CN102388456B - 图像传感器及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
图像传感器包括：光电转换像素，包括进行光电转换的光电转换元件、和在位于光电转换元件上方的层间绝缘膜中由第一材料形成的光导；以及遮光像素，包括进行光电转换的光电转换元件、在位于光电转换元件上方的层间绝缘膜中由与第一材料不同的第二材料形成的光导、以及在光导上方形成的遮光层。
Description
技术领域
本发明涉及图像传感器的结构。
背景技术
使用CCD和CMOS APS等作为图像传感器并记录所拍摄的图像的诸如数字照相机和数字摄像机等的摄像设备已经出售了一段时间。这种图像传感器试图通过增加像素的数量来提高图像质量。为此，构成图像传感器的各像素的表面积已逐年减小，结果，图像传感器的受光部的表面积也减小了。受光部的表面积的减小也引起了感光度降低，因而提出了以下的图像传感器：通过在入射面和受光部之间设置用于将光引导至受光部中的光导来改善集光特性(参见日本特开平4-73532)。
顺便来说，图像传感器由二维排列的多个像素构成，并且这些像素包括受光部开口的有效像素和被遮蔽的OB(光学黑体)像素。期望这些OB像素具有与有效像素相同的特性，但已知发生称为“OB能级差”的现象。即，通过诸如铝等的遮蔽构件遮蔽OB像素，这导致光电二极管和遮蔽构件之间出现寄生电容；这又导致有效像素和OB像素之间不同的表面能级(参见日本特开2005-175930)。
在具有如之前所述的光导的图像传感器中，OB像素通常不具有光导，这可能有更容易发生OB能级差的问题。为了解决这个问题，提出了将光导也嵌入OB像素中的图像传感器(参见日本特开2007-141873)。
日本特开2007-141873所公开的技术是消除OB能级差的有用技术。然而，因为OB像素的光导的尺寸和有效像素的光导的尺寸不同，因此仍然存在残留小程度的OB能级差的可能性。尽管作为用于消除程度小的残留OB能级差的有效方式，日本特开2007-141873提到使用形状相同的光导，但其没有公开实现这种方式的详细结构。
发明内容
考虑到上述问题，本发明提供一种能够减少OB能级差的图像传感器的结构。
根据本发明的第一方面的图像传感器包括：光电转换像素，包括第一光电转换元件、位于所述第一光电转换元件上方的第一配线层、在所述第一配线层之间形成的第一层间绝缘膜以及在所述第一层间绝缘膜中由第一材料形成的第一光导；以及遮光像素，包括第二光电转换元件、位于所述第二光电转换元件上方的第二配线层、在所述第二配线层之间形成的第二层间绝缘膜、在所述第二层间绝缘膜中由具有与所述第一材料不同的特性的第二材料形成的第二光导以及在所述第二光导上方形成的用于遮蔽所述第二光电转换元件和所述第二光导的遮光层。
同时，根据本发明的第二方面的制造方法是用于制造图像传感器的方法，所述图像传感器包括光电转换元件、多个配线层、在所述多个配线层之间的层间绝缘膜中形成的光导以及在所述多个配线层上方形成的遮光层，所述图像传感器具有所述光电转换元件被所述遮光层遮蔽的遮光像素以及所述光电转换元件未被所述遮光层遮蔽的光电转换像素，所述方法包括：第一步骤，用于在所述多个配线层之间形成所述层间绝缘膜；第二步骤，用于在所述第一步骤之后、在所述遮光像素的层间绝缘膜中形成所述光导；第三步骤，用于在所述第二步骤之后、在所述光电转换像素的层间绝缘膜中形成所述光导；以及第四步骤，用于在所述第三步骤之后、在所述遮光像素和所述光电转换像素上形成所述遮光层，其中，所述光电转换像素的光导由第一材料形成，并且所述遮光像素的光导由具有与所述第一材料不同的特性的第二材料形成。
通过以下参考附图对典型实施例的说明，本发明的其它特征将变得明显。
附图说明
图1是粗略地示出根据本发明实施例的图像传感器的整体结构的图。
图2是示意性地示出图像传感器中的像素的截面结构的图。
图3A是示意性地示出图像传感器的制造方法的图。
图3B是示意性地示出图像传感器的制造方法的图。
图3C是示意性地示出图像传感器的制造方法的图。
图3D是示意性地示出图像传感器的制造方法的图。
图3E是示意性地示出图像传感器的制造方法的图。
图3F是示意性地示出图像传感器的制造方法的图。
图3G是示意性地示出图像传感器的制造方法的图。
