JPH0653473A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPH0653473A JPH0653473A JP4220983A JP22098392A JPH0653473A JP H0653473 A JPH0653473 A JP H0653473A JP 4220983 A JP4220983 A JP 4220983A JP 22098392 A JP22098392 A JP 22098392A JP H0653473 A JPH0653473 A JP H0653473A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電気的不良を発生させることなく、開口率を
向上させ、受光感度の高い固体撮像装置製造方法を提供
する。 【構成】 選択酸化分離法によって分離領域２を形成し
た後、レジスト８を塗布してパターニングし、ウエット
エッチングを行う。これにより、受光部を形成する領域
の薄い酸化膜を除去してＳｉ基板１表面を露出させる。
次いで、露出したＳｉ基板１表面にＰｔを被着させ、更
に熱処理を行ってＰｔＳｉ層９ａを形成する。しかる
後、比較的低温で平坦な表面が得られる絶縁膜７（例え
ばポリイミド膜、スピンオングラス膜、テトラエトキシ
シランを主としたＣＶＤ酸化膜など）を形成する。最後
に絶縁膜７上に金属配線を形成して赤外線固体撮像装置
を完成する。
向上させ、受光感度の高い固体撮像装置製造方法を提供
する。 【構成】 選択酸化分離法によって分離領域２を形成し
た後、レジスト８を塗布してパターニングし、ウエット
エッチングを行う。これにより、受光部を形成する領域
の薄い酸化膜を除去してＳｉ基板１表面を露出させる。
次いで、露出したＳｉ基板１表面にＰｔを被着させ、更
に熱処理を行ってＰｔＳｉ層９ａを形成する。しかる
後、比較的低温で平坦な表面が得られる絶縁膜７（例え
ばポリイミド膜、スピンオングラス膜、テトラエトキシ
シランを主としたＣＶＤ酸化膜など）を形成する。最後
に絶縁膜７上に金属配線を形成して赤外線固体撮像装置
を完成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば赤外線固体撮像
装置等のように半導体基板上に基板とは異なる物質を被
着させて受光部を形成する固体撮像装置の製造方法に関
するものである。
装置等のように半導体基板上に基板とは異なる物質を被
着させて受光部を形成する固体撮像装置の製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板上に、半導体基板とは異なる
物質を被着させて受光部を形成する固体撮像装置の一例
として赤外線固体撮像装置がある。この赤外線固体撮像
装置の従来の製造方法を図２、図３を参照して説明す
る。
物質を被着させて受光部を形成する固体撮像装置の一例
として赤外線固体撮像装置がある。この赤外線固体撮像
装置の従来の製造方法を図２、図３を参照して説明す
る。
【０００３】まず、図２は赤外線固体撮像装置の全体的
な構成を説明するための平面図である。図において、１
０９は光電変換を行う受光部であり、マトリックス状に
配列されている。ここでは簡単のため、３×３＝９個の
受光部を示している。一方、１０４は受光部１０９で発
生した電荷を読み出すための通路となる電荷転送部であ
るが、実際に電荷を読み出すためには、電荷転送部１０
４の上に設けられたＣＣＤ転送電極１０５（図では左上
りのハッチングを付して示した）に所定のクロックパル
スを印加することが必要である。なお、図２において
は、ＣＣＤ転送電極１０５は１つのみ示し、他は省略し
てある。
な構成を説明するための平面図である。図において、１
０９は光電変換を行う受光部であり、マトリックス状に
配列されている。ここでは簡単のため、３×３＝９個の
受光部を示している。一方、１０４は受光部１０９で発
生した電荷を読み出すための通路となる電荷転送部であ
るが、実際に電荷を読み出すためには、電荷転送部１０
