JPH05190830A - 固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
固体撮像素子の製造方法Info
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- JPH05190830A JPH05190830A JP4026094A JP2609492A JPH05190830A JP H05190830 A JPH05190830 A JP H05190830A JP 4026094 A JP4026094 A JP 4026094A JP 2609492 A JP2609492 A JP 2609492A JP H05190830 A JPH05190830 A JP H05190830A
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- mask
- oxide film
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 電荷読み出し部形成を素子分離部形成と独立
に行うことができ、かつレジストの重ね合わせによるや
り直しの不可能な工程を省略できる固体撮像素子の製造
方法を得る。 【構成】 半導体基板１表面にシリコン酸化膜１０を形
成し、その上に多結晶シリコンにより素子分離部と電荷
読み出し部にイオン注入可能なパターンを形成し、ｐ型
イオンを注入し、電荷読み出し部を形成する。次に、ポ
リシリコン膜４に、電荷読み出し部をマスクするパター
ン６を設け、ｐ型イオンを注入し、素子分離部を形成す
る。
に行うことができ、かつレジストの重ね合わせによるや
り直しの不可能な工程を省略できる固体撮像素子の製造
方法を得る。 【構成】 半導体基板１表面にシリコン酸化膜１０を形
成し、その上に多結晶シリコンにより素子分離部と電荷
読み出し部にイオン注入可能なパターンを形成し、ｐ型
イオンを注入し、電荷読み出し部を形成する。次に、ポ
リシリコン膜４に、電荷読み出し部をマスクするパター
ン６を設け、ｐ型イオンを注入し、素子分離部を形成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は固体撮像素子の製造方
法に関し、特に光電変換部から電荷転送部に電荷を読み
出す、電荷読み出し部と素子分離部の製造方法に関する
ものである。
法に関し、特に光電変換部から電荷転送部に電荷を読み
出す、電荷読み出し部と素子分離部の製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】図９は従来の電荷読み出し部（ＴＧ部）
と素子分離部（ＰＩ）の製造方法を示す図であり、図１
０はＴＧ部，ＰＩ部の基板の深さ方向に対する不純物分
布を示す図である。また、図８はエリアイメージセンサ
の平面図である。図９は図８のＩ−Ｉ′断面図である。
図において、１はＰ型基板、２は光電変換部（フォトダ
イオード、以下ＰＤと略す）、３は電荷を一定方向に転
送するための電荷転送部であるＣＣＤ、４はレジストを
示す。
と素子分離部（ＰＩ）の製造方法を示す図であり、図１
０はＴＧ部，ＰＩ部の基板の深さ方向に対する不純物分
布を示す図である。また、図８はエリアイメージセンサ
の平面図である。図９は図８のＩ−Ｉ′断面図である。
図において、１はＰ型基板、２は光電変換部（フォトダ
イオード、以下ＰＤと略す）、３は電荷を一定方向に転
送するための電荷転送部であるＣＣＤ、４はレジストを
示す。
【０００３】次に製造方法について説明する。まず、Ｐ
型基板１上にＰＤ，ＣＣＤに所望の接合（ｎ型接合）を
形成する。さらに、基板１上にレジスト４をＰＩ部，Ｔ
Ｇ部の領域にイオンが注入されるようにパターニング
し、ｐ型イオン注入し、Ｐ++領域５′を形成する（図９
(a))。ＴＧ部となる領域以外をマスクするように上記レ
ジスト４を残したまま、さらにレジスト８をパターニン
グし、ＴＧ部にｎ型イオンを注入し、Ｐ++領域５′より
もＰ型濃度の低いＰ+ 領域９を設けることにより、ＴＧ
部に適したＶTH（しきい値電圧），Ｋ（バックゲートコ
ンスタント）が得られるようにする（図９(b))。
型基板１上にＰＤ，ＣＣＤに所望の接合（ｎ型接合）を
形成する。さらに、基板１上にレジスト４をＰＩ部，Ｔ
Ｇ部の領域にイオンが注入されるようにパターニング
し、ｐ型イオン注入し、Ｐ++領域５′を形成する（図９
(a))。ＴＧ部となる領域以外をマスクするように上記レ
ジスト４を残したまま、さらにレジスト８をパターニン
グし、ＴＧ部にｎ型イオンを注入し、Ｐ++領域５′より
もＰ型濃度の低いＰ+ 領域９を設けることにより、ＴＧ
部に適したＶTH（しきい値電圧），Ｋ（バックゲートコ
ンスタント）が得られるようにする（図９(b))。
【０００４】上記レジスト８を重ねるのは、ＴＧ部，Ｐ
Ｉ部を自己整合的に形成するためである。上記製造方法
でＴＧ部注入時に改めてレジストマスクパターンを設
け、それがＰＩ部と自己整合的でない場合、ＰＤ部また
はＣＣＤ部にカウンタドーズしたいｎ型イオンが注入さ
れてしまい、その部分にポテンシャルのくぼみが生じて
しまい、転送効率の劣化や残像特性の劣化を招いてしま
うため、ＴＧ部，ＰＩ部は自己整合的に作られる必要が
ある。
Ｉ部を自己整合的に形成するためである。上記製造方法
でＴＧ部注入時に改めてレジストマスクパターンを設
け、それがＰＩ部と自己整合的でない場合、ＰＤ部また
はＣＣＤ部にカウンタドーズしたいｎ型イオンが注入さ
れてしまい、その部分にポテンシャルのくぼみが生じて
しまい、転送効率の劣化や残像特性の劣化を招いてしま
うため、ＴＧ部，ＰＩ部は自己整合的に作られる必要が
ある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の固体撮像素子の
製造方法は、以上のように構成されていたので、ＰＩ部
に必要な抵抗値が固体撮像素子の集積度等により異なる
ため、所望の抵抗値を得るためには、ＰＩ部形成条件を
変化させる必要があり、このＰＩ部形成条件を変化させ
るとその度にＴＧ部形成条件を最適化しなければならな
いという問題点があった。
製造方法は、以上のように構成されていたので、ＰＩ部
に必要な抵抗値が固体撮像素子の集積度等により異なる
ため、所望の抵抗値を得るためには、ＰＩ部形成条件を
変化させる必要があり、このＰＩ部形成条件を変化させ
