JP2006128383A - 固体撮像素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 CMOS型固体撮像素子3は、マトリックス状に配列された複数の画素ユニットを有し、画素ユニットの1つは、シリコン基板30と、シリコン基板30の上部に配された光電変換部31と、シリコン基板30及び光電変換部31の上に形成された層間絶縁膜33と、各光電変換部31の上方において層間絶縁膜33の中に配された相対的に屈折率の高い材料で形成された下向き切頭角錐型光導波路36と、光導波路36の底面を囲繞するように矩形開口50を有すると共に層間絶縁膜33の上面に配された抵抗率2.7×10−6Ωcmのアルミニウムの第3の電極35と、シリコン基板30と光電変換部31との境界上において層間絶縁膜33の中に配された抵抗率2.7×10−6Ωcmのアルミニウムの第1の電極32とを備える。
【選択図】 図1
Description
31 光電変換部
32 第1の電極
34 第2の電極
35 第3の電極
33 層間絶縁層
36 光導波路
37 カラーフィルタ
38,53 平坦化層
39 マイクロレンズ
Claims (4)
- 基板と、前記基板の上部に配設された光電変換部と、前記光電変換部の上方に配され、一端で受光した所定の波長領域の光を前記光電変換部に導く光導波路と、前記光電変換部の上方に配置されるとともに、光を遮光する遮光領域とを備える固体撮像素子において、前記遮光領域は、前記一端において前記光導波路を隙間なく囲繞する開口を有することを特徴とする固体撮像素子。
- 前記遮光領域は、前記発生された電荷を転送するように構成され、抵抗率が5×10−6Ωcm以下であることを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
- 基板と、前記基板の上部に配設された光電変換部と、前記光電変換部の上方に配され、一端で受光した所定の波長領域の光を前記光電変換部に導く光導波路と、前記基板及び前記光電変換部の上方において前記光導波路のまわりに配された層間絶縁膜と、前記光導波路が受光すべき光のうち所定の波長の光を選択するカラーフィルタ層とを備える固体撮像素子において、前記層間絶縁膜は、可視光の透過率が30%以下であり、屈折率が前記光導波路の屈折率よりも低いことを特徴とする固体撮像素子。
- 基板を準備し、前記基板の上部に光電変換部を形成する固体撮像素子の製造方法において、前記基板の上方において光を遮光する遮光領域を形成し、その後、前記遮光領域をマスクにして、一端で受光した所定の波長領域の光を前記光電変換部に導く光導波路を形成することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
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