JP2002314117A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. ＰＩＮ構造のｉ層とｐ層およびｎ層との界面が半導体基板面に対して垂直に形成され、ｉ層に入射された光を電流に変換して検出するラテラル型半導体受光素子において、
   光電変換機能を有する色素層を、受光領域をなすｉ層の上面および／または内部に設けたことを特徴とするＰＩＮ構造のラテラル型半導体受光素子。
2. 電極と、
   前記電極と電気的に接続された半導体基板と、
   前記半導体基板の上方に配置され、ＰＩＮ構造のｉ層とｐ層およびｎ層との界面が半導体基板面に対して垂直に形成されたラテラル型フォトダイオードと、
   前記ｐ層の上面に設けられたｐ電極と、
   前記ｎ層の上面に設けられたｎ電極と、
   前記ｉ層の上面に設けられ、光電変換機能を有する色素層と、
   前記ｐ電極及び前記ｎ電極と前記色素層とを絶縁する絶縁層と、
   を備えたことを特徴とするＰＩＮ構造のラテラル型半導体受光素子。
3. 請求項１又は２において、
   前記色素層は、少なくともポルフィリン類、フタロシアニン類、ロドプシン類のいずれか１つを含むことを特徴とするＰＩＮ構造のラテラル型半導体受光素子。
4. 請求項１〜３のいずれかにおいて、
   前記ｐ電極及び前記ｎ電極は、平面形状が櫛形である、ＰＩＮ構造のラテラル型半導体受光素子。