るとその度にＴＧ部形成条件を最適化しなければならな
いという問題点があった。
【０００６】また、自己整合的にＴＧ部，ＰＩ部を形成
するには、ＰＩ部にイオンを注入する時に形成したレジ
ストパターン４をＴＧ部を形成する際にも残しておく必
要があり、ＴＧ部形成用のレジストパターン８を形成す
る場合、やり直しがきかないという問題点があった。
するには、ＰＩ部にイオンを注入する時に形成したレジ
ストパターン４をＴＧ部を形成する際にも残しておく必
要があり、ＴＧ部形成用のレジストパターン８を形成す
る場合、やり直しがきかないという問題点があった。
【０００７】一般に前工程のレジストパターンを用い
て、再度別なレジストパターンを設けることは困難であ
り、後工程のレジストパターン形成に失敗すると、前工
程のレジストパターンも除去されてしまうことになり、
自己整合的に接合形成することができなくなる。
て、再度別なレジストパターンを設けることは困難であ
り、後工程のレジストパターン形成に失敗すると、前工
程のレジストパターンも除去されてしまうことになり、
自己整合的に接合形成することができなくなる。
【０００８】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ＴＧ部形成と独立に、ＰＩ部形
成条件を変化させることができ、また、レジストの重ね
合わせによるやり直しの不可能な工程をなくすことがで
きる固体撮像素子の製造方法を提供することを目的とす
る。
ためになされたもので、ＴＧ部形成と独立に、ＰＩ部形
成条件を変化させることができ、また、レジストの重ね
合わせによるやり直しの不可能な工程をなくすことがで
きる固体撮像素子の製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明に係る固体撮像
素子の製造方法は、半導体基板上に、光電変換部と、電
荷転送部と、これらを分離する素子分離部と、光電変換
部から電荷転送部に信号電荷を読み出す電荷読み出し部
を備えた固体撮像素子の製造方法において、前記電荷読
み出し部となる領域にイオン注入を行うことができるよ
うに、第１のマスクパターンを形成し、前記第１のマス
クパターンを用いて、前記素子分離部と前記電荷読み出
し部となる領域に、イオン注入を行い、前記第１のマス
クパターンを残すように、前記電荷読み出し部となる領
域に第２のマスクパターンを形成し、前記第１のマスク
パターンと第２のマスクパターンを用いて、前記素子分
離部となる領域にイオン注入するようにしたものであ
る。
素子の製造方法は、半導体基板上に、光電変換部と、電
荷転送部と、これらを分離する素子分離部と、光電変換
部から電荷転送部に信号電荷を読み出す電荷読み出し部
を備えた固体撮像素子の製造方法において、前記電荷読
み出し部となる領域にイオン注入を行うことができるよ
うに、第１のマスクパターンを形成し、前記第１のマス
クパターンを用いて、前記素子分離部と前記電荷読み出
し部となる領域に、イオン注入を行い、前記第１のマス
クパターンを残すように、前記電荷読み出し部となる領
域に第２のマスクパターンを形成し、前記第１のマスク
パターンと第２のマスクパターンを用いて、前記素子分
離部となる領域にイオン注入するようにしたものであ
る。
【００１０】また、この発明に係る固体撮像素子の製造
方法は、半導体基板上に、光電変換部と、電荷転送部
と、これらを分離する素子分離部と、光電変換部から電
荷転送部に信号電荷を読み出す電荷読み出し部を備えた
固体撮像素子の製造方法において、前記光電変換部と電
荷転送部を形成した基板上に絶縁層を形成し、前記絶縁
層上に、前記絶縁層の材料とは異なる材料で、前記素子
分離部と前記電荷読み出し部となる領域にイオン注入を
行うことができるように、第１のマスクパターンを形成
し、前記第１のマスクパターンを用いて、前記素子分離
部と前記電荷読み出し部となる領域に、イオン注入を行
い、前記第１のマスクパターンを残すように、前記第１
のマスクパターンを形成するマスク材と異なるマスク材
で、前記電荷読み出し部となる領域に第２のマスクパタ
ーンを形成し、前記第１のマスクパターンと第２のマス
クパターンを用いて、前記素子分離部となる領域にイオ
ン注入するようにしたものである。
方法は、半導体基板上に、光電変換部と、電荷転送部
と、これらを分離する素子分離部と、光電変換部から電
荷転送部に信号電荷を読み出す電荷読み出し部を備えた
固体撮像素子の製造方法において、前記光電変換部と電
荷転送部を形成した基板上に絶縁層を形成し、前記絶縁
層上に、前記絶縁層の材料とは異なる材料で、前記素子
分離部と前記電荷読み出し部となる領域にイオン注入を
行うことができるように、第１のマスクパターンを形成
し、前記第１のマスクパターンを用いて、前記素子分離
部と前記電荷読み出し部となる領域に、イオン注入を行
い、前記第１のマスクパターンを残すように、前記第１
のマスクパターンを形成するマスク材と異なるマスク材
で、前記電荷読み出し部となる領域に第２のマスクパタ
ーンを形成し、前記第１のマスクパターンと第２のマス
クパターンを用いて、前記素子分離部となる領域にイオ
ン注入するようにしたものである。
【００１１】
【作用】この発明に係る固体撮像素子の製造方法は、半
導体基板上に、光電変換部と、電荷転送部と、これらを
分離する素子分離部と、光電変換部から電荷転送部に信
号電荷を読み出す電荷読み出し部を備えた固体撮像素子
の製造方法において、前記電荷読み出し部となる領域に
イオン注入を行うことができるように、第１のマスクパ
ターンを形成し、前記第１のマスクパターンを用いて、
前記素子分離部と前記電荷読み出し部となる領域に、イ
オン注入を行い、前記第１のマスクパターンを残すよう
に、前記電荷読み出し部となる領域に第２のマスクパタ
ーンを形成し、前記第１のマスクパターンと第２のマス
クパターンを用いて、前記素子分離部となる領域にイオ
ン注入するようにしたので、電荷読み出し部形成を素子
分離部形成と独立に行うことができる。
導体基板上に、光電変換部と、電荷転送部と、これらを
分離する素子分離部と、光電変換部から電荷転送部に信
号電荷を読み出す電荷読み出し部を備えた固体撮像素子
の製造方法において、前記電荷読み出し部となる領域に
イオン注入を行うことができるように、第１のマスクパ
ターンを形成し、前記第１のマスクパターンを用いて、
前記素子分離部と前記電荷読み出し部となる領域に、イ
オン注入を行い、前記第１のマスクパターンを残すよう
