JP2001518719A5 - - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】 光が通過できる絶縁領域（ＩＲ）と、
第１導電型の基板領域と、
前記基板内側の前記ＩＲの下に形成され、前記基板領域と第１表面によって境界を画されるた第２導電型のウェル領と、
前記ＩＲ内の第１の位置に形成され、実質的に前記第１の位置で前記第１表面に接合する前記第２導電型が高濃度にドープされた領域（ＨＤＲ）と
を備えるフォトダイオード。
【請求項２】 アクティブ画素センサ・アレイであって、
第１導電型の基板領域と、
前記基板内に形成され、光が通過できる絶縁領域（ＩＲ）と、
前記基板内側の前記ＩＲの下に形成され、前記基板領域と第１表面によって境界を画されるた第２導電型のウェル領と、
前記ＩＲ内の第１の位置に形成され、実質的に前記第１の位置で前記第１表面に接合する前記第２導電型が高濃度にドープされた領域（ＨＤＲ）、および前記フォトダイオードに結合された、フォトダイオードを初期化するためのリセット回路と
を含むフォトダイオードを含み、露光に電気的に応答する光電池と、
前記フォトダイオードへ結合された、検出された光の電気信号表現を読み取るための読出し回路と
を備えるセンサ・アレイ。
【請求項３】 第１導電型の半導体基板領域と、
前記基板内に形成された、光が通過できる絶縁領域（ＩＲ）と、
前記基板内側の前記ＩＲの下に形成され、前記基板領域と第１表面によって境界を画されるた第２導電型のウェル領と、
ガード・リングを形成するように前記ＩＲの第１部分を囲み、前記第１表面と交差している、前記ＩＲ内に形成された前記第２導電型の高濃度にドープされた領域（ＨＤＲ）と
を備えるフォトダイオード。
【請求項４】 第１導電型の半導体基板領域と、
前記基板内に形成され、光が通過できる第１の幅を有する電気的絶縁領域（ＩＲ）と、
前記基板内の前記ＩＲの下に形成され、前記第１の幅より大きい第２の幅を有し、第１表面によって前記基板と境界を画される第２の導電型の半導体ウェル領域と、
前記基板上にＩＲを囲んで形成され、前記第１表面が交差するゲート酸化物領域と
を備えるフォトダイオード。
【請求項５】 アクティブ画素センサ・アレイであって、
それぞれが光を通過させる絶縁領域（ＩＲ）を含む複数のフォトダイオードと、
第１導電型の基板領域と、
前記基板内の前記ＩＲの下に形成され、第１表面によって前記基板と境界を画される第２導電型のウェル領域であって、ウェル領域と、
前記ＩＲ内の第１位置に形成され、前記第１表面に実質的に第１位置で接合する前記第２導電型の高濃度にドープされた領域（ＨＤＲ）と
備えるアレイ。
【請求項６】 制御デバイスと、
前記制御デバイスに結合され、光が通過できる絶縁領域（ＩＲ）を含む、アクティブ画素センサ・アレイと、
第１導電型の基板領域と、
前記基板内の前記ＩＲの下に形成され、第１表面により前記基板と境界を画されるた第２導電型のウェル領域と、
前記ＩＲ内の第１位置に形成され、前記第１表面が実質的に前記第１位置で接合する前記第２導電型の高濃度にドープされた領域（ＨＤＲ）と、
前記制御デバイスおよび前記アクティブ画素センサ・アレイに結合された後処理デバイスと
を備える結像デバイス。