JP2008147606A - フォトダイオード - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フォトダイオードが、絶縁層上に形成された厚さの異なる複数のシリコン半導体層を備え、それぞれの厚さのシリコン半導体層は、P型およびN型のいずれか一方の型の不純物を低濃度に拡散させて形成された低濃度拡散層を有し、それぞれの低濃度拡散層を挟んで、P型の不純物を高濃度に拡散させて形成されたP型高濃度拡散層と、N型の不純物を高濃度に拡散させて形成されたN型高濃度拡散層とを対向配置する。
【選択図】 図2
Description
一般に、紫外線は波長400nm以下の紫外線領域の視認できない光のことをいうが、長波紫外線(UV−A波:波長約320〜400nm)と、中波紫外線(UV−B波:波長約280〜320nm)と、短波紫外線(UV−C波:波長約280nm以下)とに分類され、これらの波長領域によって人体や環境に与える影響が異なり、UV−A波は皮膚を黒化させ、真皮に達して老化の原因になり、UV−B波は皮膚を炎症させ、皮膚ガンを誘発する虞があり、UV−C波は強い殺菌作用があるがオゾン層で吸収されるとされている。
しかしながら、上述した従来の技術においては、波長400nm以下の紫外線領域の紫外線の総量は検出できるものの、3つの波長領域を分離して検出することはできないという問題がある。
なお、図2は図1のA−A断面線に沿った断面図である。
図1、図2において、1はフォトダイオードであり、図示しないシリコン(Si)からなるシリコン基板上に、酸化シリコン(SiO2)からなる絶縁層としての埋込み酸化膜3を挟んで薄い単結晶シリコンからなるシリコン半導体層4を形成したSOI構造の半導体ウェハの厚さの異なる第1および第2のシリコン半導体層4a、4bに形成された第1および第2の感光素子11および21により構成される。
つまり、シリコン中における光吸収率I/Ioは、光吸収係数αを用いた次式に示すベールの法則により表される。
ここに、Zは光の進入深さ、Iは深さZにおける光強度、Ioは入射光強度を示す。
光吸収係数αは、図7に示すように波長依存性があり、式(1)を用いてシリコン半導体層4の厚さ(Z)毎に光吸収率I/Ioを求めると、図8に示すようなグラフが得られる。
この性質を利用するために、シリコン半導体層4の厚さに対する光吸収率I/Ioが10%となる波長を求めると、図9に示すように、波長400nm以下の紫外線領域で選択的に感度を有するようにするためには、シリコン半導体層4の厚さを50nm以下の厚さとすればよいことが判る。
図20はシリコン半導体層4の厚さを40.04nmとしたときの感光素子の感度を示すグラフである。図20に示すように、厚さを約40nmとした感光素子においては、紫外線の波長領域(波長400nm以下の波長領域)より長い可視光の波長領域(紫色)にサブピーク(図20に示す丸印)が存在することが判る。
このような、サブピークは、更に薄いシリコン半導体層4においても現出し、その現出する波長(サブピーク波長という。)を実験により求めた結果を図21に示す。
Ls=2.457Tsi+312.5 ・・・・・・・・・(2)
で表される実験式で近似され、シリコン半導体層4と埋込み酸化膜3との界面での反射の影響を避けて、波長400nmより長い波長の可視光と反応させないためには、第1および第2のシリコン半導体層4a、4bの厚さを36nm以下の厚さの範囲で異なる厚さとすればよいことが判る。
シリコン半導体層4の厚さを3nm以上とするのは、これより薄くすると半導体ウェハにシリコン半導体層4を形成する場合における厚さのバラツキを吸収することが困難になるからである。
このようにして、厚さが設定された第1のシリコン半導体層4a上には、図3ないし図6に示すように、フォトダイオード1の第1の感光素子11を形成するための第1のダイオード形成領域6a、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)としてのnMOS素子31やpMOS素子41を形成するためのトランジスタ形成領域8a、8bが設定され、第2のシリコン半導体層4b上には、フォトダイオード1の第2の感光素子21を形成するための第2のダイオード形成領域6bが設定されている。