４の上に設けられたＣＣＤ転送電極１０５（図では左上
りのハッチングを付して示した）に所定のクロックパル
スを印加することが必要である。なお、図２において
は、ＣＣＤ転送電極１０５は１つのみ示し、他は省略し
てある。
【０００４】このＣＣＤ転送電極１０５へのクロックパ
ルスは半導体チップ１１３の周囲に設けられたボンディ
ングパッド１１２、金属配線１１１（図では共に右上り
のハッチングを付して示した）を介してチップ１１３の
外部から与えられる。尚、図２においてはボンディング
パッド１１２、金属配線１１１についても、その一部分
を示した。このボンディングパッド１１２、金属配線１
１１はＡｌもしくはＡｌ合金等の金属で構成される。
ルスは半導体チップ１１３の周囲に設けられたボンディ
ングパッド１１２、金属配線１１１（図では共に右上り
のハッチングを付して示した）を介してチップ１１３の
外部から与えられる。尚、図２においてはボンディング
パッド１１２、金属配線１１１についても、その一部分
を示した。このボンディングパッド１１２、金属配線１
１１はＡｌもしくはＡｌ合金等の金属で構成される。
【０００５】次に、図３を参照して図２に示したような
構造の固体撮像装置の製造方法を説明する。図３は第２
図のＡＡ断面の表面付近の構造を製造工程毎に示したも
のである。まず最初に、従来から良く知られているＬＯ
ＣＯＳ分離法（選択酸化分離法）によってＳｉ基板１０
１上に厚い熱酸化膜からなる分離領域１０２を形成す
る。
構造の固体撮像装置の製造方法を説明する。図３は第２
図のＡＡ断面の表面付近の構造を製造工程毎に示したも
のである。まず最初に、従来から良く知られているＬＯ
ＣＯＳ分離法（選択酸化分離法）によってＳｉ基板１０
１上に厚い熱酸化膜からなる分離領域１０２を形成す
る。
【０００６】次に、電荷転送部（図２の１０４）にＢＣ
ＣＤ拡散層１０４ａを形成し、拡散層１０４ａ上にポリ
シリコンからなるＣＣＤ転送電極１０５を形成する。そ
の他図には示されていないが、電荷転送部出力部のＭＯ
Ｓトランジスタを構成するソース・ドレイン拡散層を初
めとする種々の熱拡散層のすべて、及びすべてのポリシ
リコン電極を形成する。図３（ａ）は熱拡散層、ポリシ
リコン電極の形成を終了した状態を示す。尚、この時点
では受光部もポリシリコン電極もそれぞれ薄い酸化膜１
０３，１０６で覆われている。
ＣＤ拡散層１０４ａを形成し、拡散層１０４ａ上にポリ
シリコンからなるＣＣＤ転送電極１０５を形成する。そ
の他図には示されていないが、電荷転送部出力部のＭＯ
Ｓトランジスタを構成するソース・ドレイン拡散層を初
めとする種々の熱拡散層のすべて、及びすべてのポリシ
リコン電極を形成する。図３（ａ）は熱拡散層、ポリシ
リコン電極の形成を終了した状態を示す。尚、この時点
では受光部もポリシリコン電極もそれぞれ薄い酸化膜１
０３，１０６で覆われている。
【０００７】続いて、Ｓｉ基板１０１表面全体にＣＶＤ
法（化学気相成長法）によって厚さ４０００〜１０００
０Å程度の酸化膜１０７を堆積させる。通常この酸化膜
１０７には、リン又はボロン又はヒ素等の不純物が含ま
れており、９００℃程度の温度で熱処理すると、表面形
状が平坦になる。ここで述べた不純物を含んだＣＶＤ酸
化膜１０７を熱処理により平坦化する方法は”リフロー
処理”として広く知られており、後の工程で形成するＡ
ｌ又はＡｌ合金等からなる金属配線の電気的不良（断線
・ショート等）を防止するのに効果がある。
法（化学気相成長法）によって厚さ４０００〜１０００
０Å程度の酸化膜１０７を堆積させる。通常この酸化膜
１０７には、リン又はボロン又はヒ素等の不純物が含ま
れており、９００℃程度の温度で熱処理すると、表面形
状が平坦になる。ここで述べた不純物を含んだＣＶＤ酸
化膜１０７を熱処理により平坦化する方法は”リフロー
処理”として広く知られており、後の工程で形成するＡ
ｌ又はＡｌ合金等からなる金属配線の電気的不良（断線
・ショート等）を防止するのに効果がある。
【０００８】リフロー処理終了後、レジスト１０８を塗
布し、引き続き露光・現像を行い、受光部となる部分の
