JP2010129614A - 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子情報機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】水平転送部(水平CCD部)110を構成する側壁電荷散逸用の拡散層14aを、光電変換素子を含む画素部Pxを構成している転送ゲートの閾値設定拡散層12aと同じ不純物拡散プロファイルを有し、かつ基板内で同じ深さ位置に位置する構造とし、水平転送部110の最終段のポテンシャル制御用の拡散層(ポテンシャル設定拡散層)14bを、光電変換素子を含む画素部Pxを構成している画素分離用の拡散層13bと同じ不純物拡散プロファイルを有し、かつ基板内で同じ深さ位置に位置する構造とした。
【選択図】図1
Description
図1〜図5は、本発明の実施形態1による固体撮像装置を説明する図であり、図1は、この実施形態1の固体撮像装置を模式的に示す平面図である。
(実施形態2)
図7は、本発明の実施形態2として、実施形態1の固体撮像装置を撮像部に用いた電子情報機器の概略構成例を示すブロック図である。
2 シリコン酸化膜
3 Polyシリコン
3a ゲート酸化膜
3b 酸化膜
11 低濃度N型拡散層
12 拡散層(低濃度N型拡散層)
12a 閾定設定拡散層
13a 表面側分離拡散層
13b 下側分離拡散層
14 水平CCD拡散層(低濃度P型拡散層)
14a 電荷散逸防止拡散層
14b ポテンシャル分布設定拡散層
90 電子情報機器
91 撮像部
92 メモリ部
93 表示部
94 通信部
95 画像出力部
100a 撮像領域
101 固体撮像装置
109、119 フォトレジスト
109a、109b、119a、119b レジスト開口
110 水平転送部(水平CCD)
120 垂直転送部(垂直CCD)
130 出力アンプ
Bp、Bp2〜Bp5 ボンディングパッド
FD 電荷蓄積部
Hg1,Hg2 第1,第2の水平転送ゲート
PD 光電変換素子(受光素子)
Rg リセットゲート
RD リセットドレイン
Sc 信号電荷
Sv 信号電圧
Vg1,Vg2 第1,第2の垂直転送ゲート
Claims (22)
- 半導体基板上に形成され、入射光を信号電荷に変換する複数の画素部と、
該半導体基板上に形成され、該画素部から取り出された信号電荷を転送する電荷転送部とを備え、
該電荷転送部を構成する少なくとも1つの拡散層は、該画素部を構成する特定の拡散層と同じ不純物拡散プロファイルを有する固体撮像装置。 - 請求項1に記載の固体撮像装置において、
前記電荷転送部を構成する拡散層の厚さは、前記画素部を構成する前記特定の拡散層の厚さと等しく、かつ、該電荷転送部の拡散層が前記半導体基板内で位置する深さ位置は、該画素部の特定の拡散層が該半導体基板内で位置する深さ位置と等しい固体撮像装置。 - 請求項2に記載の固体撮像装置において、
前記画素部を構成する前記特定の拡散層は、その上面が前記半導体基板の表面より下側に位置するよう形成されている固体撮像装置。 - 請求項1に記載の固体撮像装置において、
前記画素部は、入射光の光電変換により信号電荷を生成する光電変換部と、該光電変換部の周囲に形成され、隣接する光電変換部の間、および該光電変換部とこれに隣接する電荷転送部とを電気的に分離する画素分離部と、該光電変換部で生成された信号電荷を、前記電荷転送部の対応する部分に読み出す電荷読み出し部とを含み、
該画素部を構成する特定の拡散層は、該画素分離部あるいは該電荷読み出し部を構成する拡散層である固体撮像装置。 - 請求項4に記載の固体撮像装置において、
前記複数の画素部は、2次元行列状に配列されており、
前記電荷転送部は、
該各列の画素部に沿って配列され、対応する列の画素部から取り出された信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送部と、
該垂直転送部の一端側に配置され、該垂直転送部から転送されてきた信号電荷を水平方向に転送する水平転送部とを有し、
前記画素部を構成する特定の拡散層と同じ不純物拡散プロファイルを有する、前記電荷転送部を構成する拡散層は、該水平転送部を構成する拡散層である固体撮像装置。 - 請求項5に記載の固体撮像装置において、
前記水平転送部は、
前記半導体基板の表面部分に水平方向に延びるよう形成され、前記信号電荷の転送経路を形成する表面拡散層と、
該半導体基板の表面部分に該表面拡散層に沿って形成され、該表面拡散層からの信号電荷の散逸を阻止する電荷散逸阻止層とを有し、
該電荷散逸阻止層は、前記画素部を構成する特定の拡散層と同じ不純物拡散プロファイルを有する固体撮像装置。 - 請求項6に記載の固体撮像装置において、
前記画素部を構成する特定の拡散層は、該画素部における電荷読み出し部を構成する転送トランジスタの閾値を設定する閾値設定拡散層である固体撮像装置。 - 請求項6に記載の固体撮像装置において、
前記電荷散逸阻止層は、0.3μm以上でかつ0.5μm以下の厚さを有する固体撮像装置。 - 請求項5に記載の固体撮像装置において、
前記水平転送部は、
前記半導体基板の表面部分に水平方向に延びるよう形成され、前記信号電荷の転送経路を形成する表面拡散層と、
