식각하여 연결창 구조를 정의하는 이미지센서 제조 방법 | |
| KR100464949B1 (ko) | 포토다이오드의 표면 특성을 향상시킬 수 있는 이미지센서 제조 방법 | |
| KR100388459B1 (ko) | 포토다이오드 영역에 트렌치를 구비하는 이미지 센서 및그 제조 방법 | |
| KR20020048705A (ko) | 저조도 특성을 향상시킬 수 있는 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR100700273B1 (ko) | 반사막을 구비하는 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| KR20020052791A (ko) | 기판 표면을 보호할 수 있는 이미지 센서 제조 방법 | |
| KR100298198B1 (ko) | 쇼트키 다이오드를 갖는 씨모스 이미지센서의 단위화소 | |
| KR20020058580A (ko) | 포토다이오드 표면적을 증가시킬 수 있는 이미지 센서 및그 제조 방법 | |
| JP2007180538A (ja) | Ｃｍｏｓイメージセンサ及びその製造方法 | |
| KR20020014315A (ko) | 이웃하는 화소간의 크로스 토크 및 활성영역 감소를방지할 수 있는 이미지 센서 제조 방법 | |
| KR100388460B1 (ko) | 사각 형상의 스페이서를 구비하는 이미지 센서 제조방법 | |
| KR100388461B1 (ko) | 광감도를 향상시킬 수 있는 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| KR100390843B1 (ko) | 플로팅 노드의 캐패시턴스를 감소시킬 수 있는 이미지 센서 제조방법 | |
| KR20020058560A (ko) | 포토다이오드의 광감도 특성을 향상시킬 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| KR100388474B1 (ko) | 포토다이오드의 캐패시턴스를 증가시킬 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| KR100523664B1 (ko) | 전하 운송을 위해 단계적 전위 분포를 갖는 ｃｍｏｓ 이미지 센서 | |
| KR20020052794A (ko) | 플로팅 확산영역의 노드 캐패시턴스를 감소시킬 수 있는이미지 센서 제조 방법 | |
| KR20020058473A (ko) | 플로팅 확산영역의 노드 캐패시턴스를 감소시킬 수 있는이미지 센서 제조 방법 | |
| KR20020058477A (ko) | 포토다이오드의 공핍층 면적을 증가시킬 수 있는 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| KR20020058457A (ko) | 포토다이오드와 필드산화막 계면의 반도체 기판 내에고농도 불순물 도핑영역을 구비하는 이미지 센서 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |