JPH05326915A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPH05326915A JPH05326915A JP4153016A JP15301692A JPH05326915A JP H05326915 A JPH05326915 A JP H05326915A JP 4153016 A JP4153016 A JP 4153016A JP 15301692 A JP15301692 A JP 15301692A JP H05326915 A JPH05326915 A JP H05326915A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 受光部を素子分離領域の中心位置に対して従
来より近い位置から形成でき、撮像装置の開口率を向上
させることのできる製造方法を提供する。 【構成】 ＬＯＣＯＳ法により分離領域２を形成した
後、ＢＣＣＤ拡散層４を形成しする。次いで、基板１表
面の酸化膜のエッチングと酸化を繰り返した後（これに
より分離領域２の厚さが減少しバーズビークは小さくな
る）、ＢＣＣＤ拡散層４上に第１ポリシリコン電極５ａ
を形成する。更に第２ポリシリコン電極（図示せず）を
形成した後、イオン注入をしてガードリング１０７を形
成する。最後に、ガードリング７で囲まれた領域にＰｔ
Ｓｉ−ショットキーダイオード６を形成する。
来より近い位置から形成でき、撮像装置の開口率を向上
させることのできる製造方法を提供する。 【構成】 ＬＯＣＯＳ法により分離領域２を形成した
後、ＢＣＣＤ拡散層４を形成しする。次いで、基板１表
面の酸化膜のエッチングと酸化を繰り返した後（これに
より分離領域２の厚さが減少しバーズビークは小さくな
る）、ＢＣＣＤ拡散層４上に第１ポリシリコン電極５ａ
を形成する。更に第２ポリシリコン電極（図示せず）を
形成した後、イオン注入をしてガードリング１０７を形
成する。最後に、ガードリング７で囲まれた領域にＰｔ
Ｓｉ−ショットキーダイオード６を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像装置の製造方
法に関し、特に固体撮像装置の開口率を向上させるに好
適な製造方法に関するものである。
法に関し、特に固体撮像装置の開口率を向上させるに好
適な製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の固体撮像装置の一般的な製造方法
について、ＰｔＳｉ−ショットキー型赤外線用固体撮像
装置を例にとって説明する。まず、図２はＰｔＳｉ−シ
ョットキー型赤外線用固体撮像装置の単位画素の構成を
示す平面図であり、図３は図２のＡＡ’断面を示した図
である。
について、ＰｔＳｉ−ショットキー型赤外線用固体撮像
装置を例にとって説明する。まず、図２はＰｔＳｉ−シ
ョットキー型赤外線用固体撮像装置の単位画素の構成を
示す平面図であり、図３は図２のＡＡ’断面を示した図
である。
【０００３】図において、単位画素は赤外線を光電変換
するＰｔＳｉ−ショットキーダイオード１０６とこのシ
ョットキーダイオード１０６で発生した電荷を読み出す
ためのＣＣＤ転送電極（第１層ポリシリコン電極１０５
ａ、第２層ポリシリコン電極１０５ｂ）を有し、ショッ
トキーダイオード１０６周囲には暗電流を低減するため
のガードリング１０７が設けられている。また、ＣＣＤ
転送電極が形成される領域の基板１０１表面近傍にはＢ
ＣＣＤ（buriedＣＣＤ）拡散層１０４が設けられてい
る。そして、上記のような構成の各単画素同志は選択酸
化法（ＬＯＣＯＳ：Local Oxidation of Silicon）によ
り形成された分離領域１０２によって分離されている。
するＰｔＳｉ−ショットキーダイオード１０６とこのシ
ョットキーダイオード１０６で発生した電荷を読み出す
ためのＣＣＤ転送電極（第１層ポリシリコン電極１０５
ａ、第２層ポリシリコン電極１０５ｂ）を有し、ショッ
トキーダイオード１０６周囲には暗電流を低減するため
のガードリング１０７が設けられている。また、ＣＣＤ
転送電極が形成される領域の基板１０１表面近傍にはＢ
ＣＣＤ（buriedＣＣＤ）拡散層１０４が設けられてい
る。そして、上記のような構成の各単画素同志は選択酸
化法（ＬＯＣＯＳ：Local Oxidation of Silicon）によ
り形成された分離領域１０２によって分離されている。
【０００４】次に、図４を参照して図２、図３に示され
た固体撮像装置の製造方法を説明する。まず、Ｓｉ基板
１０１上に薄い酸化膜を成長させ、その上にＳｉＮを堆
積させる。そして、分離領域１０２とする部分のＳｉＮ
をフォトリソグラフィー・エッチングにより除去し、レ
ジスト剥離を行った後、酸化を行なう。これにより、Ｓ
ｉＮ膜のない部分の酸化膜だけが成長し、分離領域１０
２が形成される。以上の工程はＬＯＣＯＳ工程として良
く知られた方法であり、図４では省略している。
た固体撮像装置の製造方法を説明する。まず、Ｓｉ基板
１０１上に薄い酸化膜を成長させ、その上にＳｉＮを堆
積させる。そして、分離領域１０２とする部分のＳｉＮ
をフォトリソグラフィー・エッチングにより除去し、レ
ジスト剥離を行った後、酸化を行なう。これにより、Ｓ
ｉＮ膜のない部分の酸化膜だけが成長し、分離領域１０
２が形成される。以上の工程はＬＯＣＯＳ工程として良
く知られた方法であり、図４では省略している。
【０００５】続いて、図４（ａ）に示されるように、フ
ォトリソグラフィーによってＢＣＣＤ拡散層１０４を形
成する部分以外をレジスト１０３ａで覆った状態で、Ａ
ｓ+などのイオン注入を行う。このとき、Ａｓ+ イオン
はレジスト１０３ａがある領域及び厚い酸化膜のある領
域（分離領域１０２）では、Ｓｉ基板１０１に到達しな
い。
ォトリソグラフィーによってＢＣＣＤ拡散層１０４を形
成する部分以外をレジスト１０３ａで覆った状態で、Ａ
ｓ+などのイオン注入を行う。このとき、Ａｓ+ イオン
はレジスト１０３ａがある領域及び厚い酸化膜のある領
域（分離領域１０２）では、Ｓｉ基板１０１に到達しな
い。
【０００６】次いで、図４（ａ）の工程と同様に、ガー
ドリング１０７を形成する領域以外をレジストで覆っ
て、Ａｓ+ などのイオンを注入する（図４（ｂ））。こ
のときも、Ａｓ+ イオンはレジスト１０３ａがある領域
及び厚い酸化膜のある領域（分離領域１０２）ではＳｉ
基板１０１に到達しない。
ドリング１０７を形成する領域以外をレジストで覆っ
て、Ａｓ+ などのイオンを注入する（図４（ｂ））。こ
のときも、Ａｓ+ イオンはレジスト１０３ａがある領域
及び厚い酸化膜のある領域（分離領域１０２）ではＳｉ
基板１０１に到達しない。
【０００７】その後、基板１０１表面の酸化膜のエッチ
ングと酸化を通常２回行う。このエッチングと酸化は酸
化膜の特性を向上させるために行われるものであり、通
常ゲートエッチング、ゲート酸化と称される。なお、図
４（ｃ）は１回目のエッチング後の状態を示したもので
あるが、エッチングと酸化は薄い酸化膜だけでなく分離
領域１０２の厚い酸化膜を含む酸化膜全体について行わ
れる。
ングと酸化を通常２回行う。このエッチングと酸化は酸
化膜の特性を向上させるために行われるものであり、通
常ゲートエッチング、ゲート酸化と称される。なお、図
４（ｃ）は１回目のエッチング後の状態を示したもので
あるが、エッチングと酸化は薄い酸化膜だけでなく分離
領域１０２の厚い酸化膜を含む酸化膜全体について行わ
れる。
【０００８】次いで、図４（ｄ）のようにＢＣＣＤ拡散
層１０４上に薄い酸化膜を介してポリシリコン電極（第
１ポリシリコン電極１０５ａのみ図示）を形成し、更に
ＰｔＳｉ−ショットキーダイオード１０６を形成して、
図４（ｅ）のような赤外線用固体撮像装置を得る。
層１０４上に薄い酸化膜を介してポリシリコン電極（第
１ポリシリコン電極１０５ａのみ図示）を形成し、更に
ＰｔＳｉ−ショットキーダイオード１０６を形成して、
図４（ｅ）のような赤外線用固体撮像装置を得る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、固体
撮像装置においては、次のような性能が要求されてい
る。 １）チップサイズがより小さい。 ２）画素数が多い（空間分解能が高い）。 ３）感度がより優れている。 上記の１〜３の条件を満たす固体撮像装置を実際に製造
することは容易ではないが、各方面で多大な努力が払わ
れている。