に、前記電荷読み出し部となる領域に第２のマスクパタ
ーンを形成し、前記第１のマスクパターンと第２のマス
クパターンを用いて、前記素子分離部となる領域にイオ
ン注入するようにしたので、電荷読み出し部形成を素子
分離部形成と独立に行うことができる。
【００１２】また、この発明に係る固体撮像素子の製造
方法では、半導体基板上に、光電変換部と、電荷転送部
と、これらを分離する素子分離部と、光電変換部から電
荷転送部に信号電荷を読み出す電荷読み出し部を備えた
固体撮像素子の製造方法において、前記光電変換部と電
荷転送部を形成した基板上に絶縁層を形成し、前記絶縁
層上に、前記絶縁層の材料とは異なる材料で、前記素子
分離部と前記電荷読み出し部となる領域にイオン注入を
行うことができるように、第１のマスクパターンを形成
し、前記第１のマスクパターンを用いて、前記素子分離
部と前記電荷読み出し部となる領域に、イオン注入を行
い、前記第１のマスクパターンを残すように、前記第１
のマスクパターンを形成するマスク材と異なるマスク材
で、前記電荷読み出し部となる領域に第２のマスクパタ
ーンを形成し、前記第１のマスクパターンと第２のマス
クパターンを用いて、前記素子分離部となる領域にイオ
ン注入するようにしたので、電荷読み出し部形成を素子
分離部形成と独立に行うことができ、かつ前記第２のマ
スクパターン形成を複数回やり直しても、自己整合的に
素子分離部と電荷読み出し部を形成することができる。
方法では、半導体基板上に、光電変換部と、電荷転送部
と、これらを分離する素子分離部と、光電変換部から電
荷転送部に信号電荷を読み出す電荷読み出し部を備えた
固体撮像素子の製造方法において、前記光電変換部と電
荷転送部を形成した基板上に絶縁層を形成し、前記絶縁
層上に、前記絶縁層の材料とは異なる材料で、前記素子
分離部と前記電荷読み出し部となる領域にイオン注入を
行うことができるように、第１のマスクパターンを形成
し、前記第１のマスクパターンを用いて、前記素子分離
部と前記電荷読み出し部となる領域に、イオン注入を行
い、前記第１のマスクパターンを残すように、前記第１
のマスクパターンを形成するマスク材と異なるマスク材
で、前記電荷読み出し部となる領域に第２のマスクパタ
ーンを形成し、前記第１のマスクパターンと第２のマス
クパターンを用いて、前記素子分離部となる領域にイオ
ン注入するようにしたので、電荷読み出し部形成を素子
分離部形成と独立に行うことができ、かつ前記第２のマ
スクパターン形成を複数回やり直しても、自己整合的に
素子分離部と電荷読み出し部を形成することができる。
【００１３】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１は本発明の第１の実施例による固体撮像素子
の製造方法を示す図である。図において、１は半導体基
板、２は光電変換および電荷蓄積を行うフォトダイオー
ド、３は電荷を一定方向に転送するためのＣＣＤ、４は
第１のマスク材となるレジスト、５はＴＧ部Ｐ+ 層、６
は第２のマスク材となるレジスト、７はＰＩ部Ｐ++層を
示す。また、図２は本実施例におけるＴＧ部，ＰＩ部の
基板深さ方向に対する不純物の分布の変化を示す図であ
る。
する。図１は本発明の第１の実施例による固体撮像素子
の製造方法を示す図である。図において、１は半導体基
板、２は光電変換および電荷蓄積を行うフォトダイオー
ド、３は電荷を一定方向に転送するためのＣＣＤ、４は
第１のマスク材となるレジスト、５はＴＧ部Ｐ+ 層、６
は第２のマスク材となるレジスト、７はＰＩ部Ｐ++層を
示す。また、図２は本実施例におけるＴＧ部，ＰＩ部の
基板深さ方向に対する不純物の分布の変化を示す図であ
る。
【００１４】次に製造方法について順に説明する。ま
ず、Ｐ型基板１上に、ＰＤ，ＣＣＤに所望の接合（ｎ型
接合）を形成する。レジスト４をＰＩ部，ＴＧ部の領域
にＰ型イオンが注入されるようにパターニングする。こ
こで、このマスクパターン４を用いてＴＧ部に適した接
合（ｐ型接合）が得られるように、ｐ型イオンを注入
し、Ｐ+ 領域５を形成する（図１(a))。
ず、Ｐ型基板１上に、ＰＤ，ＣＣＤに所望の接合（ｎ型
接合）を形成する。レジスト４をＰＩ部，ＴＧ部の領域
にＰ型イオンが注入されるようにパターニングする。こ
こで、このマスクパターン４を用いてＴＧ部に適した接
合（ｐ型接合）が得られるように、ｐ型イオンを注入
し、Ｐ+ 領域５を形成する（図１(a))。
【００１５】次に、ＴＧ部となる領域をマスクするよう
に、上記の工程で設けたレジスト４を残したまま、第２
のレジストパターン６を設け、ＰＩ部に適した接合が得
られるようにｐ型イオンを注入し、Ｐ++領域７を形成す
る（図１(b))。
に、上記の工程で設けたレジスト４を残したまま、第２
のレジストパターン６を設け、ＰＩ部に適した接合が得
られるようにｐ型イオンを注入し、Ｐ++領域７を形成す
る（図１(b))。
【００１６】一般にＴＧ部はＰＤからの電荷をより低残
像で読み出すため、深くリセットできるように、そのＶ
TH，Ｋが低いことが要求される。
像で読み出すため、深くリセットできるように、そのＶ
TH，Ｋが低いことが要求される。
【００１７】上記の第１の実施例によれば、低いＶTHを
与えるようにＴＧ部の表面濃度を小さくなるように、か
つ従来例よりも低いＫを与えるようにＴＧ部の深い領域
の不純物濃度を従来例に比べ小さくなるように、形成す
ることが可能である。これはＴＧ部のイオン注入を行う
際に、適当な注入量のＰ型イオンを適当な注入エネルギ
ーによりイオン注入すればよく、必要であれば複数回の
イオン注入に分けて行えばよい。
与えるようにＴＧ部の表面濃度を小さくなるように、か
つ従来例よりも低いＫを与えるようにＴＧ部の深い領域
の不純物濃度を従来例に比べ小さくなるように、形成す
ることが可能である。これはＴＧ部のイオン注入を行う
際に、適当な注入量のＰ型イオンを適当な注入エネルギ
ーによりイオン注入すればよく、必要であれば複数回の
イオン注入に分けて行えばよい。
【００１８】ＰＩ部は十分な素子分離特性を得るため、
一般にＴＧ部より濃いＰ型注入が必要となるが、ＴＧ部
を形成した後に、ＰＩ部のみにＰ型イオンを注入するこ
とができるので、ＴＧ部形成時のｐ型のイオン注入がＰ
Ｉ部形成領域に加わっても何ら問題はなく、ＴＧ部とＰ
Ｉ部を独立に形成することが可能である。
一般にＴＧ部より濃いＰ型注入が必要となるが、ＴＧ部