酸化膜１０７だけを除去するためのパターンニングを行
う。このときの状態を図３（ｂ）に示す。
布し、引き続き露光・現像を行い、受光部となる部分の
酸化膜１０７だけを除去するためのパターンニングを行
う。このときの状態を図３（ｂ）に示す。
【０００９】次に、ウエットエッチング法により、ＣＶ
Ｄ酸化膜１０７及び薄い熱酸化膜１０３を同時にエッチ
ング除去し、Ｓｉ基板１０１表面を露出させる。このと
きの状態を図３（ｃ）に示す。なお、上述の図３
（ｂ），（ｃ）の工程については後に詳述する。
Ｄ酸化膜１０７及び薄い熱酸化膜１０３を同時にエッチ
ング除去し、Ｓｉ基板１０１表面を露出させる。このと
きの状態を図３（ｃ）に示す。なお、上述の図３
（ｂ），（ｃ）の工程については後に詳述する。
【００１０】受光部のＳｉ基板１０１表面を露出させた
後、レジスト１０８の剥離・洗浄を行い、然る後受光部
を形成する。受光部の形成は、まず初めにＰｔを被着さ
せ、更に熱処理を行ってＰｔＳｉ層１０９ａを得る。こ
れにより、光電変換を行う受光部（ショットキーバリア
ダイオード）が形成される。この状態を図３（ｄ）に示
す。
後、レジスト１０８の剥離・洗浄を行い、然る後受光部
を形成する。受光部の形成は、まず初めにＰｔを被着さ
せ、更に熱処理を行ってＰｔＳｉ層１０９ａを得る。こ
れにより、光電変換を行う受光部（ショットキーバリア
ダイオード）が形成される。この状態を図３（ｄ）に示
す。
【００１１】その後、図３（ｅ）に示されるように、再
びＣＶＤ酸化膜１１０を全体に堆積させる。然る後に、
Ａｌ又はＡｌ合金からなる配線層（図示せず）を形成し
て、赤外線固体撮像装置を完成する。
びＣＶＤ酸化膜１１０を全体に堆積させる。然る後に、
Ａｌ又はＡｌ合金からなる配線層（図示せず）を形成し
て、赤外線固体撮像装置を完成する。
【００１２】ここで、上述した図３（ｂ），（ｃ）の工
程について更に詳しく説明すると、固体撮像装置におい
ては受光部は最も重要な素子活性領域であり、結晶欠陥
等の損傷があってはならない。このため、上述したＣＶ
Ｄ酸化膜１０７に穴を開ける工程（図３（ｃ））ではＳ
ｉ基板１０１に損傷を与えやすいドライエッチング法は
適用できず、従来の製造方法ではＣＶＤ酸化膜１０７の
リフロー処理後（図３（ｂ））、ウエットエッチング法
で穴開けが行われる。
程について更に詳しく説明すると、固体撮像装置におい
ては受光部は最も重要な素子活性領域であり、結晶欠陥
等の損傷があってはならない。このため、上述したＣＶ
Ｄ酸化膜１０７に穴を開ける工程（図３（ｃ））ではＳ
ｉ基板１０１に損傷を与えやすいドライエッチング法は
適用できず、従来の製造方法ではＣＶＤ酸化膜１０７の
リフロー処理後（図３（ｂ））、ウエットエッチング法
で穴開けが行われる。
【００１３】このとき、ウエットエッチング法では、エ
ッチングはすべての方向に等速に進み、サイドエッチン
グが大きい。また、図中３（ｃ）中Ｉで示した部分が露
出してしまうと、ＣＣＤ転送電極１０５の電気的不良が
多発するため、レジスト１０８は受光部側に入り込んだ
位置まで設けておく必要がある。即ち、図３（ｃ）のＬ
1 の寸法を余裕をもって十分に大きくする必要があり、
通常は１．５〜２μｍとなっている。
ッチングはすべての方向に等速に進み、サイドエッチン
グが大きい。また、図中３（ｃ）中Ｉで示した部分が露
出してしまうと、ＣＣＤ転送電極１０５の電気的不良が
多発するため、レジスト１０８は受光部側に入り込んだ
位置まで設けておく必要がある。即ち、図３（ｃ）のＬ
1 の寸法を余裕をもって十分に大きくする必要があり、
通常は１．５〜２μｍとなっている。
【００１４】従って、受光部が形成されるべき素子活性
領域の幅（図３（ｃ）のＷ）を１０μｍとすると、実際
に受光部が形成される領域（図３（ｃ）のＬ2 ）は６〜
７μｍである。
領域の幅（図３（ｃ）のＷ）を１０μｍとすると、実際
に受光部が形成される領域（図３（ｃ）のＬ2 ）は６〜
７μｍである。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年におい
ては、赤外線固体撮像装置等の固体撮像装置に対し、
１．チップサイズはより小さく、２．空間分解能はより
高く（画素数はより多く）３．受光感度はより高く、と
いった性能を同時に満たすことが各方面から要求されて
いる。
ては、赤外線固体撮像装置等の固体撮像装置に対し、
１．チップサイズはより小さく、２．空間分解能はより
高く（画素数はより多く）３．受光感度はより高く、と
いった性能を同時に満たすことが各方面から要求されて
いる。
【００１６】この要求を満たすためには、固体撮像装置
の単位画素内で受光部が占有する面積率（開口率）を大
きくすることが必要であり、種々の試みがなされてい
る。その例としては、第３図に示した分離領域１０２の
幅を狭くする、ＢＣＣＤ拡散層１０４ａの幅を狭くする
等のことが挙げられる。しかしながら、これだけでは開
口率を十分に向上させることができず、受光感度の高い
撮像装置を得ることは困難である。そこで、前述したＬ
1 の値をできるかぎり小さくすることが望まれるが、従
来の固体撮像装置の製造方法では、サイドエッチングが
避けられないためＬ1 を低減することはできなかった。
の単位画素内で受光部が占有する面積率（開口率）を大
きくすることが必要であり、種々の試みがなされてい
る。その例としては、第３図に示した分離領域１０２の
幅を狭くする、ＢＣＣＤ拡散層１０４ａの幅を狭くする
等のことが挙げられる。しかしながら、これだけでは開
口率を十分に向上させることができず、受光感度の高い
撮像装置を得ることは困難である。そこで、前述したＬ
1 の値をできるかぎり小さくすることが望まれるが、従
来の固体撮像装置の製造方法では、サイドエッチングが
避けられないためＬ1 を低減することはできなかった。
【００１７】本発明はこの点に鑑みてなされたもので、
電気的不良を発生させることなく開口率を向上させ、受
光感度の高い固体撮像装置を提供することを目的とする
ものである。
電気的不良を発生させることなく開口率を向上させ、受
光感度の高い固体撮像装置を提供することを目的とする
ものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】請求項１の固体撮像装置
の製造方法は、半導体基板上に該半導体基板とは異なる
物質を被着させることにより受光部を形成する工程と、
該受光部に蓄積された電荷を読み出すための電荷読み出
し部を形成する工程と、該電荷読み出し部を含む領域上
に絶縁膜を設けて表面を平坦化する工程と、該平坦化さ
れた絶縁膜上に前記電荷読み出し部を駆動するための金
属配線を形成する工程とを含む固体撮像装置の製造方法
において、上記の課題を達成するために、前記受光部を
形成する工程を、前記絶縁膜を設けて表面を平坦化する
工程の前に行うものである。
の製造方法は、半導体基板上に該半導体基板とは異なる
物質を被着させることにより受光部を形成する工程と、
該受光部に蓄積された電荷を読み出すための電荷読み出
し部を形成する工程と、該電荷読み出し部を含む領域上
に絶縁膜を設けて表面を平坦化する工程と、該平坦化さ
れた絶縁膜上に前記電荷読み出し部を駆動するための金
属配線を形成する工程とを含む固体撮像装置の製造方法
において、上記の課題を達成するために、前記受光部を
形成する工程を、前記絶縁膜を設けて表面を平坦化する
工程の前に行うものである。
【００１９】請求項２の製造方法では、前記半導体基板
としてＳｉ基板を用い、該Ｓｉ基板に金属珪化物又は化
合物半導体を被着させることによって前記受光部を形成
するものである。
としてＳｉ基板を用い、該Ｓｉ基板に金属珪化物又は化
合物半導体を被着させることによって前記受光部を形成
するものである。
【００２０】請求項３の製造方法では、前記絶縁膜とし
て、ポリイミド膜又はスピンオングラス膜又はＣＶＤ法
による酸化膜を設けるものである。
て、ポリイミド膜又はスピンオングラス膜又はＣＶＤ法
による酸化膜を設けるものである。
【００２１】
【作用】本発明では、厚い絶縁膜（通常厚さ４０００〜
１００００Å程度のＣＶＤ酸化膜１０７）を設ける前
に、受光部が形成される素子活性領域の半導体基板表面