素子分離層9は、素子分離領域10の厚さの厚い第1のシリコン半導体層4aに、酸化シリコン等の絶縁材料で埋込み酸化膜3に達して形成されており、第1および第2のシリコン半導体層4a、4bの第1および第2のダイオード形成領域6a、6b、並びに第1のシリコン半導体層4aのトランジスタ形成領域8a、8bの隣合うそれぞれの間を電気的に絶縁分離する機能を有している。
本実施例の第1の感光素子11は、厚さの厚い第1のシリコン半導体層4aに設定された第1のダイオード形成領域6aに形成される。
12はP型高濃度拡散層としての第1のP+拡散層であり、第1のダイオード形成領域6aの第1のシリコン半導体層4aにボロン(B)等のP型不純物を比較的高濃度に拡散させて形成された拡散層であって、図1に示すように、素子分離層9の内側の一の辺9aに接する峰部12aと、峰部12aから一の辺9aに対向する素子分離層9の内側の他の辺9bに向けて延在する複数の櫛歯部12bとで形成された櫛型に形成される。
14はN型高濃度拡散層としての第1のN+拡散層であり、第1のダイオード形成領域6aの第1のシリコン半導体層4aに、P型高濃度拡散層と逆の型、つまりリン(P)や砒素(As)等のN型不純物を比較的高濃度に拡散させて形成された拡散層であって、図1に示すように、素子分離層9の内側の他の辺9bに接する峰部14aと、峰部14aから対向する一の辺9aに向けて延在する複数の櫛歯部14bとで形成された櫛型に形成される。
15は低濃度拡散層としての第1のP−拡散層であり、互いに離間して櫛歯部12b、14bを噛合わせて対向配置された第1のP+拡散層12と第1のN+拡散層14とにそれぞれ接する第1のシリコン半導体層4aに、P型不純物を比較的低濃度に拡散させて形成された拡散層であって、ここに形成される空乏層に吸収された紫外線により電子−正孔対が発生する部位である。
本実施例のnMOS素子31は、厚さの厚い第1のシリコン半導体層4aに設定されたトランジスタ形成領域8aに形成される。
33はゲート電極であり、ソース層35(後述)と同じ型の不純物(本実施例ではN型)を比較的高濃度に拡散させたポリシリコン等からなる電極であって、トランジスタ形成領域8aのゲート長方向の中央部にゲート酸化膜32を挟んでトランジスタ形成領域8aの第1のシリコン半導体層4aに対向して形成され、その側面には窒化シリコン(Si3N4)等の絶縁材料からなるサイドウォール34が形成されている。
本実施例のpMOS素子41は、厚さの厚い第1のシリコン半導体層4aに設定されたトランジスタ形成領域8bにnMOS素子31の不純物の型を逆にして同様に形成され、ソース層45およびドレイン層46と、ソース層45とドレイン層46のそれぞれのエクステンション部47の間のチャネル領域48にゲート酸化膜42を挟んで対向する側面にサイドウォール34が形成されたゲート電極43とを有している。
また、第1および第2の感光素子11、21の第1および第2のN+拡散層14、24と、nMOS素子31のソース層35およびドレイン層36とは、それぞれN型の同じ不純物を同じ濃度に拡散させて形成される。
なお、上記のゲート長方向は、第1のシリコン半導体層4aの上面と平行にソース層35または45からドレイン層36または46へ向かう方向、またはその逆の方向をいう。
以下に、図3ないし図6にPで示す工程に従って、本実施例のフォトICの製造方法について説明する。
P3(図3)、ウェットエッチングにより犠牲酸化膜54を除去し、熱燐酸に浸漬してシリコン窒化膜53を除去し、第2のダイオード形成領域6bのシリコン半導体層4の厚さを10nmの厚さとした第2のシリコン半導体層4bを形成する。
P4(図3)、フォトリソグラフィにより第1のシリコン半導体層4aの第1のダイオード形成領域6aおよびトランジスタ形成領域8a、並びに第2のシリコン半導体層4bの第2のダイオード形成領域6bを露出させたレジストマスク51を形成し、これをマスクとして、露出している第1および第2のシリコン半導体層4a、4bにP型不純物イオンを注入し、第1のシリコン半導体層4aにP型不純物を比較的低濃度に拡散させた第1の感光素子11の第1のP−拡散層15およびnMOS素子31のチャネル領域38を形成すると共に、第2のシリコン半導体層4bにP型不純物を比較的低濃度に拡散させた第2の感光素子21の第2のP−拡散層25を形成する。