該半導体基板の表面部分に、該表面拡散層の、該信号電荷の転送経路の終端部分の両側に位置するよう形成され、該水平転送部の転送経路終端部分でのポテンシャル分布を設定するポテンシャル設定拡散層とを有し、
該ポテンシャル設定拡散層は、前記画素部を構成する特定の拡散層と同じ不純物拡散プロファイルを有する固体撮像装置。 - 請求項9に記載の固体撮像装置において、
前記画素部を構成する特定の拡散層は、該画素部における画素分離部を構成する画素分離拡散層である固体撮像装置。 - 請求項9に記載の固体撮像装置において、
前記ポテンシャル設定拡散層は、0.5μm以上でかつ0.8μm以下の厚さを有する固体撮像装置。 - 請求項5に記載の固体撮像装置において、
前記垂直転送部を構成する少なくとも1つの拡散層は、前記画素部を構成する特定の拡散層と同じ不純物拡散プロファイルを有する固体撮像装置。 - 請求項12に記載の固体撮像装置において、
前記画素部を構成する特定の拡散層は、該画素部における電荷読み出し部を構成する転送トランジスタの閾値を設定する閾値設定拡散層である固体撮像装置。 - 請求項12に記載の固体撮像装置において、
前記画素部を構成する特定の拡散層は、該画素部における画素分離部を構成する画素分離拡散層である固体撮像装置。 - 入射光を信号電荷に変換する複数の画素部と、該画素部から取り出された信号電荷を転送する電荷転送部とを備えた固体撮像装置を製造する方法であって、
半導体基板上に所定の開口パターンを有するイオン注入マスクを形成する工程と、
該イオン注入マスクを介して選択的にイオン注入を行って、該半導体基板の表面領域に、該画素部を構成する特定の拡散層と、該電荷転送部を構成する少なくとも1つの拡散層とを同時に形成する工程とを含む固体撮像装置の製造方法。 - 請求項15に記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記イオン注入は、注入イオンをボロンイオンとし、注入エネルギーを60KeV以上かつ600KeV以下の範囲のエネルギーとし、注入量を2E11/cm2以上でかつ1.4E12/cm2以下の範囲の注入量として行われる固体撮像装置の製造方法。 - 請求項15に記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記画素部は、2次元行列状に配列されており、それぞれ、入射光の光電変換により信号電荷を生成する光電変換部と、該光電変換部の周囲に形成され、隣接する光電変換部の間、および該光電変換部とこれに隣接する電荷転送部との間を電気的に分離する画素分離部と、該光電変換部で生成された信号電荷を、前記電荷転送部の、該画素部に対向する部分に読み出す電荷読み出し部とを含み、
該電荷転送部は、
該各列の画素部に沿って配列され、対応する列の画素部から取り出された信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送部と、
該垂直転送部の一端側に配置され、該垂直転送部から転送されてきた信号電荷を水平方向に転送する水平転送部とを有し、
前記イオン注入により、該画素部と該垂直転送部との間に、該画素部から該垂直転送部に信号電荷を読み出す転送トランジスタの閾値を設定する閾値設定拡散層が形成されると同時に、該水平転送部の信号電荷の転送経路を形成する表面拡散層の両側に、該表面拡散層からの信号電荷の散逸を阻止する電荷散逸阻止層が形成される固体撮像装置の製造方法。 - 請求項17に記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記イオン注入は、注入イオンをボロンイオンとし、注入エネルギーを60KeV以上かつ100KeV以下の範囲のエネルギーとし、注入量を1.2E12/cm2以上でかつ1.4E12/cm2以下の範囲の注入量として行われる固体撮像装置の製造方法。 - 請求項15に記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記画素部は、2次元行列状に配列されており、それぞれ、入射光の光電変換により信号電荷を生成する光電変換部と、該光電変換部の周囲に形成され、隣接する光電変換部の間、および該光電変換部とこれに隣接する電荷転送部との間を電気的に分離する画素分離部と、該光電変換部で生成された信号電荷を、前記電荷転送部の、該画素部に対向する部分に読み出す電荷読み出し部とを含み、
前記電荷転送部は、
該各列の画素部に沿って配列され、対応する列の画素部から取り出された信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送部と、
該垂直転送部の一端側に配置され、該垂直転送部から転送されてきた信号電荷を水平方向に転送する水平転送部とを有し、
前記イオン注入により、隣接する画素部の間および該画素部とこれに隣接する垂直転送部の間に、これらの間を電気的に分離する画素分離拡散層が形成されるとともに、該水平転送部の信号電荷の転送経路の終端部分の両側に位置するよう、該水平転送部の転送経路終端部分でのポテンシャル分布を設定するポテンシャル設定拡散層が形成される固体撮像装置の製造方法。 - 請求項19に記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記イオン注入は、注入イオンをボロンイオンとし、注入エネルギーを400KeV以上かつ600KeV以下の範囲のエネルギーとし、注入量を2E11/cm2以上でかつ4E11/cm2以下の範囲の注入量として行われる固体撮像装置の製造方法。 - 被写体の撮像を行う撮像部を備えた電子情報機器であって、
該撮像部は、請求項1に記載の固体撮像装置である電子情報機器。 - 撮像部を備えた電子情報機器であって、
該撮像部として、請求項15に記載の固体撮像装置の製造方法により得られた固体撮像装置を用いたものである電子情報機器。
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Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0354861A (ja) * | 1989-07-21 | 1991-03-08 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
JPH05190830A (ja) * | 1992-01-14 | 1993-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子の製造方法 |
JPH07176725A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-14 | Nec Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
JPH1050975A (ja) * | 1996-07-30 | 1998-02-20 | Nec Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JPH10107250A (ja) * | 1996-09-27 | 1998-04-24 | Nec Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2000022121A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-01-21 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
JP2001135810A (ja) * | 1999-11-04 | 2001-05-18 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
JP2001189444A (ja) * | 2000-01-06 | 2001-07-10 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
JP2007299989A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Fujifilm Corp | 半導体装置の製造方法及び固体撮像装置の製造方法、並びに固体撮像装置 |
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0354861A (ja) * | 1989-07-21 | 1991-03-08 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
JPH05190830A (ja) * | 1992-01-14 | 1993-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子の製造方法 |
JPH07176725A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-14 | Nec Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
JPH1050975A (ja) * | 1996-07-30 | 1998-02-20 | Nec Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JPH10107250A (ja) * | 1996-09-27 | 1998-04-24 | Nec Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2000022121A (ja) * | 1998-06-29 | 2000-01-21 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
JP2001135810A (ja) * | 1999-11-04 | 2001-05-18 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
JP2001189444A (ja) * | 2000-01-06 | 2001-07-10 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
JP2007299989A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Fujifilm Corp | 半導体装置の製造方法及び固体撮像装置の製造方法、並びに固体撮像装置 |
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