图3H是示意性地示出图像传感器的制造方法的图。
图3I是示意性地示出图像传感器的制造方法的图。
图4是示出根据本发明实施例的摄像设备的结构的图。
具体实施方式
以下将参考附图详细说明本发明的实施例。
图1是示出根据本发明实施例的图像传感器的结构的图。
图1中的图像传感器包括二维排列像素的像素阵列101、用于选择像素阵列101中的行的垂直选择电路102、和用于选择像素阵列101中的列的水平选择电路104。图像传感器还包括读出电路103，读出电路103用于从垂直选择电路102和水平选择电路104所选择的像素阵列101的像素中读出信号。注意，除了图1所示的构成元件以外，图像传感器还包括例如控制电路以及用于管理垂直选择电路102、水平选择电路104和读出电路103等的定时的定时生成器等。
垂直选择电路102顺序选择像素阵列101的多个行，而水平选择电路104顺序选择像素阵列的多个列，以顺序选择构成垂直选择电路102所选择的行的多个像素。像素阵列101由二维阵列形式的多个像素构成，以提供二维图像。
图2是示意性地示出像素阵列101中的像素的截面结构的图。
在图2中，201表示通过遮蔽配线层207(后述的第三配线层)光学地遮蔽的OB像素(遮光像素)。202表示有效像素(光电转换像素)。203表示用作光电转换元件的光电二极管(以下称为“PD”)，并且将光电二极管设置在OB像素201和有效像素202的半导体基板内(第一光电转换元件和第二光电转换元件)。204表示POLY配线层；205表示位于PD 203上方的第一配线层；206表示第二配线层；以及207表示第三配线层。利用该多个配线层，将从PD 203进行的光电转换产生的电信号读出至读出电路103，并且还供给读出所需的电源/GND。针对OB像素和有效像素以相同的方式设置这些多个配线层(第一配线层和第二配线层)。第一至第三配线层205、206和207由铝或铜等形成。第三配线层207是离PD 203最远的配线层，并且在OB像素中，通过在OB像素的整个表面上形成第三配线层207(遮光层)来遮蔽PD 203。另一方面，在有效像素202中，在第三配线层207的中心部设置开口部以使得光可以通过，并且仅遮蔽其周围。将层间绝缘膜形成在层204、205、206和207之间(第一层间绝缘膜和第二层间绝缘膜)。层间绝缘膜212由具有低折射率的材料形成。例如，层间绝缘膜212由氧化硅膜(SiO2，折射率1.46)或BPSG膜(折射率1.46)等形成。210表示颜色滤波器层；211表示微透镜；以及213表示保护膜。
在层间绝缘膜中形成光导208和209。使用具有彼此不同的介电常数的材料(即，具有不同特性的材料)来形成OB像素201的光导208(第一光导)和有效像素202的光导209(第二光导)。有效像素202的光导209由具有比层间绝缘膜的折射率高的材料(第一材料)构成。例如，光导209由SiN(折射率2.0)形成。针对OB像素201，第三配线层207也位于光导208上方，因此，PD 203和遮蔽配线层(第三配线层)207之间的寄生电容与有效像素202的寄生电容不同。在SiN(相对介电常数大约为7～9)用于光导的情况下，该差异特别显著。因此，OB像素201的光导208由具有比有效像素202的光导209低的折射率的材料(第二材料)形成。与光导209的组成不同并且折射率较低的SiN是最佳的。然而，也可以使用其它材料(例如，SiON(相对介电常数大约为2.5))。此外，基于光导208或209的形状，可以不使用单一材料、而使用多种材料来形成光导208。例如，在SiN用作光导208的材料的情况下，SiN的组成在中途变化，结果使用具有不同介电常数的两种类型的SiN。
现在基于图3A～3I说明前述的图像传感器的制造方法。
首先，如图3A所示，在OB像素201和有效像素202中，均形成层间绝缘膜212以从POLY配线层204覆盖至第二配线层206(第一步骤)。接着，如图3B所示，在要形成光导208的OB像素201的区域中的层间绝缘膜中使用光刻法和蚀刻处理来形成槽。然后，如图3C所示，使用诸如等离子CVD等的方法在光导208内累积嵌入材料(第二步骤)。如之前所述，尽管期望使用具有低介电常数的组成的SiN，但是可以使用SiON或复合材料等。接着，如图3D所示，使用诸如CMP或回蚀等的方式从光导208以外的区域去除额外的SiN。