撮像装置においては、次のような性能が要求されてい
る。 １）チップサイズがより小さい。 ２）画素数が多い（空間分解能が高い）。 ３）感度がより優れている。 上記の１〜３の条件を満たす固体撮像装置を実際に製造
することは容易ではないが、各方面で多大な努力が払わ
れている。
【００１０】例えば、単位画素を構成する領域のうち素
子分離領域１０２及びガードリング１０７の面積を縮小
することが考えられる。これらの領域を縮小すれば、そ
の分だけ受光部（図２の例ではショットキーダイオード
１０６）の面積を大きくでき、単位画素の面積が小さく
なっても感度の良い撮像装置が得られる。そこで、従
来、素子分離領域１０２及びガードリング１０７を製作
可能でかつ電気的な特性を満足する最小な寸法として、
前述した製造方法で固体撮像装置を製造していた。
子分離領域１０２及びガードリング１０７の面積を縮小
することが考えられる。これらの領域を縮小すれば、そ
の分だけ受光部（図２の例ではショットキーダイオード
１０６）の面積を大きくでき、単位画素の面積が小さく
なっても感度の良い撮像装置が得られる。そこで、従
来、素子分離領域１０２及びガードリング１０７を製作
可能でかつ電気的な特性を満足する最小な寸法として、
前述した製造方法で固体撮像装置を製造していた。
【００１１】さてここで、従来の素子分離領域付近の拡
大断面を図５に示す。この図５は図４（ｂ）の○で囲ま
れた領域Ａを拡大したものである。図において、素子分
離領域１０２の幅（図中（ａ））は製作可能でかつ電気
的な特性も十分な最小の幅になるように設計されてお
り、ここでは典型的な値として２．０μｍとする。図中
１０２ａはバーズビークと呼ばれる部分であり、ＬＯＣ
ＯＳ法で素子分離を行う場合、図示されるような鳥のく
ちばし状の断面形状が形成される。このバーズビークの
幅（図中（ｂ））の典型的な値を０．７μｍとする。
大断面を図５に示す。この図５は図４（ｂ）の○で囲ま
れた領域Ａを拡大したものである。図において、素子分
離領域１０２の幅（図中（ａ））は製作可能でかつ電気
的な特性も十分な最小の幅になるように設計されてお
り、ここでは典型的な値として２．０μｍとする。図中
１０２ａはバーズビークと呼ばれる部分であり、ＬＯＣ
ＯＳ法で素子分離を行う場合、図示されるような鳥のく
ちばし状の断面形状が形成される。このバーズビークの
幅（図中（ｂ））の典型的な値を０．７μｍとする。
【００１２】一方、１０３ｂはレジストであり、図５に
示した状態でガードリングのイオン注入を行うと、Ａｓ
+ イオンは、酸化膜が厚くなく、かつ、レジスト１０３
ｂがない領域でのみ、Ｓｉ基板に到達する。図中Ａｓ+
が注入される部分は…で示した。この際、ガードリング
の幅（図中（ｃ））は製作可能で電気特性も十分である
最小の幅となるように設計されており、ここでは典型的
な値として２．０μｍとする。
示した状態でガードリングのイオン注入を行うと、Ａｓ
+ イオンは、酸化膜が厚くなく、かつ、レジスト１０３
ｂがない領域でのみ、Ｓｉ基板に到達する。図中Ａｓ+
が注入される部分は…で示した。この際、ガードリング
の幅（図中（ｃ））は製作可能で電気特性も十分である
最小の幅となるように設計されており、ここでは典型的
な値として２．０μｍとする。
【００１３】上記のような従来の方法で固体撮像装置を
製造した場合、受光部（ショットキーダイオード１０
６）は分離領域１０２の中心位置から３．７μｍ（＝
（２．０μｍ／２）＋０．７μｍ＋２．０μｍ）離れた
位置より遠い領域（図中（ｄ）で示した領域）にしか形
成されず、単位画素中の受光部の面積を拡大する上で問
題となっている。特に赤外線用固体撮像装置では、受光
部の幅の０．１μｍ程度の違いで感度は数％も変化する
ため、従来の製造方法では近年の固体撮像装置に対する
厳しい要求（上述の１〜３）に対して十分に答えること
が出来なかった。
製造した場合、受光部（ショットキーダイオード１０
６）は分離領域１０２の中心位置から３．７μｍ（＝
（２．０μｍ／２）＋０．７μｍ＋２．０μｍ）離れた
位置より遠い領域（図中（ｄ）で示した領域）にしか形
成されず、単位画素中の受光部の面積を拡大する上で問
題となっている。特に赤外線用固体撮像装置では、受光
部の幅の０．１μｍ程度の違いで感度は数％も変化する
ため、従来の製造方法では近年の固体撮像装置に対する
厳しい要求（上述の１〜３）に対して十分に答えること
が出来なかった。
【００１４】本発明は、以上の点に鑑みてなされたもの
で、受光部を素子分離領域の中心位置に対して従来より
近い位置から形成可能とし、撮像装置の開口率を向上さ
せることのできる製造方法を提供することを目的とする
ものである。
で、受光部を素子分離領域の中心位置に対して従来より
近い位置から形成可能とし、撮像装置の開口率を向上さ
せることのできる製造方法を提供することを目的とする
ものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】請求項１の製造方法は、
入射光を光電変換する受光部を形成する工程と、該受光
部で発生した電荷を読み出すための電極配線部を形成す
る工程と、前記受光部と電極配線部を含む単位画素同志
を選択酸化法によって分離する工程とを有し、複数の単
位画素が基板上に配列された固体撮像装置を製造する方
法において、上記の課題を達成するために、前記電極配
線部が設けられる領域以外の拡散層の形成を、前記基板
表面上の酸化膜のエッチング工程と酸化工程を少なくと
も１回行った後に行うものである。
入射光を光電変換する受光部を形成する工程と、該受光
部で発生した電荷を読み出すための電極配線部を形成す
る工程と、前記受光部と電極配線部を含む単位画素同志
を選択酸化法によって分離する工程とを有し、複数の単
位画素が基板上に配列された固体撮像装置を製造する方
法において、上記の課題を達成するために、前記電極配
線部が設けられる領域以外の拡散層の形成を、前記基板
表面上の酸化膜のエッチング工程と酸化工程を少なくと
も１回行った後に行うものである。
【００１６】請求項２の製造法は、前記受光部の周囲に
設けるガードリングをの形成を、前記酸化膜のエッチン
グ工程と酸化工程を少なくも１回行った後に行うもので
ある。
設けるガードリングをの形成を、前記酸化膜のエッチン
グ工程と酸化工程を少なくも１回行った後に行うもので
ある。
【００１７】
【作用】本発明によって上述した従来技術の問題点が如
何に改善されるかについて、図６を参照して説明する。
図６は本発明の原理を分かりやすく説明するための図で
あり、図５と同一箇所を同一スケールで示している。ま
た、図６（ａ）はＬＯＣＯＳ工程が終了し、１回目の酸
化膜エッチングが終了した後の断面を、（ｂ）はさらに
１回目の酸化が終了した後の断面を、（ｃ）は更に２回
目の酸化膜エッチングが終了した後の断面を、（ｄ）は
２回目の酸化が終了しガードリングのイオン注入を行う
際の断面を示している。
何に改善されるかについて、図６を参照して説明する。
図６は本発明の原理を分かりやすく説明するための図で
あり、図５と同一箇所を同一スケールで示している。ま
た、図６（ａ）はＬＯＣＯＳ工程が終了し、１回目の酸
化膜エッチングが終了した後の断面を、（ｂ）はさらに
１回目の酸化が終了した後の断面を、（ｃ）は更に２回
目の酸化膜エッチングが終了した後の断面を、（ｄ）は
２回目の酸化が終了しガードリングのイオン注入を行う
際の断面を示している。
【００１８】図６に示したように本発明では酸化膜のエ
ッチング及び酸化を繰り返し行ってから、電極配線部以
外の拡散領域（図の例ではガードリング）のイオン注入
を行う。このとき、酸化膜のエッチング工程では、基板
表面に成長した酸化膜全域（分離領域２及び素子領域６
ａ）が均一にエッチングされるが、エッチング後に行う
酸化では、Ｓｉがむき出しになっている領域（素子領域
６ａ）で酸化膜成長速度が大きく、酸化膜が残っている
領域（分離領域２）では酸化膜成長速度が小さく酸化さ
れにくい。従って、素子領域６ａに成長した酸化膜をエ
ッチングする間に、分離領域２では成長した酸化膜厚以
上にエッチングが進み、酸化膜の厚さが減少することに
なる。
ッチング及び酸化を繰り返し行ってから、電極配線部以
外の拡散領域（図の例ではガードリング）のイオン注入
を行う。このとき、酸化膜のエッチング工程では、基板
表面に成長した酸化膜全域（分離領域２及び素子領域６
ａ）が均一にエッチングされるが、エッチング後に行う
酸化では、Ｓｉがむき出しになっている領域（素子領域
６ａ）で酸化膜成長速度が大きく、酸化膜が残っている
領域（分離領域２）では酸化膜成長速度が小さく酸化さ
れにくい。従って、素子領域６ａに成長した酸化膜をエ
ッチングする間に、分離領域２では成長した酸化膜厚以
上にエッチングが進み、酸化膜の厚さが減少することに
なる。
【００１９】このため、図６に示されるように、ＬＯＣ
ＯＳ工程で生じたバーズビークの先端位置（図中Ａ〜Ｄ
の矢印で示す）は、エッチング工程と酸化工程を繰り返
すにつれて次第に分離領域２の中心に近づくことにな
る。そのため、図６（本発明）と図５（従来例）を比較
すれば明らかなように、（ａ），（ｃ）の長さは変わら
ないが、（ｂ）の長さは図６の場合の方が図５に比べて
短くなる。これにより、光電変換を行う受光部は分離領
域２の中心に対し従来より近い位置から形成することが
できる（Ｌ＜Ｌ’）。即ち、本発明によれば、単位画素
の中の受光部の占める面積を大きくすることができる。
ＯＳ工程で生じたバーズビークの先端位置（図中Ａ〜Ｄ
の矢印で示す）は、エッチング工程と酸化工程を繰り返
すにつれて次第に分離領域２の中心に近づくことにな
る。そのため、図６（本発明）と図５（従来例）を比較
すれば明らかなように、（ａ），（ｃ）の長さは変わら
ないが、（ｂ）の長さは図６の場合の方が図５に比べて
短くなる。これにより、光電変換を行う受光部は分離領
域２の中心に対し従来より近い位置から形成することが
できる（Ｌ＜Ｌ’）。即ち、本発明によれば、単位画素
の中の受光部の占める面積を大きくすることができる。
【００２０】
【実施例】本発明の実施例として、ＰｔＳｉ−ショット
キー型赤外線用固体撮像装置の製造方法を図１を参照し
て説明する。まず、Ｓｉ基板１上に薄い酸化膜を成長さ
せ、その上にＳｉＮを堆積させる。そして、分離領域２
とする部分のＳｉＮをフォトリソグラフィー・エッチン
グにより除去し、レジスト剥離を行った後、酸化を行な
う。これにより、ＳｉＮ膜のない部分の酸化膜だけが成
長し、ＬＯＣＯＳ法による分離領域２が形成される。
キー型赤外線用固体撮像装置の製造方法を図１を参照し
て説明する。まず、Ｓｉ基板１上に薄い酸化膜を成長さ
せ、その上にＳｉＮを堆積させる。そして、分離領域２
とする部分のＳｉＮをフォトリソグラフィー・エッチン
グにより除去し、レジスト剥離を行った後、酸化を行な
う。これにより、ＳｉＮ膜のない部分の酸化膜だけが成
長し、ＬＯＣＯＳ法による分離領域２が形成される。
【００２１】次に、図１（ａ）に示されるように、フォ
トリソグラフィーによってＢＣＣＤ拡散層４を形成する
部分以外をレジスト３ａで覆った状態で、Ａｓ+ などの
イオン注入を行う。このとき、Ａｓ+ イオンはレジスト
３ａがある領域及び厚い酸化膜のある領域（分離領域
２）では、Ｓｉ基板１に到達しない。ここまでの工程
は、従来の製造方法と変わりはない。
トリソグラフィーによってＢＣＣＤ拡散層４を形成する
部分以外をレジスト３ａで覆った状態で、Ａｓ+ などの
イオン注入を行う。このとき、Ａｓ+ イオンはレジスト
３ａがある領域及び厚い酸化膜のある領域（分離領域
２）では、Ｓｉ基板１に到達しない。ここまでの工程
は、従来の製造方法と変わりはない。
【００２２】続いて、基板１表面の酸化膜のエッチング
と酸化を、図６で説明したように２回行う（図１
（ｂ））。このエッチング工程と酸化工程では、前述の
ように分離領域２（バーズビークを含む）の厚さが減少
する。
と酸化を、図６で説明したように２回行う（図１
（ｂ））。このエッチング工程と酸化工程では、前述の
ように分離領域２（バーズビークを含む）の厚さが減少
する。
【００２３】次いで、ＢＣＣＤ拡散層４上に薄い酸化膜
を介して第１ポリシリコン電極５ａを形成し、更に第２
ポリシリコン電極（図示せず）を形成して、図１（ｃ）
のような断面構造を得る。なお、図１では画素全体の広
い領域の断面を示しているのでバーズビーク先端部分の
従来例（図４）との差異は明確ではないが、図１（ｃ）
の○で囲まれた部分Ａの構造は、バーズビークの先端が
図６（ｄ）のごとく基板１表面から落ち込んだ状態とな
り、バーズビークの長さは従来例に比べて０．２μｍ程
度短くなっている。
を介して第１ポリシリコン電極５ａを形成し、更に第２
ポリシリコン電極（図示せず）を形成して、図１（ｃ）
のような断面構造を得る。なお、図１では画素全体の広
い領域の断面を示しているのでバーズビーク先端部分の
従来例（図４）との差異は明確ではないが、図１（ｃ）
の○で囲まれた部分Ａの構造は、バーズビークの先端が
図６（ｄ）のごとく基板１表面から落ち込んだ状態とな
り、バーズビークの長さは従来例に比べて０．２μｍ程
度短くなっている。
【００２４】しかる後、図１（ａ）の工程と同様に、ガ
ードリング１０７を形成する領域以外をレジスト３ｂで
覆って、Ａｓ+ などのイオンを注入する（図１
（ｄ））。このときも、Ａｓ+ イオンはレジスト１０３
ａがある領域及び厚い酸化膜のある領域（分離領域２）
ではＳｉ基板１に到達しない。なお、このときのレジス
ト３ｂは、図４の場合より０．２μｍ程度分離領域２側
に近付いた位置から設けるようにする。即ち、図１にお
けるガードリング７形成位置は図４の場合に比べてバー
ズビークが短くなった分だけ分離領域２側に寄ることに
なる。
ードリング１０７を形成する領域以外をレジスト３ｂで
覆って、Ａｓ+ などのイオンを注入する（図１
（ｄ））。このときも、Ａｓ+ イオンはレジスト１０３
ａがある領域及び厚い酸化膜のある領域（分離領域２）
ではＳｉ基板１に到達しない。なお、このときのレジス
ト３ｂは、図４の場合より０．２μｍ程度分離領域２側
に近付いた位置から設けるようにする。即ち、図１にお
けるガードリング７形成位置は図４の場合に比べてバー
ズビークが短くなった分だけ分離領域２側に寄ることに
なる。
【００２５】次いで、ガードリング７で囲まれた領域に
ＰｔＳｉ−ショットキーダイオード６を形成し、図１
（ｅ）のような赤外線用固体撮像装置を得る。上述のよ
うに、本実施例ではガードリング７は分離領域２側に寄
っているので、その分だけＰｔＳｉ−ショットキーダイ
オード６の面積は従来に比べて大きくなっている。
ＰｔＳｉ−ショットキーダイオード６を形成し、図１
（ｅ）のような赤外線用固体撮像装置を得る。上述のよ
うに、本実施例ではガードリング７は分離領域２側に寄
っているので、その分だけＰｔＳｉ−ショットキーダイ
オード６の面積は従来に比べて大きくなっている。
【００２６】なお、上記の実施例では、酸化膜のエッチ
ング工程と酸化工程を２回行っているが、繰り返し回数
は２回に限るものではない。また、バーズビークを小さ
くする上では、酸化膜のエッチング工程と酸化工程がす
べて終了してからガードリングなどの拡散層を形成する
ことが好ましいが、場合によってエッチングと酸化を繰
り返す工程の途中で拡散層を形成しても良いものであ
る。
ング工程と酸化工程を２回行っているが、繰り返し回数
は２回に限るものではない。また、バーズビークを小さ
くする上では、酸化膜のエッチング工程と酸化工程がす
べて終了してからガードリングなどの拡散層を形成する
ことが好ましいが、場合によってエッチングと酸化を繰
り返す工程の途中で拡散層を形成しても良いものであ
る。
【００２７】また、上記においてはＰｔＳｉ−ショット
キーダイオードを例にとって説明したが、本発明は赤外
線用の撮像装置に限定されるものではなく、可視光用の
撮像装置にも適用できるものであり、種々の固体撮像装
置（ＣＣＤ型、ＣＳＤ型、ＭＯＳ型など）に幅広く適用
できるものである。
キーダイオードを例にとって説明したが、本発明は赤外
線用の撮像装置に限定されるものではなく、可視光用の
撮像装置にも適用できるものであり、種々の固体撮像装
置（ＣＣＤ型、ＣＳＤ型、ＭＯＳ型など）に幅広く適用
できるものである。
【００２８】
【発明の効果】以上のように、本発明においては、電極
配線部が設けられる領域以外の拡散層の形成を、酸化膜
のエッチング工程と酸化工程を行ってバーズビークが小
さくなってから行うので、単位画素中の受光部の占める
面積を従来に比べて大きくすることができる。従って、
本発明によれば、単位画素のサイズを小さくしても良好
な感度を確保することができ、高分解能、高感度の撮像
装置を実現できる。
配線部が設けられる領域以外の拡散層の形成を、酸化膜
のエッチング工程と酸化工程を行ってバーズビークが小
さくなってから行うので、単位画素中の受光部の占める
面積を従来に比べて大きくすることができる。従って、