を露出させる。このため、ウエットエッチング工程で
は、素子活性領域に成長している薄い熱酸化膜１０３
（通常厚さ５００〜１５００Å程度）だけを除去すれば
良く、サイドエッチング量も極めて小さなもの（０．１
〜０．３μｍ程度）となる。
１００００Å程度のＣＶＤ酸化膜１０７）を設ける前
に、受光部が形成される素子活性領域の半導体基板表面
を露出させる。このため、ウエットエッチング工程で
は、素子活性領域に成長している薄い熱酸化膜１０３
（通常厚さ５００〜１５００Å程度）だけを除去すれば
良く、サイドエッチング量も極めて小さなもの（０．１
〜０．３μｍ程度）となる。
【００２２】従って、本発明においては、図３（ｃ）に
示したＬ1 は、十分な余裕を見ても０．５μｍ程度とす
ることができ、その結果、受光部が形成される素子活性
領域（第３図（ｃ）中のＷ）を１０μｍとしたとき、実
際に受光領域が形成される領域（第３図（ｃ）中のＬ
2 ）は９μｍとれることになる。それ故、本発明では従
来に比較して単位画素中の受光部の面積を大幅に拡大す
ることが可能となる。
示したＬ1 は、十分な余裕を見ても０．５μｍ程度とす
ることができ、その結果、受光部が形成される素子活性
領域（第３図（ｃ）中のＷ）を１０μｍとしたとき、実
際に受光領域が形成される領域（第３図（ｃ）中のＬ
2 ）は９μｍとれることになる。それ故、本発明では従
来に比較して単位画素中の受光部の面積を大幅に拡大す
ることが可能となる。
【００２３】また、本発明においては上述のように受光
部の形成を絶縁膜を設ける前に行うので、受光部を形成
した後に、絶縁膜の平坦化処理を行うことになるが、そ
の際受光部の耐熱温度に応じて適宜平坦化の方法を選択
すれば、受光部を劣化させることなく絶縁膜表面の平坦
化を行うことができるので、絶縁膜上に形成する金属配
線の電気的不良も防止される。
部の形成を絶縁膜を設ける前に行うので、受光部を形成
した後に、絶縁膜の平坦化処理を行うことになるが、そ
の際受光部の耐熱温度に応じて適宜平坦化の方法を選択
すれば、受光部を劣化させることなく絶縁膜表面の平坦
化を行うことができるので、絶縁膜上に形成する金属配
線の電気的不良も防止される。
【００２４】低温で平坦化が可能な絶縁膜の例として
は、液状のポリイミド樹脂を回転塗布し、熱処理するこ
とによって形成されるポリイミド膜、スピンオングラス
（ＳＯＧ）膜、もしくはＣＶＤ法によりよる酸化膜、特
にテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を主材料としたＣ
ＶＤ酸化膜などが挙げられる。これらの絶縁膜は、従来
のリフロー処理温度（９００℃程度）より低い５００℃
以下の温度で平坦に形成することができ、受光部の熱的
損傷を防ぐ上で好ましい。
は、液状のポリイミド樹脂を回転塗布し、熱処理するこ
とによって形成されるポリイミド膜、スピンオングラス
（ＳＯＧ）膜、もしくはＣＶＤ法によりよる酸化膜、特
にテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を主材料としたＣ
ＶＤ酸化膜などが挙げられる。これらの絶縁膜は、従来
のリフロー処理温度（９００℃程度）より低い５００℃
以下の温度で平坦に形成することができ、受光部の熱的
損傷を防ぐ上で好ましい。
【００２５】
【実施例】図１を参照して、本発明実施例による赤外線
固体撮像装置の製造方法を説明する。なお図１は赤外線
固体撮像装置の単位画素断面の表面付近を示したもので
あり、前述した図３と比較するために同一スケールで示
してある。
固体撮像装置の製造方法を説明する。なお図１は赤外線
固体撮像装置の単位画素断面の表面付近を示したもので
あり、前述した図３と比較するために同一スケールで示
してある。
【００２６】まず最初に、従来から良く知られているＬ
ＯＣＯＳ分離法（選択酸化分離法）によってＳｉ基板１
上に厚い熱酸化膜からなる分離領域２を形成する。
ＯＣＯＳ分離法（選択酸化分離法）によってＳｉ基板１
上に厚い熱酸化膜からなる分離領域２を形成する。
【００２７】次に、電荷転送部（図２の１０４）にＢＣ