接着，如图3E所示，以与图3B所示的步骤相同的方式，在要形成光导209的有效像素202的区域中的层间绝缘膜中，使用光刻法和蚀刻处理来形成槽。此时，优选使用抗蚀剂等保护光导208(未示出)。然后，如图3F所示，使用诸如等离子CVD等的方法在光导209内累积嵌入材料(第三步骤)。针对嵌入光导209中的第一材料，选择具有比嵌入光导208中的第二材料高的介电常数的材料。期望使用具有较高的介电常数的组成的SiN。接着，如图3G所示，使用诸如CMP或回蚀等的方式从光导208和209以外的区域去除额外的SiN和抗蚀剂等。
接着，如图3H所示，形成作为最上层并且用作遮光层的第三配线层207(第四步骤)。这里，在OB像素201的整个表面上形成最上层的第三配线层207，因此，OB像素201处于永久遮蔽状态。同时，针对有效像素202，使得最上层的配线层开口以允许光进入光导209。最后，如图3I所示，在第三配线层207上形成保护层213，然后在保护层213上形成颜色滤波器层210和微透镜211。
以这种方式制造图像传感器使得在OB像素201的光导208和有效像素202的光导209中嵌入具有不同介电常数的材料。选择材料使得可以在OB像素201和有效像素202中实现相似程度的寄生电容，从而可以减少OB能级差。
将基于图4详细说明将上述图像传感器应用在用作摄像设备的数字照相机中的例子。
在图4中，901表示在图像传感器905上形成被摄体的光学图像的透镜部；通过透镜驱动单元902进行变焦控制、调焦控制和光圈控制等。903表示由快门驱动单元904控制的机械快门。905表示将由透镜部901形成的被摄体图像输出为图像信号的图像传感器，而906表示对从图像传感器905输出的图像信号进行各种校正、并进行数据压缩等的摄像信号处理电路。907表示将各种定时信号输出至图像传感器905和摄像信号处理电路906的定时生成电路；909表示进行各种计算并整体控制摄像设备的控制电路；以及908表示用于临时存储图像数据的存储器。910表示用于记录至记录介质911或者从记录介质911读出的记录介质控制I/F单元；911表示用于记录或读出图像数据的诸如半导体存储器等的可移除记录介质；以及912表示用于显示各种信息或所拍摄图像等的显示单元。
接着，将说明如上所述配置的数字照相机在拍摄时的操作。
当接通主电源时，也接通控制系统的电源，此外，也接通至诸如摄像信号处理电路906等的摄像系统电路的电源。之后，当按下释放按钮(未示出)时，提取从焦点检测单元914输出的信号的高频成分，并且控制电路909进行关于是否聚焦于被摄体的计算。之后，通过透镜驱动单元902驱动透镜部901，并判断透镜部901是否聚焦；如果判断为透镜部901未聚焦，则在再次驱动透镜部之后进行焦点检测。
然后，在将透镜部确认为处于聚焦之后，开始摄像操作。当摄像操作结束时，从图像传感器905输出的图像信号在摄像信号处理电路906中经过图像处理，然后通过控制电路909写入存储器908中。在控制电路909的控制下，经由记录介质控制I/F单元910将存储器908中所累积的数据记录在诸如半导体存储器等的可移除记录介质911中。也可以经由未示出的外部I/F单元将数据直接输入计算机等，然后可以在计算机中对图像进行编辑。
尽管已经参考典型实施例说明了本发明，但是应该理解，本发明不限于所公开的典型实施例。所附权利要求书的范围符合最宽的解释，以包含所有这类修改、等同结构和功能。
本申请要求于2009年4月2日提交的日本专利申请2009-090485的优先权，其全部内容通过引用包含于此。
Claims (4)
1.一种图像传感器，包括：
光电转换像素，包括第一光电转换元件、位于所述第一光电转换元件上方的第一配线层、在所述第一配线层之间形成的第一层间绝缘膜以及在所述第一层间绝缘膜中由第一材料形成的第一光导；以及
遮光像素，包括第二光电转换元件、位于所述第二光电转换元件上方的第二配线层、在所述第二配线层之间形成的第二层间绝缘膜、在所述第二层间绝缘膜中由第二材料形成的第二光导以及在所述第二光导上方形成的用于遮蔽所述第二光电转换元件和所述第二光导的遮光层，
其中，所述第一材料和所述第二材料具有不同的介电常数。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第二材料的介电常数比所述第一材料的介电常数低。