を形成した後に、ＰＩ部のみにＰ型イオンを注入するこ
とができるので、ＴＧ部形成時のｐ型のイオン注入がＰ
Ｉ部形成領域に加わっても何ら問題はなく、ＴＧ部とＰ
Ｉ部を独立に形成することが可能である。
【００１９】上記実施例では、第１，第２のマスク材を
ともにレジストとしたため、従来の固体撮像素子の製造
方法の問題点のうち、第２のマスク材を形成する際にや
り直しができないという問題点は残っている。
ともにレジストとしたため、従来の固体撮像素子の製造
方法の問題点のうち、第２のマスク材を形成する際にや
り直しができないという問題点は残っている。
【００２０】以下、この問題点について解決を与えるも
のについて説明する。図３に本発明の第２の実施例によ
る固体撮像素子の製造方法を示す図である。図におい
て、１０は下地層としてのシリコン酸化膜絶縁層、１１
は第１のマスク材となる多結晶シリコン膜、１２は多結
晶シリコン膜１１をパターニングする時のマスクとなる
レジスト、１３は第２のマスク材となるレジストであ
る。
のについて説明する。図３に本発明の第２の実施例によ
る固体撮像素子の製造方法を示す図である。図におい
て、１０は下地層としてのシリコン酸化膜絶縁層、１１
は第１のマスク材となる多結晶シリコン膜、１２は多結
晶シリコン膜１１をパターニングする時のマスクとなる
レジスト、１３は第２のマスク材となるレジストであ
る。
【００２１】次に製造方法について説明する。まずｐ型
基板１上に、ＰＤ，ＣＣＤに所望の接合（ｎ型接合）を
形成する。その後、基板１表面にシリコン酸化膜１０を
形成する。そのシリコン酸化膜１０の上に多結晶シリコ
ン膜１１を設ける（図３(a))。
基板１上に、ＰＤ，ＣＣＤに所望の接合（ｎ型接合）を
形成する。その後、基板１表面にシリコン酸化膜１０を
形成する。そのシリコン酸化膜１０の上に多結晶シリコ
ン膜１１を設ける（図３(a))。
【００２２】レジスト１２を用いて、上記多結晶シリコ
ン膜１１を、ＰＩ部，ＴＧ部の領域にｐ型イオンを注入
するためのマスクパターンとなるようにパターニングす
る。この際に、シリコン酸化膜１０が多結晶シリコン膜
１１のストッパとなり、基板が上記多結晶シリコン膜１
１のパターニングの際に誤ってエッチングされるのを防
ぐ。絶縁性を有する層１０は第１のマスク材のパターニ
ングに際し、第１のマスク材とエッチングの際の選択比
が大きくとれるものを選べばよい。
ン膜１１を、ＰＩ部，ＴＧ部の領域にｐ型イオンを注入
するためのマスクパターンとなるようにパターニングす
る。この際に、シリコン酸化膜１０が多結晶シリコン膜
１１のストッパとなり、基板が上記多結晶シリコン膜１
１のパターニングの際に誤ってエッチングされるのを防
ぐ。絶縁性を有する層１０は第１のマスク材のパターニ
ングに際し、第１のマスク材とエッチングの際の選択比
が大きくとれるものを選べばよい。
【００２３】上記パターニングされた第１のマスク材で
ある多結晶シリコン１１をマスクとしてＴＧ部に所望の
特性が得られるようにｐ型イオン注入を行い、Ｐ+ 領域
５を設け、ＴＧ部を形成する（図３(b))。この際に必要
であれば、多結晶シリコン膜１１をパターニングする際
に用いたレジストもイオン注入のマスクとして用いれ
ば、ＴＧ部形成のイオン注入における注入エネルギーを
高いものまで選ぶことが可能となる。
ある多結晶シリコン１１をマスクとしてＴＧ部に所望の
特性が得られるようにｐ型イオン注入を行い、Ｐ+ 領域
５を設け、ＴＧ部を形成する（図３(b))。この際に必要
であれば、多結晶シリコン膜１１をパターニングする際
に用いたレジストもイオン注入のマスクとして用いれ
ば、ＴＧ部形成のイオン注入における注入エネルギーを
高いものまで選ぶことが可能となる。
【００２４】レジスト１２を除去後に、ＴＧ部となる領
域にのみ、第２のマスク材としてレジスト１３を形成
し、ＰＩ部にｐ型イオン注入を行い、Ｐ++領域７を形成
する（図３(c))。この際に、第１のマスク材であるポリ
シリコン膜１１はＰＩ部注入のマスクとなるように、あ
らかじめ厚さ及び膜質（粒径）を選んでおけばよい。
域にのみ、第２のマスク材としてレジスト１３を形成
し、ＰＩ部にｐ型イオン注入を行い、Ｐ++領域７を形成
する（図３(c))。この際に、第１のマスク材であるポリ
シリコン膜１１はＰＩ部注入のマスクとなるように、あ
らかじめ厚さ及び膜質（粒径）を選んでおけばよい。
【００２５】これにより、レジスト１３の形成はやり直
しが可能となり、従って、自己整合的にＰＩ部，ＴＧ部
を容易に形成することが可能となる。
しが可能となり、従って、自己整合的にＰＩ部，ＴＧ部
を容易に形成することが可能となる。
【００２６】図４は、本発明の第３の実施例による固体
撮像素子の製造方法を示す図である。図において、１４
はシリコン窒化膜、１５はシリコン酸化膜である。上記
実施例と同一符号は同一名称を示す。
撮像素子の製造方法を示す図である。図において、１４
はシリコン窒化膜、１５はシリコン酸化膜である。上記
実施例と同一符号は同一名称を示す。
【００２７】次に製造方法について説明する。まずｐ型
基板１上に、ＰＤ，ＣＣＤに所望の接合（ｎ型接合）を
形成する。その後、基板１表面にシリコン酸化膜１０，
シリコン窒化膜１４を順次形成する。そのシリコン窒化
膜１４の上に、第１のマスク材としてのシリコン酸化膜
１５を設ける。後の工程は上記第２の実施例と同様であ
る。
基板１上に、ＰＤ，ＣＣＤに所望の接合（ｎ型接合）を
形成する。その後、基板１表面にシリコン酸化膜１０，
シリコン窒化膜１４を順次形成する。そのシリコン窒化
膜１４の上に、第１のマスク材としてのシリコン酸化膜
１５を設ける。後の工程は上記第２の実施例と同様であ
る。
【００２８】ここで、下地層をシリコン酸化膜１０，シ
リコン窒化膜１４の２層構造としたのは、第１のマスク
材をシリコン酸化膜１５としたため、そのパターニング
の際に、シリコン酸化膜だけの下地層では下地層がエッ
チングされ、半導体基板にまでエッチングの影響が及ぶ
ので、これを防ぐためである。
リコン窒化膜１４の２層構造としたのは、第１のマスク
材をシリコン酸化膜１５としたため、そのパターニング
の際に、シリコン酸化膜だけの下地層では下地層がエッ
チングされ、半導体基板にまでエッチングの影響が及ぶ
ので、これを防ぐためである。
【００２９】このように、第１のマスク材，下地層を選
択することにより、前記第２の実施例と同様に、レジス
ト１３の形成のやり直しを行うことができ、自己整合的
