JP2004221578A - Cmosイメージセンサ - Google Patents
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Abstract
【課題】CMOSイメージセンサの転送ゲートの領域で生成された暗電流を低減することでノイズを低減し、ダイナミックレンジを高め、画質を全体的に改良する。
【解決手段】CMOSイメージセンサ65は、第1の導電性型を有する基板73と、入射光を捉え、電荷に変換する光検出器69と、前記光検出器69からの電荷を通過させる転送ゲートと、前記転送ゲートの長さ及び幅全体に実質的に沿って延びる、基板内の強化された導電性を有する第1の導電性型の領域75と、を含む。
【選択図】図3
【解決手段】CMOSイメージセンサ65は、第1の導電性型を有する基板73と、入射光を捉え、電荷に変換する光検出器69と、前記光検出器69からの電荷を通過させる転送ゲートと、前記転送ゲートの長さ及び幅全体に実質的に沿って延びる、基板内の強化された導電性を有する第1の導電性型の領域75と、を含む。
【選択図】図3
Description
本発明は、CMOSイメージセンサの分野に関し、より詳細には、転送ゲートを有し、転送ゲートの領域によって規定される導電性の強化された領域を基板に有するCMOSイメージセンサに関する。
図1を参照すると、従来技術のCMOSイメージセンサ10は、基板5に組み込まれたソリッドステートイメージャである。各画素は、一般に、感光性領域20、リセットトランジスタ30、電荷転送領域40、絶縁層42によって基板5から隔てられた転送ゲート電極45、電荷電圧変換領域50、及び増幅器60を含む。これらのCMOSセンサでは、装置の複数の領域で暗電流が生成される。かかる従来技術の装置では、感光性領域20における暗電流の低減に対処しているが、暗電流は電荷転送領域40でも生成される。
一般的な処理及びデザインでは、かつ短チャネルの影響により、今日のCMOSイメージセンサの電荷転送領域40は、基本的に、「通常オン」のチャンネル領域または空乏モードタイプのNMOSFETである。CCDベースのイメージングシステムとは異なり、これらのCMOSシステムに使用される一般的な電源は単極(例えば、+3.3V)である。このように、CMOSセンサ10の転送ゲート45の「オフ」状態電圧は0V(接地)の最小値に制限される。よって、転送ゲートの表面が「オフ」されないため、比較的多量の暗電流がこの領域に生成される。この暗電流、またはその一部が、集積期間中にフォトダイオードに漏れ、過度のノイズを生み、その結果、装置の撮像性能を制限する可能性がある。この問題を防ぐため、表面領域がオフ状態(Vg=0V)において(ホールで)蓄積される電荷転送領域40を提供し、過度の暗電流の生成を解消することが望ましい。
本発明は、上記の問題を1つ以上解決するものである。簡単に要約すると、本発明の1態様によれば、CMOSイメージセンサは、(a)第1の導電性型の基板と、(b)入射光を捉え、これを電荷に変換する光検出器と、(c)光検出器からの電荷を通過させるための転送ゲートと、(d)前記転送ゲートの全体の長さ及び幅に実質的に沿って延びる、基板内の、導電性が強化された第1の導電性型の領域と、を含む。
本発明の、上記及び他の態様、目的、特性及び効果については、以下に示す好ましい実施形態の詳細な説明及び請求の範囲から、及び添付の図面を参照してより明確に理解できる。
本発明は、CMOSイメージセンサの転送ゲートの領域で生成された暗電流を低減することでノイズを低減し、ダイナミックレンジを高め、画質を全体的に改良する。
以下、本発明を実施するための最良の形態(以下、実施形態という)について、図面に基づいて説明する。図2及び図3は、本発明の実施形態に係るCMOSソリッドステートイメージセンサ65の上面図および側面図である。CMOSソリッドステートイメージセンサ65は基板73に組み込まれ、各画素は、一般に、集積期間中に入射光を集光してこの光を電荷に変換する光検出領域69を含む。この光検出領域69は、好ましい実施形態として図3に示されるフォトダイオードまたはピンフォトダイオードでもよい。ピンフォトダイオードの場合、基板と同じ導電型のピン層72をフォトダイオードインプラント70の頂部に配置する。フォトダイオードインプラント70は、基板73と逆の導電性型である。センサはさらに、基板73及び転送ゲート電極76の導電性に対して強化された導電性を有する転送領域75aを含む。転送ゲート電極76は、絶縁材料74によって基板73から隔てられている。転送ゲート電極76にパルスを印加すると、電荷が光検出領域69から電荷電圧変換領域80に転送される。電荷電圧変換領域80の電位は、リセットトランジスタ90によって予め基準レベルにリセットされている。増幅器100が電荷電圧変換領域80に接続され、当業界で周知のように、チップの別の回路への電圧をバッファリングする。
上述のように、転送ゲートの領域で生成される暗電流を低減する目的で、転送領域75aは、基板73の導電性に対して導電性が強化されている。このように暗電流が低減する結果、ノイズが低減し、ダイナミックレンジが増加し、画質が全体的に改善される。なお、基板は好ましくはp型導電性であり、転送領域75aは、基板73と同じタイプ、すなわちこの実施形態ではp型導電性のさらなるドーパントを有する。
図4には、本発明の別の実施形態が示される。この実施形態では、強化されたp型導電性層75は、ピン層72(通常イオン注入によって形成される)の実質的な長さ及び幅を延び、ピン領域71の一部になっている。強化された導電性層75は、転送領域75a及び別の部分75bを含む。ここで、部分75bは光検出領域69内にある。ピン領域71は、ピン層72と強化されたp型導電性層75bとの組み合わせから形成されている。
5,73 基板、10 イメージセンサ、20,69 光検出領域、30,90 リセットトランジスタ、40,80 電荷転送領域、42 絶縁層、45,76 転送ゲート電極、50 電荷電圧変換領域、60,100 増幅器、65 CMOSソリッドステートイメージセンサ、70 フォトダイオードインプラント、71 ピン領域、72 ピン層、74 絶縁材料、75 強化されたp型導電性層。
Claims (3)
- CMOSイメージセンサであって、
(a)第1の導電性型を有する基板と、
(b)入射光を捉え、電荷に変換する光検出器と、
(c)前記光検出器からの電荷を通過させる転送ゲートと、
(d)前記転送ゲートの長さ及び幅全体に実質的に沿って延びる、基板内の強化された導電性を有する第1の導電性型の領域と、
を含む、CMOSイメージセンサ。 - 請求項1に記載のCMOSイメージセンサにおいて、前記第1の導電性型はp型である、CMOSイメージセンサ。
- 請求項1に記載のCMOSイメージセンサにおいて、前記光検出器はフォトダイオードである、CMOSイメージセンサ。
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