3.一种用于制造图像传感器的方法，所述图像传感器包括光电转换元件、多个配线层、在所述多个配线层之间的层间绝缘膜中形成的光导以及在所述多个配线层上方形成的遮光层，所述图像传感器具有所述光电转换元件被所述遮光层遮蔽的遮光像素以及所述光电转换元件未被所述遮光层遮蔽的光电转换像素，所述方法包括：
第一步骤，用于在所述多个配线层之间形成所述层间绝缘膜；
第二步骤，用于在所述第一步骤之后、在所述遮光像素的层间绝缘膜中形成第一光导；
第三步骤，用于在所述第二步骤之后、在所述光电转换像素的层间绝缘膜中形成第二光导；以及
第四步骤，用于在所述第三步骤之后、在所述遮光像素和所述光电转换像素上形成所述遮光层，
其中，所述光电转换像素的第二光导由第一材料形成，并且所述遮光像素的第一光导由第二材料形成，所述第一材料和所述第二材料具有不同的介电常数。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二材料的介电常数比所述第一材料的介电常数低。
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Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5783741B2 (ja) | 2011-02-09 | 2015-09-24 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法 |
| JP5814626B2 (ja) * | 2011-05-27 | 2015-11-17 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法 |
| JP6308717B2 (ja) * | 2012-10-16 | 2018-04-11 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および撮像システム |
| US9252183B2 (en) | 2013-01-16 | 2016-02-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state image pickup apparatus and method for manufacturing the same |
| US20160141318A1 (en) * | 2013-06-28 | 2016-05-19 | Teledyne Dalsa, Inc. | Method and system for assembly of radiological imaging sensor |
| FR3075463B1 (fr) * | 2017-12-19 | 2019-12-20 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Capteur d'image, permettant d'obtenir une information relative a la phase d'une onde lumineuse. |
| TWI672806B (zh) * | 2018-06-22 | 2019-09-21 | 晶相光電股份有限公司 | 全域快門互補式金屬氧化物半導體影像感測器及其形成方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006128383A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Canon Inc | 固体撮像素子及びその製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2007141873A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-06-07 | Sony Corp | 固体撮像素子、撮像装置、及び固体撮像素子の製造方法 |
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