P7(図4)、フォトリソグラフィによりポリシリコン層56上に、トランジスタ形成領域8a、8bのゲート長方向の中央部のゲート電極33、43の形成領域を覆うレジストマスク(不図示)を形成し、これをマスクとしてドライエッチング等によりポリシリコン層56およびシリコン酸化膜55をエッチングし、ゲート酸化膜32、42を介して第1のシリコン半導体層4aのチャネル領域38、48に対向するゲート電極33、43を形成し、前記のレジストマスクを除去する。
その後に、素子分離層9上等の第1および第2のシリコン半導体層4a、4b上の全面に、CVD法により酸化シリコン等の絶縁材料を比較的厚く堆積し、その上面を平坦化処理して層間絶縁膜を形成し、フォトリソグラフィにより層間絶縁膜上に、第2のP+拡散層22および第2のN+拡散層24上のコンタクトホールの形成領域の層間絶縁膜を露出させた開口部を有するレジストマスク(不図示)を形成し、これをマスクとして酸化シリコンを選択的にエッチングする異方性エッチングにより層間絶縁膜を貫通して第2のP+拡散層22および第2のN+拡散層24に達するコンタクトホールを形成し、前記のレジストマスクの除去後に、CVD法またはスパッタ法によりコンタクトホール内に導電材料を埋め込んでコンタクトプラグを形成し、その上面を平坦化処理して層間絶縁膜の上面を露出させる。
更に、前記と同様にして、ゲート電極33、43に達するコンタクトホールに導電材料を埋込んでコンタクトプラグを形成し、平坦化処理を施して本実施例のフォトIC58を形成する。
計算に用いた第1の感光素子11の第1のP−拡散層15の厚さは35nm、第2の感光素子21の第2のP−拡散層25の厚さは10nmである。
また、図11(b)に示すように、第2の感光素子21の出力を約1.4倍(図11(b)に示す破線)し、これを第1の感光素子11の出力から減じると、その差の絶対値はA波が相殺されてB波とC波とをそれぞれ約5%含む出力になる。
そして、第1の感光素子11を約5倍して求めた紫外線領域の入射光強度から前記で求めたB波およびC波の入射光強度を減ずると、その差はA波の入射光強度になる。
上記の演算と同様にして、短い波長幅で各波長幅のそれぞれの入射光強度を求めた結果を図12に示す。
この場合に、フォトダイオード1の第1および第2の感光素子11、21からの出力は、光発生電流を抵抗等を用いて電圧に変換し、これをA/Dコンバータ等でデジタル値に変換して取出し、これらを外部回路に設けた演算回路で演算することによりそれぞれの波長領域の強度を検出するとよい。
なお、図13は実施例1の図2と同様の断面で示した断面図であり、その上面は実施例1の図1と同様である。また上記実施例1と同様の部分は、同一の符号を付してその説明を省略する。
このため、図13に示すように、本実施例の第2のP+拡散層22と第2のN+拡散層24とは、第1のシリコン半導体層4aと同じ厚さに形成されている。
シリコン半導体層4の厚さを、3nm以上、36nm以下とするのは、上記実施例1と同様の理由による。
第2のシリコン半導体層4bの厚さを30nm未満に設定した場合に、第2のP+拡散層22と第2のN+拡散層24の厚さを30nm以上とするのは、第2のP+拡散層22および第2のN+拡散層24の厚さをそれぞれ30nm未満にすると、図18に示すP+拡散層の場合においても、図19に示すN+拡散層の場合においても、シート抵抗が極度に上昇し、第2の感光素子21からの出力が低下するからである。
以下に、図14ないし図17にPAで示す工程に従って、本実施例のフォトICの製造方法について説明する。
本実施例の半導体ウェハのシリコン半導体層4は、上記実施例1と同様にして第1のシリコン半導体層4aの厚さと同じ35nmに形成される。
PA3(図14)、ウェットエッチングにより犠牲酸化膜54を除去し、熱燐酸に浸漬してシリコン窒化膜53を除去し、第2のP−形成領域61のシリコン半導体層4の厚さを10nmの厚さとした第2のシリコン半導体層4bを形成する。
PA4(図14)、フォトリソグラフィにより第1のシリコン半導体層4aの第1のダイオード形成領域6aおよびトランジスタ形成領域8a、並びに第2のシリコン半導体層4bを含む第2のダイオード形成領域6bを露出させたレジストマスク51を形成し、これをマスクとして、実施例1の工程P4と同様にして、第1の感光素子11の第1のP−拡散層15およびnMOS素子31のチャネル領域38を形成すると共に、第2のシリコン半導体層4bを含む第2のダイオード形成領域6bにP型不純物を比較的低濃度に拡散させた第2の感光素子21の第2のP−拡散層25を形成する。
PA6(図15)、実施例1の工程P6と同様にして、シリコン酸化膜55を形成し、その上にポリシリコン層56を形成する。
PA7(図15)、実施例1の工程P7と同様にして、ゲート酸化膜32、42を介して第1のシリコン半導体層4aのチャネル領域38、48に対向するゲート電極33、43を形成する。
PA11(図16)、フォトリソグラフィにより上記工程PA8と同様のレジストマスク51を形成し、これをマスクとして露出している第1のシリコン半導体層4aおよびゲート電極33のポリシリコンにN型不純物イオンを注入し、サイドウォール34の両側の第1のシリコン半導体層4aにN型不純物を比較的高濃度に拡散させたnMOS素子31のソース層35、ドレイン層36、並びに第1のシリコン半導体層4aに第1および第2の感光素子11、21の第1および第2のN+拡散層14、24を形成すると共に、ゲート電極33に比較的高濃度のN型不純物を拡散させる。
その後に、上記実施例1と同様にして層間絶縁膜を形成し、フォトリソグラフィにより層間絶縁膜上に、第1および第2のP+拡散層12、22、第1および第2のN+拡散層14、24、ソース層35、45およびドレイン層36、46上のコンタクトホールの形成領域の層間絶縁膜を露出させた開口部を有するレジストマスク(不図示)を形成し、上記実施例1と同様にして各拡散層に達するコンタクトプラグを形成し、その上面を平坦化処理して層間絶縁膜の上面を露出させる。
このようにして形成された第1および第2の感光素子11、21は、上記実施例1と同様に、それぞれの拡散層がnMOS素子31およびpMOS素子41の各拡散層と同じ型の同じ不純物を同じ濃度に拡散させているので、それぞれの形成工程において、同じレジストマスク51を用いて同時に形成することが可能になり、フォトIC58の製造工程の簡略化を図ることができる。
また、第2のP+拡散層22および第2のN+拡散層25をnMOS素子31およびpMOS素子41を形成する第1のシリコン半導体層4aに形成するので、コンタクトホールの深さを他のソース層等の拡散層に形成するコンタクトホールの深さと同じにすることができ、コンタクトプラグを形成するときの工程を簡素化して、フォトIC58の製造工程の簡略化を更に図ることができる。
以上説明したように、本実施例では、上記実施例1と同様の効果に加えて、第2のP−拡散層を形成する第2のシリコン半導体層の厚さを30nm未満にした場合に、第2のP+拡散層および第2のN+拡散層を30nm以上の厚さにするようにしたことによって、第2の感光素子の高濃度拡散層のシート抵抗が過大になることを防止して、第2の感光素子からの出力の低下を防止することができる。
なお、上記各実施例においては、フォトダイオードの感光素子の低濃度拡散層は、2種類の厚さの異なるシリコン半導体層にそれぞれ形成するとして説明したが、3種類以上の異なる厚さを有するシリコン半導体層にそれぞれ形成するようにしてもよい。
更に、上記各実施例においては、P+拡散層は「π」字状、N+拡散層は「E」字状であるとして説明したが、それぞれの形状を逆にしてもよく、櫛歯部の数を更に多くしてもよい。
更に、上記各実施例においては、シリコン半導体層はSOI基板の絶縁層としての埋込み酸化膜上に形成されたシリコン半導体層であるとして説明したが、絶縁層としてのサファイア基板上に形成されたSOS(Silicon On Sapphire)基板のシリコン半導体層であっても、絶縁層としてのクオーツ基板上に形成されたSOQ(Silicon On Quartz)基板のシリコン半導体層等であってもよい。
3 埋込み酸化膜
4 シリコン半導体層
4a 第1のシリコン半導体層
4b 第2のシリコン半導体層
6a 第1のダイオード形成領域
6b 第2のダイオード形成領域
8a、8b トランジスタ形成領域
9 素子分離層
9a、9c 一の辺