ＣＤ拡散層４ａを形成し、拡散層４ａ上にポリシリコン
からなるＣＣＤ転送電極５を形成する。その他図には示
されていないが、電荷転送部出力部のＭＯＳトランジス
タを構成するソース・ドレイン拡散層を初めとする種々
の熱拡散層のすべて、及びすべてのポリシリコン電極を
形成する。熱拡散層、ポリシリコン電極の形成を終了し
た状態が図３（ａ）であり、ここまでの工程は従来例と
同じである。尚、この時点では受光部もポリシリコン電
極もそれぞれ薄い酸化膜３及び６で覆われている。
ＣＤ拡散層４ａを形成し、拡散層４ａ上にポリシリコン
からなるＣＣＤ転送電極５を形成する。その他図には示
されていないが、電荷転送部出力部のＭＯＳトランジス
タを構成するソース・ドレイン拡散層を初めとする種々
の熱拡散層のすべて、及びすべてのポリシリコン電極を
形成する。熱拡散層、ポリシリコン電極の形成を終了し
た状態が図３（ａ）であり、ここまでの工程は従来例と
同じである。尚、この時点では受光部もポリシリコン電
極もそれぞれ薄い酸化膜３及び６で覆われている。
【００２８】次いで、本実施例では、受光部を形成する
ためのフォトリソグラフィー工程を行う。即ち、レジス
ト８を塗布し、引き続いて露光・現像を行ってレジスト
８をパターニングし、受光部を形成する素子活性領域以
外をレジスト８で保護する。このときの状態を図１
（ｂ）に示す。
ためのフォトリソグラフィー工程を行う。即ち、レジス
ト８を塗布し、引き続いて露光・現像を行ってレジスト
８をパターニングし、受光部を形成する素子活性領域以
外をレジスト８で保護する。このときの状態を図１
（ｂ）に示す。
【００２９】続いて、ウエットエッチング法により酸化
膜３に穴を開けて素子活性領域のＳｉ基板１表面を露出
させる。このとき、本実施例においては、図１（ｃ）に
示されるように、薄い酸化膜３（ゲート酸化膜とも呼ば
れ、厚さは通常２０００Å以下）のみをウエットエッチ
ングすれば良いので、サイドエッチングの量は極めて小
さい。このため第１図に示したＬ1 は余裕を見ても０．
５μｍに設定できる。従って受光部が形成される素子活
性領域の幅（第３図（ｃ）中のＷ）を１０μｍとする
と、実際に受光領域が形成される領域の幅（第３図
（ｃ）中のＬ2 ）は９μｍとなり、単位画素の大きさが
同じでも、図３の従来例（Ｌ2 ＝６〜７μｍ）に比べて
受光部の面積を大幅に拡大することができる。
膜３に穴を開けて素子活性領域のＳｉ基板１表面を露出
させる。このとき、本実施例においては、図１（ｃ）に
示されるように、薄い酸化膜３（ゲート酸化膜とも呼ば
れ、厚さは通常２０００Å以下）のみをウエットエッチ
ングすれば良いので、サイドエッチングの量は極めて小
さい。このため第１図に示したＬ1 は余裕を見ても０．
５μｍに設定できる。従って受光部が形成される素子活
性領域の幅（第３図（ｃ）中のＷ）を１０μｍとする
と、実際に受光領域が形成される領域の幅（第３図
（ｃ）中のＬ2 ）は９μｍとなり、単位画素の大きさが
同じでも、図３の従来例（Ｌ2 ＝６〜７μｍ）に比べて
受光部の面積を大幅に拡大することができる。
【００３０】その後、レジスト８の剥離・洗浄を行った
のち、受光部の形成を行う。受光部の形成は、まず初め
にＰｔを被着させ、更に熱処理を行い、ＰｔＳｉ層９ａ
を得る。これにより、光電変換を行う受光部（ショット
キーバリアダイオード）が形成される。この状態を図３
（ｄ）に示す。
のち、受光部の形成を行う。受光部の形成は、まず初め
にＰｔを被着させ、更に熱処理を行い、ＰｔＳｉ層９ａ
を得る。これにより、光電変換を行う受光部（ショット
キーバリアダイオード）が形成される。この状態を図３
（ｄ）に示す。
【００３１】次に、〜５００℃程度の比較的低温で得ら
れる平坦な絶縁膜７を形成する。この絶縁膜７は、液状
のポリイミド樹脂を回転塗布し、熱処理することによっ
て形成されるポリイミド膜、スピンオングラス（ＳＯ
Ｇ）膜、もしくはＣＶＤ法によりよる酸化膜、特にテト
ラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を主材料としたＣＶＤ酸