本発明によれば、単位画素のサイズを小さくしても良好
な感度を確保することができ、高分解能、高感度の撮像
装置を実現できる。
【図１】（ａ）〜（ｅ）は本発明実施例による固体撮像
装置の製造工程を示す断面図である。
装置の製造工程を示す断面図である。
【図２】一般的な固体撮像装置の単位画素を示す平面図
である。
である。
【図３】図２に示された単位画素のＡＡ’断面図であ
る。
る。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は従来の固体撮像装置の製造工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図５】図４（ｂ）の○で囲んだ部分の拡大断面図であ
る。
る。
【図６】本発明の作用を説明するための説明図であり、
図６（ｄ）は図１（ｃ）の○で囲んだ部分Ａの拡大断面
図である。
図６（ｄ）は図１（ｃ）の○で囲んだ部分Ａの拡大断面
図である。
１…基板、２…分離領域、３ａ，３ｂ…レジスト、４…
ＢＣＣＤ拡散層、５ａ…ポリシリコン電極、６…ショッ
トキーダイオード、７…ガードリング。
ＢＣＣＤ拡散層、５ａ…ポリシリコン電極、６…ショッ
トキーダイオード、７…ガードリング。
Claims (2)
- 【請求項１】 入射光を光電変換する受光部を形成する
工程と、該受光部で発生した電荷を読み出すための電極
配線部を形成する工程と、前記受光部と電極配線部を含
む単位画素同志を選択酸化法によって分離する工程とを
有し、複数の単位画素が基板上に配列された固体撮像装
置を製造する方法において、 前記電極配線部が設けられる領域以外の拡散層の形成
を、前記基板表面上の酸化膜のエッチング工程と酸化工
程を少なくとも１回行った後に行うことを特徴とする固
体撮像装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記受光部の周囲に設けるガードリング
の形成を、前記酸化膜のエッチング工程と酸化工程を少
なくも１回行った後に行うことを特徴とする請求項１の
固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15301692A JP3291761B2 (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15301692A JP3291761B2 (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326915A true JPH05326915A (ja) | 1993-12-10 |
| JP3291761B2 JP3291761B2 (ja) | 2002-06-10 |
Family
ID=15553125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15301692A Expired - Fee Related JP3291761B2 (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3291761B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020017838A (ko) * | 2000-08-31 | 2002-03-07 | 박종섭 | 필드산화막을 식각하여 연결창 구조를 정의하는 이미지센서 제조 방법 |
-
1992
- 1992-05-21 JP JP15301692A patent/JP3291761B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020017838A (ko) * | 2000-08-31 | 2002-03-07 | 박종섭 | 필드산화막을 식각하여 연결창 구조를 정의하는 이미지센서 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3291761B2 (ja) | 2002-06-10 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |