JP4530179B2 - フォトダイオードおよびそれを備えた紫外線センサ、並びにフォトダイオードの製造方法 - Google Patents
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Description
しかしながら、上述した従来の技術においては、波長400nm以下の紫外線領域の紫外線の総量は検出できるものの、波長領域を分離して検出することはできないという問題がある。
また、UV−B波の波長領域の紫外線量を分離して検出する手段を提供することを目的とする。
なお、図2は、図1のA−A断面線に沿った断面図である。また図1は、図2に示すシリコン半導体層より上方の層を取り除いた状態で示してある。
本実施例のシリコン半導体層4上には、フォトダイオード1を形成するためのダイオード形成領域6が設定され、このダイオード形成領域6の周囲を矩形の枠状に囲う領域には、素子分離層9を形成するための素子分離領域10が設定されている(図5、図6参照)。
なお、本説明においては、図1等に示すように、素子分離層9は区別のために網掛けを付して示す。
12はP型高濃度拡散層としてのP+拡散層であり、ダイオード形成領域6のシリコン半導体層4に、ボロン(B)等のP型不純物を比較的高濃度に拡散させて形成された拡散層であって、図1に示すように、素子分離層9の内側の一の辺に接する峰部12aと、峰部12aから一の辺に対向する素子分離層9の内側の他の辺に向けて延在する複数の櫛歯部12bとで形成された櫛型に形成される。
14はN型高濃度拡散層としてのN+拡散層であり、ダイオード形成領域6のシリコン半導体層4に、P型高濃度拡散層と逆の型、つまりリン(P)や砒素(As)等のN型不純物を比較的高濃度に拡散させて形成された拡散層であって、図1に示すように、素子分離層9の内側の他の辺に接する峰部14aと、峰部14aから対向する一の辺に向けて延在する複数の櫛歯部14bとで形成された櫛型に形成される。
15は低濃度拡散層としてのP−拡散層であり、ダイオード形成領域6に、互いに離間して櫛歯部12b、14bを噛合わせて対向配置されたP+拡散層12とN+拡散層14とにそれぞれ接するシリコン半導体層4に、P型不純物を比較的低濃度に拡散させて形成された拡散層であって、ここに形成される空乏層に吸収された紫外線により電子−正孔対が発生する部位である。
本実施例のシリコン半導体層4に形成されたP−拡散層15と層間絶縁膜17との界面24には、図4に示すように、シリコン半導体層4の界面24に隣接するシリコン(Si)の原子列25のダングリングボンド26(未結合手)が水素(H)により終端されて、シリコンと水素の共有結合(Si−H結合という。)が形成されおり、UV−A波の波長領域の紫外線をカットして、UV−B波以下および可視光の波長領域の光を透過させるフィルタ(UV−Aフィルタ27という。図2等にハッチングを付して示す。)として機能する。
33は封止層であり、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の、UV−B波以上の波長領域の光を透過させる紫外線透過型封止樹脂を加熱、硬化させて形成された保護層であって、フォトチップ31a、31b等を外部の湿度等から保護する機能を有している。
本実施例の紫外線センサ30は、複数の外部端子34を形成したセラミックス基板35に、フォトチップ31a、31b並列に配置してそれぞれを銀ペースト等で接合し、ワイヤボンディングにより、端子穴36に露出している配線20と外部端子34とをワイヤ37で電気的に接続し、セラミックス基板35上のフォトチップ31a、31bを覆うシリコーン樹脂からなる封止層33で封止して形成される。
本実施例のシリコン半導体層4の厚さは、P+拡散層12およびN+拡散層14のシート抵抗の増大を抑制するために、40nm以上、100nm以下の範囲の厚さ(本実施例では、50nm)に形成される。
本実施例で用いる半導体ウェハのシリコン半導体層4は、SIMOX(Separation by Implanted Oxygen)法により埋込み酸化膜3上に薄いシリコン層を残して形成されたSOI構造の半導体ウェハ、または埋込み酸化膜3上に薄いシリコン層を貼り付けて形成されたSOI構造の半導体ウェハの埋込み酸化膜3上の薄いシリコン層に熱酸化法により犠牲酸化膜を形成し、これをウェットエッチングにより除去して、50nmの厚さに形成されている。
そして、ダイオード形成領域6のシリコン半導体層4に、P型不純物イオンを低濃度に注入して、P型低濃度注入層を形成し、フォトリソグラフィによりダイオード形成領域6のN+拡散層14の形成領域(図1に示す「E」字状の部位)を露出させたレジストマスク40(不図示)を形成し、露出しているシリコン半導体層4にN型不純物イオンを高濃度に注入して、N型高濃度注入層を形成する。
前記のレジストマスク40の除去後に、熱処理により、各拡散層の形成領域に形成された各注入層に注入された不純物を活性化して、各拡散層に所定の型の不純物を所定の濃度で拡散させ、ダイオード形成領域6に、P+拡散層12、N+拡散層14およびP−拡散層15を形成し、シリコン半導体層4に、横型PN接合形式のフォトダイオード1が複数形成されたSOI構造の半導体ウェハを準備する。
P3(図5)、層間絶縁膜17の形成後に、半導体ウェハを熱処理装置に投入し、水素雰囲気中での熱処理により、半導体ウェハの温度を上げて、シリコン半導体層4に形成されたP−拡散層15と、層間絶縁膜17との界面24に隣接するシリコンの原子列25のダングリングボンド26を、水素(H)により終端してSi−H結合を形成する。
これにより、P−拡散層15の層間絶縁膜17との界面24に接する領域に、本実施例のUV−A波の波長領域の紫外線をカットするUV−Aフィルタ27が形成される。
その後に、フォトリソグラフィにより配線20上の端子穴36の形成領域のパッシベーション膜22を露出させた開口を有するレジストマスク40(不図示)を形成し、異方性エッチングによりパッシベーション膜22をエッチングして端子穴36を形成する。
一方、工程P3を省略した工程により、シリコン半導体層4を同じ厚さに形成した半導体ウェハに、UV−Aフィルタ27を除いて同様に形成されたフォトダイオードを複数形成し、これを個片に分割して、UV−Aフィルタ27が形成されていないフォトチップ31bを形成する。
このように、UV−Aフィルタ27を除けば、同じ構成とされているフォトチップ31bが検出したUV−A波、UV−B波および可視光の波長領域の出力から、フォトチップ31aが検出したUV−A波の波長領域のみがカットされた出力を減算すれば、UV−A波の波長領域の紫外線量を求めることができ、地上に到達する紫外線の大部分を占めるUV−A波の波長領域の紫外線量を安定して検出することができる。
以上説明したように、本実施例では、シリコン半導体層に形成されたP+拡散層とN+拡散層とを、P−拡散層を挟んで対向配置したフォトダイオードのP−拡散層の、層間絶縁膜との界面に隣接する原子列に、Si−H結合で形成されたUV−Aフィルタを形成するようにしたことによって、層間絶縁膜側から入射した光が、層間絶縁膜との界面に形成されたSi−H結合を通過するときに、シリコン半導体層の厚さに関らず、その結合エネルギでUV−A波の波長領域の紫外線を消失させることができ、UV−Aフィルタを除いて同じ構成とされているフォトダイオードと組合せることによって、演算によりUV−A波の波長領域のみの紫外線量を求めることができ、地上に到達する紫外線の大部分を占めるUV−A波の波長領域の紫外線量を安定して検出することができる紫外線センサを得ることができる。
また、上記実施例においては、低濃度拡散層は、P型不純物を拡散させて形成するとして説明したが、N型の不純物を比較的低濃度に拡散させて形成しても、上記と同様の効果を得ることができる。
更に、上記実施例においては、P+拡散層およびN+拡散層には、櫛歯部を複数設け、これらを噛合わせて配置するとして説明したが、櫛歯部を設けずに、峰部のみを低濃度拡散層を挟んで対向配置するようにしてもよい。
3 埋込み酸化膜
4 シリコン半導体層
6 ダイオード形成領域
9 素子分離層
10 素子分離領域
12 P+拡散層
12a、14a 峰部
12b、14b 櫛歯部
14 N+拡散層
15 P−拡散層
17 層間絶縁膜
18 コンタクトホール
19 コンタクトプラグ
20 配線
22 パッシベーション膜
24 界面
25 原子列
26 ダングリングボンド
27 UV−Aフィルタ
30 紫外線センサ
31a、31b フォトチップ
33 封止層
34 外部端子
35 セラミックス基板
36 端子穴
37 ワイヤ
40 レジストマスク
Claims (5)
- シリコン半導体層に形成された、P型の不純物を高濃度に拡散させたP型高濃度拡散層と、N型の不純物を高濃度に拡散させたN型高濃度拡散層とを、前記シリコン半導体層に、P型およびN型のいずれか一方の型の不純物を低濃度に拡散させて形成された低濃度拡散層を挟んで対向配置した横型PN接合形式のフォトダイオードにおいて、
前記シリコン半導体層上に層間絶縁膜を形成すると共に、前記低濃度拡散層の、前記層間絶縁膜との界面に隣接する原子列に、シリコンと水素の共有結合を形成したことを特徴とするフォトダイオード。 - 請求項1において、
前記低濃度拡散層が形成されるシリコン半導体層は、3nm以上、36nm以下の範囲の厚さを有することを特徴とするフォトダイオード。 - シリコン半導体層に形成された、P型の不純物を高濃度に拡散させたP型高濃度拡散層と、N型の不純物を高濃度に拡散させたN型高濃度拡散層とを、前記シリコン半導体層に、P型およびN型のいずれか一方の型の不純物を低濃度に拡散させて形成された低濃度拡散層を挟んで対向配置した横型PN接合形式の2つのフォトダイオードを備え、
前記それぞれのフォトダイオードのシリコン半導体層上に層間絶縁膜を形成すると共に、一方の前記フォトダイオードの低濃度拡散層の、前記層間絶縁膜との界面に隣接する原子列に、シリコンと水素の共有結合を形成したことを特徴とする紫外線センサ。 - シリコン半導体層に形成された、P型の不純物を高濃度に拡散させたP型高濃度拡散層と、N型の不純物を高濃度に拡散させたN型高濃度拡散層とを、前記シリコン半導体層に、P型およびN型のいずれか一方の型の不純物を低濃度に拡散させて形成された低濃度拡散層を挟んで対向配置した横型PN接合形式のフォトダイオードを形成した半導体ウェハを準備する工程と、
前記シリコン半導体層上に層間絶縁膜を形成する工程と、
水素雰囲気中の熱処理により、前記低濃度拡散層の、前記層間絶縁膜との界面に隣接する原子列に、シリコンと水素の共有結合を形成する工程と、を備えることを特徴とするフォトダイオードの製造方法。 - 請求項4において、
前記低濃度拡散層が形成されるシリコン半導体層は、3nm以上、36nm以下の範囲の厚さを有することを特徴とするフォトダイオードの製造方法。
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JP6886307B2 (ja) * | 2017-02-15 | 2021-06-16 | エイブリック株式会社 | 光センサ装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02232531A (ja) * | 1989-03-07 | 1990-09-14 | Hamamatsu Photonics Kk | 光検出装置 |
JPH02240531A (ja) * | 1989-03-14 | 1990-09-25 | Hamamatsu Photonics Kk | 光検出装置 |
JPH10509806A (ja) * | 1994-08-12 | 1998-09-22 | ブラント・エイ・ペインター,ザ・サード | 光電子カプラ |
JP2002314117A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-25 | Seiko Epson Corp | Pin構造のラテラル型半導体受光素子 |
JP2006147661A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 受光装置とその製造方法およびカメラ |
JP2007081190A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 電界効果型トランジスタ |
Family Cites Families (11)
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US5955776A (en) * | 1996-12-04 | 1999-09-21 | Ball Semiconductor, Inc. | Spherical shaped semiconductor integrated circuit |
US6452669B1 (en) * | 1998-08-31 | 2002-09-17 | Digital Optics Corp. | Transmission detection for vertical cavity surface emitting laser power monitor and system |
JP2001326199A (ja) * | 2000-05-17 | 2001-11-22 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP4869509B2 (ja) * | 2001-07-17 | 2012-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4241228B2 (ja) * | 2003-07-11 | 2009-03-18 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
US20050012829A1 (en) * | 2003-07-17 | 2005-01-20 | Atsushi Tashiro | Resolution selector for image capturing system |
KR100669270B1 (ko) * | 2003-08-25 | 2007-01-16 | 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 | 표시 장치 및 광전 변환 소자 |
KR100606900B1 (ko) * | 2004-12-21 | 2006-08-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
JP2007053537A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Pentax Corp | 撮像装置 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02232531A (ja) * | 1989-03-07 | 1990-09-14 | Hamamatsu Photonics Kk | 光検出装置 |
JPH02240531A (ja) * | 1989-03-14 | 1990-09-25 | Hamamatsu Photonics Kk | 光検出装置 |
JPH10509806A (ja) * | 1994-08-12 | 1998-09-22 | ブラント・エイ・ペインター,ザ・サード | 光電子カプラ |
JP2002314117A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-25 | Seiko Epson Corp | Pin構造のラテラル型半導体受光素子 |
JP2006147661A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 受光装置とその製造方法およびカメラ |
JP2007081190A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 電界効果型トランジスタ |
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