にＰＩ部，ＴＧ部を容易に形成することができる。
択することにより、前記第２の実施例と同様に、レジス
ト１３の形成のやり直しを行うことができ、自己整合的
にＰＩ部，ＴＧ部を容易に形成することができる。
【００３０】図５は本発明の第４の実施例による固体撮
像素子の製造方法を示す図である。図において、１６は
シリコン酸化膜、１７は多結晶シリコン１１を酸化して
形成されたシリコン酸化膜であり、上記実施例と同一符
号は同一名称を示す。
像素子の製造方法を示す図である。図において、１６は
シリコン酸化膜、１７は多結晶シリコン１１を酸化して
形成されたシリコン酸化膜であり、上記実施例と同一符
号は同一名称を示す。
【００３１】次に製造方法について説明する。まずｐ型
基板１上に、ＰＤ，ＣＣＤに所望の接合（ｎ型接合）を
形成する。その後、基板１表面にシリコン酸化膜１０，
シリコン窒化膜１４，シリコン酸化膜１６を順次形成す
る。そのシリコン酸化膜１６の上に、第１のマスク材と
してのポリシリコン膜１１を形成する。その後、ポリシ
リコン膜１１の表面を酸化し、シリコン酸化膜１７を形
成する。この酸化膜１７上にパターニングしたレジスト
１８を用いて、この酸化膜１７をエッチングする（図５
(a))。
基板１上に、ＰＤ，ＣＣＤに所望の接合（ｎ型接合）を
形成する。その後、基板１表面にシリコン酸化膜１０，
シリコン窒化膜１４，シリコン酸化膜１６を順次形成す
る。そのシリコン酸化膜１６の上に、第１のマスク材と
してのポリシリコン膜１１を形成する。その後、ポリシ
リコン膜１１の表面を酸化し、シリコン酸化膜１７を形
成する。この酸化膜１７上にパターニングしたレジスト
１８を用いて、この酸化膜１７をエッチングする（図５
(a))。
【００３２】次にパターニングされたレジスト１８を除
去し、シリコン酸化膜１７を用いてポリシリコン膜１１
をパターニングし、シリコン酸化膜１７とポリシリコン
膜１１をマスクとしてｐ型イオンを注入し、ＴＧ部形成
を行った後、ＴＧ部に第２のマスク材としてのレジスト
マスク１３を設け、ｐ型イオンを注入し、ＰＩ部を形成
する（図５(b))。
去し、シリコン酸化膜１７を用いてポリシリコン膜１１
をパターニングし、シリコン酸化膜１７とポリシリコン
膜１１をマスクとしてｐ型イオンを注入し、ＴＧ部形成
を行った後、ＴＧ部に第２のマスク材としてのレジスト
マスク１３を設け、ｐ型イオンを注入し、ＰＩ部を形成
する（図５(b))。
【００３３】なお、パターニングしたレジスト１８の除
去はポリシリコン膜１１をパターニングした後でも、Ｔ
Ｇ部を形成するためにイオン注入した後でもよく、ま
た、ＰＩ部を形成するためにイオンを注入した後にレジ
スト１３と共に除去してもよい。
去はポリシリコン膜１１をパターニングした後でも、Ｔ
Ｇ部を形成するためにイオン注入した後でもよく、ま
た、ＰＩ部を形成するためにイオンを注入した後にレジ
スト１３と共に除去してもよい。
【００３４】上記ポリシリコン膜１１を酸化するのは、
ポリシリコンの粒径が柱状のものであった場合、ＰＩ部
形成のイオン注入でチャネリングが生じ、マスクとして
ポリシリコン膜１１が十分に機能しないことを防ぐため
であり、ポリシリコン１１膜上に形成された酸化膜１７
がＰＩ部形成のイオン注入のマスクとなるようにしたも
のである。また、このポリシリコンを酸化して得られた
酸化膜１７は一般に高温酸化膜蒸着などで堆積した酸化
膜に比べ緻密な構造のものが得られ、イオン注入のマス
クとして適している。
ポリシリコンの粒径が柱状のものであった場合、ＰＩ部
形成のイオン注入でチャネリングが生じ、マスクとして
ポリシリコン膜１１が十分に機能しないことを防ぐため
であり、ポリシリコン１１膜上に形成された酸化膜１７
がＰＩ部形成のイオン注入のマスクとなるようにしたも
のである。また、このポリシリコンを酸化して得られた
酸化膜１７は一般に高温酸化膜蒸着などで堆積した酸化
膜に比べ緻密な構造のものが得られ、イオン注入のマス
クとして適している。
【００３５】また、下地層を酸化膜１０，窒化膜１４，
酸化膜１６の３層構造としたのは、上層の酸化膜１６が
ポリシリコン膜１１のパターニングの際のストッパとし
て働くようにするためであり、ＴＧ部，ＰＩ部形成後に
第１のマスク材であるシリコン酸化膜１７，ポリシリコ
ン膜１１を除去する際には、中層の窒化膜１４がシリコ
ン酸化膜１７の除去の際のストッパとして、下層の酸化
膜１０がポリシリコン膜１１の除去の際のストッパとし
て、働くようにするためである。
酸化膜１６の３層構造としたのは、上層の酸化膜１６が
ポリシリコン膜１１のパターニングの際のストッパとし
て働くようにするためであり、ＴＧ部，ＰＩ部形成後に
第１のマスク材であるシリコン酸化膜１７，ポリシリコ
ン膜１１を除去する際には、中層の窒化膜１４がシリコ
ン酸化膜１７の除去の際のストッパとして、下層の酸化
膜１０がポリシリコン膜１１の除去の際のストッパとし
て、働くようにするためである。
【００３６】図６は本発明の第５の実施例による固体撮
像素子の製造方法を示す図である。図において、１９は
シリコン酸化膜、２０は第２のマスク材としてのレジス
トであり、上記実施例と同一符号は同一名称を示す。
像素子の製造方法を示す図である。図において、１９は
シリコン酸化膜、２０は第２のマスク材としてのレジス
トであり、上記実施例と同一符号は同一名称を示す。
【００３７】次に製造方法について説明する。まずｐ型
基板１上に、ＰＤ，ＣＣＤに所望の接合（ｎ型接合）を
形成する。その後、基板１表面にシリコン酸化膜１０，
シリコン窒化膜１４，シリコン酸化膜１６を順次形成す
る。そのシリコン酸化膜１６の上に第１のマスク材とし
ての多結晶シリコン膜１１を設ける。パターニングした
レジスト１２を用いて、多結晶シリコン膜１１を、ＰＩ
部，ＴＧ部の領域にｐ型イオンを注入するためのマスク
パターンとなるようにパターニングする。この際に、シ
リコン酸化膜１６が多結晶シリコン膜１１のストッパと
なる。その後、ｐ型イオンを注入し、ＴＧ部を形成する
（図６(a))。
基板１上に、ＰＤ，ＣＣＤに所望の接合（ｎ型接合）を
形成する。その後、基板１表面にシリコン酸化膜１０，
シリコン窒化膜１４，シリコン酸化膜１６を順次形成す
る。そのシリコン酸化膜１６の上に第１のマスク材とし
ての多結晶シリコン膜１１を設ける。パターニングした
レジスト１２を用いて、多結晶シリコン膜１１を、ＰＩ
部，ＴＧ部の領域にｐ型イオンを注入するためのマスク
パターンとなるようにパターニングする。この際に、シ
リコン酸化膜１６が多結晶シリコン膜１１のストッパと
なる。その後、ｐ型イオンを注入し、ＴＧ部を形成する
（図６(a))。
【００３８】次に、レジスト１２を除去したのち、第１
のマスク材であるポリシリコン膜１１を酸化し、シリコ
ン酸化膜１９を形成する。第２のマスク材であるレジス
ト２０をＴＧ部にパターニングし、ｐ型イオンを注入
し、ＰＩ部を形成する（図６(b))。
のマスク材であるポリシリコン膜１１を酸化し、シリコ
ン酸化膜１９を形成する。第２のマスク材であるレジス
ト２０をＴＧ部にパターニングし、ｐ型イオンを注入
し、ＰＩ部を形成する（図６(b))。
【００３９】このように、パターニングしたポリシリコ
ン膜１１を酸化すると、ＰＩ部に注入される領域をポリ
シリコン膜１１の加工パターンより自己整合的に狭くで
きる。
ン膜１１を酸化すると、ＰＩ部に注入される領域をポリ
シリコン膜１１の加工パターンより自己整合的に狭くで
きる。
【００４０】一般にＰＩ部への注入パターンは、加工で
きる最小のものを選ぶ。例えば、図６(b) でＬ＝０．８
μｍとした場合、ポリシリコン１１の表面を２０００オ
ングストローム酸化したとすると、〜５０％の酸化膜は
ポリシリコン内に形成されるため、Ｌ′はＬ′〜０．６
μｍとなる。従って、ＰＩ部の注入を行う領域は、最小
パターン以下のものを自己整合的に形成でき、またこの
結果、素子分離部へ濃くイオンを注入する際のＣＣＤ，
ＰＤへの影響を、ポリシリコンを酸化した分だけ減らす
ことができる。これにより、ＣＣＤ，ＰＤへの狭チャネ
ル効果を抑えることができる。
きる最小のものを選ぶ。例えば、図６(b) でＬ＝０．８
μｍとした場合、ポリシリコン１１の表面を２０００オ
ングストローム酸化したとすると、〜５０％の酸化膜は
ポリシリコン内に形成されるため、Ｌ′はＬ′〜０．６
μｍとなる。従って、ＰＩ部の注入を行う領域は、最小
パターン以下のものを自己整合的に形成でき、またこの
結果、素子分離部へ濃くイオンを注入する際のＣＣＤ，
ＰＤへの影響を、ポリシリコンを酸化した分だけ減らす
ことができる。これにより、ＣＣＤ，ＰＤへの狭チャネ
ル効果を抑えることができる。
【００４１】このように、本実施例によれば、ＴＧ部形
成と独立にＰＩ部形成条件を変化させることができ、ま
たレジストの重ね合わせによるやり直しの不可能な工程
をなくすことができ、さらにＰＩ部注入パターンを、注
入される領域を狭めるように、自己整合的に形成でき、
ＰＤ，ＣＣＤへの狭チャネル効果を低減することができ
る。
成と独立にＰＩ部形成条件を変化させることができ、ま
たレジストの重ね合わせによるやり直しの不可能な工程
をなくすことができ、さらにＰＩ部注入パターンを、注
入される領域を狭めるように、自己整合的に形成でき、
ＰＤ，ＣＣＤへの狭チャネル効果を低減することができ
る。
【００４２】ここで、下地層として、シリコン酸化膜１
０，シリコン窒化膜１４，シリコン酸化膜１６の３層構
造としたのは、シリコン酸化膜１６がポリシリコン１１
のパターニングの際のストッパとして、シリコン窒化膜
１４がこのポリシリコン１１を酸化した酸化膜１９を除
去する際のストッパとして、シリコン酸化膜１０がポリ
シリコン膜１１除去時のストッパとして働くようにする
ためである。一般にポリシリコンとシリコン窒化膜はエ
ッチングの際に選択比を大きく選ぶことが困難であり、
ポリシリコン除去時にシリコン窒化膜も除去されてしま
う。これに対し、ポリシリコンとシリコン酸化膜，シリ
コン酸化膜とシリコン窒化膜はこの選択比を大きく選ぶ
ことができる。
０，シリコン窒化膜１４，シリコン酸化膜１６の３層構
造としたのは、シリコン酸化膜１６がポリシリコン１１
のパターニングの際のストッパとして、シリコン窒化膜
１４がこのポリシリコン１１を酸化した酸化膜１９を除
去する際のストッパとして、シリコン酸化膜１０がポリ
シリコン膜１１除去時のストッパとして働くようにする
ためである。一般にポリシリコンとシリコン窒化膜はエ
ッチングの際に選択比を大きく選ぶことが困難であり、
ポリシリコン除去時にシリコン窒化膜も除去されてしま
う。これに対し、ポリシリコンとシリコン酸化膜，シリ
コン酸化膜とシリコン窒化膜はこの選択比を大きく選ぶ
ことができる。
【００４３】図７は本発明の第６の実施例による固体撮
像素子の製造方法を示す図である。図において、２１は
シリコン酸化膜であり、上記実施例と同一符号は同一名
称を示す。
像素子の製造方法を示す図である。図において、２１は
シリコン酸化膜であり、上記実施例と同一符号は同一名
称を示す。
【００４４】次に製造方法について説明する。まずｐ型
基板１上に、ＰＤ，ＣＣＤに所望の接合（ｎ型接合）を
形成する。その後、基板１表面にシリコン酸化膜１０，
シリコン窒化膜１４，シリコン酸化膜１６を順次形成す
る。そのシリコン酸化膜１６の上に、第１のマスク材と
してのポリシリコン膜１１を形成する。その後、ポリシ
リコン膜１１の表面を酸化し、シリコン酸化膜１７を形
成する。この酸化膜１７をパターニングし、このパター
ニングされたシリコン酸化膜１７を用いてポリシリコン
膜１１をパターニングする。シリコン酸化膜１７とポリ
シリコン膜１１をマスクとしてイオン注入し、ＴＧ部形
成を行った後、ポリシリコン膜１１を酸化し、シリコン
酸化膜２１を形成する。その後、第２のマスク材である
レジスト２０をＴＧ部にパターニングし、ｐ型イオンを
注入し、ＰＩ部を形成する。
基板１上に、ＰＤ，ＣＣＤに所望の接合（ｎ型接合）を
形成する。その後、基板１表面にシリコン酸化膜１０，
シリコン窒化膜１４，シリコン酸化膜１６を順次形成す
る。そのシリコン酸化膜１６の上に、第１のマスク材と
してのポリシリコン膜１１を形成する。その後、ポリシ
リコン膜１１の表面を酸化し、シリコン酸化膜１７を形
成する。この酸化膜１７をパターニングし、このパター
ニングされたシリコン酸化膜１７を用いてポリシリコン
膜１１をパターニングする。シリコン酸化膜１７とポリ
シリコン膜１１をマスクとしてイオン注入し、ＴＧ部形
成を行った後、ポリシリコン膜１１を酸化し、シリコン
酸化膜２１を形成する。その後、第２のマスク材である
レジスト２０をＴＧ部にパターニングし、ｐ型イオンを
注入し、ＰＩ部を形成する。
【００４５】本実施例においても上記第５の実施例と同
様に、ＰＩ部注入領域を自己整合的に狭めることができ
る。
様に、ＰＩ部注入領域を自己整合的に狭めることができ
る。
【００４６】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る固体撮像
素子の製造方法によれば、半導体基板上に、光電変換部
と、電荷転送部と、これらを分離する素子分離部と、光
電変化部から電荷転送部に信号電荷を読み出す電荷読み
出し部を備えた固体撮像素子の製造方法において、前記
電荷読み出し部となる領域にイオン注入を行うことがで
きるように、第１のマスクパターンを形成し、前記第１
のマスクパターンを用いて、前記素子分離部と前記電荷
読み出し部となる領域に、イオン注入を行い、前記第１
のマスクパターンを残すように、前記電荷読み出し部と
なる領域に第２のマスクパターンを形成し、前記第１の
マスクパターンと第２のマスクパターンを用いて、前記
素子分離部となる領域にイオン注入するようにしたの
で、電荷読み出し部の形成を素子分離部の形成と独立に
行うことができるという効果がある。
素子の製造方法によれば、半導体基板上に、光電変換部
と、電荷転送部と、これらを分離する素子分離部と、光
電変化部から電荷転送部に信号電荷を読み出す電荷読み
出し部を備えた固体撮像素子の製造方法において、前記
電荷読み出し部となる領域にイオン注入を行うことがで
きるように、第１のマスクパターンを形成し、前記第１
のマスクパターンを用いて、前記素子分離部と前記電荷
読み出し部となる領域に、イオン注入を行い、前記第１
のマスクパターンを残すように、前記電荷読み出し部と
なる領域に第２のマスクパターンを形成し、前記第１の
マスクパターンと第２のマスクパターンを用いて、前記
素子分離部となる領域にイオン注入するようにしたの
で、電荷読み出し部の形成を素子分離部の形成と独立に
行うことができるという効果がある。
【００４７】また、この発明に係る固体撮像素子の製造
方法によれば、半導体基板上に、光電変換部と、電荷転
送部と、これらを分離する素子分離部と、光電変換部か
ら電荷転送部に信号電荷を読み出す電荷読み出し部を備
えた固体撮像素子の製造方法において、前記光電変換部
と電荷転送部を形成した基板上に絶縁層を形成し、前記
絶縁層上に、前記絶縁層の材料とは異なる材料で、前記
素子分離部と前記電荷読み出し部となる領域にイオン注
入を行うことができるように、第１のマスクパターンを
形成し、前記第１のマスクパターンを用いて、前記素子
分離部と前記電荷読み出し部となる領域に、イオン注入
を行い、前記第１のマスクパターンを残すように、前記
第１のマスクパターンを形成するマスク材と異なるマス
ク材で、前記電荷読み出し部となる領域に第２のマスク
パターンを形成し、前記第１のマスクパターンと第２の
マスクパターンを用いて、前記素子分離部となる領域に
イオン注入するようにしたので、電荷読み出し部形成と
独立に素子分離部形成条件を変化させることができ、か
つ前記第２のマスクパターン形成を複数回やり直して
も、自己整合的に素子分離部と電荷読み出し部を形成す
ることができるという効果がある。
方法によれば、半導体基板上に、光電変換部と、電荷転
送部と、これらを分離する素子分離部と、光電変換部か
ら電荷転送部に信号電荷を読み出す電荷読み出し部を備
えた固体撮像素子の製造方法において、前記光電変換部
と電荷転送部を形成した基板上に絶縁層を形成し、前記
絶縁層上に、前記絶縁層の材料とは異なる材料で、前記
素子分離部と前記電荷読み出し部となる領域にイオン注
入を行うことができるように、第１のマスクパターンを
形成し、前記第１のマスクパターンを用いて、前記素子
分離部と前記電荷読み出し部となる領域に、イオン注入
を行い、前記第１のマスクパターンを残すように、前記
第１のマスクパターンを形成するマスク材と異なるマス
ク材で、前記電荷読み出し部となる領域に第２のマスク
パターンを形成し、前記第１のマスクパターンと第２の
マスクパターンを用いて、前記素子分離部となる領域に
イオン注入するようにしたので、電荷読み出し部形成と
独立に素子分離部形成条件を変化させることができ、か
つ前記第２のマスクパターン形成を複数回やり直して
も、自己整合的に素子分離部と電荷読み出し部を形成す
ることができるという効果がある。
【図１】この発明の第１の実施例による固定撮像素子の
製造方法を示す画素部断面図。
製造方法を示す画素部断面図。
【図２】この発明の第１の実施例による固定撮像素子に
おける素子分離部，電荷読み出し部の不純物分布図。
おける素子分離部，電荷読み出し部の不純物分布図。
【図３】この発明の第２の実施例による固定撮像素子の
製造方法を示す画素部断面図。
製造方法を示す画素部断面図。
【図４】この発明の第３の実施例による固定撮像素子の
製造方法を示す画素部断面図。
製造方法を示す画素部断面図。
【図５】この発明の第４の実施例による固定撮像素子の
製造方法を示す画素部断面図。
製造方法を示す画素部断面図。
【図６】この発明の第５の実施例による固定撮像素子の
製造方法を示す画素部断面図。
製造方法を示す画素部断面図。
【図７】この発明の第６の実施例による固定撮像素子の
製造方法を示す画素部断面図。
製造方法を示す画素部断面図。
【図８】一般の２次元固体撮像素子の画素部平面図。
【図９】従来の固体撮像素子の製造方法を示す画素部断
面図。
面図。
【図１０】従来の素子分離部，電荷読み出し部の不純物
分布図。
分布図。
１ 半導体基板 ２ 光電変換部 ３ 電荷転送部 ４ レジスト ５ 電荷読み出し部接合 ５′ 素子分離部接合 ６ レジスト ７ 素子分離部接合 ８ レジスト ９ 電荷読み出し部接合 １０ シリコン酸化膜 １１ 多結晶シリコン １２ レジスト １３ レジスト １４ シリコン窒化膜 １５ シリコン酸化膜 １６ シリコン酸化膜 １７ シリコン酸化膜 １８ レジスト １９ シリコン酸化膜 ２０ レジスト ２１ シリコン酸化膜
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 8617−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/265 Ｍ
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体基板上に、光電変換部と、電荷転
送部と、これらを分離する素子分離部と、光電変換部か
ら電荷転送部に信号電荷を読み出す電荷読み出し部を備
えた固体撮像素子の製造方法において、 前記電荷読み出し部となる領域にイオン注入を行うこと