9b、9d 他の辺
10 素子分離領域
11、第1の感光素子
12 第1のP+拡散層
12a、14a、22a、24a 峰部
12b、14b、22b、24b 櫛歯部
14 第1のN+拡散層
15 第1のP−拡散層
16、26 境界
21 第2の感光素子
22 第2のP+拡散層
24 第2のN+拡散層
25 第2のP−拡散層
31 nMOS素子
32、42 ゲート酸化膜
33、43 ゲート電極
34 サイドウォール
35、45 ソース層
36、46 ドレイン層
37、47 エクステンション部
38、48 チャネル領域
41 pMOS素子
51 レジストマスク
53 シリコン窒化膜
54 犠牲酸化膜
55 シリコン酸化膜
56 ポリシリコン層
58 フォトIC
61 第2のP−形成領域
Claims (9)
- 絶縁層上に形成された厚さの異なる複数のシリコン半導体層を備え、
前記それぞれの厚さのシリコン半導体層は、P型およびN型のいずれか一方の型の不純物を低濃度に拡散させて形成された低濃度拡散層を有し、
それぞれの前記低濃度拡散層を挟んで、P型の不純物を高濃度に拡散させて形成されたP型高濃度拡散層と、N型の不純物を高濃度に拡散させて形成されたN型高濃度拡散層とが対向配置されていることを特徴とするフォトダイオード。 - 請求項1において、
前記低濃度拡散層を挟んで対向配置された前記P型高濃度拡散層と、前記N型高濃度拡散層とが同じ厚さのシリコン半導体層に形成されていることを特徴とするフォトダイオード。 - 請求項1または請求項2において、
前記厚さの異なるシリコン半導体層は、それぞれ3nm以上、36nm以下の範囲の厚さを有することを特徴とするフォトダイオード。 - 請求項1において、
前記低濃度拡散層を、30nm未満となるシリコン半導体層に形成する場合に、該低濃度拡散層を挟んで対向配置された前記P型高濃度拡散層およびN型高濃度拡散層を、30nm以上、36nm以下の厚さとすることを特徴とするフォトダイオード。 - 絶縁層上に形成された第1のシリコン半導体層と、
前記絶縁層上に形成された前記第1のシリコン半導体層より薄い厚さを有する第2のシリコン半導体層と、
前記第1のシリコン半導体層に形成された、P型およびN型のいずれか一方と同じ型の不純物を低濃度に拡散させた第1の低濃度拡散層と、該第1の低濃度拡散層を挟んで、P型の不純物を高濃度に拡散させた第1のP型高濃度拡散層と、N型の不純物を高濃度に拡散させた第1のN型高濃度拡散層とを対向配置させた第1の感光素子と、
P型およびN型のいずれか一方と同じ型の不純物を低濃度に拡散させた第2の低濃度拡散層と、該第2の低濃度拡散層を挟んで、P型の不純物を高濃度に拡散させた第2のP型高濃度拡散層と、N型の不純物を高濃度に拡散させた第2のN型高濃度拡散層とを対向配置させた第2の感光素子とを備え、
前記第2のシリコン半導体層に、前記第2の低濃度拡散層を形成したことを特徴とするフォトダイオード。 - 請求項5において、
前記第2のP型高濃度拡散層および第2のN型高濃度拡散層が、前記第2のシリコン半導体層に形成されていることを特徴とするフォトダイオード。 - 請求項5において、
前記第2のP型高濃度拡散層および第2のN型高濃度拡散層が、前記第1のシリコン半導体層に形成されていることを特徴とするフォトダイオード。 - 請求項5ないし請求項7のいずれか一項において、
前記第1および第2のシリコン半導体層は、それぞれ3nm以上、36nm以下の範囲の厚さを有することを特徴とするフォトダイオード。 - 請求項5ないし請求項7のいずれか一項において、
前記第1のシリコン半導体層は、30nm以上、36nm以下の範囲の厚さを有し、前記第2のシリコン半導体層は、3nm以上、30nm未満の範囲の厚さを有することを特徴とするフォトダイオード。
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JP2010073808A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Oki Semiconductor Co Ltd | 照度センサおよびその製造方法 |
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