化膜など、種々のものから選択できる。
れる平坦な絶縁膜７を形成する。この絶縁膜７は、液状
のポリイミド樹脂を回転塗布し、熱処理することによっ
て形成されるポリイミド膜、スピンオングラス（ＳＯ
Ｇ）膜、もしくはＣＶＤ法によりよる酸化膜、特にテト
ラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を主材料としたＣＶＤ酸
化膜など、種々のものから選択できる。
【００３２】図３（ｅ）は絶縁膜７を形成して表面を平
坦化した状態を示す。然る後、絶縁膜７上にＡｌ又はＡ
ｌ合金からなる配線層（図示せず）を形成して、赤外線
固体撮像装置を完成する。本実施例では、上述のように
受光領域を形成した後に平坦な絶縁膜を形成するので、
第３図の従来のように絶縁膜を設ける工程を２回行う必
要はない。
坦化した状態を示す。然る後、絶縁膜７上にＡｌ又はＡ
ｌ合金からなる配線層（図示せず）を形成して、赤外線
固体撮像装置を完成する。本実施例では、上述のように
受光領域を形成した後に平坦な絶縁膜を形成するので、
第３図の従来のように絶縁膜を設ける工程を２回行う必
要はない。
【００３３】尚、上記の実施例においては、赤外線固体
撮像装置を例にとって説明したが、本発明は赤外線固体
撮像装置に限定されるものでないことは言うまでもな
い、即ち、受光部としてはＰｔＳｉに限らず、その他の
シリサイド（パラジウムシリサイド，イリジウムシリサ
イド等）でも、その他の物質（ＧａＡｓ，ＣｄＴｅ，Ｉ
ｎＳｂ，ＩｎＡｓ等の化合物半導体、ＣａＦ2 等のフッ
化物）でも良い。また、電荷読み出し部についても、Ｃ
ＣＤに限らず、例えばＭＯＳ，ＣＳＤ，ＣＰＤ等いずれ
でも良い。
撮像装置を例にとって説明したが、本発明は赤外線固体
撮像装置に限定されるものでないことは言うまでもな
い、即ち、受光部としてはＰｔＳｉに限らず、その他の
シリサイド（パラジウムシリサイド，イリジウムシリサ
イド等）でも、その他の物質（ＧａＡｓ，ＣｄＴｅ，Ｉ
ｎＳｂ，ＩｎＡｓ等の化合物半導体、ＣａＦ2 等のフッ
化物）でも良い。また、電荷読み出し部についても、Ｃ
ＣＤに限らず、例えばＭＯＳ，ＣＳＤ，ＣＰＤ等いずれ
でも良い。
【００３４】
【発明の効果】以上のように、本発明においては、受光
部を形成してから厚い絶縁膜を設けて表面を平坦化する
ので、受光部となる領域を露出させるにはウエットエッ
チングで薄い酸化膜だけを除去すれば良く、サイドエッ
チング量は極めて小さくなる。このため、本来受光部が
形成されるべき素子活性領域にほぼ等しい面積の受光部
を形成することができ、開口率の大きい、受光感度に優
れた固体撮像装置を得ることができる。また、本発明で
はＣＶＤ酸化膜等の絶縁膜を設ける工程が１回で済むの
で、製造工程を簡略化でき、製造コストの低減にも寄与
できる。
部を形成してから厚い絶縁膜を設けて表面を平坦化する
ので、受光部となる領域を露出させるにはウエットエッ
チングで薄い酸化膜だけを除去すれば良く、サイドエッ
チング量は極めて小さくなる。このため、本来受光部が
形成されるべき素子活性領域にほぼ等しい面積の受光部
を形成することができ、開口率の大きい、受光感度に優
れた固体撮像装置を得ることができる。また、本発明で
はＣＶＤ酸化膜等の絶縁膜を設ける工程が１回で済むの
で、製造工程を簡略化でき、製造コストの低減にも寄与
できる。
【図１】（ａ）〜（ｅ）は本発明実施例による固体撮像
装置の製造工程を説明するための断面図である。
装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図２】固体撮像装置の全体的な構成を説明するための
平面図である。
平面図である。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は従来例による固体撮像装置の
製造工程を説明するための断面図である。
製造工程を説明するための断面図である。
１…Ｓｉ基板、２…分離領域、３，６…薄い酸化膜、４
ａ…ＢＣＣＤ拡散層、５…ＣＣＤ転送電極、７…絶縁
膜、８…レジスト、９ａ…ＰｔＳｉ層。
ａ…ＢＣＣＤ拡散層、５…ＣＣＤ転送電極、７…絶縁
膜、８…レジスト、９ａ…ＰｔＳｉ層。
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板上に該半導体基板とは異なる
物質を被着させることにより受光部を形成する工程と、
該受光部に蓄積された電荷を読み出すための電荷読み出
し部を形成する工程と、該電荷読み出し部を含む領域上
に絶縁膜を設けて表面を平坦化する工程と、該平坦化さ
れた絶縁膜上に前記電荷読み出し部を駆動するための金
属配線を形成する工程とを含む固体撮像装置の製造方法
において、 前記受光部を形成する工程を、前記絶縁膜を設けて表面
を平坦化する工程の前に行うことを特徴とする固体撮像
装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記半導体基板としてＳｉ基板を用い、
該Ｓｉ基板に金属珪化物又は化合物半導体を被着させる
ことによって前記受光部を形成することを特徴とする請
求項１の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記絶縁膜として、ポリイミド膜又はス
ピンオングラス膜又はＣＶＤ法による酸化膜を設けるこ
とを特徴とする請求項１の固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22098392A JP3278917B2 (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 固体撮像装置の製造方法 |
| US08/099,493 US5416344A (en) | 1992-07-29 | 1993-07-28 | Solid state imaging device and method for producing the same |
| US08/717,357 US5670382A (en) | 1992-07-29 | 1996-09-25 | Method for producing a solid state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22098392A JP3278917B2 (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653473A true JPH0653473A (ja) | 1994-02-25 |
| JP3278917B2 JP3278917B2 (ja) | 2002-04-30 |
Family
ID=16759635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22098392A Expired - Fee Related JP3278917B2 (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3278917B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020017838A (ko) * | 2000-08-31 | 2002-03-07 | 박종섭 | 필드산화막을 식각하여 연결창 구조를 정의하는 이미지센서 제조 방법 |
-
1992
- 1992-07-29 JP JP22098392A patent/JP3278917B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020017838A (ko) * | 2000-08-31 | 2002-03-07 | 박종섭 | 필드산화막을 식각하여 연결창 구조를 정의하는 이미지센서 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3278917B2 (ja) | 2002-04-30 |
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