ができるように、第１のマスクパターンを形成する工程
と、 前記第１のマスクパターンを用いて、前記素子分離部と
前記電荷読み出し部となる領域に、イオン注入を行う工
程と、 前記第１のマスクパターンを残すように、前記電荷読み
出し部となる領域に第２のマスクパターンを形成する工
程と、 前記第１のマスクパターンと第２のマスクパターンを用
いて、前記素子分離部となる領域にイオン注入する工程
とを含むことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項２】 半導体基板上に、光電変換部と、電荷転
送部と、これらを分離する素子分離部と、光電変換部か
ら電荷転送部に信号電荷を読み出す電荷読み出し部を備
えた固体撮像素子の製造方法において、 上記光電変換部と電荷転送部を形成した基板上に絶縁層
を形成する工程と、 上記絶縁層上に、上記絶縁層の材料とは異なる材料で、
前記素子分離部と前記電荷読み出し部となる領域にイオ
ン注入を行うことができるように、第１のマスクパター
ンを形成する工程と、 前記第１のマスクパターンを用いて、前記素子分離部と
前記電荷読み出し部となる領域に、イオン注入を行う工
程と、 前記第１のマスクパターンを残すように、前記第１のマ
スクパターンを形成するマスク材と異なるマスク材で、
前記電荷読み出し部となる領域に第２のマスクパターン
を形成する工程と、 前記第１のマスクパターンと第２のマスクパターンを用
いて、前記素子分離部となる領域にイオン注入する工程
とを含むことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項３】 上記第１のマスクパターンを形成するマ
スク材が多結晶シリコンであり、かつ上記絶縁層がシリ
コン酸化膜であることを特徴とする請求項２記載の固体
撮像素子の製造方法。 - 【請求項４】 上記第１のマスクパターンを形成するマ
スク材がシリコン酸化膜であり、かつ前記絶縁層がシリ
コン酸化膜とシリコン窒化膜を順次設けたものであるこ
とを特徴とする請求項２記載の固体撮像素子の製造方
法。 - 【請求項５】 上記第１のマスクパターンを形成するマ
スク材が多結晶シリコンであり、かつ前記絶縁層は、シ
リコン酸化膜とシリコン窒化膜とシリコン酸化膜を順次
設けたものであり、さらに前記第１のマスクパターンの
マスク材である多結晶シリコンをパターニングする前
に、その一部を酸化する工程を含むことを特徴とする請
求項２記載の固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項６】 上記第１のマスクパターンを形成するマ
スク材が多結晶シリコンであり、かつ前記絶縁層は、シ
リコン酸化膜とシリコン窒化膜とシリコン酸化膜を順次
設けたものであり、さらに前記第１のマスクパターンの
マスク材である多結晶シリコンをパターニングした後、
第２のマスク材をパターニングする前に、上記第１のマ
スクパターンのマスク材の一部を酸化する工程を含むこ
とを特徴とする請求項２記載の固体撮像素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4026094A JPH05190830A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 固体撮像素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4026094A JPH05190830A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 固体撮像素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190830A true JPH05190830A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=12184014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4026094A Pending JPH05190830A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05190830A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0746034A2 (en) * | 1995-05-29 | 1996-12-04 | Matsushita Electronics Corporation | Solid-state image pick-up device and method for manufacturing the same |
| JP2010129614A (ja) * | 2008-11-25 | 2010-06-10 | Sharp Corp | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子情報機器 |
-
1992
- 1992-01-14 JP JP4026094A patent/JPH05190830A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0746034A2 (en) * | 1995-05-29 | 1996-12-04 | Matsushita Electronics Corporation | Solid-state image pick-up device and method for manufacturing the same |
| EP0746034A3 (en) * | 1995-05-29 | 1998-04-29 | Matsushita Electronics Corporation | Solid-state image pick-up device and method for manufacturing the same |
| JP2010129614A (ja) * | 2008-11-25 | 2010-06-10 | Sharp Corp | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子情報機器 |
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